JP4715157B2 - 熱電素子 - Google Patents
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Description
また、熱電材料の性能指数Zを決めるゼーベック係数S、電気伝導度σ及び熱伝導率κは、いずれもキャリア濃度の関数であることが知られている。そのため、単に熱電材料中のキャリア濃度を調整するだけでは、到達可能な性能指数Zには限界がある。
さらに、バルク熱電材料を用いた熱電素子(特に、π型素子)又はこのような複数個の熱電素子を直列若しくは並列に接続した従来の熱電モジュールは、その構造上、熱源又は被冷却物若しくは被加熱物との接触部が平面である必要がある。そのため、従来の熱電素子では、その表面に凹凸がある熱源(例えば、熱流配管の周囲)や被冷却物・被加熱物への設置が困難であった。
また、従来の熱電材料(特に、Bi−Te系やPb−Te系の化合物半導体)は、相対的に比重が大きい。そのため、このような熱電材料を用いた熱電素子を移動体に大量に搭載すると、エネルギ効率がかえって低下するという問題がある。さらに、従来の熱電材料は、硬く、かつ、脆いので、振動や熱応力によって、熱電材料の破損や電極の接合不良が生じやすいという問題がある。
(1)前記熱電素子は、
高温部電極と、
低温部電極と、
その両端が、それぞれ、前記高温部電極及び前記低温部電極に接合された、熱電材料からなり、互いに独立して自由に動ける状態にある1又は2以上の線状の可撓性素子又はその束とを備えている。
(2)前記可撓性素子は、p型熱電材料を含む1又は2以上のp型可撓性素子と、n型熱電材料を含む1又は2以上のn型可撓性素子とを備え、
前記p型可撓性素子又はその束、及び前記n型可撓性素子又はその束は、電気的に直列に接続されるように、それぞれ、その両端が前記高温部電極及び前記低温部電極に接続されている。
(3)前記高温部電極及び前記低温部電極の少なくとも一方は、
電気絶縁性を有する支持層と、
該支持層表面に形成され、かつ、互いに絶縁された2個以上の電気伝導層とを備えている。
(4)前記p型可撓性素子又はその束、及び前記n型可撓性素子又はその束の両端以外の部分を互いに電気的に絶縁するための絶縁手段をさらに備え、
前記絶縁手段は、前記高温部電極及び前記低温部電極の間にほぼ平行に配置され、平行に並んだ前記p型可撓性素子又はその束と前記n型可撓性素子又はその束の横方向に波状に通された、電気絶縁性を有する1本又は複数本の横糸を備えている。
この場合、前記高温部電極及び前記低温部電極の少なくとも一方は、可撓性を有するものが好ましい。また、前記可撓性素子は、出力因子(S2σ)が10−7Wm−1K−2以上である有機化合物を備えているものが好ましい。
また、可撓性素子として、熱電特性を示す有機化合物を用いた場合には、熱電素子を軽量化することができる。また、可撓性素子の長さ及び電極間に設置する可撓性素子の本数を最適化することにより、十分な電圧及び/又は電流を確保することができる。さらに、熱電特性を示す有機物化合物は、加工が容易であり、希少元素や毒性元素を必ずしも含まないので、製造コストを低減することができ、環境に対する負荷も小さい。
高温部電極及び低温部電極は、いずれも、可撓性素子から電流を取り出し又は可撓性素子に電流を供給するためのものである。高温部電極及び低温部電極は、それぞれ、剛体であっても良く、あるいは、可撓性を有するものであっても良い。特に、高温部電極及び低温部電極の少なくとも一方又は双方が可撓性を有する場合には、凹凸のある熱源又は被冷却物・被加熱物への熱電素子の設置がさらに容易化する。
(1) 後述する各種の導電性高分子(後述する各種のドーパントが添加され、及び/又は、各種置換基が導入されたものを含む)、
(2) Al、Cu、Au、Ag、In等の金属、
などがある。これらは、それぞれ、単独で用いても良く、あるいは、2種以上を組み合わせて用いても良い。特に、電極に高い可撓性が要求される場合には、電気伝導層として、導電性高分子を用いるのが好ましい。導電性高分子は、その厚さを最適化することによって、容易に可撓性を有する電気伝導層となり、しかも、曲げ応力が繰り返し加わっても、劣化が少ないという利点がある。。
