JP4719551B2 - 帯電装置のための帯電条件調整方法、および当該帯電条件調整方法を用いた画像形成装置と画像形成プロセスカートリッジ - Google Patents
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Description
本発明において感光体上に生じる放電痕は実質的に1本である。感光体と帯電ローラの間隔が近すぎると、放電痕の中央には放電が生じていない場所が生じるため、放電痕は2本となる。即ち、放電痕が1本の場合は、感光体と帯電ローラは完全に離れており、帯電ローラに印加する交流電圧の1周期で放電の生じる幅を大きくすることができる。そのため、帯電ローラに印加する交流電圧の周波数f(Hz)を低く設定しても感光体の帯電電位を均一にすることが可能である。本発明においては、放電痕の幅は広ければ広いほど好ましく、当該放電痕の幅の平均(L)は0.9mm以上、好ましくは1.0mm以上、さらに好ましくは1.1mm〜2mmである。放電痕の幅の平均が0.9mmより小さいと、感光体の帯電電位を均一にするためには帯電ローラに印加する交流電圧の周波数を高めに設定する必要があり、感光体や帯電ローラの酸化劣化のスピードが早くなり、早期に感光体や帯電ローラを交換しないといけなくなり、好ましくない。放電痕の幅を広くする方法としては、感光体および/または帯電ローラの径を大きくすることが考えられる。帯電ローラに印加する電圧が決まれば、感光体と帯電ローラの距離が一定範囲で放電は生じる。感光体および/または帯電ローラの径が大きくなれば、感光体と帯電ローラの距離が一定範囲となる領域は広くなるため、放電痕の幅を広くすることができる。しかし、帯電ローラおよび/または感光体の径を大きくしすぎると、装置が大きくなり、組み付けの精度を高くしなければ、放電が生じる幅が場所により変わり易く、放電痕の幅のバラツキが大きくなってしまう。そのため、帯電ローラの外径としては9mm〜25mm、好ましくは10mm〜20mmが好適に用いられる。
f≧v/L
であれば、感光体の帯電電位は一定となる。実際には帯電ローラに印加する交流電圧の1周期の放電では、放電痕の幅の帯電電位にバラツキがあるため、周波数は17.0×v/L≧f≧4.0×v/L、好ましくは15.0×v/L≧f≧4.5×v/L、さらに好ましくは13.0×v/L≧f≧5.0×v/Lを満たすことが好ましい。周波数が4.0×v/Lより小さいと、感光体の帯電電位の均一性が得られず、特に1000dpi、好ましくは1200dpi以上の解像度の画像形成装置において、高品質の画像を得ることができず、好ましくない。周波数が15.0×v/Lより大きいと、感光体や帯電ローラの酸化劣化のスピードが速く、早期に感光体や帯電ローラを交換しないといけなくなり、好ましくない。
〔モノフェノール系化合物〕
2,6−ジ−t−ブチル−p−クレゾール、ブチル化ヒドロキシアニソール、2,6−ジ−t−ブチル−4−エチルフェノール、ステアリル−β−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート、3−t−ブチル−4−ヒドロキシニソール等
〔ビスフェノール系化合物〕
2,2’−メチレン−ビス−(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、2,2’−メチレン−ビス−(4−エチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4’−チオビス−(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4’−ブチリデンビス−(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)等
〔高分子フェノール系化合物〕
1,1,3−トリス−(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェニル)ブタン、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、テトラキス−[メチレン−3−(3’,5’−ジ−t−ブチル−4’−ヒドロキシフェニル)プロピオネート]メタン、ビス[3,3’−ビス(4’−ヒドロキシ−3’−t−ブチルフェニル)ブチリックアシッド]グリコールエステル、トコフェノール類等
〔パラフェニレンジアミン類〕
N−フェニル−N’−イソプロピル−p−フェニレンジアミン、N,N’−ジ−sec−ブチル−p−フェニレンジアミン、N−フェニル−N−sec−ブチル−p−フェニレンジアミン、N,N’−ジ−イソプロピル−p−フェニレンジアミン、N,N’−ジメチル−N,N’−ジ−tーブチル−p−フェニレンジアミン等
〔ハイドロキノン類〕
2,5−ジ−t−オクチルハイドロキノン、2,6−ジドデシルハイドロキノン、2−ドデシルハイドロキノン、2−ドデシル−5−クロロハイドロキノン、2−t−オクチル−5−メチルハイドロキノン、2−(2−オクタデセニル)−5−メチルハイドロキノン等
〔有機硫黄化合物類〕
ジラウリル−3,3’−チオジプロピオネート、ジステアリル−3,3’−チオジプロピオネート、ジテトラデシル−3,3’−チオジプロピオネート等
〔有機燐化合物類〕
トリフェニルホスフィン、トリ(ノニルフェニル)ホスフィン、トリ(ジノニルフェニル)ホスフィン、トリクレジルホスフィン、トリ(2,4−ジブチルフェノキシ)ホスフィン等。
