JP2009160700A

JP2009160700A - Polishing device

Info

Publication number: JP2009160700A
Application number: JP2008001521A
Authority: JP
Inventors: Naohiro Matsutani; 直宏松谷; Hironori Saito; 弘憲齋藤; Ryohei Yokota; 亮平横田; Susumu Hayakawa; 晋早川; Naoya Sukegawa; 直哉介川; Tokuhito Fuwa; 徳人不破
Original assignee: Disco Abrasive Systems Ltd
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2008-01-08
Filing date: 2008-01-08
Publication date: 2009-07-23

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polishing device having a cleaning function for surely removing polishing chips attached to a holding surface of a chuck table. <P>SOLUTION: The polishing device is equipped with: a chuck table for sucking and holding a workpiece; a chuck table moving mechanism for selectively locating the chuck table into a workpiece attaching/detaching area and a polishing area; a polishing means having a polishing pad for polishing the workpiece by the chuck table located in the polishing area; a chuck table cleaning means for cleaning the chuck table located in the workpiece attaching/detaching area; and a cleaning water supply means for supplying cleaning water to the chuck table located in the workpiece attaching/detaching area. The chuck table is equipped with: a first holding area having a circular shape for sucking and holding a small diameter workpiece; and a second holding area having an annular shape, which is provided by surrounding the first holding area and sucks and holds an outer peripheral part of a large diameter workpiece. The cleaning water supply means supplies pure water to the first holding area and the second holding area of the chuck table located in the workpiece attaching/detaching area. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体ウエーハ等の被加工物を研磨する研磨装置に関する。 The present invention relates to a polishing apparatus for polishing a workpiece such as a semiconductor wafer.

半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる切断ラインによって多数の矩形領域を区画し、該矩形領域の各々にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。このように多数のデバイスが形成された半導体ウエーハをストリートに沿って分割することにより、個々の半導体デバイスを形成する。半導体デバイスの小型化および軽量化を図るために、通常、半導体ウエーハをストリートに沿って切断して個々の矩形領域を分割するのに先立って、半導体ウエーハの裏面を研削して所定の厚さに形成している。半導体ウエーハの裏面の研削は、通常、ダイヤモンド砥粒をレジンボンドの如き適宜のボンドで固着して形成した研削砥石を、高速回転せしめながら半導体ウエーハの裏面に押圧せしめることによって遂行されている。このような研削方式によって半導体ウエーハの裏面を研削すると、半導体ウエーハの裏面に所謂加工歪が生成され、これによって個々に分割された半導体チップの抗折強度が相当低減される。この研削された半導体ウエーハの裏面に生成される加工歪を除去する対策として、研削された半導体ウエーハの裏面を硝酸および弗化水素酸を含むエッチング液を使用して化学的エッチングするウエットエッチング法やエッチングガスを用いるドライエッチング法が使用されている。また、研削された半導体ウエーハの裏面を遊離砥粒を使用してポリッシングするポリッシング法も実用化されている。 In a semiconductor device manufacturing process, a large number of rectangular areas are defined by cutting lines called streets arranged in a lattice pattern on the surface of a semiconductor wafer having a substantially disk shape, and devices such as ICs, LSIs, etc. are divided into the rectangular areas. Form. Individual semiconductor devices are formed by dividing the semiconductor wafer on which a large number of devices are formed in this manner along the streets. In order to reduce the size and weight of semiconductor devices, the back surface of the semiconductor wafer is usually ground to a predetermined thickness before the semiconductor wafer is cut along the streets and divided into individual rectangular regions. Forming. The grinding of the back surface of the semiconductor wafer is usually performed by pressing a grinding wheel formed by fixing diamond abrasive grains with an appropriate bond such as a resin bond against the back surface of the semiconductor wafer while rotating at high speed. When the back surface of the semiconductor wafer is ground by such a grinding method, a so-called processing strain is generated on the back surface of the semiconductor wafer, thereby considerably reducing the bending strength of the individually divided semiconductor chips. As a countermeasure for removing the processing strain generated on the back surface of the ground semiconductor wafer, a wet etching method in which the back surface of the ground semiconductor wafer is chemically etched using an etchant containing nitric acid and hydrofluoric acid, A dry etching method using an etching gas is used. Further, a polishing method for polishing the back surface of a ground semiconductor wafer using loose abrasive grains has been put into practical use.

しかしながら、上述したウエットエッチング法、ドライエッチング法およびポリッシング法は、生産性が悪いとともに、廃液が環境汚染の原因となる。このような問題を解決するためにフエルトに砥粒を分散させ適宜のボンド剤で固定したフエルト砥石からなる研磨パッドを用いて、研削された半導体ウエーハの裏面を研磨し、研削歪みを取り除く研磨装置が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）
特開２００２−２８３２１１号公報 However, the wet etching method, the dry etching method, and the polishing method described above have low productivity and waste liquid causes environmental pollution. In order to solve such problems, a polishing apparatus that polishes the back surface of a ground semiconductor wafer and removes grinding distortion by using a polishing pad made of a felt grindstone in which abrasive grains are dispersed in a felt and fixed with an appropriate bonding agent. Has been proposed. (For example, refer to Patent Document 1.)
JP 2002-28311 A

上記公報に開示された研磨装置は、被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を乾式で研磨する研磨パッドを備えた研磨手段と、チャックテーブルを被加工物着脱域と研磨域に位置付けるチャックテーブル移動機構と、被加工物着脱域においてチャックテーブルを洗浄するチャックテーブル洗浄手段とを具備している。このような研磨装置においては、小径（例えば直径が２００mm）のウエーハと大径（例えば直径が３００mm）のウエーハを選択的に加工することができるように構成されたチャックテーブルを装備しているものがある。このチャックテーブルは、小径のウエーハを吸引保持する円形状の第１の保持領域と、該第１の保持領域を囲繞して設けられ大径のウエーハの外周部を吸引保持する環状の第２の保持領域を備えている。 The polishing apparatus disclosed in the above publication includes a chuck table that holds a workpiece, a polishing unit that includes a polishing pad that polishes the workpiece held on the chuck table in a dry manner, and a chuck table that is a workpiece. A chuck table moving mechanism positioned in the attachment / detachment region and the polishing region, and a chuck table cleaning means for cleaning the chuck table in the workpiece attachment / detachment region are provided. Such a polishing apparatus is equipped with a chuck table configured to selectively process a wafer having a small diameter (for example, a diameter of 200 mm) and a wafer having a large diameter (for example, a diameter of 300 mm). There is. This chuck table has a circular first holding region for sucking and holding a small-diameter wafer, and an annular second holding member that surrounds the first holding region and sucks and holds the outer peripheral portion of the large-diameter wafer. A holding area is provided.

上述したように第１の保持領域と第２の保持領域を備えたチャックテーブルを装備した研磨装置において、小径のウエーハをチャックテーブルの第１の保持領域に吸引保持して研磨した後、小径のウエーハをチャックテーブルから搬出するとともにチャックテーブルの保持面を洗浄して、大径のウエーハをチャックテーブルの第１の保持領域および第２の保持領域に吸引保持して研磨すると、大径のウエーハの被研磨面に小径のウエーハの外周縁に対応した環状の段差が生じるという問題がある。この問題は、小径のウエーハを研磨した際に小径のウエーハの外周縁に沿ってチャックテーブルに付着した研磨屑が洗浄した後も残存することに起因すると考えられる。チャックテーブルの保持面を洗浄する際には、研磨屑が静電気によってチャックテーブルの保持面に付着しないように洗浄水として導電性の高い市水や純水に二酸化炭素を混入して導電性を高めたものが用いられているが、上述したように小径のウエーハを研磨した際に小径のウエーハの外周縁に沿ってチャックテーブルに付着した研磨屑が洗浄した後も残存する。 In the polishing apparatus equipped with the chuck table having the first holding region and the second holding region as described above, the small diameter wafer is sucked and held in the first holding region of the chuck table and then polished. When the wafer is unloaded from the chuck table and the holding surface of the chuck table is cleaned, and the large diameter wafer is sucked and held in the first holding area and the second holding area of the chuck table, the large diameter wafer is removed. There is a problem that an annular step corresponding to the outer peripheral edge of the small-diameter wafer occurs on the surface to be polished. This problem is considered to be caused by polishing residues adhering to the chuck table along the outer peripheral edge of the small-diameter wafer remaining after the small-diameter wafer is polished. When cleaning the holding surface of the chuck table, carbon dioxide is mixed with highly conductive city water or pure water as cleaning water to prevent polishing debris from adhering to the holding surface of the chuck table due to static electricity. However, as described above, when the small-diameter wafer is polished, the polishing waste adhering to the chuck table along the outer peripheral edge of the small-diameter wafer remains even after cleaning.

