JP4732202B2 - 光走査装置および画像形成装置 - Google Patents
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Description
ガラスレンズにおいても環境温度の変化によるレンズの面曲率、厚さ、屈折率の変動、光源である半導体レーザの波長変化による屈折率の変動によるピント位置の変動が生じ、スポット径が増大すると、高密度化に対する障害となる。樹脂製レンズでは、環境温度の変化によるレンズの面曲率、厚さ、屈折率の変動、半導体レーザの波長変化による屈折率の変動がガラスレンズに比して大きいため、樹脂レンズを用いる光走査装置では、高密度化に対する環境温度変化の影響も大きい。
半導体レーザによる複数の光源は、半導体レーザとして発光する発光源が複数あることであり、その態様としては、単一の発光源を持つ半導体レーザを複数合わせた光源であってもよいし、所謂半導体レーザアレイのように、複数の発光源をモノリシックに有するものでもよく、あるいは「単一の発光源を持つ半導体レーザと半導体レーザアレイとを組合せたもの」、「複数の半導体レーザアレイを組合せたもの」でもよい。
「第1光学系」は、複数の光源からのビームを偏向手段に導光する光学系である。
「第2光学系」は、偏向手段により偏向されたビームを被走査面に向かって集光する光学系である。
「第1レンズ」は、複数の光源からのビームをカップリングするレンズであり、複数ビームに共通に設けられる。即ち、第1のレンズにより複数ビームがカップリングされる。
(1) |βm0|>|βs0|かつ|βs0|>|βs2|
を満足する。
(2) |P2s|>|P1m|かつ|P2s|>|P1s|
を満足する。
L1>L2
を満足することが好ましい(請求項4)。
(3) f1/2<L3< 3・f1/2
を満足することが好ましい(請求項5)。
「複数の光源」、「偏向手段」、「第2光学系」は、請求項1の光走査装置におけるものと同様で、複数の光源は半導体レーザによるものであり、偏向手段は複数の光源からのビームを偏向するものであり、第2光学系は偏向手段からのビームを被走査面に向かって集光するものである。
「第1レンズ」は、光源からのビームをカップリングし、回折面を有する。
「第2レンズ」は、カップリングされた複数ビームを偏向手段に導き、少なくとも副走査方向にパワーを持つ回折面を有するアナモフィックなレンズであり、複数ビームに共通である。
(4) |βm0|>|βs2|かつ|βs0|>|βs2|
を満足する。そして、第1レンズを共通に通過するビーム数が、第2レンズを共通に通過するビーム数よりも少ない。即ち、第2レンズを透過する複数のビームをN本、第1レンズを通過するビームをM本とすれば、N>Mである。
第1光学系において、光源波長が1nm増加したときの、屈折部のパワー変化による主走査ビームウエスト位置変化:Δm’1、
第1光学系において、光源波長が1nm増加したときの、回折部のパワー変化による主走査ビームウエスト位置変化:Δm’2、
第2光学系において、光源波長が1nm増加したときのパワー変化による主走査ビームウエスト位置変化:Δm’3、
被走査面上における主走査ビーム径の深度:Wm
が、条件:
(5) |Δm’1+Δm’2+Δm’3|<Wm/2
を満足することができる。
(6) Δm’1+Δm’2+Δm’3<0
を満足することが好ましい。
第1光学系における、1℃温度上昇したときの屈折部のパワー変化による主走査ビームウエスト位置変化:Δm1、
第1光学系における、1℃温度上昇したときの回折部のパワー変化による主走査ビームウエスト位置変化:Δm2、
第2光学系における、1℃温度上昇したときのパワー変化による主走査ビームウエスト位置変化:Δm3、
1℃温度上昇したときの、光源と第1光学系の主走査前側主点との間の距離の変化量:Δd1、
第1光学系の主走査方向焦点距離:f1、
第2光学系の主走査方向焦点距離:f2、
被走査面上における主走査ビーム径の深度:Wmが、条件:
