JP4706995B2 - ヘテロ環芳香族ニトリルの製造方法 - Google Patents

Description

本発明はヘテロ環芳香族ヒドロキシメチル化合物、ヘテロ環芳香族アルコキシメチル化合物もしくはヘテロ環芳香族アルデヒド化合物のうちいずれか一種あるいはこれらの混合物を、窒素源としてアンモニアを用いて、酸化することにより、対応するヘテロ環芳香族ニトリル化合物を製造する方法に関するものである。

ヘテロ環芳香族ニトリルを得る方法として、例えば、フルフラール（２−フリルアルデヒド）や、２−チエニルアルデヒド、３−ピリジルアルデヒドのような芳香族ヘテロ環アルデヒドをヒドロキシアミン塩との反応によりオキシムとした後に、脱水により対応するフロニトリル等の対応するにトリルに導く方法は知られている（非特許文献１、２、３参照）。しかし、これらの方法は、オキシム化、次いで脱水と二段階の工程となる上、例えば無水フタル酸やメタンスルホンニルクロライドのような脱水剤が、通常、１当量以上の必要である。ヒドロキシアミンの硫酸塩を用いた場合には、生成した芳香族ニトリル化合物と無機硫酸塩との分離が困難となる場合もある。

また、ヘテロ環芳香族ヒドロキシメチル化合物、ヘテロ環芳香族アルコキシメチル化合物もしくはヘテロ環芳香族アルデヒド化合物を、臭素酸化物、酸触媒および当量以上のアンモニア存在下で酸化することにより、ヘテロ環芳香族ニトリルを得る方法は知られていなかった。
シンセティック コミュニケーションズ（Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ）、第３０巻、３１０９−３１１４頁、（２０００年） シンセシス（Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ），１９０−１９１頁、（１９８２年） シンセシス（Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ），２４３−２４６頁、（２００３年）

上記従来の技術の持つ欠点を解決した、特殊な反応装置や反応剤を必要としない、穏やかな条件下での、新しいヘテロ環芳香族ヒドロキシメチル化合物、ヘテロ環芳香族アルコキシメチル化合物もしくはヘテロ環芳香族アルデヒド化合物のうちいずれか一種あるいはこれらの混合物を酸化することにより、対応するヘテロ環芳香族ニトリル化合物を簡便に製造する方法が望まれていた。

上記のような状況に鑑み、本発明者がヘテロ環芳香族ヒドロキシメチル化合物、ヘテロ環芳香族アルコキシメチル化合物もしくはヘテロ環芳香族アルデヒド化合物のうちいずれか一種あるいはこれらの混合物（以下、これらを単に「原料化合物」と記載することがある。）から対応するヘテロ環芳香族ニトリル化合物を製造する方法について鋭意研究を重ねた結果、意外にも、酸触媒存在下、窒素源としてアンモニアを用いて、化学量論量の臭素酸化物と反応させることにより、上記課題を解決できることを見出し、この知見に基づき本発明を完成するに至った。

本発明方法により、ヘテロ環芳香族ニトリル化合物の新規な工業的製造法が提供される。本発明方法によれば、原料として、入手容易な一般式（１）で表されるヘテロ環芳香族ヒドロキシメチル化合物、ヘテロ環芳香族アルコキシメチル化合物もしくはヘテロ環芳香族アルデヒド化合物のうちいずれか一種あるいはこれらの混合物を任意に選択して用いることが可能で、特殊な反応装置あるいは高価な触媒もしくは遷移金属を用いることなく、穏やかな条件下で目的とするヘテロ環芳香族ニトリル化合物を高選択的に、しかも簡便な操作で製造できる。更に、本発明方法では触媒もしくは遷移金属に由来する有害な廃棄物も出ないので廃棄物処理が容易で環境にも優しく、工業的な利用価値が高い。

