JP4729109B2 - 強磁性トンネル接合素子およびその製造方法 - Google Patents
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図3(A)〜(C)は本実施形態に係るSV−TMR素子の製造方法を工程順に示す断面図である。
図4(A)〜(D)は本発明に係る他のSV−TMR素子の製造方法を工程順に示す断面図である。このSV−TMR素子は、磁化自由層の上下にそれぞれトンネルバリア層および磁化固着層が形成された二重トンネル接合を有するデュアルスピンバルブ型TMR素子であり、MRAMに用いられる。このTMR素子は半導体基板上に形成された集積回路の一部であり、TMR素子は絶縁膜上に形成された下部配線電極上に形成される。この下部配線電極は、絶縁膜を貫通するプラグを通して、半導体基板主面に形成された選択トランジスタと接続される。
図6は本実施形態に係るSV−TMR素子を示す断面図である。このSV−TMR素子は、図4(D)のSV−TMR素子と同様に、磁化自由層の上下にそれぞれトンネルバリア層および磁化固着層が形成された二重トンネル接合を有するデュアルスピンバルブ型のTMR素子である。さらに、このSV−TMR素子では、非磁性層を介して反強磁性結合した2つの強磁性層を含む積層型の磁化固着層(いわゆるシンセティック膜)を用いている。このような積層型磁化固着層を用いると、磁化固着層からの磁場の漏洩が抑制されるため、磁化固着層と磁化自由層との間の磁気的結合に起因する特性の変化を抑えることができる。また、本実施形態のSV−TMR素子は、半導体基板上に形成された集積回路の一部であり、TMR素子部分は絶縁膜上に形成された下部配線電極上に作製される。この下部配線電極は、絶縁膜を貫通するプラグを通して、基板主面に形成された選択トランジスタと接続されている。本実施例のTMR素子の積層構造は、層間絶縁膜およびプラグ形成を終了した基板上に、高真空スパッタリング法にて順次積層して作製したものである。
Pt−Mnからなる第1反強磁性層602
約2nmのCo6Fe4からなる強磁性層603a
約1nmの(Co6Fe4)0.95B0.05からなるアモルファス磁性層604a
約2nmのCo6Fe4からなる強磁性層603b
約1.2nmのRuからなる非磁性層605
約2nmのCo6Fe4からなる強磁性層603c
約1nmの(Co6Fe4)0.95B0.05からなるアモルファス磁性層604b
約2nmのCo6Fe4からなる強磁性層603d
Al2O3からなる第1トンネルバリア層606
2nmのCo3Fe3Ni4からなる磁化自由層607
Al2O3からなる第2トンネルバリア層608
約2nmのCo6Fe4からなる強磁性層609a
約1nmの(Co6Fe4)0.95B0.05からなるアモルファス磁性層610a
約2nmのCo6Fe4からなる強磁性層609b
約1.2nmのRuからなる非磁性層611
約2nmのCo6Fe4からなる強磁性層609c
約1nmの(Co6Fe4)0.95B0.05からなるアモルファス磁性層610b
約2nmのCo6Fe4からなる強磁性層609d
Pt−Mnからなる第2反強磁性層612
Taからなる保護層613。
102…磁化固着層
102a…下部強磁性層
102b…上部強磁性層
103…トンネルバリア層
104…磁化自由層
105…Mn拡散防止層
201…下部配線電極層
202…バッファー層
203…反強磁性層
204…磁化固着層
204a…下部強磁性層
204b…上部強磁性層
205…Mn拡散防止層
206…トンネルバリア層
207…磁化自由層
208…Ni−Fe層
209…保護層
210…層間絶縁膜
211…上部配線電極
301…下部配線電極層
302…バッファー層
303…第1反強磁性層
304…第1磁化固着層
304a…第1下部強磁性層
304b…第1上部強磁性層
305…第1拡散防止層
306…第1トンネルバリア層
307…磁化自由層
308…第2トンネルバリア層
309…第2磁化固着層
309a…第2下部強磁性層
309b…第2上部強磁性層
310…第2拡散防止層
311…第2反強磁性層
312…保護層
313…層間絶縁膜
314…上部配線電極
401…シリコン基板
402…ゲート電極
403、404…ソース、ドレイン領域
405…プラグ
406…書き込み用のワードライン
601…バッファー層
602…第1反強磁性層
603…第1磁化固着層
603a、603b、603c、603d…強磁性層
604a、604b…アモルファス磁性層
605…非磁性層
606…第1トンネルバリア層
607…磁化自由層
608…第2トンネルバリア層
609…第2磁化固着層
609a、609b、609c、609d…強磁性層
610a、610b…アモルファス磁性層
611…非磁性層
612…第2反強磁性層
613…保護層
Claims (5)
- Mnを含有する反強磁性層と、
前記反強磁性層上に形成された、下部強磁性層、非磁性層、および上部強磁性層を含み下部および上部強磁性層が反強磁性結合している積層型の磁化固着層であって、さらに下部および上部強磁性層のうち前記反強磁性層に近い下部強磁性層は第1および第2の2つの強磁性層の間にMn拡散防止層として機能する、Mn、Ti、Ta、V、EuおよびScからなる群より選択される少なくとも1種の元素の酸化物、窒化物または炭化物を含む絶縁層を挟んだ構造を有する磁化固着層と、
前記磁化固着層上に形成されたトンネルバリア層と、
前記トンネルバリア層上に形成された磁化自由層と
を具備したことを特徴とする強磁性トンネル接合素子。 - Mnを含有する反強磁性層を形成し、
前記反強磁性層上に第1の強磁性層、Mn拡散防止層として機能する、Mn、Ti、Ta、V、EuおよびScからなる群より選択される少なくとも1種の元素の酸化物、窒化物または炭化物を含む絶縁層、および第2の強磁性層を積層した下部強磁性層、非磁性層、ならびに上部強磁性層を積層して磁化固着層を形成し、
前記磁化固着層上に絶縁材料を含むトンネルバリア層を形成し、
前記トンネルバリア層上に強磁性材料を含む磁化自由層を形成する
ことを特徴とする強磁性トンネル接合素子の製造方法。 - 前記磁化固着層の第1の強磁性層上に、Mn、Ti、Ta、V、EuおよびScからなる群より選択される少なくとも1種の元素と、酸素、窒素、および炭素からなる群より選択される少なくとも1種の材料とを含む絶縁材料を成膜して前記磁化固着膜の絶縁層を形成することを特徴とする請求項2に記載の強磁性トンネル接合素子の製造方法。
- 前記磁化固着層の第1の強磁性層上に、Mn、Ti、Ta、V、EuおよびScからなる群より選択される少なくとも1種の元素の薄膜を成膜し、前記薄膜を酸化雰囲気、窒化雰囲気または炭化雰囲気に暴露して、前記磁化固着膜の絶縁層を形成することを特徴とする請求項2に記載の強磁性トンネル接合素子の製造方法。
- 前記磁化固着層を形成した後、300℃を超える温度で熱処理することを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1項に記載の強磁性トンネル接合素子の製造方法。
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