(7) Δm1+Δm2+Δm3−Δd1×(f2/f1)2<Wm/40
を満足することが好ましい。
第1光学系において、光源波長が1nm増加したときの屈折部のパワー変化による副走査ビームウエスト位置変化:Δs’1、
第1光学系において、光源波長が1nm増加したときの回折部のパワー変化による副走査ビームウエスト位置変化:Δs’2、
第2光学系において、光源波長が1nm増加したときのパワー変化による副走査ビームウエスト位置変化:Δs’3、
被走査面上における副走査ビーム径の深度:Wsが、条件:
(8) |Δs’1+Δs’2+Δs’3|<Ws/2
を満足することが好ましい。
第1光学系において、光源波長が1nm増加したときの屈折部のパワー変化による副走査ビームウエスト位置変化:Δs’1、
第1光学系において、光源波長が1nm増加したときの回折部のパワー変化による副走査ビームウエスト位置変化:Δs’2、
第2光学系において、光源波長が1nm増加したときのパワー変化による副走査ビームウエスト位置変化:Δs’3が、条件:
(9) Δs’1+Δs’2+Δs’3<0
を満足することが好ましい。
第1光学系における、1℃温度上昇したときの屈折部のパワー変化による副走査ビームウエスト位置変化:Δs1、
第1光学系における、1℃温度上昇したときの回折部のパワー変化による副走査ビームウエスト位置変化:Δs2、
第2光学系における、1℃温度上昇したときのパワー変化による副走査ビームウエスト位置変化:Δs3、
1℃温度上昇したときの、光源と第1光学系の主走査前側主点との間の距離の変化量:Δd1、
第1光学系の副走査方向横倍率:β1、
第2光学系の副走査方向横倍率:β2、
が、条件:
(10) Δs1+Δs2+Δs3−Δd1×(β1×β2)2<Ws/40
を満足することが好ましい。
図1において、符号1、1’は「半導体レーザによる光源」、符号2、2’は、第1光学系の第1レンズをなす「カップリングレンズ」、符号3はアパーチャ、符号4は第1光学系の第2レンズをなす「アナモフィックレンズ」、符号5は「偏向手段」をなすポリゴンミラーの偏向反射面、符号6は偏向器側走査レンズ、符号7は像面側走査レンズ、符号8は防塵ガラス、符号9は被走査面、符号10は防音ガラスを示す。
偏向器側走査レンズ6と像面側走査レンズ7とは第2光学系を構成し、ポリゴンミラーによる偏向ビームを被走査面9に向かって集光させる。ポリゴンミラーはそれ自体のケーシングに納められ、防音ガラスは、ポリゴンミラーへのビーム入射と偏向されたビームの射出を行う窓部を閉ざしてポリゴンミラーによる風切り音を防音するためのものである。
光源1における光源波長は25℃で780.1nm、45℃で786.5nmとする。
光源側面形状は、次の(式1)で表される回転対称非球面である。
+A4・h4+A6・h6+A8・h8+A10・h10 ・・(式1)
ここで、h:光軸からの距離、R:近軸曲率半径、K:円錐定数、A4,A6,A8,A10、・・:高次の係数であり、xは光軸方向のデプスである。
R=86.09118
K=361.987634
A4=−0.827025E−04
A6=−0.413360E−05
A8= 0.942600E−06
A10=−0.936986E−07
上の表記において、例えば「−0.936986E−07」は「−0.936986×10−7」を意味する。以下においても同様である。
は以下の通りである。
R=−8.71000
K=−0.310240
A4= 0.592273E−04
A6= 0.250465E−06
A8= 0.119847E−06
A10=−0.563217E−08 。
光源側面形状は、次の(式2)で表されるアナモフィック面である。
・・(式2)
ここに、y:光軸からの主走査方向距離、z:副走査方向距離、Rm:主走査方向曲率半径を、Rs:副走査方向曲率半径、x:光軸方向のである。
係数は以下の通りである。
Rm=500 Rs=35.83
像面側面形状は平面である。