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、チャックテーブルの保持面に付着した研磨屑を確実に除去することができる洗浄機能を備えた研磨装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-mentioned facts, and its main technical problem is to provide a polishing apparatus having a cleaning function capable of reliably removing polishing debris adhering to the holding surface of the chuck table. is there.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を吸引保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルを被加工物着脱域と研磨域に選択的に位置付けるチャックテーブル移動機構と、該研磨域に位置付けられた該チャックテーブルに保持された被加工物を研磨するための研磨パッドを備えた研磨手段と、該被加工物着脱域に位置付けられた該チャックテーブルを洗浄するチャックテーブル洗浄手段と、該被加工物着脱域に位置付けられた該チャックテーブルに洗浄水を供給する洗浄水供給手段と、を具備する研磨装置において、
該チャックテーブルは、小径の被加工物を吸引保持する円形状の第１の保持領域と該第１の保持領域を囲繞して設けられ大径の被加工物の外周部を吸引保持する環状の第２の保持領域を備えており、
該洗浄水供給手段は、該被加工物着脱域に位置付けられた該チャックテーブルの該第１の保持領域および該第２の保持領域に純水を供給する、
ことを特徴とする研磨装置が提供される。 In order to solve the above main technical problem, according to the present invention, a chuck table for sucking and holding a workpiece, a chuck table moving mechanism for selectively positioning the chuck table in a workpiece attachment / detachment region and a polishing region, Polishing means having a polishing pad for polishing a workpiece held on the chuck table positioned in the polishing area, and chuck table cleaning means for cleaning the chuck table positioned in the workpiece attachment / detachment area And a cleaning water supply means for supplying cleaning water to the chuck table positioned in the workpiece attachment / detachment area,
The chuck table is provided with a circular first holding region for sucking and holding a small-diameter workpiece and an annular shape for sucking and holding the outer peripheral portion of the large-diameter workpiece. A second holding area;
The cleaning water supply means supplies pure water to the first holding area and the second holding area of the chuck table positioned in the workpiece attachment / detachment area.
A polishing apparatus is provided.

本発明による研磨装置は、チャックテーブルが小径の被加工物を吸引保持する円形状の第１の保持領域と該第１の保持領域を囲繞して設けられ大径の被加工物の外周部を吸引保持する環状の第２の保持領域を備えており、洗浄水供給手段が被加工物着脱域に位置付けられたチャックテーブルをチャックテーブル洗浄手段によって洗浄する際に第１の保持領域および第２の保持領域に純水を供給するので、チャックテーブルに被加工物を吸引保持して研磨した後、チャックテーブルの第１の保持領域および第２の保持領域を洗浄すると、純水の活性力によってチャックテーブルの第１の保持領域および第２の保持領域に付着した研磨屑が効果的に除去される。従って、チャックテーブルの第１の保持領域に小径の被加工物を吸引保持して研磨した後、チャックテーブルの第１の保持領域および第２の保持領域を洗浄すると、第１の保持領域と第２の保持領域との境界部に小径の被加工物の外周縁に沿って付着した研磨屑も確実に除去されているので、チャックテーブルの第１の保持領域および第２の保持領域に大径の被加工物を吸引保持して研磨しても、大径の被加工物の被研磨面に小径の被加工物の外周縁に対応した環状の段差が生じることはない。 In the polishing apparatus according to the present invention, a circular first holding region in which a chuck table sucks and holds a small-diameter workpiece and an outer peripheral portion of the large-diameter workpiece provided around the first holding region are provided. An annular second holding region for sucking and holding is provided, and the first holding region and the second holding region are provided when the cleaning water supply means cleans the chuck table positioned in the workpiece attachment / detachment region by the chuck table cleaning means. Since pure water is supplied to the holding area, the workpiece is sucked and held on the chuck table and polished, and then the first holding area and the second holding area of the chuck table are cleaned. Polishing waste adhering to the first holding area and the second holding area of the table is effectively removed. Accordingly, when the first holding area and the second holding area of the chuck table are cleaned after the workpiece having the small diameter is sucked and held in the first holding area of the chuck table, the first holding area and the second holding area are cleaned. Since the polishing dust adhering along the outer peripheral edge of the small-diameter workpiece at the boundary with the two holding regions is also reliably removed, the first holding region and the second holding region of the chuck table have a large diameter. Even if the workpiece is polished while being sucked and held, an annular step corresponding to the outer peripheral edge of the small-diameter workpiece does not occur on the polished surface of the large-diameter workpiece.

以下、本発明による研磨装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of a polishing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図１には本発明に従って構成された研磨装置の斜視図が示されている。
図１に示す研磨装置は、全体を番号２で示す装置ハウジングを具備している。装置ハウジング２は、細長く延在する直方体形状の主部２１と、該主部２１の後端部（図１において右上端）に設けられ実質上鉛直に上方に延びる直立壁２２とを有している。直立壁２２の前面には、上下方向に延びる一対の案内レール２２１、２２１が設けられている。この一対の案内レール２２１、２２１に研磨ユニット３が上下方向に移動可能に装着されている。 FIG. 1 is a perspective view of a polishing apparatus constructed according to the present invention.
The polishing apparatus shown in FIG. 1 includes an apparatus housing denoted as a whole by 2. The apparatus housing 2 includes a rectangular parallelepiped main portion 21 that extends elongated and an upright wall 22 that is provided at a rear end portion (upper right end in FIG. 1) of the main portion 21 and extends substantially vertically upward. Yes. A pair of guide rails 221 and 221 extending in the vertical direction are provided on the front surface of the upright wall 22. The polishing unit 3 is mounted on the pair of guide rails 221 and 221 so as to be movable in the vertical direction.

研磨ユニット３は、移動基台３１と該移動基台３１に装着されたスピンドルユニット３２を具備している。移動基台３１は、後面両側に上下方向に延びる一対の脚部３１１、３１１が設けられており、この一対の脚部３１１、３１１に上記一対の案内レール２２１、２２１と摺動可能に係合する被案内溝３１２、３１２が形成されている。このように直立壁２２に設けられた一対の案内レール２２１、２２１に摺動可能に装着された移動基台３１の前面には前方に突出した支持部３１３が設けられている。この支持部３１３にスピンドルユニット３２が取り付けられる。 The polishing unit 3 includes a moving base 31 and a spindle unit 32 attached to the moving base 31. The movable base 31 is provided with a pair of legs 311 and 311 extending in the vertical direction on both sides of the rear surface. The pair of legs 311 and 311 is slidably engaged with the pair of guide rails 221 and 221. Guided grooves 312 and 312 are formed. As described above, a support portion 313 protruding forward is provided on the front surface of the movable base 31 slidably mounted on the pair of guide rails 221 and 221 provided on the upright wall 22. The spindle unit 32 is attached to the support portion 313.

スピンドルユニット３２は、支持部３１３に装着されたスピンドルハウジング３２１と、該スピンドルハウジング３２１に回転自在に配設された回転スピンドル３２２と、該回転スピンドル３２２を回転駆動するための駆動源としてのサーボモータ３２３とを具備している。回転スピンドル３２２の下端部はスピンドルハウジング３２１の下端を越えて下方に突出せしめられており、その下端には円板形状の工具装着部材３２４が設けられている。なお、工具装着部材３２４には、周方向に間隔をおいて複数のボルト挿通孔（図示していない）が形成されている。この工具装着部材３２４の下面に研磨工具３２５が装着される。研磨工具３２５は、図２および図３に図示する如く、円板形状の支持部材３２６と円板形状の研磨パッド３２７とから構成されている。支持部材３２６には周方向に間隔をおいてその上面から下方に延びる複数の盲ねじ穴３２６ａが形成されている。支持部材３２６の下面は円形支持面を構成しており、研磨パッド３２７はエポキシ樹脂系接着剤の如き適宜の接着剤によって支持部材３２６の円形支持面に接合されている。研磨パッド３２７は、図示の実施形態においてはフエルトに砥粒を分散させ適宜のボンド剤で固定したフエルト砥石が用いられている。このフエルト砥石からなる研磨パッド３２７自体の構成についての詳細な説明は、上述した特開２００２−２８３２１１号公報に詳細に説明されているのでかかる記載に委ね、本明細書においては説明を省略する。上記回転スピンドル３２２の下端に固定されている工具装着部材３２４の下面に研磨工具３２５を位置付け、工具装着部材３２４に形成されている貫通孔を通して研磨工具３２５の支持部材３２６に形成されている盲ねじ孔３２６ａに締結ボルト３２８を螺着することによって、工具装着部材３２４に研磨工具３２５が装着される。 The spindle unit 32 includes a spindle housing 321 mounted on the support portion 313, a rotary spindle 322 rotatably disposed on the spindle housing 321, and a servo motor as a drive source for rotationally driving the rotary spindle 322. 323. The lower end of the rotary spindle 322 protrudes downward beyond the lower end of the spindle housing 321, and a disk-shaped tool mounting member 324 is provided at the lower end. The tool mounting member 324 is formed with a plurality of bolt insertion holes (not shown) at intervals in the circumferential direction. A polishing tool 325 is mounted on the lower surface of the tool mounting member 324. As shown in FIGS. 2 and 3, the polishing tool 325 includes a disk-shaped support member 326 and a disk-shaped polishing pad 327. The support member 326 is formed with a plurality of blind screw holes 326a extending downward from the upper surface at intervals in the circumferential direction. The lower surface of the support member 326 forms a circular support surface, and the polishing pad 327 is joined to the circular support surface of the support member 326 by an appropriate adhesive such as an epoxy resin adhesive. In the illustrated embodiment, the polishing pad 327 is a felt grindstone in which abrasive grains are dispersed in a felt and fixed with an appropriate bond agent. The detailed description of the structure of the polishing pad 327 itself made of the felt grindstone is described in detail in the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-283111, so that the description is omitted and the description is omitted in this specification. The polishing tool 325 is positioned on the lower surface of the tool mounting member 324 fixed to the lower end of the rotary spindle 322, and the blind screw formed on the support member 326 of the polishing tool 325 through the through hole formed in the tool mounting member 324. The polishing tool 325 is mounted on the tool mounting member 324 by screwing the fastening bolt 328 into the hole 326a.

