JP4729993B2 - 積層セラミック電子部品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、例えば積層セラミックコンデンサ等の積層セラミック電子部品の製造方法に関するものである。

携帯電話やコンピュータ等の情報移動体通信関連の電子機器をはじめとした小型軽量化が進行する中で、積層セラミック電子部品の一つである積層セラミックコンデンサにおいても小型大容量化が強く要望されている。

そして、積層セラミックコンデンサの大容量化を図るため、誘電体セラミック層および内部電極層の薄層化、高積層化が進行している。しかし、高積層化に伴い内部電極層が形成された部分と内部電極層が形成されていない部分との厚みの差、つまり内部電極の有無による段差が増加して、この段差に起因したセラミック層の接着性低下や焼結体素子の層間剥離が発生し易くなるという問題がある。

このために、内部電極の有無による段差を解消するための種々の方法が提案されている。例えば、従来、以下のような積層セラミック電子部品の製造方法が提案されている。

まず、キャリアフィルム上に金属ペーストを所定のパターンでスクリーン印刷、乾燥して内部電極となる導電体層を複数個形成する。次に、導電体層とは逆のパターンを用いてスクリーン印刷し、キャリアフィルム上の導電体層以外の部分に段差抑制用のセラミック層を形成して第１の部分を準備する。

一方、別のキャリアフィルム上のほぼ全面に、セラミックスラリーをドクターブレード法等により塗布、乾燥して、セラミック生シートを作製して第２の部分を準備する。

その後、第２の部分と第１の部分とを、必要に応じて交互に積層、加熱圧着して、積層セラミックコンデンサの積層体グリーンブロックを作製する。

上記のような、導電体層の逆パターン状の段差抑制用のセラミック層を形成する段差の解消方法に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１、特許文献２および特許文献３などが知られている。
特開平１−２０８８２４号公報 特開平２−１００３０６号公報 特開平６−９６９９１号公報

しかしながら、上記のような、導電体層の逆パターン状の段差抑制用のセラミック層を形成する従来の段差の解消方法においては、導電体層とセラミック層との位置合わせが難しく、位置ずれが生じやすいという問題がある。

具体的には、導電体層を形成するパターンとセラミック層を形成するパターンとは、それぞれ別々のパターンから作製される。例えば、スクリーン印刷法やグラビア印刷法によりこれらを形成する場合、導電体層とセラミック層とは別々のスクリーン版やグラビア版を使用することになる。そこで、現在の製版技術においては、製版する際に導電体層とセラミック層との間に少なからず寸法差が生じてしまう。また、これらの印刷法により、キャリアフィルム等の支持体上に導電体層やセラミック層を形成する場合においても、キャリアフィルム等の支持体自体の伸縮により生じる寸法差がさらに加わることになる。また、導電体層やセラミック層を印刷機や積層機で重ね合わせる場合においても、機械的な位置合わせによる寸法差が生じることになる。

そして、導電体層とセラミック層との重ね合わせの位置がずれると、導電体層とセラミック層との間に隙間が生じ、この部分のシート間の接着不良や焼結体素子に空洞が発生するという問題が生じる。特に、高積層の積層体を作製する場合には、印刷機や積層機の機械的な性質上、位置ずれ、すなわち導電体層とセラミック層との間の隙間は、同じ位置で繰り返して形成されこれが累積する。このため、焼成後の焼結体素子のこの部分にデラミネーションなどの構造欠陥を生じ不良品となるという課題を有していた。

本発明は上記従来の問題点を解決するもので、導電体層と段差抑制用のセラミック層との位置ずれの問題が少なく、薄層化高積層化しても内部構造欠陥の発生が防止でき、優れた品質を有する積層セラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とするものである。