光源側面形状は、上記(式1)で表される共軸非球面である。
R=−312.6
K= 2.667
A4= 1.79E−07
A6=−1.08E−12
A8=−3.18E−14
A10= 3.74E−18 。
「像面側面形状」
R=−83.0
K= 0.02
A4= 2.50E−07
A6= 9.61E−12
A8= 4.54E−15
A10=−3.03E−18
なお、また、偏向器側走査レンズ6の「両面の頂点」は、図1の主光線に対して、図上方へ1.16mmずれている。
光源側面形状は、主走査方向に関しては次の(式3)で表される非円弧形状であり、副走査方向に関しては次の(式4)で表されるように、副走査曲率半径(副走査断面内の曲率半径)が主走査方向に連続的に変化する。
+A4・y4+A6・y6+A8・y8+A10・y10 ・・(式3)
ここに、y:光軸からの主走査方向距離、Rm:主走査近軸曲率半径、K:円錐定数、A4,A6,A8,A10・・:高次の係数、x:光軸方向のデプスである。
ここに、y:光軸からの主走査方向距離、Rs(y):光軸からの主走査方向距離:yにおける副走査曲率半径、Rs:光軸上での副走査曲率半径、bj:高次の係数である。
Rm=−500
K=−71.73
A4= 4.33E−08
A6=−5.97E−13
A8=−1.28E−16
A10= 5.73E−21
Rs=−47.7
b2= 1.60E−03
b4=−2.32E−07
b6= 1.60E−11
b8=−5.61E−16
b10= 2.18E−20
b12=−1.25E−24 。
ここに、y:光軸からの主走査方向距離、Rs:副走査断面内の近軸曲率半径、x:光軸方向のデプスである。
Rm=−1000 Rs=−23.38
像面側走査レンズの両面の頂点は、主光線に対して図1における上方へ1.21mmずれている。
面間隔は以下の通りである。
d1=12.843
d2=3.8
d3=102.8
d4=3.0
d5=69.3
d6=51.7
d7=31.4
d8=78.0
d9=3.5
d10=143.62 。
主走査方向 副走査方向
25℃ 0.0mm 0.0mm
45℃ 11.6mm 3.3mm
この結果から、環境温度が25℃から45℃に変化すると、主走査方向・副走査方向ともにピント位置が大幅に変化することが分かる。
即ち上記「比較例」の光走査装置は、環境温度:25℃においては良好な結像性能を有するが、環境温度変化により強い影響を受け、主走査方向・副走査方向のピント位置がずれることにより画像劣化の原因となる「ビームスポットの形状変化やスポット径の増大」を生じる。
光走査装置の構成は図1に示したものと同様である。
従って、光走査光学系全系の「正のパワーの一部」を回折面に割り当てることにより、カップリングレンズ2自体が樹脂であるため発生する「温度変化によるピント位置ずれ」は勿論、光学系の別の樹脂レンズによる温度変化によるピント位置ずれも補正することが出来る。
|βm0|>|βs0|かつ|βs0|>|βs2| (1)
であり、第1レンズ(カップリングレンズ)の回折面の主走査方向のパワーをP1m、副走査方向のパワーをP1s、第2レンズ(アナモフィックレンズ)の回折面の副走査方向のパワーをP2sとするとき、これらの絶対値の大小関係が
|P2s|>|P1m|かつ|P2s|>|P1s| (2)
を満足するようにする。
|P2s|>|P1m|かつ|P2s|>|P1s|
を満足する必要がある。
|βm0|>|βs0|>|βs2|
となるので、アナモフィックレンズ4の副走査方向のパワー変化によるビームウエスト位置の変化よりも、カップリングレンズの主走査方向のパワー変化によるビームウエスト位置の変化は大きくなる。マルチビーム光学系における波長差に起因するパワーの変動量はもともとの回折面のパワーに比例するので、パワーの変化の影響が少ない|P2s|を、|P1m|より大きくすれば良い。
|βm0|>|βs0|>|βs2|