以下、本発明について詳細に説明する。

本発明は、下記〔１〕乃至〔１３〕項に記載の発明を提供する事により前記課題を解決したものである。
〔１〕一般式（１）

（式中、環Ａは少なくとも１個のヘテロ原子を有する芳香族ヘテロ環を示し、Ｘはヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基またはホルミル基を示し、ｎは１〜９の整数を示し、Ｒは同一または相異なっていてもよく、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、ハロアルキル基、カルボキシル基又はその金属塩、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、シアノ基、アルキルカルボニル基又は置換基を有しても良いフェニル基を示し、また、Ｒは２つが結合して環を形成してもよく、ｑは１〜９の整数を示すが、（ｑ−ｎ）は０又は正の整数である。）

表されるヘテロ環芳香族ヒドロキシメチル化合物、ヘテロ環芳香族アルコキシメチル化合物もしくはヘテロ環芳香族アルデヒド化合物のうちいずれか一種あるいはこれらの混合物と、一般式（２）

（式中、Ｍは水素原子又は金属原子を示し、ｍは１〜３の整数を示す。）

で表される臭素酸化物とを、カルボン酸および当量以上のアンモニア存在下で反応させる事を特徴とする、一般式（３）

（式中、環Ａ、Ｒ、ｑ、ｎは前記と同じ意味を示す。）

で表されるヘテロ環芳香族ニトリル化合物の製造方法。

〔２〕ヘテロ原子が、窒素原子、酸素原子、硫黄原子からなる群より選ばれるものである〔１〕項記載のヘテロ環芳香族ニトリル化合物の製造方法。

〔３〕環Ａが、窒素原子、酸素原子、硫黄原子からなる群より選ばれる同一又は異なる１乃至３個のヘテロ原子を有する５員乃至１０員芳香族ヘテロ環である、〔１〕項記載のヘテロ環芳香族ニトリル化合物の製造方法。

〔４〕環Ａが、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、キノリン環又はチアゾール環である〔１〕項記載のヘテロ環芳香族ニトリル化合物の製造方法。

〔５〕一般式（１）または（２）で表される原料化合物が、Ｒが全て水素原子であるか又はＲのうち少なくとも一つが電子吸引性基あるいはアルキル基であるものである、〔１〕乃至〔４〕項記載のヘテロ環芳香族ニトリル化合物の製造方法。

〔６〕一般式（１）で表される化合物が、Ｒが全て水素原子であるか又はＲのうち少なくとも一つが、クロロ基、ニトロ基、フルオロ基、メチル基のいずれかであるものである、〔１〕乃至〔５〕項１記載のヘテロ環芳香族ニトリル化合物の製造方法。

〔７〕一般式（２）で表される臭素酸化物が、臭素酸、臭素酸塩もしくは亜臭素酸塩である、〔１〕乃至〔６〕の何れか１項に記載のヘテロ環芳香族ニトリル化合物の製造方法。

〔８〕一般式（２）で表される臭素酸化物が、臭素酸塩である〔１〕乃至〔６〕の何れか１項に記載のヘテロ環芳香族ニトリル化合物の製造方法。

〔９〕カルボン酸が酢酸である、〔１〕乃至〔６〕の何れか１項に記載のヘテロ環芳香族ニトリル化合物の製造方法。

〔１０〕一般式（２）で表される臭素酸化物が、臭素酸塩もしくは亜臭素酸塩であり、酸触媒が、有機カルボン酸である、〔１〕乃至〔６〕の何れか１項に記載のヘテロ環芳香族ニトリル化合物の製造方法。

〔１１〕一般式（２）で表される臭素酸化物が、臭素酸塩であり、酸触媒が、有機カルボン酸である、〔１〕乃至〔６〕の何れか１項に記載のヘテロ環芳香族ニトリル化合物の製造方法。

〔１２〕一般式（２）で表される臭素酸化物が、臭素酸塩もしくは亜臭素酸塩であり、酸触媒が、酢酸である、〔１〕乃至〔６〕の何れか１項に記載のヘテロ環芳香族ニトリル化合物の製造方法。