上記目的を達成するために本発明は、セラミック粉末と有機バインダとを含むセラミック生シートを作製する第１の工程と、第１の支持体上に所定のパターン状に導電体層を形成する第２の工程と、第２の支持体上に前記導電体層の非形成部分に対応する形状にセラミック層を形成する第３の工程と、前記セラミック生シート、前記導電体層および前記セラミック層を順次積層して積層体を作製する第４の工程と、前記積層体を焼成する第５の工程とを有し、前記セラミック層は前記セラミック生シートを挟んで交互に面方向に略１８０度回転させて配置されたものであり、前記導電体層は１パターン分水平にずらして形成したものを積層したものである積層セラミック電子部品の製造方法であり、これにより、導電体層と段差抑制用のセラミック層との重ね合わせ時における位置ずれが同じ位置で累積することが無く、位置ずれが分散され、このために、高積層化してもデラミネーションなどの内部構造欠陥の発生が防止でき、信頼性の高い積層セラミック電子部品を歩留まり良く製造することができる。

本発明の積層セラミック電子部品の製造方法によれば、導電体層と段差抑制用のセラミック層との重ね合わせ時における位置ずれが同じ位置で累積することが無く、位置ずれが分散され、このために、高積層化してもデラミネーションなどの内部構造欠陥の発生が防止でき、優れた品質の製品を歩留まり良く製造することができる。

以下、本発明の実施の形態における積層セラミック電子部品の製造方法について、積層セラミックコンデンサの製造方法を例に図面を参照して詳細に説明する。

（実施の形態１）
本発明の実施の形態１における積層セラミックコンデンサの製造方法について、以下に説明する。

まず、チタン酸バリウムを主成分とし、これに希土類元素の酸化物やＳｉＯ₂、ＭｇＯ、ＭｎＯ₂などの添加物を加えたセラミック原料粉末を混合し、必要に応じて仮焼し粉砕したセラミック粉体を作製した。

このセラミック粉体と、有機バインダーとしてポリビニルブチラール、可塑剤としてジブチルフタレート、そして溶剤として酢酸ブチルとを混合してセラミックスラリーを作製した。

このセラミックスラリーをドクターブレード法を用いて、図５に示すように、表面に離型処理を施したポリエチレンテレフタレート（以下ＰＥＴと略称する）フィルムの支持体１０上に塗布、乾燥して、セラミック生シート１１を作製して準備した。この時のセラミック生シート１１の厚みは約３．０μｍとした。このセラミック生シート１１は焼成することにより積層セラミックコンデンサの誘電体層となるものである。

一方、金属粉末としてニッケル粉末を主成分とし、有機バインダーとしてポリビニルブチラール、可塑剤としてジブチルフタレート、そして溶剤として酢酸ブチルからなるニッケルペーストを準備した。そして、このニッケルペーストを用いて、図６に示すように、表面に離型処理を施したＰＥＴフィルムからなる支持体２０上にスクリーン印刷法にて所定のパターン形状に導電体層１２を形成した。導電体層１２の厚みは約２．５μｍとした。また、印刷した導電体層１２のパターンは、図６に図示したように、矩形の形状を多数個を縦横に配列したパターン形状とした。この導電体層１２は焼成することにより積層セラミックコンデンサの内部電極となるものである。

また一方、上記のセラミック生シート１１の作製に用いたセラミック粉体と同じ組成のチタン酸バリウムを主成分とするセラミック粉体を用い、これに、有機バインダーとしてポリビニルブチラール、可塑剤としてジブチルフタレート、そして溶剤として酢酸ブチルを加え、混合分散してセラミックペーストを作製して準備した。そして、このセラミックペーストを用いて、図７に示すように、表面に離型処理を施したＰＥＴフィルムからなる支持体３０上にスクリーン印刷法にてセラミック層１３を形成した。

セラミック層１３のパターンは、導電体層の段差を抑制するためのものであり、図７に示すように、上記導電体層１２の非形成部分に対応する形状、すなわち導電体層１２の逆パターン状とした。なお、セラミック層１３は導電体層１２の非形成部分よりもやや幅を大きくし、セラミック層１３と導電体層１２とを重ね合わせた時に、矩形形状の導電体層１２の周囲でそれぞれ５０μｍ程度重なるようにした。また、セラミック層１３の厚みは導電体層１２の厚みと同じ約２．５μｍとした。