となるので、アナモフィックレンズ4の副走査方向のパワー変化によるビームウエスト位置の変化よりも「カップリングレンズ2の主走査方向のパワー変化によるビームウエスト位置の変化」が大きくなる。
第1光学系において、光源波長が1nm増加したときの屈折部のパワー変化による主走査ビームウエスト位置変化:Δm’1
第1光学系において、光源波長が1nm増加したときの回折部のパワー変化による主走査ビームウエスト位置変化:Δm’2
第2光学系において、光源波長が1nm増加したときのパワー変化による主走査ビームウエスト位置変化:Δm’3
が条件:
(6) |Δm’1+Δm’2+Δm’3|<Wm/2
を満足させればよい。なお、深度:Wmは「ビームスポットの最大強度の1/e2で定義される主走査方向ビーム径」がビームウエスト径の+10%以下となる深度で定義する。
を満足する必要がある。
ビームウエスト位置の変化:Δs3が偏向器から遠ざかる方向(プラス方向)に変化し、とくに樹脂製レンズを用いるとΔs3の値は非常に大きくなる。
光源波長は25℃で655nm、45℃で659nmとした。
ここに、hは「光軸からの距離」、Clは「位相係数」である。
像面側面形状は前述の(式1)で表される非球面で、R、K等は以下の通りである。
R=−34.32865
K=−71.517137
A4=−0.208422E−03
A6= 0.651475E−05
A8=−0.238199E−06
A10= 0.770435E−08 。
光源側面形状は、主走査方向には平面、副走査方向には次の(式7)で表される非円弧形状である。
+B4・z4+B6・z6+B8・z8+B10・z10 ・・(式7)
ここに、z:光軸からの副走査方向距離、Rs:副走査方向近軸曲率半径、K:円錐定数、A4,A6,A8,A10:高次の係数、x:軸方向のデプスである。
Rs=−54.46507
K=−0.072542
B4= 0.577350E−07
B6= 0.474038E−07
B8=−0.190253E−07
B10= 0.247352E−08 。
「像面側面」
回折光学面の位相関数:φ(z)は、次の(式8)で表される。
φ(z)=C2・z2 ・・(式8)
ここに、zは「光軸からの副走査方向距離」、C2は「位相係数」である。
位相係数は以下の通りである。
C2=−8.8148E−03 。
光源側面形状は、主走査断面内における面形状は次の(式9)で表される非円弧形状をなす。
x=(y2/Rs)/[1+√{1−(1+K)(y/Rs)2}]
+A4・y4+A6・y6+A8・y8+A10・y10 ・・(式9)
ここに、y:光軸からの主走査方向距離、Rm:主走査方向近軸曲率半径、K:円錐定数をK、A4,A6,A8,A10:高次の係数、x:光軸方向のデプスである。
Cs(Y)=1/Rs(0)
+B1・Y+B2・Y2+B3・Y3+B4・Y4+B5・Y5+・(式10)
ここに、Y:光軸からの主走査方向距離、Cs:副走査方向曲率、K:円錐定数、B1,B2,B3,B4,B5:高次の係数である。
Rm=−279.9、Rs=−61.0
K=−2.900000E+01
A4= 1.755765E−07
A6=−5.491789E−11
A8= 1.087700E−14
A10=−3.183245E−19
A12=−2.635276E−24
B1=−2.066347E−06
B2= 5.727737E−06
B3= 3.152201E−08
B4= 2.280241E−09
B5=−3.729852E−11
B6=−3.283274E−12
B7= 1.765590E−14
B8= 1.372995E−15
B9=−2.889722E−18
B10=−1.984531E−19 。
「像面側面形状」
R=−83.6
K=−0.549157
A4= 2.748446E−07
A6=−4.502346E−12
A8=−7.366455E−15
A10= 1.803003E−18
A12= 2.727900E−23 。
Rm=6950 、Rs= 110.9
K=0.000000E+00