図2は本発明に係る画像形成装置の概略を示すものである。ここに示した画像形成装置は、複写機、プリンタ、ファクシミリ或いはこれらの少なくとも2つの機能を備えた複合機等として構成される。図示していない本体筐体内に、被帯電体の一例である感光体1が配置され、この感光体1は、ドラム上の導電性ベース2の外周面に感光層3が積層されて構成されている。複数のローラに巻き掛けられて走行駆動されるベルト状の感光体や、誘電体より成るドラム状またはベルト状の感光体を用いることも可能である。なお本実施形態では、少なくとも感光体1と帯電装置5とでプロセスカートリッジユニットが構成され、更に現像装置、クリーニングユニット、除電装置を加えてプロセスカートリッジを構成可能である。プロセスカートリッジと称する場合、上記カートリッジユニットだけでもプロセスカートリッジとなり得るし、帯電装置と感光体と現像装置、帯電装置と感光体と現像装置とクリーニング装置等、様々なバリエーションが存在し得る。
直径30mmのアルミニウムドラム(導電性支持体)上に、下引き層、電荷発生層、電荷輸送層および保護層を、その順に塗布した後、乾燥し、3.9μmの下引き層、0.15μmの電荷発生層、22μmの電荷輸送層、約4.5μmの保護層から成る感光体を作製した。このとき、保護層の塗工はスプレー法により、それ以外は浸漬塗工法により行った。保護層には、平均粒径0.21μmのアルミナを22.5質量%添加した。
マゼンタの感光体ユニットにゴム硬度が76の帯電ローラを組み込み、上記の例の評価手順をベースとし、感光体と帯電ローラを回転させない条件で感光体と帯電ローラの間に印加する重畳電圧については、ブラック用感光体ユニット、シアン用感光体ユニットの帯電ローラに印加する交流の周波数を1.3kHzとし、マゼンタ用感光体ユニットの帯電ローラに印加する交流の周波数を890Hzとした。
ステンレスの円柱にABS樹脂、カーボンおよびイオン導電性物質を主成分とする物質を積層し、直径13mm、22.6mmの帯電ローラを用い、帯電ローラの両端から15mmの位置に60μmのギャップテープを貼り付け、上記の実施例2の評価手順をベースに、感光体を新品に交換し、用いたブラック用感光体ユニット、イエロー用感光体ユニットに搭載した。直径13mm、22.6mmの帯電ローラをそれぞれブラック用感光体ユニット、イエロー用感光体ユニットに組み込んだ。帯電ローラを回転させない条件で、感光体と帯電ローラの間に、ブラック用感光体ユニットについては、−600Vの直流電圧に周波数890Hz、振幅1200Vの交流電圧を印加する帯電条件で、イエロー用感光体ユニットについては、−600Vの直流電圧に周波数850Hz、振幅1200Vの交流電圧を印加する帯電条件とし、その他の感光体ユニット(シアン、マゼンタ)は上記〔実施例2、比較例3〕で用いた帯電ローラ・帯電条件と同じとした。
上記の〔実施例3,4〕の評価手順をベースに、各感光体ユニットの感光体線速が222mm/秒、書き込み光の解像度が1200dpiになるように改造した。〔実施例3,4〕で用いた感光体ユニットをそのまま用い、感光体と帯電ローラを回転させない条件で感光体と帯電ローラの間に印加する重畳電圧については、ブラック用感光体ユニットは、−600Vの直流電圧に周波数1100Hz、振幅1200Vの交流電圧を印加する帯電条件で、イエロー用感光体ユニットは、−600Vの直流電圧に周波数1000Hz、振幅1200Vの交流電圧を印加する帯電条件とし、シアン用感光体ユニットは、−600Vの直流電圧に周波数1700Hz、振幅1050Vの交流電圧を印加する帯電条件とし、マゼンタ用感光体ユニットは、−600Vの直流電圧に周波数2000Hz、振幅1050Vの交流電圧を印加する帯電条件とした。各色混成チャートを合計70000枚画像形成した後、ブラック、イエロー、シアン、マゼンタの全面ハーフトーン画像を出力したところ、高画質の画像が得られた。
4 除電ランプ
5 帯電装置
6 レーザ書き込みユニット
7 現像装置
8 転写装置
9 定着装置
12 クリーニング装置
Claims (8)
- 感光体に対し非接触に配置された帯電ローラに、直流電圧を重畳した交流電圧を印加して帯電を行う帯電装置のための帯電条件調整方法であって、
感光体と帯電ローラの双方を回転させずに、一定時間、前記直流電圧を重畳した交流電圧を印加する工程と、
前記感光体に生じる放電痕を観測する工程と、を有し、
前記放電痕が1本のスジであり、当該放電痕の幅の平均(L)が0.9mm以上、放電痕幅の最大と最小の差が平均放電痕幅の20%以下となるように帯電条件を調整することを特徴とする、帯電条件調整方法。 - 請求項1に記載の帯電条件調整方法において、前記帯電条件に関するパラメータが前記帯電ローラの硬度であることを特徴とする帯電条件調整方法。
- 請求項1または2に記載の帯電条件調整方法において、前記帯電条件に関するパラメータが前記交流電圧の周波数であることを特徴とする帯電条件調整方法。
- 請求項3に記載の帯電条件調整方法において、前記帯電ローラに印加する重畳電圧の交流電圧分の周波数(fHz)を、前記放電痕の幅平均(Lmm)、画像形成する際の感光体の線速(vmm/秒)に対して
17×v/L≧f≧4×v/L
となるように調整することを特徴とする帯電条件調整方法。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の帯電条件調整方法において、前記帯電条件に関するパラメータが前記帯電ローラと前記感光体の間に形成される空隙の大きさであることを特徴とする帯電条件調整方法。
- 潜像を形成される感光体と、前記感光体を帯電する帯電装置と、を備える画像形成装置であって、請求項1〜5のいずれか一項に記載の帯電条件調整方法を用いて、前記帯電装置の帯電条件を調整したことを特徴とする画像形成装置。
- 請求項6に記載の画像形成装置において、画像形成可能な最高解像度が1000dpi以上であることを特徴とする画像形成装置。
- 潜像を形成される感光体と、前記感光体を帯電する帯電装置と、を備えるプロセスカートリッジであって、請求項1〜5のいずれか一項に記載の帯電条件調整方法を用いて、前記帯電装置の帯電条件を調整したことを特徴とするプロセスカートリッジ。
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