JP4715086B2 - Sit型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法 - Google Patents
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IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,VOL.EDL-3 NO.7,JULY 1982 (1頁,2頁、Fig1)
ソース電極上に形成されてチャネルを構成する有機半導体層は、低温で形成することができるので、基板に適用できる材質の自由度が非常に大きくなる。有機半導体層は、直接ソース電極上に形成することができるのでSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法の工程を簡単化することができる。光を照射する際にソース電極以外に光を遮るものがないため、光の照射時間の短時間化を実現することができる。
請求項7に記載のSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法は、請求項1〜5の何れか1項の発明において、前記ソース電極,前記ドレイン電極の夫々をTa、Cr、Al、Ti、Ni、Cu、Mo、Pd、Ag、In、Sn、Er、W、Pt、Auのうち何れか2種類の金属による二層構造に構成したものである。このSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法によれば、請求項1〜5と同様の作用を奏することができる。
請求項8に記載のSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法は、請求項1〜5の何れか1項の発明において、前記ゲート電極をTaまたはAlで構成し、陽極酸化するものである。このSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法によれば、請求項1〜5と同様の作用を奏することができる。
請求項9に記載のSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法は、請求項1〜5の何れか1項の発明において、前記ゲート電極を導電性ポリマーで構成しているものである。このSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法によれば、請求項1〜5と同様の作用を奏することができる。
請求項10に記載のSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法は、請求項1〜9の何れか1項の発明において、前記絶縁膜を光感光性の有機材料により構成しているものである。このSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法によれば、請求項1〜9と同様の作用を奏することができる。
請求項11に記載のSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法は、請求項10の発明において、前記光感光性の有機材料は、アクリルポリマー系化合物、ポリビニルシンナメート系、合成ゴム系化合物の何れかである。このSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法によれば、請求項10と同様の作用を奏することができる。
請求項12に記載のSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法は、請求項1〜11の何れか1項の発明において、前記有機薄膜電界効果型トランジスタの最上面に保護層を形成したものである。このSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法によれば、請求項1〜11と同様の作用を奏することができる。
請求項13に記載のSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法は、請求項12の発明において、前記保護層をGeOX,SiOX,有機絶縁性膜,ポリパラキシリレン,パリレン,ポリビニルフェノールの何れかで構成しているものである。このSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法によれば、請求項12と同様の作用を奏することができる。
チャネルを有機半導体層により構成することで、基板選択の自由度が広がるため、基板にフレキシブルな材質の合成樹脂などを適用することもでき、このような基板により有機ELディスプレイを構成することで、フレキシブルなディスプレイを製造することができる。
請求項3に記載のSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法により製造された有機薄膜電界効果型トランジスタは、有機半導体層内に有機汚染物が混入することがほとんどないので、有機薄膜電界効果型トランジスタの素子性能を向上させることができる。その他、請求項1又は2と同様の効果を奏することができる。
請求項5に記載のSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法は、有機半導体層にキャリア移動度の高いペンタセンを適用しているので、有機薄膜電界効果型トランジスタの素子性能を向上させることができる。その他、請求項1〜4と同様の効果を奏することができる。
請求項7に記載のSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法によれば、請求項1〜5と同様の効果を奏することができる。
請求項8に記載のSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法によれば、請求項1〜5と同様の効果を奏することができる。
請求項9に記載のSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法によれば、請求項1〜5と同様の効果を奏することができる。
請求項11に記載のSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法によれば、請求項10と同様の効果を奏することができる。
請求項12に記載のSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法によれば、請求項1〜11と同様の効果を奏することができる。
請求項13に記載のSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法によれば、請求項12と同様の効果を奏することができる。
TFT1は、紫外線Uを透過可能なガラス基板2上にパターニングされたソース電極3と、ガラス基板2上のソース電極3が形成されていない個所に形成された絶縁膜4と、絶縁膜4上にパターニングされたゲート電極5と、ゲート電極5及びソース電極3上に形成されたチャネル領域を構成する有機半導体層7と、有機半導体層7上にパターニングされたドレイン電極6とを備えている。