なお、図６および図７におけるＡ、Ｂ、ＸおよびＹは、後述の説明においてそれぞれのパターンの位置関係をわかりやすくするために付したものである。

そして続いて、上記のセラミック生シート１１、導電体層１２およびセラミック層１３を用いて本実施の形態１における積層セラミックコンデンサを作製した。本実施の形態１においては、積層時のずらし方法を種々変えて、実施例１、実施例２、実施例３および比較例の４種の積層セラミックコンデンサを作製した。以下に図面を参照して詳細に説明する。

図１は、本実施の形態１における実施例１の積層セラミックコンデンサの製造方法を説明するための模式的分解斜視図である。

まず、金属板の台座上に、図５のセラミック生シート１１に貼り合わせた後、支持体１０を剥離した。次に、さらにその上にセラミック生シート１１に貼り合わせた後支持体１０を剥離する動作を繰り返して積み重ね、複数枚のセラミック生シートからなる下部保護層を形成し（図示せず）、この上に図１に示すセラミック生シート１１ａを形成した。

次に、図１に示すように、セラミック生シート１１ａの上に、図６の導電体層１２を転写積層を行った後、支持体２０を剥離して導電体層１２ａを形成した。

次に、図１に示すように、セラミック生シート１１ａ上の導電体層１２ａの非形成部分に対応する位置に、導電体層１２の逆パターン状の図７のセラミック層１３を位置合わせして重ね、転写積層を行った後、支持体３０を剥離してセラミック層１３ａを形成した。

次に、この上に、図５のセラミック生シート１１に貼り合わせた後、支持体１０を剥離して、図１に示すように、セラミック生シート１１ｂを形成した。

次に、上記のセラミック生シート１１ｂの上に、図６の導電体層１２を、上記の導電体層１２ａに対して略１８０度回転した位置となるように配置し転写積層を行った後、支持体２０を剥離して、導電体層１２ａに対してセラミック生シート１１ｂを挟んで対向する位置に導電体層１２ｂを形成した。すなわち、図１に示すように、導電体層１２ａのパターンＡに導電体層１２ｂのパターンＢが対向し、導電体層１２ａのパターンＢに導電体層１２ｂのパターンＡが対向するように、図６の導電体層１２を略１８０度回転させて位置合わせして形成した。

次に、上記セラミック生シート１１ｂ上の導電体層１２ｂの非形成部分に対応する位置に、導電体層１２の逆パターン状の図７のセラミック層１３を、上記のセラミック層１３ａに対して、矩形形状のパターンを１パターン分水平にずらして配置し位置合わせして重ね、転写積層を行った後、支持体３０を剥離してセラミック層１３ｂを形成した。すなわち、図１に示すように、セラミック層１３ａは、ラインＱ１にパターンＸを合わせ、ラインＰ１にパターンＹを合わせて形成し、セラミック層１３ｂは、ラインＱ１に対して１
パターン分ずらしたラインＱ２にパターンＸを合わせ、ラインＰ１に対して１パターン分ずらしたラインＰ２にパターンＹを合わせて形成した。

続いて、この上に、上記と同様にして、セラミック生シート１１ａの形成、導電体層１２ａの形成およびセラミック層１３ａの形成をし、さらに、セラミック生シート１１ｂの形成、導電体層１２ｂの形成およびセラミック層１３ｂの形成を繰り返して行い、導電体層１２ａおよびセラミック層１３ａを５１層、導電体層１２ｂおよびセラミック層１３ｂを５０層、つまり導電体層を１０１層形成した。

さらに、この上に、セラミック生シート１１に貼り合わせた後、支持体１０を剥離する動作を繰り返して積み重ね、複数枚のセラミック生シートからなる上部保護層を形成し、本実施の形態１における実施例１の積層体を作製した。

その後、上記積層体を、焼成後に３．２ｍｍ×１．６ｍｍの寸法となるように所定の寸法で切断し、焼成して個片の焼結体を得た。この焼結体の内部電極が露出した両端面に外部電極を形成して、本実施の形態１における実施例１の積層セラミックコンデンサの完成品を得た。

図２は、本実施の形態１における実施例２の積層セラミックコンデンサの製造方法を説明するための模式的分解斜視図である。

まず、上記実施例１と同様に、金属板の台座上に、複数枚のセラミック生シートからなる下部保護層を形成し（図示せず）、この上に図２に示すセラミック生シート１１ｃを形成した。