(1) 中密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリイミド、トリアセテート、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエステル、ポリアミド(ナイロン)、3フッ化エチレン等の高分子、
(2) シリコーンゴム、フッ化ビニリデン等のフッ素系ゴム、アクリルゴム、ブチルゴム等のゴム、
(3) シリコーンゲル、高分子吸収ゲル等のゲル、
(4) アルミナ、窒化アルミニウム等のセラミックス、
などがある。これらは、それぞれ、単独で用いても良く、あるいは、2種以上を組み合わせて用いても良い。特に、電極に高い可撓性が要求される場合には、支持層として、高分子、ゴム、又は、ゲルを用いるのが好ましい。高分子、ゴム、又は、ゲルは、その厚さを最適化することによって、可撓性を有する支持層となる。
断面の最小寸法(amin)は、使用時に可撓性素子に発生する曲げモーメントによって要求される撓みが発生するように、可撓性素子の材質、熱電素子の用途等に応じて最適な寸法を選択する。一方、断面の最大寸法(amax)は、特に限定されるものではなく、可撓性素子の材質、熱電素子の用途等に応じて任意に選択することができる。
また、可撓性素子の断面形状は、特に限定されるものではなく、円形、楕円形、矩形、あるいは、扁平形のいずれであっても良い。最適な断面形状は、与えられた曲げモーメントの発生条件下において要求される撓み量が得られるように、可撓性素子の材質、熱電素子の用途等に応じて選択する。
(1) 熱電特性を有する各種有機化合物、
(2) Bi−Te系、Pb−Te系、Si−Ge系等の化合物半導体、
(3) NaxCoO2(0.3≦x≦0.8)、(ZnO)mIn2O3(1≦m≦19)、Ca3Co4O9等の酸化物セラミックス、
などがある。これらは、それぞれ、単独で用いても良く、あるいは、2種以上を組み合わせて用いても良い。
可撓性素子を構成する有機化合物は、使用温度において、その出力因子(S2σ)が10−7Wm−1K−2以上であるものが好ましい。高い熱電特性を有する熱電素子を得るためには、使用温度における有機化合物の出力因子(S2σ)は、大きいほどよい。
例えば、主鎖骨格を構成する元素の一部をアルコキシ基で置換すると、導電性高分子に溶剤可溶性や加熱成形性を付与することができる。この場合、アルコキシ基の炭素数は、1〜20が好ましく、さらに好ましくは、1〜10である。また、アルコキシ基は、直鎖状、分岐状、あるいは、脂環式であっても良い。さらに、アルコキシ基には、他の置換基が結合していても良い。
アクセプタードーパントとしては、具体的には、
(1) Cl2、Br2、I2、ICl、ICl3、IBr、IF等のハロゲン、
(2) PF5、AsF5、SbF5、BF3、BCl3、BBr3、SO3等のルイス酸、
(3) HF、HCl、HNO3、H2SO4、HClO4、リン酸等のプロトン酸、
(4) 2−ナフタレンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、カンファースルホン酸等の有機酸、
(5) FeCl3、FeOCl、TiCl4、ZrCl4、HFCl4、NbF5、NbCl5、TaCl5、MoF5、WF6等の遷移金属化合物、などがある。
また、ドナードーパントとしては、具体的には、
(1) Li、Na、K、Rb、Cs等のアルカリ金属、
(2) Ca、Sr、Ba等のアルカリ土類金属、
(3) Eu等のランタノイド、
(4) R4N+、R4P+、R4As+、R3S+(R:アルキル基)、アセチルコリン、
などがある。
例えば、導電性高分子は、線状に加工するのが比較的容易であり、かつ、線状に加工することによって容易に可撓性を示すので、導電性高分子のみで可撓性素子を構成することができる。この場合、線状の導電性高分子は、例えば、
(1) 共役二重結合を有するモノマ、芳香族化合物からなるモノマ等を、電界重合法、化学酸化重合法等を用いて導電性高分子又はその前駆体を重合した後、導電性高分子若しくはその前駆体の融液又は導電性高分子若しくはその前駆体を含む溶液を、周知の方法を用いて紡糸する方法、