図１に戻って説明を続けると、図示の研磨装置は、上記研磨ユニット３を上記一対の案内レール２２１、２２１に沿って上下方向（後述するチャックテーブルの載置面と垂直な方向）に移動せしめる研磨ユニット送り機構４を備えている。この研磨ユニット送り機構４は、直立壁２２の前側に配設され実質上鉛直に延びる雄ねじロッド４１を具備している。この雄ねじロッド４１は、その上端部および下端部が直立壁２２に取り付けられた軸受部材４２および４３によって回転自在に支持されている。上側の軸受部材４２には雄ねじロッド４１を回転駆動するための駆動源としてのパルスモータ４４が配設されており、このパルスモータ４４の出力軸が雄ねじロッド４１に伝動連結されている。移動基台３１の後面にはその幅方向中央部から後方に突出する連結部（図示していない）も形成されており、この連結部には鉛直方向に延びる貫通雌ねじ穴が形成されており、この雌ねじ穴に上記雄ねじロッド４１が螺合せしめられている。従って、パルスモータ４４が正転すると移動基台３１即ち研磨ユニット３が下降即ち前進せしめられ、パルスモータ４４が逆転すると移動基台３１即ち研磨ユニット３が上昇即ち後退せしめられる。 Returning to FIG. 1, the explanation will continue. The illustrated polishing apparatus moves the polishing unit 3 in the vertical direction along the pair of guide rails 221 and 221 (in a direction perpendicular to the mounting surface of the chuck table described later). A polishing unit feeding mechanism 4 is provided. The polishing unit feed mechanism 4 includes a male screw rod 41 disposed on the front side of the upright wall 22 and extending substantially vertically. The male screw rod 41 is rotatably supported by bearing members 42 and 43 whose upper end and lower end are attached to the upright wall 22. The upper bearing member 42 is provided with a pulse motor 44 as a drive source for rotationally driving the male screw rod 41, and the output shaft of the pulse motor 44 is connected to the male screw rod 41 by transmission. A connecting portion (not shown) that protrudes rearward from the center portion in the width direction is also formed on the rear surface of the movable base 31, and a through female screw hole that extends in the vertical direction is formed in the connecting portion, The male screw rod 41 is screwed into the female screw hole. Therefore, when the pulse motor 44 rotates in the forward direction, the moving base 31, that is, the polishing unit 3 is lowered or moved forward, and when the pulse motor 44 rotates in the reverse direction, the moving base 31, that is, the polishing unit 3 is raised or moved backward.

図１および図４を参照して説明を続けると、ハウジング２の主部２１の後半部上には略矩形状の作業部２１１が形成されており、この作業部２１１にはチャックテーブル機構５が配設されている。チャックテーブル機構５は、上記作業２１１の前後方向（直立壁２２の前面に垂直な方向）である矢印５１ａおよび５１ｂで示す方向に延在する一対の案内レール５１、５１と、該一対の案内レール５１、５１上に摺動自在に載置された移動基台５２と、該移動基台５２上に円筒部材５３によって支持されたカバーテーブル５４と、該被加工物保持手段としてのチャックテーブル６を具備している。このカバーテーブル５４およびチャックテーブル６について、図５を参照して説明する。 1 and FIG. 4, the substantially rectangular working portion 211 is formed on the rear half of the main portion 21 of the housing 2, and the chuck table mechanism 5 is provided on the working portion 211. It is arranged. The chuck table mechanism 5 includes a pair of guide rails 51, 51 extending in a direction indicated by arrows 51 a and 51 b that are the front-rear direction of the work 211 (direction perpendicular to the front surface of the upright wall 22), and the pair of guide rails 51. A movable base 52 slidably mounted on 51, 51, a cover table 54 supported by a cylindrical member 53 on the movable base 52, and a chuck table 6 as the workpiece holding means. It has. The cover table 54 and the chuck table 6 will be described with reference to FIG.

図５に示すように、カバーテーブル５４は中央に開口５４１を備えている、該開口５４１の周囲が円筒部材５３の上端に適宜の固定手段によって取り付けられる。チャックテーブル６は、被加工物を保持する円盤状の保持部６１と、該保持部６１の下面に突出して設けられた回転軸部６２とからなっており、回転軸部６２が円筒部材５３に軸受６２０を介して回転可能に支持されている。また、回転軸部６２の下端は、円筒部材５３内に配設された図示しないパルスモータに連結され、パルスモータによって適宜回転せしめられる。 As shown in FIG. 5, the cover table 54 has an opening 541 at the center, and the periphery of the opening 541 is attached to the upper end of the cylindrical member 53 by appropriate fixing means. The chuck table 6 includes a disk-shaped holding portion 61 that holds a workpiece, and a rotating shaft portion 62 that protrudes from the lower surface of the holding portion 61. The rotating shaft portion 62 is attached to the cylindrical member 53. It is rotatably supported via a bearing 620. Further, the lower end of the rotating shaft portion 62 is connected to a pulse motor (not shown) disposed in the cylindrical member 53 and is appropriately rotated by the pulse motor.

チャックテーブル６を構成する円盤状の保持部６１は、その上面に設けられた円形状の嵌合凹部６１１と、該嵌合凹部６１１を囲繞して設けられた環状の嵌合凹部６１２を備えている。円形状の嵌合凹部６１１には第１の保持領域を構成する円形状の第１の吸着チャック６３が嵌合され、環状の嵌合凹部６１２には第２の保持領域を構成する環状の第２の吸着チャック６４が嵌合されている。この第１の吸着チャック６３および第２の吸着チャック６４は、多孔質セラミッックスの如き適宜の多孔性材料によって形成されている。なお、第１の吸着チャック６３は、図示の実施形態においては直径が２００mmに形成されており、直径が２００mmのウエーハを保持するようになっている。また、第２の吸着チャック６４は、図示の実施形態においては外径が３００mmに形成されており、直径が３００mmのウエーハを保持するようになっている。チャックテーブル６を構成する円盤状の保持部６１および回転軸部６２には、円形状の嵌合凹部６１１に連通する第１の吸引通路６６１と環状の嵌合凹部６１２に連通する第２の吸引通路６６２が設けられている。この第１の吸引通路６６１および第２の吸引通路６６２は、それぞれ配管６７１および配管６７２を介して吸引手段６８に接続されている。なお、配管６７１には第１の電磁開閉弁６９１が配設されており、配管６７２には第２の電磁開閉弁６９２が配設されている。従って、第１の電磁開閉弁６９１が附勢(ON)され開路すると、吸引手段６８から配管６７１、第１の吸引通路６６１および円形状の嵌合凹部６１１を介して第１の保持領域を構成する第１の吸着チャック６３の上面である保持面に負圧が作用せしめられる。また、第２の電磁開閉弁６９２が附勢(ON)され開路すると、吸引手段６８から配管６７２、第２の吸引通路６６２および環状の嵌合凹部６１２を介して第２の保持領域を構成する第２の吸着チャック６４の上面である保持面に負圧が作用せしめられる。 The disc-shaped holding portion 61 constituting the chuck table 6 includes a circular fitting recess 611 provided on the upper surface thereof, and an annular fitting recess 612 provided surrounding the fitting recess 611. Yes. The circular fitting recess 611 is fitted with the circular first suction chuck 63 constituting the first holding region, and the annular fitting recess 612 is fitted with the annular first constituting the second holding region. Two suction chucks 64 are fitted. The first suction chuck 63 and the second suction chuck 64 are made of an appropriate porous material such as porous ceramics. In the illustrated embodiment, the first suction chuck 63 has a diameter of 200 mm, and holds a wafer having a diameter of 200 mm. In the illustrated embodiment, the second suction chuck 64 has an outer diameter of 300 mm and holds a wafer having a diameter of 300 mm. The disc-shaped holding portion 61 and the rotary shaft portion 62 constituting the chuck table 6 are connected to a first suction passage 661 that communicates with the circular fitting recess 611 and a second suction that communicates with the annular fitting recess 612. A passage 662 is provided. The first suction passage 661 and the second suction passage 662 are connected to the suction means 68 via a pipe 671 and a pipe 672, respectively. The pipe 671 is provided with a first electromagnetic on-off valve 691, and the pipe 672 is provided with a second electromagnetic on-off valve 692. Therefore, when the first electromagnetic on-off valve 691 is energized (ON) and opened, the first holding region is configured from the suction means 68 via the pipe 671, the first suction passage 661, and the circular fitting recess 611. A negative pressure is applied to the holding surface which is the upper surface of the first suction chuck 63. Further, when the second electromagnetic opening / closing valve 692 is energized (ON) and opened, a second holding region is formed from the suction means 68 via the pipe 672, the second suction passage 662, and the annular fitting recess 612. A negative pressure is applied to the holding surface which is the upper surface of the second suction chuck 64.