まず、ソース電極形成工程において、洗浄されたガラス基板2上に所望のフォトレジストパターン(図示略)を形成する。次に、ソース電極3を構成するAuと密着性が良好なCr膜を厚さ約10nmで電子ビーム蒸着法によりガラス基板2上及びフォトレジストパターン上に形成し、更に、このCr膜上に抵抗加熱真空蒸着法によりAu膜を厚さ約50nmで形成する。次に、Cr膜及びAu膜が形成されたガラス基板2をアセトン浸漬し、フォトレジストパターン上に形成されたCr膜及びAu膜を除去し、パターニングされたソース電極3を形成する。(第1の工程に相当する)。
次に、ドレイン電極形成工程において、有機半導体層7上に、所望のフォトレジストパターン(図示略)を形成した後、ソース電極3と同様の手法及び同様の厚さでドレイン電極6を構成するCr膜及びAu膜を形成し、フォトレジストパターン上のCr膜及びAu膜をリフトオフしてドレイン電極6を形成し(第5の工程に相当する)、TFT1が完成する(図1)。
上述のSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法によると、ソース電極3をマスクパターンとして形成されたフォトレジストパターン10aに基づいてゲート電極5を形成するので、ゲート電極5とソース電極3との相対位置を正確に且つ簡単に位置決めすることができ、ゲート電極5とソース電極3との間に形成される寄生抵抗及び寄生容量の発生を大幅に減少させることができ、TFT1の素子性能を大幅に向上させることができる。
1)上述の実施の形態においては、有機半導体層7をペンタセンにより構成したが、アントラセン,テトラセンなどの有機半導体で構成してもよく、特定の有機半導体に限定するものではないが、キャリア移動度が大きいものが望ましい。
2)上述の実施の形態においては、基板にガラス基板2を適用したが、基板の材質は、少なくとも紫外線Uを透過可能であって絶縁性を有するものであればよく、特定の材質に限定するものではない。チャネルを有機半導体層7により構成することで、全工程を低温で進行させることができるので、耐熱性の悪い可撓性及び非可撓性の合成樹脂を適用することもでき、特に、可撓性の基板上に形成した有機TFTを有機ELディスプレイなどに適用することで、フレキシブルなディスプレイを実現することもできる。このようにフレキシブルなディスプレイを構成した場合にも、各電極間の相対位置が正確に位置決めされているので、ディスプレイを変形させても動作不良が起こることがない。
5)上述の実施の形態においては、対抗ターゲット方式のスパッタリングによりゲート電極5及びドレイン電極6を形成したが、ポリマー系や低分子系材料により両電極を形成する場合にはインクジェット方式による塗布などの湿式法で形成してもよい。
2 ガラス基板
3 ソース電極
4 絶縁膜
5 ゲート電極
6 ドレイン電極
7 有機半導体層
10,12 フォトレジスト膜
10a フォトレジストパターン
Claims (13)
- 光を透過可能な基板表面にソース電極をパターニングする第1の工程と、
前記基板上に絶縁性のネガ型のフォトレジスト膜を形成し、前記ソース電極のパターンをマスクパターンとし、前記ネガ型のフォトレジスト膜に前記基板背面から光を照射してネガ型のフォトレジストパターンを形成し、前記ネガ型のフォトレジストパターンをパターニングして絶縁膜を形成する第2の工程と、
前記ソース電極上にポジ型のフォトレジスト膜を形成し、前記ソース電極のパターンをマスクパターンとし、前記ポジ型のフォトレジスト膜に前記基板背面から光を照射してポジ型のフォトレジストパターンを形成する第3の工程と、
前記ポジ型のフォトレジストパターンに基づいてゲート電極を形成する第4の工程と、
前記ソース電極及び前記ゲート電極上に有機半導体層を形成する第5の工程と、
前記有機半導体層上にドレイン電極を形成する第6の工程と、
を備えたことを特徴とするSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。 - 前記背面から照射される光は紫外線であることを特徴とする請求項1に記載のSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。
- 前記有機半導体層が形成される前に、前記有機半導体層が形成される個所の有機汚染物を洗浄する第1洗浄工程を備えたことを特徴とする請求項1又は2に記載のSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。
- 前記有機半導体層が形成される前に、前記有機半導体層が形成される個所の重金属及びアルカリ金属を洗浄する第2洗浄工程を備えたことを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。
- 前記有機半導体層は、ペンタセンにより構成されていることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載のSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。
- 前記ゲート電極,前記ソース電極,前記ドレイン電極の夫々をTa、Cr、Al、Ti、Ni、Cu、Mo、Pd、Ag、In、Sn、Er、W、Pt、Auの何れかで構成していることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載のSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。
- 前記ソース電極,前記ドレイン電極の夫々をTa、Cr、Al、Ti、Ni、Cu、Mo、Pd、Ag、In、Sn、Er、W、Pt、Auのうち何れか2種類の金属による二層構造に構成したことを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載のSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。
- 前記ゲート電極をTaまたはAlで構成し、陽極酸化することを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載のSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。
- 前記ゲート電極を導電性ポリマーで構成していることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載のSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。
- 前記絶縁膜を光感光性の有機材料により構成していることを特徴とする請求項1〜9の何れか1項に記載のSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方向。
- 前記光感光性の有機材料は、アクリルポリマー系化合物、ポリビニルシンナメート系、合成ゴム系化合物の何れかであることを特徴とする請求項10に記載のSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。
- 前記有機薄膜電界効果型トランジスタの最上面に保護層を形成したことを特徴とする請求項1〜11の何れか1項に記載のSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。
- 前記保護層をGeOX,SiOX,有機絶縁性膜,ポリパラキシリレン,パリレン,ポリビニルフェノールの何れかで構成していることを特徴とする請求項12に記載のSIT型有機薄膜電界効果型トランジスタの製造方法。
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