(2) 多孔体材料に導電性高分子又はその前駆体を含む溶液を充填し、後の加熱処理若しくは適当な溶媒中で多孔体材料のみを除去する方法、
等により得られる。
必要に応じて、延伸配向処理を行った後、線状に加工された導電性高分子のドーピングを行う。ドーピングは、線状に加工された導電性高分子の表面から、気相又は液相を介して行うのが好ましい。
例えば、熱電材料が導電性高分子である場合、第2成分を線状に加工した後、導電性高分子を加熱溶融させた融液又は導電性高分子を適当な溶媒に溶解させた溶液を第2成分の表面に塗布し、あるいは、この融液又は溶液に線状の第2成分を浸漬すれば良い。
この場合、ドーピングは、
(1) 線状に加工された第2成分の表面に導電性高分子を被覆した後、気相又は液相を介してドーパントを添加する方法、
(2) 第2成分を線状に加工した後、その表面に導電性高分子を被覆する前に、第2成分の表面に気相又は液相を介してドーパントを付着させる方法、
(3) (a) 第2成分の表面にOH基を導入し(例えば、第2成分が無機材料であるときには、第2成分をキャロス液(H2O2:H2SO4=1:1)で処理し)、
(b) 担体表面のOH基とアルキルアルコキシシラン(例えば、3−メルカプトプロピルトリメトキシシランなど)のアルコキシル基とを縮合反応させることにより、担体表面にアルキルアルコキシシランを化学結合させ、
(c) 末端のアルキル基にドーパントを導入(例えば、硫酸等を用いてスルホン化)する方法、
などを用いるのが好ましい。
例えば、熱電材料が導電性高分子である場合において、その周囲に電気絶縁性高分子を被覆するときには、導電性高分子を線状に加工(さらに、延伸配向処理を施しても良い)した後、電気絶縁性高分子を加熱溶融させた融液又は電気絶縁性高分子を適当な溶媒に溶解させた溶液を導電性高分子の表面に塗布し、あるいは、この融液又は溶液に導電性高分子を浸漬すればよい。
この場合、ドーピングは、導電性高分子を線状に加工した後、第2成分を被覆する前に、線状に加工された熱電材料の表面から、気相又は液相を介してドーパントを添加する方法により行うのが好ましい。
例えば、電気絶縁性高分子は、一般に、熱電材料に比べて熱伝導度κが低い。そのため、第2成分として電気絶縁性高分子を用いると、第2成分の添加量を最適化することによって、可撓性素子の電気伝導度σを相対的に高く維持したまま、可撓性素子の熱伝導度κを相対的に小さくすることができる。
また、例えば、第2成分として可撓性及び強度の大きい高分子を用いると、可撓性素子の耐久性を向上させることができる。
このような複合体からなる線状の可撓性素子は、例えば、
(1) 導電性高分子及び他の高分子(これらの前駆体を含む)の融液、又は、導電性高分子及び他の高分子を含む溶液を、周知の方法を用いて紡糸する方法
(2) 多孔体材料に導電性高分子及び他の高分子(これらの前駆体を含む)を含む溶液を充填し、後の加熱処理若しくは適当な溶媒中で多孔体材料のみを除去する方法、
等により得られる。
この場合、ドーピングは、線状に加工された導電性高分子と他の高分子との混合体の表面に、気相又は液相を介してドーパントを添加する方法により行うのが好ましい。
なお、このようにして得られた複合体に対し、さらに延伸配向処理を施しても良い。また、このようにして得られた複合体に対して上述した第1又は第2の方法を適用しても良い。すなわち、線状の第2成分の表面をこのような複合体で被覆しても良く、あるいは、このような複合体を線状に加工し、その表面を第2成分で被覆しても良い。
このような複合体からなる線状の可撓性素子は、例えば、
(1) 熱電材料からなる粉末を分散させ、かつ、第2成分を含む融液又は溶液を、周知の方法を用いて紡糸する方法、
(2) 多孔体材料に熱電材料及び他の高分子を含む溶液を充填し、後の加熱処理若しくは適当な溶媒中で多孔体材料のみを除去する方法、
等により得られる。
なお、このようにして得られた複合体に対し、さらに上述した第1又は第2の方法を適用しても良い。