次に、図２に示すように、セラミック生シート１１ｃの上に、図６の導電体層１２を転写積層を行った後、支持体２０を剥離して導電体層１２ｃを形成した。

次に、図２に示すように、セラミック生シート１１ｃ上の導電体層１２ｃの非形成部分に対応する位置に、導電体層１２の逆パターン状の図７のセラミック層１３を位置合わせして重ね、転写積層を行った後、支持体３０を剥離してセラミック層１３ｃを形成した。

次に、この上に、図５のセラミック生シート１１に貼り合わせた後、支持体１０を剥離して、図２に示すように、セラミック生シート１１ｄを形成した。

次に、上記のセラミック生シート１１ｄの上に、図６の導電体層１２を、上記の導電体層１２ｃに対して略１８０度回転した位置となるように配置し転写積層を行った後、支持体２０を剥離して、導電体層１２ｃに対してセラミック生シート１１ｄを挟んで対向する位置に導電体層１２ｄを形成した。すなわち、図２に示すように、導電体層１２ｃのパターンＡに導電体層１２ｄのパターンＢが対向し、導電体層１２ｃのパターンＢに導電体層１２ｄのパターンＡが対向するように、図６の導電体層１２を略１８０度回転させて位置合わせして形成した。

次に、上記セラミック生シート１１ｄ上の導電体層１２ｄの非形成部分に対応する位置に、導電体層１２の逆パターン状の図７のセラミック層１３を、上記のセラミック層１３ｃに対して略１８０度回転した位置となるように配置し位置合わせして重ね、転写積層を行った後、支持体３０を剥離してセラミック層１３ｄを形成した。すなわち、図２に示すように、セラミック層１３ｃのパターンＸにセラミック層１３ｄのパターンＹが対向し、セラミック層１３ｃのパターンＹにセラミック層１３ｄのパターンＸが対向するように、図７のセラミック層１３を略１８０度回転させて位置合わせして形成した。

続いて、この上に、上記と同様にして、セラミック生シート１１ｃの形成、導電体層１２ｃの形成およびセラミック層１３ｃの形成をし、さらに、セラミック生シート１１ｄの形成、導電体層１２ｄの形成およびセラミック層１３ｄの形成を繰り返して行い、導電体層１２ｃおよびセラミック層１３ｃを５１層、導電体層１２ｄおよびセラミック層１３ｄを５０層、つまり導電体層を１０１層形成した。

さらに、この上に、セラミック生シート１１に貼り合わせた後、支持体１０を剥離する動作を繰り返して積み重ね、複数枚のセラミック生シートからなる上部保護層を形成し、本実施の形態１における実施例２の積層体を作製した。

その後、上記積層体を、焼成後に３．２ｍｍ×１．６ｍｍの寸法となるように所定の寸法で切断し、焼成して個片の焼結体を得た。この焼結体の内部電極が露出した両端面に外部電極を形成して、本実施の形態１における実施例２の積層セラミックコンデンサの完成品を得た。

図３は、本実施の形態１における実施例３の積層セラミックコンデンサの製造方法を説明するための模式的分解斜視図である。

まず、上記実施例１と同様に、金属板の台座上に、複数枚のセラミック生シートからなる下部保護層を形成し（図示せず）、この上に図３に示すセラミック生シート１１ｅを形成した。

次に、図３に示すように、セラミック生シート１１ｅの上に、図６の導電体層１２を転写積層を行った後、支持体２０を剥離して導電体層１２ｅを形成した。

次に、図３に示すように、セラミック生シート１１ｅ上の導電体層１２ｅの非形成部分に対応する位置に、導電体層１２の逆パターン状の図７のセラミック層１３を位置合わせして重ね、転写積層を行った後、支持体３０を剥離してセラミック層１３ｅを形成した。