〔１３〕一般式（２）で表される臭素酸化物が、臭素酸塩であり、酸触媒が、酢酸である、〔１〕乃至〔６〕の何れか１項に記載のヘテロ環芳香族ニトリル化合物の製造方法。

以下、本発明について詳細に説明する。

本発明方法は、一般式（１）で表される原料化合物と、一般式（２）で表される臭素酸化物とを、窒素源としてアンモニアを用いて、酸触媒存在下で反応させる事を特徴とする、一般式（３）で表されるヘテロ環芳香族ニトリル化合物の製造方法である。

まず、本発明方法の原料として用いる、一般式（１）で表される原料化合物について説明する。

一般式（１）中のＸは、ヒドロキシメチル基；メトキシメチル基、エトキシメチル基等の、炭素数１乃至６（以下、炭素数については、例えば炭素数が１乃至６である場合には、これを「Ｃ１〜Ｃ６」の様に略記する。）の直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ６アルコキシメチル基；ホルミル基を示す。

また、一般式（１）中のＲは、同一または相異なっていてもよく、それぞれ独立して、水素原子；例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等の、直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ６アルキル基；ヒドロキシル基；例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基等の、直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ基（該Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ基は、例えば、ヒドロキシル基；例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基等の、直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ基；例えば、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基等の、直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基；カルボキシル基又はその金属塩；例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の、直鎖又は分岐（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）カルボニル基；例えば、ブロモ、クロロ、フルオロ、ヨ−ド等のハロゲン原子；ニトロ基；アミノ基；例えば、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の、直鎖又は分岐のモノ又はジ（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）アミノ基；例えば、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、ブチリルアミノ基等の、直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ６アルキルカルボニルアミノ基；シアノ基；例えば、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基等の、直鎖又は分岐（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）カルボニル基等の置換基を有していても良い。）；例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等の、直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ６ヒドロキシアルキル基；例えば、メトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基等の、直鎖又は分岐（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）基；例えば、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基等の、直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基；カルボキシル基又はその金属塩；例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の、直鎖又は分岐（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）カルボニル基；例えば、ブロモ、クロロ、フルオロ、ヨ−ド等の、ハロゲン原子；ニトロ基；アミノ基；例えば、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の、直鎖又は分岐モノ又はジ（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）アミノ基；例えば、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、ブチリルアミノ基等の、直鎖又は分岐（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）カルボニルアミノ基；シアノ基；ホルミル基；例えば、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基等の、直鎖又は分岐（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）カルボニル基；フェニル基（該フェニル基は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等の、直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ６アルキル基；ヒドロキシル基；例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基等の、直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ基；例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等の、直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ６ヒドロキシアルキル基；例えば、メトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基等の、直鎖又は分岐（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）基；例えば、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基等の、直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基；カルボキシル基又はその金属塩；例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の、直鎖又は分岐（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）カルボニル基；例えば、ブロモ、クロロ、フルオロ、ヨ−ド等のハロゲン原子；ニトロ基；アミノ基；例えば、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の、直鎖又は分岐のモノ又はジ（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）アミノ基；例えば、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、ブチリルアミノ基等の、直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ６アルキルカルボニルアミノ基；シアノ基；ホルミル基；例えば、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基等の、直鎖又は分岐（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）カルボニル基等の置換基を有していても良い。）、ピリジル基、チオフェニル基、フラニル基等のヘテロアリール基（該ヘテロアリール基は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基等の、直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ６アルキル基；ヒドロキシル基；例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基等の、直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ基；例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等の、直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ６ヒドロキシアルキル基；例えば、メトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基等の、直鎖又は分岐（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）−（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）基；例えば、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基等の、直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基；カルボキシル基又はその金属塩；例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の、直鎖又は分岐（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）カルボニル基；例えば、ブロモ、クロロ、フルオロ、ヨ−ド等のハロゲン原子；ニトロ基；アミノ基；例えば、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の、直鎖又は分岐のモノ又はジ（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）アミノ基；例えば、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、ブチリルアミノ基等の、直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ６アルキルカルボニルアミノ基；シアノ基；ホルミル基；例えば、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基等の、直鎖又は分岐（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）カルボニル基等の置換基を有していても良い。）を示し、Ｒは２つが結合して環を形成してもよい。