絶縁手段の第1の具体例は、p型可撓性素子又はその束と、n型可撓性素子又はその束との間に、可撓性を有する絶縁部材を介在させることである。絶縁部材は、可撓性を有していれば良く、その形状は、特に限定されるものではない。例えば、絶縁部材は、シートやクロスであっても良く、あるいは、繊維又はその束であっても良い。また、絶縁部材の材質は、本質的に可撓性を有し、かつ、電気絶縁性を有するものであればよい。絶縁部材の材質としては、具体的には、上述した高分子、ゴム、ゲル等が好適である。
この場合、絶縁部材は、p型可撓性素子若しくはその束の周囲、及び、n型可撓性素子若しくはその束の周囲のいずれか一方にのみ介在させても良く、あるいは、すべてのp型可撓性素子又はその束の周囲、及び、n型可撓性素子又はその束の周囲に介在させても良い。また、絶縁部材は、各可撓性素子又はその束の周囲に単に挿入されているだけでも良く、あるいは、その一端又は両端が高温部電極及び/又は低温部電極のいずれかに接合されていても良い。
この場合、横糸の本数は、特に限定されるものではなく、少なくともp型可撓性素子とn型可撓性素子とを電気的に絶縁させることができる本数であれば良い。一般に、横糸の本数が多くなるほど、各可撓性素子の横方向の動きをより強く制限することができる。また、横糸は、各可撓性素子毎に波状に通しても良く、あるいは、複数本の可撓性素子の束毎に波状に通しても良い。横糸の材質は、本質的に可撓性を有し、かつ、電気絶縁性を有するもの(例えば、上述した高分子、ゴム、ゲル等)であれば良い。
なお、絶縁手段の第2の具体例は、単独で用いても良いが、絶縁手段の第1の具体例と組み合わせて用いても良い。すなわち、p型可撓性素子又はその束とn型可撓性素子又はその束の間に、繊維状の絶縁部材を可撓性素子に対してほぼ平行に介在させ、可撓性素子及び絶縁部材の横方向に複数本の横糸を波状に通しても良い。第1の方法と第2の方法とを組み合わせると、p型可撓性素子又はその束とn型可撓性素子又はその束とを、より確実に絶縁することができる。
なお、絶縁手段の第3の具体例は、単独で用いても良いが、上述した絶縁手段の第1の具体例及び/又は第2の具体例と組み合わせて用いても良い。
まず、一対の支持層の表面に、所定のパターンを有する電気伝導層を形成する。この場合、支持層は、板、シート又はクロスのいずれであっても良い。高温部電極及び/又は低温部電極に可撓性を付与する場合には、支持層は、シート又はクロスが好ましい。
また、電気伝導層の形成方法は、特に限定されるものではなく、電気伝導層の材料に応じて、最適な方法を選択する。例えば、電気伝導層が導電性高分子からなる場合には、導電性高分子を溶融させ又は導電性高分子を適当な溶媒に溶解させ、この融液又は溶液を支持層の表面に所定のパターンに従って塗布すればよい。また、例えば、電気伝導層が金属であるときには、板状又はシート状の金属を支持層表面に貼り付け、あるいは、スパッタリング等を用いて、支持層表面に金属薄膜を形成すればよい。
例えば、可撓性素子が高分子化合物を含むものである場合、可撓性素子と電気伝導層とを熱圧着により接合しても良い。あるいは、導電性高分子の融液又は導電性高分子を含む溶液を接着剤として用いて、可撓性素子と電気伝導層とを接合しても良い。
第1の具体例において、高温部電極12及び低温部電極14は、それぞれ、可撓性を有するものからなるが、これらは、電気伝導層のみからなるものでも良く、あるいは、電気絶縁性を有する支持層と、電気伝導層の2層構造を備えたものでも良い。高温部電極12及び低温部電極14は、それぞれ、リード線18及び20を介して端子22に接続されている。可撓性素子16、16…は、すべて、p型可撓性素子又はn型可撓性素子のみからなり、その両端は、それぞれ、高温部電極12及び低温部電極14に接合されている。
第2の具体例において、高温部電極32は、可撓性を有し、かつ、電気絶縁性を有する支持層32aと、支持層32aの表面に所定のパターンで形成され、かつ、可撓性を有する電気伝導層32b、32b…からなる。同様に、低温部電極34は、可撓性を有し、かつ、電気絶縁性を有する支持層34aと、支持層34aの表面に所定のパターンで形成され、かつ、可撓性を有する電気伝導層34b、34b…からなる。