図４に戻って説明を続けると、図示の研磨装置は、上記チャックテーブル機構５を一対の案内レール５１、５１に沿って矢印５１ａおよび５１ｂで示す方向に移動せしめるチャックテーブル移動機構５６を具備している。チャックテーブル移動機構５６は、一対の案内レール５１間に配設され案内レール５１と平行に延びる雄ねじロッド５６１と、該雄ねじロッド５６１を回転駆動するサーボモータ５６２を具備している。雄ねじロッド５６１は、上記移動基台５２に設けられたネジ穴５２１と螺合して、その先端部が一対の案内レール５１、５１を連結して取り付けられた軸受部材５６３によって回転自在に支持されている。サーボモータ５６２は、その駆動軸が雄ねじロッド５６１の基端と伝動連結されている。従って、サーボモータ５６２が正転すると移動基台５２即ちチャックテーブル６が矢印５１ａで示す方向に移動し、サーボモータ５６２が逆転すると移動基台５２即ちチャックテーブル６が矢印５１ｂで示す方向に移動せしめられる。矢印５１ａおよび５１ｂで示す方向に移動せしめられるチャックテーブル６は、図４において実線で示す被加工物着脱域（図１における被加工物着脱域２４）と２点鎖線で示す研磨域（図１における研磨域２５）に選択的に位置付けられる。また、チャックテーブル機構５は、研磨域においては所定範囲に渡って矢印５１ａおよび５１ｂで示す方向に往復動せしめられる。 Returning to FIG. 4, the illustrated polishing apparatus includes a chuck table moving mechanism 56 that moves the chuck table mechanism 5 along the pair of guide rails 51, 51 in the directions indicated by arrows 51 a and 51 b. ing. The chuck table moving mechanism 56 includes a male screw rod 561 disposed between the pair of guide rails 51 and extending in parallel with the guide rail 51, and a servo motor 562 that rotationally drives the male screw rod 561. The male threaded rod 561 is screwed into a threaded hole 521 provided in the moving base 52, and its tip is rotatably supported by a bearing member 563 attached by connecting a pair of guide rails 51, 51. ing. The servo motor 562 has a drive shaft connected to the base end of the male screw rod 561 by transmission. Accordingly, when the servo motor 562 rotates in the forward direction, the moving base 52, that is, the chuck table 6 moves in the direction indicated by the arrow 51a. When the servo motor 562 rotates in the reverse direction, the moving base 52, that is, the chuck table 6 moves in the direction indicated by the arrow 51b. It is done. The chuck table 6 moved in the directions indicated by the arrows 51a and 51b includes a workpiece attachment / detachment area (workpiece attachment / detachment area 24 in FIG. 1) and a polishing area (in FIG. 1) indicated by a two-dot chain line in FIG. It is selectively positioned in the polishing zone 25). Further, the chuck table mechanism 5 is reciprocated in a direction indicated by arrows 51a and 51b over a predetermined range in the polishing region.

図１に戻って説明を続けると、上記チャックテーブル機構５を構成するカバーテーブル５４の移動方向両側には、図１に示すように横断面形状が逆チャンネル形状であって、上記一対の案内レール５１、５１や雄ねじロッド５６１およびサーボモータ５６２等を覆っている蛇腹手段８１および８２が付設されている。蛇腹手段８１および８２はキャンパス布の如き適宜の材料から形成することができる。蛇腹手段８１の前端は作業部２１１の前面壁に固定され、後端はチャックテーブル機構５のカバーテーブル５４の前端面に固定されている。蛇腹手段８２の前端はチャックテーブル機構５のカバーテーブル５４の後端面に固定され、後端は装置ハウジング２の直立壁２２の前面に固定されている。チャックテーブル６が矢印５１ａで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段８１が伸張されて蛇腹手段８２が収縮され、チャックテーブル６が矢印５１ｂで示す方向に移動せしめられる際には蛇腹手段８１が収縮されて蛇腹手段８２が伸張せしめられる。 Returning to FIG. 1, the description will be continued. On the both sides of the moving direction of the cover table 54 constituting the chuck table mechanism 5, the cross-sectional shape is an inverted channel shape as shown in FIG. 51 and 51, bellows means 81 and 82 covering the male screw rod 561, the servo motor 562 and the like are attached. The bellows means 81 and 82 can be formed from any suitable material such as campus cloth. The front end of the bellows means 81 is fixed to the front wall of the working unit 211, and the rear end is fixed to the front end surface of the cover table 54 of the chuck table mechanism 5. The front end of the bellows means 82 is fixed to the rear end surface of the cover table 54 of the chuck table mechanism 5, and the rear end is fixed to the front surface of the upright wall 22 of the apparatus housing 2. When the chuck table 6 is moved in the direction indicated by the arrow 51a, the bellows means 81 is expanded and the bellows means 82 is contracted. When the chuck table 6 is moved in the direction indicated by the arrow 51b, the bellows means 81 is By being contracted, the bellows means 82 is extended.

図示の実施形態における研磨装置は、上記被加工物着脱域２４に位置付けられたチャックテーブル６の第１の保持領域を構成する円形状の第１の吸着チャック６３および第２の保持領域を構成する環状の第２の吸着チャック６４の上面である保持面を洗浄するチャックテーブル洗浄手段７を具備している。このチャックテーブル洗浄手段７は、装置ハウジング２の主部２１の両側部に対向して配設された一対の支持部材７１、７１を具備している。この一対の支持部材７１、７１間には水平に配設された案内ロッド７２が固定されおり、該案内ロッド７２に滑動ブロック７３が摺動可能に装着されている。即ち、滑動ブロック７３には案内ロッド７２が挿通せしめられる貫通穴が形成されており、この貫通穴を案内ロッド７２に嵌挿することにより、滑動ブロック７３は案内ロッド７２に摺動可能に支持される。上記一対の支持部材７１、７１間には案内ロッド７２の下方に平行に配設された雄ねじロッド７４が回転可能に装着されている。この雄ねじロッド７４は滑動ブロック７３に形成された雌ねじ穴に螺合せしめられており、その一端が一対の支持部材７１、７１の一方に装着された電動モータ７５に伝動連結されている。電動モータ７５が正転駆動され雄ねじロッド７４が所定方向に回転せしめられると、滑動ブロック７３は矢印７３aで示す方向に移動せしめられる。また、電動モータ７５が逆転駆動され雄ねじロッド７４が所定方向と反対方向に回転せしめられると、滑動ブロック７３は矢印７３bで示す方向に移動せしめられる。 The polishing apparatus in the illustrated embodiment forms a circular first suction chuck 63 and a second holding region that constitute a first holding region of the chuck table 6 positioned in the workpiece attaching / detaching region 24. A chuck table cleaning means 7 for cleaning a holding surface which is an upper surface of the annular second suction chuck 64 is provided. The chuck table cleaning means 7 includes a pair of support members 71, 71 disposed opposite to both sides of the main portion 21 of the apparatus housing 2. A guide rod 72 disposed horizontally is fixed between the pair of support members 71, 71, and a sliding block 73 is slidably mounted on the guide rod 72. That is, the sliding block 73 is formed with a through hole through which the guide rod 72 can be inserted. By inserting the through hole into the guide rod 72, the sliding block 73 is slidably supported by the guide rod 72. The Between the pair of support members 71, 71, a male screw rod 74 disposed in parallel below the guide rod 72 is rotatably mounted. The male screw rod 74 is screwed into a female screw hole formed in the slide block 73, and one end of the male screw rod 74 is connected to an electric motor 75 mounted on one of the pair of support members 71, 71. When the electric motor 75 is driven forward and the male screw rod 74 is rotated in a predetermined direction, the slide block 73 is moved in the direction indicated by the arrow 73a. When the electric motor 75 is driven in reverse and the male screw rod 74 is rotated in the direction opposite to the predetermined direction, the sliding block 73 is moved in the direction indicated by the arrow 73b.

上記滑動ブロック７３の前面には上下方向に案内レール７３１および７３２が形成されており、一方の案内レール７３１に沿ってブラシ洗浄手段７６が移動可能に配設され、他方の案内レール７３２に沿って砥石洗浄手段７７が移動可能に配設されている。ブラシ洗浄手段７６は、一方の案内レール７３１に嵌合する被案内溝７６１aを備えたケース７６１を備え、被案内溝７６１aを案内レール７３１に嵌合することにより案内レール７３１に沿って移動可能に支持される。なお、ケース７６１と滑動ブロック７３との間にはエアシリンダ等の昇降手段（図示せず）が配設されており、該昇降手段によってケース７６１は案内レール７３１に沿って昇降せしめられる。ケース７６１内には電動モータが配設されていて、その出力軸７６２がケース７６１の下方に突出せしめられている。この出力軸７６２に洗浄ブラシ７６３が装着されている。上記砥石洗浄手段７７は、他方の案内レール７３２に嵌合する被案内溝７７１aを備えたケース７７１を備え、被案内溝７７１aを案内レール７３２に嵌合することにより案内レール７３２に沿って移動可能に支持される。なお、ケース７７１と滑動ブロック７３との間にはエアシリンダ等の昇降手段（図示せず）が配設されており、該昇降手段によってケース７７１は案内レール７３２に沿って昇降せしめられる。ケース７７１内には電動モータが配設されている、その出力軸７７２がケース７７１の下方に突出せしめられている。この出力軸７７２にオイルストーン７７３が装着されている。 Guide rails 731 and 732 are formed on the front surface of the sliding block 73 in the vertical direction. The brush cleaning means 76 is movably disposed along one guide rail 731 and along the other guide rail 732. A grindstone cleaning means 77 is movably disposed. The brush cleaning means 76 includes a case 761 having a guided groove 761a that fits in one guide rail 731. The brush cleaning means 76 is movable along the guide rail 731 by fitting the guided groove 761a to the guide rail 731. Supported. An elevating means (not shown) such as an air cylinder is disposed between the case 761 and the sliding block 73, and the case 761 is raised and lowered along the guide rail 731 by the elevating means. An electric motor is disposed in the case 761, and its output shaft 762 is projected below the case 761. A cleaning brush 763 is attached to the output shaft 762. The grindstone cleaning means 77 includes a case 771 having a guided groove 771 a that fits the other guide rail 732, and can move along the guide rail 732 by fitting the guided groove 771 a to the guide rail 732. Supported by An elevating means (not shown) such as an air cylinder is disposed between the case 771 and the sliding block 73, and the case 771 is raised and lowered along the guide rail 732 by the elevating means. An electric motor is disposed in the case 771, and its output shaft 772 protrudes below the case 771. An oil stone 773 is attached to the output shaft 772.

図示の実施形態における研磨装置は、被加工物着脱域２４に位置付けられたチャックテーブル６に洗浄水を供給する洗浄水供給手段７０を具備している。洗浄水供給手段７０は、装置ハウジング２の主部２１の中間部に配設された洗浄水噴射ノズル７０１から被加工物着脱域２４に位置付けられたチャックテーブル６の第１の保持領域を構成する円形状の第１の吸着チャック６３および第２の保持領域を構成する環状の第２の吸着チャック６４に向けて純水を噴出するように構成されている。 The polishing apparatus in the illustrated embodiment includes cleaning water supply means 70 for supplying cleaning water to the chuck table 6 positioned in the workpiece attaching / detaching area 24. The cleaning water supply means 70 constitutes a first holding region of the chuck table 6 positioned in the workpiece attaching / detaching region 24 from the cleaning water injection nozzle 701 disposed in the intermediate portion of the main portion 21 of the apparatus housing 2. Pure water is ejected toward the circular first suction chuck 63 and the annular second suction chuck 64 constituting the second holding region.

図１に基づいて説明を続けると、装置ハウジング２の主部２１における前半部上には、第１のカセット１１と、第２のカセット１２と、被加工物仮載置手段１３と、被加工物洗浄手段１４と、被加工物搬送手段１５と、被加工物搬入手段１６および被加工物搬出手段１７が配設されている。第１のカセット１１は研磨加工前の被加工物を収納し、装置ハウジング２の主部２１におけるカセット搬入域に載置される。第２のカセット１２は装置ハウジング２の主部２１におけるカセット搬出域に載置され、研磨加工後の被加工物を収納する。被加工物仮載置手段１３は第１のカセット１１と被加工物着脱域２４との間に配設され、研磨加工前の被加工物を仮載置する。洗浄手段１４は被加工物着脱域２４と第２のカセット１２との間に配設され、研磨加工後の被加工物を洗浄する。被加工物搬送手段１５は第１のカセット１１と第２のカセット１２との間に配設され、第１のカセット１１内に収納された被加工物を被加工物仮載置手段１３に搬出するとともに洗浄手段１４で洗浄された被加工物を第２のカセット１２に搬送する。被加工物搬入手段１６は被加工物仮載置手段１３と被加工物着脱域２４との間に配設され、被加工物仮載置手段１３上に載置された研磨加工前の被加工物を被加工物着脱域２４に位置付けられたチャックテーブル機構５のチャックテーブル６上に搬送する。被加工物搬出手段１７は被加工物着脱域２４と洗浄手段１４との間に配設され、被加工物着脱域２４に位置付けられたチャックテーブル６上に載置されている研磨加工後の被加工物を洗浄手段１４に搬送する。上記第１のカセット１１には、第１の半導体ウエーハW1と第２の半導体ウエーハW2がそれぞれ表面に保護テープTが貼着された状態で複数枚収容される。このとき、第１の半導体ウエーハW1と第２の半導体ウエーハW2は、裏面を上側にして収容される。なお、第１の半導体ウエーハW1は図示の実施形態においては直径が２００mmであり、第２の半導体ウエーハW2は図示の実施形態においては直径が３００mmである。 The description will be continued based on FIG. 1. On the front half of the main portion 21 of the apparatus housing 2, the first cassette 11, the second cassette 12, the workpiece temporary placing means 13, and the workpiece An object cleaning means 14, a workpiece conveying means 15, a workpiece carrying-in means 16 and a workpiece carrying-out means 17 are provided. The first cassette 11 stores a workpiece before polishing and is placed in a cassette carry-in area in the main portion 21 of the apparatus housing 2. The second cassette 12 is placed in a cassette unloading area in the main portion 21 of the apparatus housing 2 and stores a workpiece after polishing. The workpiece temporary placing means 13 is disposed between the first cassette 11 and the workpiece attaching / detaching area 24, and temporarily places the workpiece before polishing. The cleaning means 14 is disposed between the workpiece attaching / detaching area 24 and the second cassette 12, and cleans the workpiece after polishing. The workpiece conveying means 15 is disposed between the first cassette 11 and the second cassette 12, and the workpiece stored in the first cassette 11 is carried out to the workpiece temporary placement means 13. At the same time, the workpiece cleaned by the cleaning means 14 is transported to the second cassette 12. The workpiece carrying-in means 16 is disposed between the workpiece temporary placing means 13 and the workpiece attaching / detaching area 24 and is placed on the workpiece temporary placing means 13 before the polishing process. The workpiece is conveyed onto the chuck table 6 of the chuck table mechanism 5 positioned in the workpiece attaching / detaching area 24. The workpiece unloading means 17 is disposed between the workpiece attaching / detaching area 24 and the cleaning means 14 and is mounted on the chuck table 6 positioned in the workpiece attaching / detaching area 24 after polishing. The workpiece is conveyed to the cleaning means 14. A plurality of first semiconductor wafers W1 and second semiconductor wafers W2 are accommodated in the first cassette 11 with the protective tape T attached to the surface. At this time, the first semiconductor wafer W1 and the second semiconductor wafer W2 are accommodated with the back side facing up. The first semiconductor wafer W1 has a diameter of 200 mm in the illustrated embodiment, and the second semiconductor wafer W2 has a diameter of 300 mm in the illustrated embodiment.

上述したように第１の半導体ウエーハW1と第２の半導体ウエーハW2を収容した第１のカセット１１は、装置ハウジング２の主部２１における所定のカセット搬入域に載置される。そして、カセット搬入域に載置された第１のカセット１１に収容されていた研磨加工前の第１の半導体ウエーハW1と第２の半導体ウエーハW2が全て搬出されると、空のカセット１１に代えて半導体ウエーハを収容した新しいカセット１１が手動でカセット搬入域に載置される。一方、装置ハウジング２の主部２１における所定のカセット搬出域に載置された第２のカセット１２に所定数の研磨加工後の半導体ウエーハが搬入されると、かかる第２のカセット１２が手動で搬出され、新しい空の第２のカセット１２が載置される。 As described above, the first cassette 11 containing the first semiconductor wafer W1 and the second semiconductor wafer W2 is placed in a predetermined cassette carry-in area in the main portion 21 of the apparatus housing 2. When all of the first semiconductor wafer W1 and the second semiconductor wafer W2 that have been accommodated in the first cassette 11 placed in the cassette carry-in area are unloaded, the empty cassette 11 is replaced. The new cassette 11 containing the semiconductor wafer is manually placed in the cassette carry-in area. On the other hand, when a predetermined number of polished semiconductor wafers are loaded into the second cassette 12 placed in a predetermined cassette unloading area in the main portion 21 of the apparatus housing 2, the second cassette 12 is manually moved. It is unloaded and a new empty second cassette 12 is placed.

次に、上述した研磨装置による研磨作業について、主に図１と図４乃至図８を参照して説明する。
先ず、第１のカセット１１に収容された研磨加工前の被加工物としての半導体ウエーハにおける直径が２００mmの第１の半導体ウエーハW1が被加工物搬送手段１５の上下動作および進退動作により搬出されるものとする。被加工物搬送手段１５によって搬出された第１の半導体ウエーハW1は、被加工物仮載置手段１３に載置される。被加工物仮載置手段１３に載置された第１の半導体ウエーハW1は、ここで中心合わせが行われた後に被加工物搬入手段１６の旋回動作によって被加工物着脱域２４に位置せしめられているチャックテーブル機構５のチャックテーブル６の第１の保持領域を構成する円形状の第１の吸着チャック６３上に載置される。第１の半導体ウエーハW1が第１の吸着チャック６３上に載置されたならば、図５に示す第１の電磁開閉弁６９１を附勢(ON)して開路し、吸引手段６８から配管６７１、第１の吸引通路６６１および円形状の嵌合凹部６１１を介して第１の吸着チャック６３の上面である保持面に負圧を作用せしめる。この結果、第１の半導体ウエーハW1は第１の吸着チャック６３の上面である保持面上に吸引保持される。 Next, the polishing operation by the above-described polishing apparatus will be described mainly with reference to FIGS. 1 and 4 to 8.
First, a first semiconductor wafer W1 having a diameter of 200 mm in a semiconductor wafer as a workpiece before polishing, which is accommodated in the first cassette 11, is carried out by the up-and-down movement and the back-and-forth movement of the workpiece conveyance means 15. Shall. The first semiconductor wafer W1 carried out by the workpiece conveying means 15 is placed on the workpiece temporary placing means 13. The first semiconductor wafer W1 placed on the workpiece temporary placing means 13 is positioned in the workpiece attaching / detaching area 24 by the turning operation of the workpiece carrying means 16 after being centered here. The chuck table mechanism 5 is mounted on a circular first suction chuck 63 constituting a first holding region of the chuck table 6. When the first semiconductor wafer W1 is placed on the first suction chuck 63, the first electromagnetic opening / closing valve 691 shown in FIG. Then, a negative pressure is applied to the holding surface which is the upper surface of the first suction chuck 63 through the first suction passage 661 and the circular fitting recess 611. As a result, the first semiconductor wafer W1 is sucked and held on the holding surface which is the upper surface of the first suction chuck 63.