次に、この上に、図５のセラミック生シート１１に貼り合わせた後、支持体１０を剥離して、図３に示すように、セラミック生シート１１ｆを形成した。

次に、上記のセラミック生シート１１ｆの上に、図６の導電体層１２を、上記の導電体層１２ｅに対して、矩形形状のパターンを１パターン分水平にずらして配置し位置合わせして重ね、転写積層を行った後、支持体２０を剥離して導電体層１２ｆを形成した。すなわち、図３に示すように、導電体層１２ｅは、ラインＱ５にパターンＡを合わせ、ラインＰ５にパターンＢを合わせて形成し、導電体層１２ｆは、ラインＱ５に対して１パターン分ずらしたラインＱ６にパターンＡを合わせ、ラインＰ５に対して１パターン分ずらしたラインＰ６にパターンＢを合わせて形成した。

次に、上記セラミック生シート１１ｆ上の導電体層１２ｆの非形成部分に対応する位置に、導電体層１２の逆パターン状の図７のセラミック層１３を、上記のセラミック層１３ｅに対して略１８０度回転した位置となるように配置し位置合わせして重ね、転写積層を行った後、支持体３０を剥離してセラミック層１３ｆを形成した。すなわち、図３に示すように、セラミック層１３ｅのパターンＸにセラミック層１３ｆのパターンＹが対向し、セラミック層１３ｅのパターンＹにセラミック層１３ｆのパターンＸが対向するように、図７のセラミック層１３を略１８０度回転させて位置合わせして形成した。

続いて、この上に、上記と同様にして、セラミック生シート１１ｅの形成、導電体層１２ｅの形成およびセラミック層１３ｅの形成をし、さらに、セラミック生シート１１ｆの形成、導電体層１２ｆの形成およびセラミック層１３ｆの形成を繰り返して行い、導電体層１２ｅおよびセラミック層１３ｅを５１層、導電体層１２ｆおよびセラミック層１３ｆを５０層、つまり導電体層を１０１層形成した。

さらに、この上に、セラミック生シート１１に貼り合わせた後、支持体１０を剥離する動作を繰り返して積み重ね、複数枚のセラミック生シートからなる上部保護層を形成し、本実施の形態１における実施例３の積層体を作製した。

その後、上記積層体を、焼成後に３．２ｍｍ×１．６ｍｍの寸法となるように所定の寸法で切断し、焼成して個片の焼結体を得た。この焼結体の内部電極が露出した両端面に外部電極を形成して、本実施の形態１における実施例３の積層セラミックコンデンサの完成品を得た。

また比較のために、比較例の積層セラミックコンデンサを作製した。図４は、比較例の積層セラミックコンデンサの製造方法を説明するための模式的分解斜視図である。

まず、上記実施例１と同様に、金属板の台座上に、複数枚のセラミック生シートからなる下部保護層を形成し（図示せず）、この上に図４に示すセラミック生シート１１ｇを形成した。

次に、図４に示すように、セラミック生シート１１ｇの上に、図６の導電体層１２を転写積層を行った後、支持体２０を剥離して導電体層１２ｇを形成した。

次に、図４に示すように、セラミック生シート１１ｇ上の導電体層１２ｇの非形成部分に対応する位置に、導電体層１２の逆パターン状の図７のセラミック層１３を位置合わせして重ね、転写積層を行った後、支持体３０を剥離してセラミック層１３ｇを形成した。

次に、この上に、図５のセラミック生シート１１に貼り合わせた後、支持体１０を剥離して、図４に示すように、セラミック生シート１１ｈを形成した。

次に、上記のセラミック生シート１１ｈの上に、図６の導電体層１２を、上記の導電体層１２ｇに対して、矩形形状のパターンを１パターン分水平にずらして配置し位置合わせして重ね、転写積層を行った後、支持体２０を剥離して導電体層１２ｈを形成した。すなわち、図４に示すように、導電体層１２ｇは、ラインＱ７にパターンＡを合わせ、ラインＰ７にパターンＢを合わせて形成し、導電体層１２ｈは、ラインＱ７に対して１パターン分ずらしたラインＱ８にパターンＡを合わせ、ラインＰ７に対して１パターン分ずらしたラインＰ８にパターンＢを合わせて形成した。