A4= 1.549648E−08
A6= 1.292741E−14
A8=−8.811446E−18
A10=−9.182312E−22
B1=−9.593510E−07
B2=−2.135322E−07
B3=−8.079549E−12
B4= 2.390609E−12
B5= 2.881396E−14
B6= 3.693775E−15
B7=−3.258754E−18
B8= 1.814487E−20
B9= 8.722085E−23
B10=−1.340807E−23 。
Rm=766 、Rs=−68.22
K= 0.000000E+00
A4=−1.150396E−07
A6= 1.096926E−11
A8=−6.542135E−16
A10= 1.984381E−20
A12=−2.411512E−25
B2= 3.644079E−07
B4=−4.847051E−13
B6=−1.666159E−16
B8= 4.534859E−19
B10=−2.819319E−23 。
d1=26.07144
d2=3.8
d3=102.8
d4=3.0
d5=121.7448
d6=64.007
d7=22.6
d8=75.85
d9=4.9
d10=158.71 。
光源波長は25℃で655nm、45℃で659nmとした。
R=−18.49
であり、K、A4等は「波面収差を補正するように最適化」されている。
光源側面は「トロイダル面」であり、像面側面は「平面を基準面として楕円状回折面を形成した面」である。
主走査方向の曲率半径:Rm=−246.5
副走査方向の曲率半径:Rs=−52.2
「像面側面形状」
回折面の位相関数:φ(y,z)は、光軸からの主走査方向の距離:y、副走査方向の距離:zとして、次の(式11)で表される。
φ(y,z)=C3・y2+C4・z2 ・・(式11)
ここに、C3、C4は位相係数である。
C3=−0.009027 ,C4= −0.001065 。
d1=24.25
d2=4.5
d3=61.71
d4=3.0
d5=121.7448(124.9)
d6=64.00685
d7=22.6
d8=75.85
d9=4.9
d10=158.71
ポリゴンミラー以降のレンズデータは全て実施例1と同じである。
光源波長は25℃で655nm、45℃で659nmとした。
R=−18.49 。
光源側面形状は、回転対称の球面を基準面として「同心円状の回折格子」を付けた形状である。
φ(h)=C1・h2 ・・(式12)。
位相係数:C1=−0.00107
である。
C2= −0.001069
である。
d2=4.5
d3=61.71
d4=3.0
d5=121.7448(124.9)
d6=64.00685
d7=22.6
d8=75.85
d9=4.9
d10=158.71
偏向器以降のレンズデータは全て実施例1と同じである。
この画像形成装置は「レーザプリンタ」である。
レーザプリンタは、感光媒体111として「円筒状に形成された光導電性の感光体」を有している。感光媒体111の周囲には、帯電手段としての帯電ローラ112、現像装置113、転写ローラ114、クリーニング装置115が配備されている。帯電手段としては周知の「コロナチャージャ」を用いることもできる。
また、レーザ光束LBによる光走査装置117が設けられ、帯電ローラ112と現像装置113との間で「光書き込による露光」を行うようになっている。
図8において、符号116は定着装置、符号118はカセット、符号119はレジストローラ対、符号118Aは給紙コロ、符号Sは記録媒体としての転写紙を示している。
画像形成を行うときは、光導電性の感光体である感光媒体111が時計回りに等速回転され、その表面が帯電ローラ112により均一帯電され、光走査装置117のレーザ光束LBの光書込みによる露光を受けて静電潜像が形成される。形成された静電潜像は、所謂「ネガ潜像」であって画像部が露光されている。この静電潜像は、現像装置113により反転現像され、像担持体111上にトナー画像が形成される。