チャックテーブル６の第１の吸着チャック６３上に第１の半導体ウエーハW1を吸引保持したならば、チャックテーブル移動機構５６を作動してチャックテーブル６を矢印５１aで示す方向に移動し、図４において２点鎖線で示す研磨域（図１における研磨域２５）の研磨開始位置に位置付ける。研磨域の研磨開始位置おいては、図６に示すように第１の半導体ウエーハW1を保持したチャックテーブル６を矢印６aで示す方向に例えば３００ｒｐｍ程度で回転し、上記サーボモータ３２３を駆動して研磨工具３２５を矢印３２５aで示す方向に４０００〜７０００ｒｐｍで回転するとともに、上記研磨ユニット送り機構４のパルスモータ４４を正転駆動して研磨ユニット３を下降即ち前進せしめる。そして研磨工具３２５の研磨部材３２７をチャックテーブル６上の第１の半導体ウエーハW1の裏面に所定の荷重で押圧する。次に、チャックテーブル移動機構５６を一方向に作動しチャックテーブル６を矢印５１ａで示す方向に移動する。このとき、チャックテーブル６の移動速度は、例えば１００〜２００ｍｍ／分に設定されている。そして、チャックテーブル６が折り返し位置まで移動したら、チャックテーブル移動機構５６を他方向に作動してチャックテーブル６を矢印５１ｂで示す方向に移動し図６で示す研磨開始位置に戻し、研磨工程が終了する。このようにして研磨工程を実行することにより、研磨部材３２７の作用によって第１の半導体ウエーハW1の裏面が所定量乾式研磨され、残留加工歪が除去される。この研磨工程においては、研磨屑がチャックテーブル６の上面である保持面における第１の保持領域を構成する円形状の第１の吸着チャック６３と第２の保持領域を構成する環状の第２の吸着チャック６４との境界部に半導体ウエーハW1の外周縁に沿って堆積される。 When the first semiconductor wafer W1 is sucked and held on the first suction chuck 63 of the chuck table 6, the chuck table moving mechanism 56 is operated to move the chuck table 6 in the direction indicated by the arrow 51a. It is positioned at the polishing start position of the polishing area indicated by the two-dot chain line (the polishing area 25 in FIG. 1). At the polishing start position in the polishing region, as shown in FIG. 6, the chuck table 6 holding the first semiconductor wafer W1 is rotated in the direction indicated by the arrow 6a at, for example, about 300 rpm, and the servo motor 323 is driven. The polishing tool 325 is rotated at 4000 to 7000 rpm in the direction indicated by the arrow 325a, and the pulse motor 44 of the polishing unit feed mechanism 4 is driven to rotate forward to lower or advance the polishing unit 3. Then, the polishing member 327 of the polishing tool 325 is pressed against the back surface of the first semiconductor wafer W1 on the chuck table 6 with a predetermined load. Next, the chuck table moving mechanism 56 is operated in one direction to move the chuck table 6 in the direction indicated by the arrow 51a. At this time, the moving speed of the chuck table 6 is set to 100 to 200 mm / min, for example. When the chuck table 6 moves to the folding position, the chuck table moving mechanism 56 is operated in the other direction to move the chuck table 6 in the direction indicated by the arrow 51b and return to the polishing start position shown in FIG. To do. By executing the polishing step in this way, the back surface of the first semiconductor wafer W1 is dry-polished by a predetermined amount by the action of the polishing member 327, and residual processing strain is removed. In this polishing step, the circular first suction chuck 63 constituting the first holding region and the second annular region constituting the second holding region are formed on the holding surface, which is the upper surface of the chuck table 6, from the polishing scrap. It is deposited along the outer periphery of the semiconductor wafer W1 at the boundary with the suction chuck 64.

上記のようにして、第１の半導体ウエーハW1の研磨工程が終了したら、スピンドルユニット３２を所定位置まで上昇させるとともに、研磨工具３２５の回転を停止し、更に、チャックテーブル５２の回転を停止する。次に、チャックテーブル移動機構５６を作動してチャックテーブル６を矢印５１bで示す方向に移動し、被加工物着脱域２４（図１参照）に位置付ける。 When the polishing process of the first semiconductor wafer W1 is completed as described above, the spindle unit 32 is raised to a predetermined position, the rotation of the polishing tool 325 is stopped, and the rotation of the chuck table 52 is further stopped. Next, the chuck table moving mechanism 56 is actuated to move the chuck table 6 in the direction indicated by the arrow 51b, and is positioned in the workpiece attaching / detaching area 24 (see FIG. 1).

上述したようにチャックテーブル６が被加工物着脱域２４に位置付けられたならば、第１の電磁開閉弁６９１を除勢(OFF)して閉路し、チャックテーブル６の第１の保持領域を構成する円形状の第１の吸着チャック６３上で研磨加工された第１の半導体ウエーハW1の吸引保持を解除する。チャックテーブル６の第１の吸着チャック６３による吸引保持が解除された第１の半導体ウエーハW1は、被加工物搬出手段１７により搬出されて被加工物洗浄手段１４に搬送される。被加工物洗浄手段１４に搬送された第１の半導体ウエーハW1は、ここで洗浄され（ウエーハ洗浄工程）、その後被加工物搬送手段１５よって第２のカセット１２の所定位置に収納される。 When the chuck table 6 is positioned in the workpiece attaching / detaching area 24 as described above, the first electromagnetic opening / closing valve 691 is de-energized (OFF) to close the chuck table 6 to form the first holding area of the chuck table 6. The suction holding of the first semiconductor wafer W1 polished on the circular first suction chuck 63 is released. The first semiconductor wafer W <b> 1 released from the suction and holding by the first suction chuck 63 of the chuck table 6 is unloaded by the workpiece unloading means 17 and transferred to the workpiece cleaning means 14. The first semiconductor wafer W1 transferred to the workpiece cleaning means 14 is cleaned here (wafer cleaning step), and then stored in a predetermined position of the second cassette 12 by the workpiece transfer means 15.

上記ウエーハ洗浄工程を実施している際に、被加工物着脱域２４において研磨加工された第１の半導体ウエーハW1が搬出されたチャックテーブル６を洗浄するチャックテーブル洗浄工程が実施される。即ち、チャックテーブル洗浄手段７の電動モータ７５を作動して滑動ブロック７３を案内レール７２に沿って移動し、滑動ブロック７３に装着されたブラシ洗浄手段７６の洗浄ブラシ７６３をチャックテーブル６の上方に位置付ける。次に、図７で示すようにチャックテーブル６を矢印６aで示す方向に例えば１００rpmで回転するとともに、洗浄ブラシ７６３を矢印７６３aで示す方向に例えば１０００rpmで回転しつつ図示しない昇降手段を作動してチャックテーブル６の第１の保持領域を構成する円形状の第１の吸着チャック６３および第２の保持領域を構成する環状の第２の吸着チャック６４の上面である保持面に接触させる。このとき、洗浄水供給手段７０の洗浄水噴射ノズル７０１から純水を噴射して、チャックテーブル６の第１の保持領域を構成する円形状の第１の吸着チャック６３および第２の保持領域を構成する環状の第２の吸着チャック６４上面である保持面に供給する。この結果、チャックテーブル６の上面である保持面に付着した研削屑が除去される（第１のチャックテーブル洗浄工程）。 During the wafer cleaning process, a chuck table cleaning process for cleaning the chuck table 6 on which the first semiconductor wafer W1 polished in the workpiece attaching / detaching area 24 is carried out is performed. That is, the electric motor 75 of the chuck table cleaning means 7 is operated to move the sliding block 73 along the guide rail 72, and the cleaning brush 763 of the brush cleaning means 76 mounted on the sliding block 73 is placed above the chuck table 6. Position. Next, as shown in FIG. 7, the chuck table 6 is rotated in the direction indicated by the arrow 6a at 100 rpm, for example, and the cleaning brush 763 is rotated in the direction indicated by the arrow 763a at 1000 rpm, for example, to operate the lifting means (not shown). The circular first suction chuck 63 constituting the first holding region of the chuck table 6 and the holding surface which is the upper surface of the annular second suction chuck 64 constituting the second holding region are brought into contact with each other. At this time, pure water is jetted from the washing water jet nozzle 701 of the washing water supply means 70, and the circular first suction chuck 63 and the second holding area constituting the first holding area of the chuck table 6 are moved. It supplies to the holding surface which is the upper surface of the cyclic | annular 2nd adsorption chuck 64 which comprises. As a result, the grinding dust adhering to the holding surface which is the upper surface of the chuck table 6 is removed (first chuck table cleaning step).