次に、上記セラミック生シート１１ｈ上の導電体層１２ｈの非形成部分に対応する位置に、導電体層１２の逆パターン状の図７のセラミック層１３を、上記のセラミック層１３ｇに対して、矩形形状のパターンを１パターン分水平にずらして配置し位置合わせして重ね、転写積層を行った後、支持体３０を剥離してセラミック層１３ｈを形成した。すなわち、図４に示すように、セラミック層１３ｇは、ラインＱ７にパターンＸを合わせ、ラインＰ７にパターンＹを合わせて形成し、セラミック層１３ｈは、ラインＱ７に対して１パターン分ずらしたラインＱ８にパターンＸを合わせ、ラインＰ７に対して１パターン分ずらしたラインＰ８にパターンＹを合わせて形成した。

続いて、この上に、上記と同様にして、セラミック生シート１１ｇの形成、導電体層１２ｇの形成およびセラミック層１３ｇの形成をし、さらに、セラミック生シート１１ｈの形成、導電体層１２ｈの形成およびセラミック層１３ｈの形成を繰り返して行い、導電体層１２ｇおよびセラミック層１３ｇを５１層、導電体層１２ｈおよびセラミック層１３ｈを５０層、つまり導電体層を１０１層形成した。

さらに、この上に、セラミック生シート１１に貼り合わせた後、支持体１０を剥離する動作を繰り返して積み重ね、複数枚のセラミック生シートからなる上部保護層を形成し、比較例の積層体を作製した。

その後、上記積層体を、焼成後に３．２ｍｍ×１．６ｍｍの寸法となるように所定の寸法で切断し、焼成して個片の焼結体を得た。この焼結体の内部電極が露出した両端面に外部電極を形成して、比較例の積層セラミックコンデンサの完成品を得た。

なお、上記の実施例１、実施例２、実施例３および比較例の積層体の作製において、セラミック生シート１１、導電体層１２およびセラミック層１３の転写積層は、いずれも一軸プレスを用い、温度８０℃〜１４０℃、加圧力１０ＭＰａ〜２０ＭＰａの条件で加熱圧着して行った。

上記で得られた本実施の形態１における実施例１、実施例２および実施例３の積層セラミックコンデンサ、および比較例の積層セラミックコンデンサについて、静電容量のバラツキおよび内部構造欠陥の有無について評価した。

静電容量については、ＬＣＲメーターを用い、それぞれ試料１００個を２０℃の恒温槽中で周波数１ｋＨｚ、入力信号レベル１．０Ｖｒｍｓにて測定し、その最大値と最小値の差の平均値に対する百分率を静電容量のバラツキとして評価した。内部構造欠陥については、それぞれ試料１００個の断面を顕微鏡観察し、デラミネーションの有無つまり誘電体層と内部電極との剥離の有無を評価した。実施例１、実施例２、実施例３および比較例の４種の積層セラミックコンデンサについて、積層時のずらし方法とともに、評価結果を（表１）に示す。

（表１）に示したように、実施例１、実施例２および実施例３の積層セラミックコンデンサは、いずれもデラミネーションの発生が全く無く、良好な結果が得られた。これらはいずれも、上述したように、積層体を作製する工程において、導電体層１２およびセラミック層１３の少なくともいずれか一方は、セラミック生シート１１を挟んで交互に面方向に略１８０度回転させて配置して積層したものである。すなわち、導電体層１２およびセラミック層１３の少なくともいずれか一方を交互に面方向に略１８０度回転させて配置して積層することにより、導電体層１２とセラミック層１３との重ね合わせ時における位置ずれが同じ位置で累積することが無く、位置ずれが分散され、このために、デラミネーションなどの内部構造欠陥の発生が防止できたものと考えられる。

一方、（表１）に示したように、比較例の積層セラミックコンデンサでは、デラミネーションが２％発生している。これは、上記本実施の形態１の積層セラミックコンデンサと異なり、積層体を作製する工程において、導電体層１２およびセラミック層１３を、セラミック生シート１１を挟んで交互に水平にずらして配置して積層したものである。このために、導電体層１２とセラミック層１３との重ね合わせの位置ずれが、同じ位置で繰り返して形成されこれが累積し、焼成後の焼結体素子のこの部分にデラミネーションを生じたものと考えられる。なお、この比較例のように、断面観察においてデラミネーションなどの内部構造欠陥の発生が確認された製造ロットは、通常、ロットアウトとして全数不良品としている。これは、内部構造欠陥のあるものは、耐候的性能などの信頼性に劣るためであり、また、これを非破壊で選別することが困難であるからである。