光走査装置117として、実施例1〜3のものを用いることにより、良好な画像形成を実行することができる。
2、2’ 第1レンズ(カップリングレンズ)
3 アパーチャ
4 第2レンズ(アナモフィックレンズ)
5 偏向手段(ポリゴンミラー)の偏向反射面
6、7 第2光学系
9 被走査面
Claims (9)
- 半導体レーザによる複数の光源と、
これら複数の光源からのビームを偏向する偏向手段と、
上記複数の光源からのビームを上記偏向手段に導光する第1光学系と、
偏向手段により偏向されたビームを被走査面に向かって集光する第2光学系とを有し、
上記第1光学系は、上記複数の光源からのビームをカップリングし、複数ビームに共通に設けられる第1レンズと、この第1レンズによりカップリングされた複数ビームを上記偏向手段へ導光し、かつ、少なくとも副走査方向にパワーを有するアナモフィックな第2レンズとを有し、
上記第1レンズおよび第2レンズのうち、少なくとも第2レンズは、パワーを持つ回折面を有し、
全光学系の、主走査方向横倍率:βm0、副走査方向横倍率:βs0、第2光学系の副走査方向横倍率:βs2が条件:
(1) |βm0|>|βs0|かつ|βs0|>|βs2|
を満足し、
上記第1レンズにおける主走査方向の回折面のパワー:P1m、副走査方向の回折面のパワー:P1s、上記第2レンズにおける副走査方向の回折面のパワー:Ps2が条件:
(2) |P2s|>|P1m|かつ|P2s|>|P1s|
を満足することを特徴とする光走査装置。 - 請求項1記載の光走査装置において、
第2レンズの回折面が、副走査断面形状が主走査方向の位置によらず同一であることを特徴とする光走査装置。 - 請求項2記載の光走査装置において、
偏向手段と第2レンズと第2光学系とを装着するハウジングを有し、
上記第2レンズは上記ハウジングに直接装着され、かつ、上記第2レンズと上記ハウジングとが接触する箇所が、上記第2レンズの副走査方向の光軸近傍であることを特徴とする光走査装置。 - 請求項1〜3の任意の1に記載の光走査装置において、
第1レンズと第2レンズの間に、複数ビームの少なくとも副走査方向の幅を制限するアパーチャを有し、上記第1レンズと上記アパーチャとの距離:L1、上記アパーチャと上記第2レンズとの距離:L2が、条件:
L1>L2
を満足することを特徴とする光走査装置。 - 請求項1〜4の任意の1に記載の光走査装置において、
第1レンズの主走査方向焦点距離:f1、第1レンズと第2レンズとの距離:L3が、条件:
(3) f1/2<L3< 3・f1/2
を満足することを特徴とする光走査装置。 - 請求項1〜5の任意の1に記載の光走査装置において、
第2レンズの回折面に入射する複数ビームが開き角を有し、かつ、上記第2レンズの回折面へ入射する複数ビームの入射角が互いに略等しいことを特徴とする光走査装置。 - 半導体レーザによる複数の光源と、
複数の光源からのビームを偏向する偏向手段と、
光源からのビームをカップリングし、回折面を有する第1レンズと、
カップリングされた複数ビームを偏向手段に導き、少なくとも副走査方向にパワーを持つ回折面を有し、前記複数ビームに共通のアナモフィックな第2レンズとを有する第1光学系と、
上記偏向手段からのビームを被走査面に向かって集光する第2光学系を有し、
全光学系の、主走査方向横倍率:βm0、副走査方向横倍率:βs0、上記第2光学系の副走査方向横倍率:βs2が、条件:
(4) |βm0|>|βs2|かつ|βs0|>|βs2|
を満足し、
上記第1レンズを共通に通過するビーム数が、第2レンズを共通に通過するビーム数よりも少ないことを特徴とする光走査装置。 - 請求項7記載の光走査装置において、
第1レンズを共通に通過するビームが1ビームであることを特徴とする光走査装置。 - 請求項1〜8の任意の1に記載の光走査装置を有する画像形成装置。
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