一般式（１）中のｎは１乃至９の整数を示し、ｑは１〜９の整数を示すが、（ｑ−ｎ）は０又は正の整数である。

本発明方法には、原料の入手性や反応性の点からは、ｎは１乃至３のものの使用が好ましい。

当反応に使用できる一般式（１）で表されるヘテロ環芳香族ヒドロキシメチル化合物、ヘテロ環芳香族アルコキシメチル化合物もしくはヘテロ環芳香族アルデヒド化合物（原料化合物）としては、芳香族性を有するヘテロ環化合物であれば単環化合物であっても縮合環化合物であってもよく、具体的には例えば、２−ヒドロキシメチルピリジン、３−ヒドロキシメチルピリジン、４−ヒドロキシメチルピリジン、２−メトキシメチルピリジン、３−メトキシメチルピリジン、４−メトキシメチルピリジン、２−ホルミルピリジン、３−ホルミルピリジン、４−ホルミルピリジン等のピリジン類；２−ヒドロキシメチルキノリン、３−ヒドロキシメチルキノリン、４−ヒドロキシメチルキノリン、２−メトキシメチルキノリン、３−メトキシメチルキノリン、４−メトキシメチルキノリン、キノリン−２−カルボアルデヒド、キノリン−３−カルボアルデヒド、キノリン−４−カルボアルデヒド、５−ヒドロキシメチルキノリン、６−ヒドロキシメチルキノリン、７−ヒドロキシメチルキノリン、８−ヒドロキシメチルキノリン、５−メトキシメチルキノリン、６−メトキシメチルキノリン、７−メトキシメチルキノリン、８−メトキシメチルキノリン等のキノリン類；１−ヒドロキシメチルイソキノリン、３−ヒドロキシメチルイソキノリン、４−ヒドロキシメチルイソキノリン、２−メトキシメチルイソキノリン、３−メトキシメチルイソキノリン、４−メトキシメチルイソキノリン、イソキノリン−１−カルボアルデヒド、イソキノリン−３−カルボアルデヒド、イソキノリン−４−カルボアルデヒド、５−ヒドロキシメチルイソキノリン、６−ヒドロキシメチルイソキノリン、７−ヒドロキシメチルイソキノリン、８−ヒドロキシメチルイソキノリン、５−メトキシメチルイソキノリン、６−メトキシメチルイソキノリン、７−メトキシメチルイソキノリン、８−メトキシメチルイソキノリン等のイソキノリン類；３−ヒドロキシメチルピリダジン、４−ヒドロキシメチルピリダジン、３−メトキシメチルピリダジン、４−メトキシメチルピリダジン、３−ホルミルピリダジン、４−ホルミルピリダジン等のピリダジン類；２−ヒドロキシメチルピラジン、２−メトキシメチルピラジン、２−ホルミルピラジン等のピラジン類；２−ヒドロキシメチル−１，３，５−トリアジン、２−メトキシメチル−１，３，５−トリアジン、２−ホルミル−１，３，５−トリアジン等のトリアジン類；２−ヒドロキシメチルチオフェン、３−ヒドロキシメチルチオフェン、４−ヒドロキシメチルチオフェン、２−メトキシメチルチオフェン、３−メトキシメチルチオフェン、４−メトキシメチルチオフェン、２−ホルミルチオフェン、３−ホルミルチオフェン、４−ホルミルチオフェン、２−ホルミル−５−メチルチオフェン等のチオフェン類；２−ヒドロキシメチルフラン、３−ヒドロキシメチルフラン、４−ヒドロキシメチルフラン、２−メトキシメチルフラン、３−メトキシメチルフラン、４−メトキシメチルフラン、２−ホルミルフラン、３−ホルミルフラン、４−ホルミルフラン等のフラン類；２−ヒドロキシメチルピロール、３−ヒドロキシメチルピロール、４−ヒドロキシメチルピロール、２−メトキシメチルピロール、３−メトキシメチルピロール、４−メトキシメチルピロール、２−ホルミルピロール、３−ホルミルピロール、４−ホルミルピロール等のピロール類；３−ヒドロキシメチルピラゾール、４−ヒドロキシメチルピラゾール、５−ヒドロキシメチルピラゾール、３−メトキシメチルピラゾール、４−メトキシメチルピラゾール、５−メトキシメチルピラゾール、３−ホルミルピラゾール、４−ホルミルピラゾール、５−ホルミルピラゾール等のピラゾール類；２−ヒドロキシメチルイミダゾール、４−ヒドロキシメチルイミダゾール、５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−メトキシメチルイミダゾール、４−メトキシメチルイミダゾール、５−メトキシメチルイミダゾール、２−ホルミルイミダゾール、４−ホルミルイミダゾール、５−ホルミルイミダゾール等のイミダゾール類；３−ヒドロキシメチル−１，２，４−トリアゾール、５−ヒドロキシメチル−１，２，４−トリアゾール、３−メトキシメチル−１，２，４−トリアゾール、５−メトキシメチル−１，２，４−トリアゾール、３−ホルミル−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール類；５−ヒドロキシメチル−１Ｈ−テトラゾール、５−メトキシメチル−１Ｈ−テトラゾール、５−ホルミル−１Ｈ−テトラゾール等のテトラゾール類；２−ヒドロキシメチルオキサゾール、４−ヒドロキシメチルオキサゾール、５−ヒドロキシメチルオキサゾール、２−メトキシメチルオキサゾール、４−メトキシメチルオキサゾール、５−メトキシメチルオキサゾール、２−ホルミルオキサゾール、４−ホルミルオキサゾール、５−ホルミルオキサゾール等のオキサゾール類；２−ヒドロキシメチルチアゾール、４−ヒドロキシメチルチアゾール、５−ヒドロキシメチルチアゾール、２−メトキシメチルチアゾール、４−メトキシメチルチアゾール、５−メトキシメチルチアゾール、２−ホルミルチアゾール、４−ホルミルチアゾール、５−ホルミルチアゾール等のチアゾール類；３−ヒドロキシメチルイソオキサゾール、４−ヒドロキシメチルイソオキサゾール、５−ヒドロキシメチルイソオキサゾール、３−メトキシメチルイソオキサゾール、４−メトキシメチルイソオキサゾール、５−メトキシメチルイソオキサゾール、３−ホルミルイソオキサゾール、４−ホルミルイソオキサゾール、５−ホルミルイソオキサゾール等のイソオキサゾール類；３−ヒドロキシメチルイソチアゾール、４−ヒドロキシメチルイソチアゾール、５−ヒドロキシメチルイソチアゾール、３−メトキシメチルイソチアゾール、４−メトキシメチルイソチアゾール、５−メトキシメチルイソチアゾール、３−ホルミルイソチアゾール、４−ホルミルイソチアゾール、５−ホルミルイソチアゾール等のイソチアゾール類；４−ヒドロキシメチル−１，２，３−チアジアゾール、５−ヒドロキシメチル−１，２，３−チアジアゾール、４−メトキシメチル−１，２，３−チアジアゾール、５−メトキシメチル−１，２，３−チアジアゾール、４−ホルミル−１，２，３−チアジアゾール、５−ホルミル−１，２，３−チアジアゾール、３−ヒドロキシメチル−１，２，４−チアジアゾール、５−ヒドロキシメチル−１，２，４−チアジアゾール、３−メトキシメチル−１，２，４−チアジアゾール、５−メトキシメチル−１，２，４−チアジアゾール、３−ホルミル−１，２，４−チアジアゾール、５−ホルミル−１，２，４−チアジアゾール、２−ヒドロキシメチル−１，３，４−チアジアゾール、５−ヒドロキシメチル−１，３，４−チアジアゾール、２−メトキシメチル−１，３，４−チアジアゾール、５−メトキシメチル−１，３，４−チアジアゾール、２−ホルミル−１，３，４−チアジアゾール、５−ホルミル−１，３，４−チアジアゾール等のチアジアゾール類；２−ヒドロキシメチルインドール、３−ヒドロキシメチルインドール、４−ヒドロキシメチルインドール、５−ヒドロキシメチルインドール、６−ヒドロキシメチルインドール、７−ヒドロキシメチルインドール、２−メトキシメチルインドール、３−メトキシメチルインドール、４−メトキシメチルインドール、５−メトキシメチルインドール、６−メトキシメチルインドール、７−メトキシメチルインドール、２−ホルミルインドール、３−ホルミルインドール、４−ホルミルインドール、５−ホルミルインドール、６−ホルミルインドール、７−ホルミルインドール等のインドール類；２−ヒドロキシメチルベンゾチオフェン、３−ヒドロキシメチルベンゾチオフェン、４−ヒドロキシメチルベンゾチオフェン、５−ヒドロキシメチルベンゾチオフェン、６−ヒドロキシメチルベンゾチオフェン、７−ヒドロキシメチルベンゾチオフェン、２−メトキシメチルベンゾチオフェン、３−メトキシメチルベンゾチオフェン、４−メトキシメチルベンゾチオフェン、５−メトキシメチルベンゾチオフェン、６−メトキシメチルベンゾチオフェン、７−メトキシメチルベンゾチオフェン、２−ホルミルベンゾチオフェン、３−ホルミルベンゾチオフェン、４−ホルミルベンゾチオフェン、５−ホルミルベンゾチオフェン、６−ホルミルベンゾチオフェン、７−ホルミルベンゾチオフェン等のベンゾチオフェン類；２−ヒドロキシメチル−１，３−ピリミジン、４−ヒドロキシメチル−１，３−ピリミジン、５−ヒドロキシメチル−１，３−ピリミジン、２−メトキシメチル−１，３−ピリミジン、４−メトキシメチル−１，３−ピリミジン、５−メトキシメチル−１，３−ピリミジン、２−ホルミル−１，３−ピリミジン、４−ホルミル−１，３−ピリミジン、５−ホルミル−１，３−ピリミジン等のピリミジン類等の、単環あるいは縮合環の芳香族ヘテロ環化合物を挙げることができる。好ましくは、環Ａが、窒素原子、酸素原子、硫黄原子からなる群より選ばれる同一又は異なるヘテロ原子を１乃至３個有し、かつ炭素数３乃至９の単環或いは縮合環であるヘテロ環芳香族化合物であるものを挙げることができ、特に同一又は異なるヘテロ原子を１乃至２個有しており、かつ炭素数３乃至９の単環或いは縮合環であるヘテロ環芳香族化合物が好ましい。