また、（表１）に示したように、実施例３の積層セラミックコンデンサは、デラミネーションの発生が全く無いばかりでなく、静電容量のバラツキも３％と非常に小さく、特に、良好な結果が得られた。この実施例３は、上述したように、積層体を作製する工程において、導電体層１２はセラミック生シート１１を挟んで交互に水平にずらして配置して積層し、セラミック層１３はセラミック生シート１１を挟んで交互に面方向に略１８０度回転させて配置して積層したものである。すなわち、導電体層１２を交互に水平にずらして積層することにより導電体層同士の位置ずれが少なく静電容量のバラツキが小さくできるとともに、セラミック層１３を交互に面方向に略１８０度回転させて配置して積層することにより、導電体層１２とセラミック層１３との重ね合わせ時における位置ずれが同じ位置で累積することが無く、位置ずれが分散され、このために、デラミネーションなどの内部構造欠陥の発生も防止できたものと考えられる。

なお、上記実施の形態１では、導電体層１２として金属ニッケル粉末を主成分とするニッケルペーストを用いて形成した例を示したが、ニッケルのほかに銀、銅、パラジウム、白金などの金属ペーストを用いても同様の効果が得られる。

また、上記実施の形態１では、セラミック生シート１１のセラミック成分とセラミック層１３のセラミック成分とを同じ組成としている。これにより、焼結の際、セラミック層１３のセラミック成分が拡散しても有効層を形成しているセラミック生シート１１のセラミック成分を劣化させることがないため安定した特性の積層セラミックコンデンサを得ることができる。

また、積層セラミック電子部品の例として、積層セラミックコンデンサの製造方法について説明したが、積層セラミックコンデンサのほかに積層サーミスタ、積層バリスタ、積層インダクタなどの積層セラミック電子部品の製造においても同様の効果が得られる。

本発明に係る積層セラミック電子部品の製造方法は、導電体層と段差抑制用のセラミック層との重ね合わせ時における位置ずれが同じ位置で累積することが無く位置ずれが分散されるので、高積層化してもデラミネーションなどの内部構造欠陥の発生が防止でき信頼性の高い製品が得られ、薄層化、高積層化が求められている積層セラミック電子部品の製造方法として特に有用である。

実施の形態１における実施例１の積層セラミックコンデンサの製造方法を説明するための模式的分解斜視図 同実施例２の積層セラミックコンデンサの製造方法を説明するための模式的分解斜視図 同実施例３の積層セラミックコンデンサの製造方法を説明するための模式的分解斜視図 比較例の積層セラミックコンデンサの製造方法を説明するための模式的分解斜視図 実施の形態１における支持体上に形成したセラミック生シートの模式的斜視図 同支持体上に形成した導電体層の模式的斜視図 同支持体上に形成したセラミック層の模式的斜視図

符号の説明

１０、２０、３０ 支持体
１１、１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆ、１１ｇ、１１ｈ セラミック生シート
１２、１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ、１２ｇ、１２ｈ 導電体層
１３、１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、１３ｅ、１３ｆ、１３ｇ、１３ｈ セラミック層

Claims (1)

1. セラミック粉末と有機バインダとを含むセラミック生シートを作製する第１の工程と、第１の支持体上に所定のパターン状に導電体層を形成する第２の工程と、第２の支持体上に前記導電体層の非形成部分に対応する形状にセラミック層を形成する第３の工程と、前記セラミック生シート、前記導電体層および前記セラミック層を順次積層して積層体を作製する第４の工程と、前記積層体を焼成する第５の工程とを有し、前記第４の工程において、前記セラミック層は前記セラミック生シートを挟んで交互に面方向に略１８０度回転させて配置されたものであり、前記導電体層は１パターン分水平にずらして形成したものを積層したものである積層セラミック電子部品の製造方法。

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