図1に示す構造を備えた熱電素子10を作製した。すなわち、ポリイミドフィルムの表面にポリピロールを被覆形成し、次いで、ポリピロールをFeCl3でドーピング処理し、高温部電極12及び低温部電極14とした。また、ポリアニリンの線材を延伸処理し、かつ、カンファースルホン酸でドーピング処理し、可撓性素子16、16…とした。この可撓性素子16、16…の両端を、それぞれ、高温部電極12及び低温部電極14に接合した。得られた熱電素子10の高温部電極12を凹凸のある高温物質の表面に設置したところ、良好な熱電発電を確認した。
図2に示す構造を備えた熱電素子30を作製した。すなわち、ポリイミドフィルムの表面に、ポリピロールを部分的に被覆形成し、次いで、ポリピロールをFeCl3でドーピング処理し、図2(b)に示すパターンを有する高温部電極32及び低温部電極34を作製した。また、ポリキノリンの線材を延伸処理し、かつ、KOHでドーピング処理し、n型可撓性素子36、36…とした。さらに、ポリアニリンの線材を延伸処理し、かつ、カンファースルホン酸でドーピング処理し、p型可撓性素子38、38…とした。
得られた熱電素子30の高温部電極32を凹凸のある高温物質の表面に設置したところ、良好な熱電発電を確認した。
例えば、π型の熱電素子において、熱電素子が変形してもp型可撓性素子とn型可撓性素子とが接触するおそれがない場合(例えば、p型可撓性素子とn型可撓性素子が密に配置されていない場合)には、絶縁手段を省略することができる。
また、本発明に係る熱電素子は、衣類にも適用することができる。
Claims (9)
- 以下の構成を備えた熱電素子。
(1)前記熱電素子は、
高温部電極と、
低温部電極と、
その両端が、それぞれ、前記高温部電極及び前記低温部電極に接合された、熱電材料からなり、互いに独立して自由に動ける状態にある1又は2以上の線状の可撓性素子又はその束とを備えている。
(2)前記可撓性素子は、p型熱電材料を含む1又は2以上のp型可撓性素子と、n型熱電材料を含む1又は2以上のn型可撓性素子とを備え、
前記p型可撓性素子又はその束、及び前記n型可撓性素子又はその束は、電気的に直列に接続されるように、それぞれ、その両端が前記高温部電極及び前記低温部電極に接続されている。
(3)前記高温部電極及び前記低温部電極の少なくとも一方は、
電気絶縁性を有する支持層と、
該支持層表面に形成され、かつ、互いに絶縁された2個以上の電気伝導層とを備えている。
(4)前記p型可撓性素子又はその束、及び前記n型可撓性素子又はその束の両端以外の部分を互いに電気的に絶縁するための絶縁手段をさらに備え、
前記絶縁手段は、前記高温部電極及び前記低温部電極の間にほぼ平行に配置され、平行に並んだ前記p型可撓性素子又はその束と前記n型可撓性素子又はその束の横方向に波状に通された、電気絶縁性を有する1本又は複数本の横糸を備えている。 - 以下の構成をさらに備えた請求項1に記載の熱電素子。
(5)前記絶縁手段は、前記p型可撓性素子又はその束と前記n型可撓性素子又はその束の間に、これらに対してほぼ平行に配置された繊維状の絶縁部材をさらに備え、
前記横糸は、前記p型可撓性素子又はその束、前記n型可撓性素子又はその束、及び、前記繊維状の絶縁部材の横方向に波状に通されている。 - 前記高温部電極及び前記低温部電極の少なくとも一方は、可撓性を有する請求項1又は2に記載の熱電素子。
- 前記可撓性素子は、出力因子(S2σ)が10−7Wm−1K−2以上である有機化合物を備えている請求項1から3までのいずれかに記載の熱電素子。
- 前記有機化合物は、ポリアセチレン系、ポリアセン系、ポリビニレン系、ポリピロール系、ポリアニリン系、ポリチオフェン系、及び、ポリキノリン系から選ばれる1種以上の導電性高分子である請求項4に記載の熱電素子。
- 前記可撓性素子は、前記有機化合物と、第2成分との複合体からなる請求項4又は5に記載の熱電素子。
- 前記有機化合物と前記第2成分との界面に担持されたドーパントをさらに備えた請求項6に記載の熱電素子。
- 前記有機化合物は、置換基をさらに備えている請求項4から7までのいずれかに記載の熱電素子。
- 前記有機化合物は、延伸配向処理が施されている請求項4から8までのいずれかに記載の熱電素子。
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