次に、図示しない昇降装置を作動して洗浄ブラシ７６３を上昇させるとともに、チャックテーブル洗浄手段７の電動モータ７５を作動して滑動ブロック７３を案内レール７２に沿って移動し、滑動ブロック７３に装着された砥石洗浄手段７７のオイルストーン７７３をチャックテーブル６の上方に位置付ける。そして、図８で示すようにチャックテーブル６を矢印６aで示す方向に例えば１００rpmで回転するとともに、オイルストーン７７３を矢印７７３aで示す方向に例えば１０００rpmで回転しつつ図示しない昇降手段を作動してチャックテーブル６の第１の保持領域を構成する円形状の第１の吸着チャック６３および第２の保持領域を構成する環状の第２の吸着チャック６４の上面である保持面に接触させる。このとき、洗浄水供給手段７０の洗浄水噴射ノズル７０１から純水を噴射して、チャックテーブル６の第１の保持領域を構成する円形状の第１の吸着チャック６３および第２の保持領域を構成する環状の第２の吸着チャック６４の上面である保持面に供給する。この結果、オイルストーン７７３によってチャックテーブル６の上面である保持面が研削されて平坦化される（第２のチャックテーブル洗浄工程）。 Next, an elevating device (not shown) is operated to raise the cleaning brush 763, and the electric motor 75 of the chuck table cleaning means 7 is operated to move the sliding block 73 along the guide rail 72 to be attached to the sliding block 73. The oil stone 773 of the grindstone cleaning means 77 is positioned above the chuck table 6. Then, as shown in FIG. 8, the chuck table 6 is rotated in the direction indicated by the arrow 6a at, for example, 100 rpm, and the oil stone 773 is rotated in the direction indicated by the arrow 773a at, for example, 1000 rpm to operate the lifting means (not shown). The circular first suction chuck 63 constituting the first holding region of the table 6 and the annular second suction chuck 64 constituting the second holding region are brought into contact with the holding surface. At this time, pure water is jetted from the washing water jet nozzle 701 of the washing water supply means 70, and the circular first suction chuck 63 and the second holding area constituting the first holding area of the chuck table 6 are moved. It supplies to the holding surface which is the upper surface of the cyclic | annular 2nd adsorption chuck 64 which comprises. As a result, the holding surface which is the upper surface of the chuck table 6 is ground and flattened by the oil stone 773 (second chuck table cleaning step).

上述したチャックテーブル洗浄工程を実施する際には、チャックテーブルの第１の保持領域を構成する円形状の第１の吸着チャック６３および第２の保持領域を構成する環状の第２の吸着チャック６４には純水が供給されるので、純水の活性力によってチャックテーブル６の保持面に付着した研磨屑が効果的に除去される。本発明者等の実験によると、チャックテーブル洗浄工程を実施する際に洗浄水として市水を供給した場合には、チャックテーブル６の上面である保持面における第１の保持領域を構成する円形状の第１の吸着チャック６３と第２の保持領域を構成する環状の第２の吸着チャック６４との境界部に上記半導体ウエーハW1の外周縁に沿って付着した研磨屑が残存していることが判った。しかるに、上述したようにチャックテーブル洗浄工程を実施する際に洗浄水として純水を供給した場合には、チャックテーブル６の上面である保持面における第１の保持領域を構成する円形状の第１の吸着チャック６３と第２の保持領域を構成する環状の第２の吸着チャック６４との境界部に上記第１の半導体ウエーハW1の外周縁に沿って付着した研磨屑も確実に除去された。 When performing the above-described chuck table cleaning step, the circular first suction chuck 63 constituting the first holding region of the chuck table and the annular second suction chuck 64 constituting the second holding region. Since pure water is supplied to the substrate, the polishing dust adhering to the holding surface of the chuck table 6 is effectively removed by the active force of the pure water. According to the experiments by the present inventors, when city water is supplied as cleaning water when performing the chuck table cleaning step, the circular shape constituting the first holding region in the holding surface which is the upper surface of the chuck table 6 is formed. The polishing dust adhering along the outer periphery of the semiconductor wafer W1 remains at the boundary between the first suction chuck 63 and the annular second suction chuck 64 constituting the second holding region. understood. However, when pure water is supplied as cleaning water when the chuck table cleaning step is performed as described above, the first circular shape that forms the first holding region in the holding surface that is the upper surface of the chuck table 6. The polishing debris adhering along the outer peripheral edge of the first semiconductor wafer W1 to the boundary between the suction chuck 63 and the annular second suction chuck 64 constituting the second holding region was also reliably removed.

以上のようにして、被加工物着脱域２４に戻ったチャックテーブル６に対して上述したチャックテーブル洗浄工程を実施したならば、第１のカセット１１に収容された研磨加工前の被加工物としての半導体ウエーハにおける直径が３００mmの第２の半導体ウエーハW2が被加工物搬送手段１５により搬出されるものとする。被加工物搬送手段１５によって搬出された第２の半導体ウエーハW2は、被加工物仮載置手段１３に載置される。被加工物仮載置手段１３に載置された第２の半導体ウエーハW2は、ここで中心合わせが行われた後に被加工物搬入手段１６の旋回動作によって被加工物着脱域２４において上記チャックテーブル洗浄工程が実施されたチャックテーブル６の第１の保持領域を構成する円形状の第１の吸着チャック６３および第２の保持領域を構成する環状の第２の吸着チャック６４上に載置される。第２の半導体ウエーハW2が第１の吸着チャック６３および第２の吸着チャック６４上に載置されたならば、第１の電磁開閉弁６９１および第２の電磁開閉弁６９２を附勢(ON)して開路し、吸引手段６８から配管６７１、第１の吸引通路６６１および円形状の嵌合凹部６１１を介して第１の吸着チャック６３の上面である保持面に負圧を作用せしめるとともに、吸引手段６８から配管６７２、第２の吸引通路６６２および環状の嵌合凹部６１２を介して第２の吸着チャック６４の上面である保持面に負圧を作用せしめる。この結果、第２の半導体ウエーハW2は第１の吸着チャック６３および第２の吸着チャック６４の上面である保持面上に吸引保持される。 As described above, if the above-described chuck table cleaning process is performed on the chuck table 6 returned to the workpiece attachment / detachment area 24, the workpiece to be processed before polishing which is accommodated in the first cassette 11 is obtained. It is assumed that the second semiconductor wafer W2 having a diameter of 300 mm in this semiconductor wafer is carried out by the workpiece carrying means 15. The second semiconductor wafer W2 carried out by the workpiece conveying means 15 is placed on the workpiece temporary placing means 13. The second semiconductor wafer W2 placed on the workpiece temporary placing means 13 is centered here, and then the chuck table is mounted in the workpiece attaching / detaching area 24 by the turning operation of the workpiece carrying means 16. Placed on the circular first suction chuck 63 constituting the first holding area and the annular second suction chuck 64 constituting the second holding area of the chuck table 6 on which the cleaning process has been performed. . When the second semiconductor wafer W2 is placed on the first suction chuck 63 and the second suction chuck 64, the first electromagnetic on-off valve 691 and the second electromagnetic on-off valve 692 are energized (ON). Then, the suction means 68 applies a negative pressure to the holding surface, which is the upper surface of the first suction chuck 63, through the pipe 671, the first suction passage 661, and the circular fitting recess 611, and suction. A negative pressure is applied to the holding surface, which is the upper surface of the second suction chuck 64, from the means 68 through the pipe 672, the second suction passage 662, and the annular fitting recess 612. As a result, the second semiconductor wafer W2 is sucked and held on the holding surfaces which are the upper surfaces of the first suction chuck 63 and the second suction chuck 64.

チャックテーブル６の第１の吸着チャック６３および第２の吸着チャック６４上に第２の半導体ウエーハW2を吸引保持したならば、チャックテーブル移動機構５６を作動してチャックテーブル６を矢印５１aで示す方向に移動し、研磨域２５（図１参照）の研磨開始位置に位置付ける。研磨域の研磨開始位置おいては、図９に示すように半導体ウエーハW2を保持したチャックテーブル６を矢印６aで示す方向に例えば３００ｒｐｍ程度で回転し、上記サーボモータ３２３を駆動して研磨工具３２５を矢印３２５aで示す方向に４０００〜７０００ｒｐｍで回転するとともに、上記研磨ユニット送り機構４のパルスモータ４４を正転駆動して研磨ユニット３を下降即ち前進せしめる。そして研磨工具３２５の研磨部材３２７をチャックテーブル６上の第２の半導体ウエーハW2の裏面に所定の荷重で押圧する。次に、チャックテーブル移動機構５６を一方向に作動しチャックテーブル６を矢印５１ａで示す方向に移動する。このとき、チャックテーブル６の移動速度は、例えば１００〜２００ｍｍ／分に設定されている。そして、チャックテーブル６が折り返し位置まで移動したら、チャックテーブル移動機構５６を他方向に作動してチャックテーブル６を矢印５１ｂで示す方向に移動し図９で示す研磨開始位置に戻し、研磨工程が終了する。このようにして研磨工程を実行することにより、研磨部材３２７の作用によって第２の半導体ウエーハW2の裏面が所定量乾式研磨され、残留加工歪が除去される。この第２の半導体ウエーハW2を研磨する際には、第２の半導体ウエーハW2を吸引保持するチャックテーブル６の上面である保持面が上述したようにチャックテーブル洗浄工程を実施することにより上記第１の半導体ウエーハW1の外周縁に沿って付着した研磨屑が確実に除去されているので、第２の半導体ウエーハW2の被加工面に第１の半導体ウエーハW1の外周縁に対応した環状の段差が生じることはない。 When the second semiconductor wafer W2 is sucked and held on the first suction chuck 63 and the second suction chuck 64 of the chuck table 6, the chuck table moving mechanism 56 is operated to move the chuck table 6 in the direction indicated by the arrow 51a. To the polishing start position of the polishing area 25 (see FIG. 1). At the polishing start position in the polishing area, as shown in FIG. 9, the chuck table 6 holding the semiconductor wafer W2 is rotated in the direction indicated by the arrow 6a at about 300 rpm, for example, and the servo motor 323 is driven to polish the polishing tool 325. Is rotated in the direction indicated by the arrow 325a at 4000 to 7000 rpm, and the pulse motor 44 of the polishing unit feed mechanism 4 is driven to rotate forward to lower or advance the polishing unit 3. Then, the polishing member 327 of the polishing tool 325 is pressed against the back surface of the second semiconductor wafer W2 on the chuck table 6 with a predetermined load. Next, the chuck table moving mechanism 56 is operated in one direction to move the chuck table 6 in the direction indicated by the arrow 51a. At this time, the moving speed of the chuck table 6 is set to 100 to 200 mm / min, for example. When the chuck table 6 moves to the folding position, the chuck table moving mechanism 56 is operated in the other direction to move the chuck table 6 in the direction indicated by the arrow 51b and return to the polishing start position shown in FIG. To do. By executing the polishing step in this manner, the back surface of the second semiconductor wafer W2 is dry-polished by a predetermined amount by the action of the polishing member 327, and residual processing strain is removed. When the second semiconductor wafer W2 is polished, the holding surface, which is the upper surface of the chuck table 6 that sucks and holds the second semiconductor wafer W2, is subjected to the chuck table cleaning process as described above. Since the polishing dust adhering along the outer peripheral edge of the semiconductor wafer W1 is reliably removed, an annular step corresponding to the outer peripheral edge of the first semiconductor wafer W1 is formed on the processing surface of the second semiconductor wafer W2. It does not occur.