さらにこれらの化合物には、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基等の、直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ６アルキル基；ヒドロキシル基；例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基等の、直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ基；例えば、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基等の、直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基；カルボキシル基又はその金属塩；例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の、直鎖又は分岐（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）カルボニル基；例えば、ブロモ、クロロ、フルオロ、ヨ−ド等の、ハロゲン原子；ニトロ基；アミノ基；例えば、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の、直鎖又は分岐モノ又はジ（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）アミノ基；例えば、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、ブチリルアミノ基等の、直鎖又は分岐（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）カルボニルアミノ基；シアノ基；例えば、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基等の、直鎖又は分岐（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）カルボニル基；フェニル基（該フェニル基は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基等の、直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ６アルキル基；ヒドロキシル基；例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基等の、直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ基；例えば、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基等の、直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基；カルボキシル基又はその金属塩；例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の、直鎖又は分岐（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）カルボニル基；例えば、ブロモ、クロロ、フルオロ、ヨ−ド等のハロゲン原子；ニトロ基；アミノ基；例えば、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の、直鎖又は分岐のモノ又はジ（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）アミノ基；例えば、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、ブチリルアミノ基等の、直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ６アルキルカルボニルアミノ基；シアノ基；例えば、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基等の、直鎖又は分岐（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）カルボニル基等の置換基を有していても良い。）、ピリジル基、チオフェニル基、フラニル基等のヘテロアリール基（該ヘテロアリール基は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基等の、直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ６アルキル基；ヒドロキシル基；例えば、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基等の、直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ基；例えば、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基等の、直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ６ハロアルキル基；カルボキシル基又はその金属塩；例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の、直鎖又は分岐（Ｃ１〜Ｃ６アルコキシ）カルボニル基；例えば、ブロモ、クロロ、フルオロ、ヨ−ド等のハロゲン原子；ニトロ基；アミノ基；例えば、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の、直鎖又は分岐のモノ又はジ（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）アミノ基；例えば、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、ブチリルアミノ基等の、直鎖又は分岐Ｃ１〜Ｃ６アルキルカルボニルアミノ基；シアノ基；例えば、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基等の、直鎖又は分岐（Ｃ１〜Ｃ６アルキル）カルボニル基等の置換基を有していても良い。）等の置換基を有していてもよい。