上記のようにして、第２の半導体ウエーハW2研磨工程が終了したら、スピンドルユニット３２を所定位置まで上昇させるとともに、研磨工具３２５の回転を停止し、更に、チャックテーブル６の回転を停止する。次に、チャックテーブル移動機構５６を作動してチャックテーブル６を矢印５１bで示す方向に移動し、被加工物着脱域２４（図１参照）に位置付ける。 When the second semiconductor wafer W2 polishing step is completed as described above, the spindle unit 32 is raised to a predetermined position, the rotation of the polishing tool 325 is stopped, and the rotation of the chuck table 6 is further stopped. Next, the chuck table moving mechanism 56 is actuated to move the chuck table 6 in the direction indicated by the arrow 51b, and is positioned in the workpiece attaching / detaching area 24 (see FIG. 1).

上述したようにチャックテーブル６が被加工物着脱域２４に位置付けられたならば、第１の電磁開閉弁６９１および第２の電磁開閉弁６９２を除勢(OFF)して閉路し、チャックテーブル６の第１の保持領域を構成する円形状の第１の吸着チャック６３および第２の保持領域を構成する環状の第２の吸着チャック６４上で研磨加工された第２の半導体ウエーハW2の吸引保持を解除する。チャックテーブル６の第１の吸着チャック６３および第２の吸着チャック６４による吸引保持が解除された第２の半導体ウエーハW2は、被加工物搬出手段１７により搬出されて被加工物洗浄手段１４に搬送される。被加工物洗浄手段１４に搬送された第２の半導体ウエーハW2は、ここで洗浄され（ウエーハ洗浄工程）、その後被加工物搬送手段１５によって第２のカセット１２の所定位置に収納される。 When the chuck table 6 is positioned in the workpiece attaching / detaching area 24 as described above, the first electromagnetic on-off valve 691 and the second electromagnetic on-off valve 692 are de-energized (OFF) to close the chuck table 6. Suction holding of the second semiconductor wafer W2 polished on the circular first suction chuck 63 constituting the first holding region and the annular second suction chuck 64 constituting the second holding region. Is released. The second semiconductor wafer W2 released from the suction and holding by the first suction chuck 63 and the second suction chuck 64 of the chuck table 6 is unloaded by the workpiece unloading means 17 and conveyed to the workpiece cleaning means 14. Is done. The second semiconductor wafer W2 transferred to the workpiece cleaning means 14 is cleaned here (wafer cleaning step), and then stored in a predetermined position of the second cassette 12 by the workpiece transfer means 15.

なお、上記ウエーハ洗浄工程を実施している際に、被加工物着脱域２４において研磨加工された第２の半導体ウエーハW2が搬出されたチャックテーブル６を洗浄するチャックテーブル洗浄工程が上述したように実施される。 As described above, the chuck table cleaning process for cleaning the chuck table 6 on which the second semiconductor wafer W2 polished in the workpiece attaching / detaching area 24 is carried out during the wafer cleaning process is performed. To be implemented.

本発明に従って構成された研磨装置の一実施形態を示す斜視図。1 is a perspective view showing an embodiment of a polishing apparatus configured according to the present invention. 図１に示す研磨装置に装備される研磨ユニットを構成する研磨工具を示す斜視図。The perspective view which shows the grinding | polishing tool which comprises the grinding | polishing unit with which the grinding | polishing apparatus shown in FIG. 1 is equipped. 図２に示す研磨工具その下面側から見た状態を示す斜視図。The perspective view which shows the state seen from the lower surface side of the grinding | polishing tool shown in FIG. 図１に示す研磨装置に装備されるチャックテーブル機構およびチャックテーブル移動機構を示す斜視図。The perspective view which shows the chuck table mechanism and chuck table moving mechanism with which the grinding | polishing apparatus shown in FIG. 1 is equipped. 図４に示すチャックテーブル機構を構成するチャックテーブルの断面図。Sectional drawing of the chuck table which comprises the chuck table mechanism shown in FIG. 図１に示す研磨装置に装備されるチャックテーブルの第１の保持領域を構成する円形状の第１の吸着チャックに小径のウエーハを吸引保持して実施する研磨工程の説明図。FIG. 3 is an explanatory view of a polishing process performed by sucking and holding a small-diameter wafer on a circular first suction chuck constituting a first holding region of a chuck table equipped in the polishing apparatus shown in FIG. 1. 図１に示す研磨装置に装備されるテーブル洗浄手段によって実施する第１のチャックテーブル洗浄工程の説明図。Explanatory drawing of the 1st chuck table cleaning process implemented by the table cleaning means with which the grinding | polishing apparatus shown in FIG. 1 is equipped. 図１に示す研磨装置に装備されるテーブル洗浄手段によって実施する第２のチャックテーブル洗浄工程の説明図。Explanatory drawing of the 2nd chuck table cleaning process implemented by the table cleaning means with which the grinding | polishing apparatus shown in FIG. 1 is equipped. 図１に示す研磨装置に装備されるチャックテーブルの第１の保持領域を構成する円形状の第１の吸着チャックおよび第２の保持領域を構成する環状の第２の吸着チャックに大径のウエーハを吸引保持して実施する研磨工程の説明図。A wafer having a large diameter is added to the circular first suction chuck constituting the first holding region and the annular second suction chuck constituting the second holding region of the chuck table equipped in the polishing apparatus shown in FIG. Explanatory drawing of the grinding | polishing process implemented by suction-holding.

Explanation of symbols

２：装置ハウジング
３：研磨ユニット
３１：移動基台
３２：スピンドルユニット
３２２：回転スピンドル
３２３：サーボモータ
３２５：研磨工具
３２７：研磨パッド
４：研磨ユニット送り機構
４４：パルスモータ
５：チャックテーブル機構
６：チャックテーブル
６３：円形状の第１の吸着チャック
６４：環状の第２の吸着チャック
６８：吸引手段
６９１：第１の電磁開閉弁
６９２：第２の電磁開閉弁
５６：チャックテーブル移動機構
７：チャックテーブル洗浄手段
７２：案内ロッド
７３：滑動ブロック
７４：雄ねじロッド
７５：電動モータ
７６：ブラシ洗浄手段
７６３：洗浄ブラシ
７７：砥石洗浄手段
７７３：オイルストーン
７０：洗浄水供給手段
７０１：洗浄水噴射ノズル
８１、８２：蛇腹手段
１１：第１のカセット
１２：第２のカセット
１３：被加工物仮載置手段
１４：洗浄手段
１５：被加工物搬送手段
１６：被加工物搬入手段
１７：被加工物搬出手段
W1：第１の半導体ウエーハ
W2：第２の半導体ウエーハ 2: Device housing 3: Polishing unit 31: Moving base 32: Spindle unit 322: Rotating spindle 323: Servo motor 325: Polishing tool 327: Polishing pad 4: Polishing unit feed mechanism 44: Pulse motor 5: Chuck table mechanism 6: Chuck table 63: circular first suction chuck 64: annular second suction chuck 68: suction means 691: first electromagnetic on-off valve 692: second electromagnetic on-off valve 56: chuck table moving mechanism 7: chuck Table cleaning means 72: Guide rod 73: Sliding block 74: Male screw rod 75: Electric motor 76: Brush cleaning means 763: Cleaning brush 77: Grinding stone cleaning means 773: Oil stone 70: Cleaning water supply means 701: Cleaning water injection nozzle 81 , 82: bellows means 11: first cassette 12: Second cassette 13: Workpiece temporary placing means 14: Cleaning means 15: Workpiece conveying means 16: Workpiece carrying means 17: Workpiece carrying means
W1: First semiconductor wafer
W2: Second semiconductor wafer

Claims

A chuck table for sucking and holding a workpiece, a chuck table moving mechanism for selectively positioning the chuck table in a workpiece attaching / detaching area and a polishing area, and a workpiece held by the chuck table positioned in the polishing area Polishing means provided with a polishing pad for polishing an object, chuck table cleaning means for cleaning the chuck table positioned in the workpiece attaching / detaching area, and the chuck table positioned in the workpiece attaching / detaching area In a polishing apparatus comprising cleaning water supply means for supplying cleaning water to
The chuck table is provided with a circular first holding region for sucking and holding a small-diameter workpiece and an annular shape for sucking and holding the outer peripheral portion of the large-diameter workpiece. A second holding area,
The cleaning water supply means supplies pure water to the first holding area and the second holding area of the chuck table positioned in the workpiece attachment / detachment area.
A polishing apparatus characterized by that.