一般式（１）で表されるヘテロ環芳香族ヒドロキシメチル化合物、ヘテロ環芳香族アルコキシメチル化合物もしくはヘテロ環芳香族アルデヒド化合物（原料化合物）は公知の化合物であるか、あるいは、例えば対応するヘテロ環芳香族クロロメチル化合物を原料として水中で加水分解する方法か、対応するヘテロ環芳香族クロロメチル化合物を、適当な有機溶媒中、ナトリウムアルコキシド等の金属アルコキシドと反応させる方法か、または対応するヘテロ環芳香族ジクロロメチル化合物を原料として水中で加水分解する方法などにより製造することができる化合物である。

続いて、一般式（２）で表される臭素酸化物について説明する。

一般式（２）中のＭは水素原子；ナトリウム、カリウム、リチウム等のアルカリ金属およびマグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属等の金属原子を示す。

また、一般式（２）中のｍは１〜３の整数を示す。

従って、当反応に使用できる一般式（２）で表される臭素酸化物としては、具体的には例えば、臭素酸；臭素酸ナトリウム、臭素酸カリウム、臭素酸カルシウム等の臭素酸金属塩に代表される臭素酸塩；亜臭素酸；亜臭素酸ナトリウム、亜臭素酸カリウム等の亜臭素酸金属塩に代表される亜臭素酸塩；次亜臭素酸；次亜臭素酸塩等を挙げることができ、これらは水和物を用いることも可能である。入手性や取り扱いの簡便さ、反応性等の観点からは、臭素酸、臭素酸塩、亜臭素酸塩の使用が好ましく、臭素酸塩の使用が特に好ましい。

これらの一般式（２）で表される臭素酸化物は公知化合物である。

当反応における、一般式（２）で表される臭素酸化物の使用モル比は、一般式（１）で表される原料化合物に対して如何なるモル比でも反応が進行するが、一般式（１）で表される原料化合物が、ヘテロ環芳香族ヒドロキシメチル化合物、ヘテロ環芳香族アルコキシメチル化合物のいずれかであるとき、原料化合物１モルに対して、一般式（２）で表される臭素酸化物が、一般式（２）中のｍが３の場合では、通常０．６６〜１．０モル、好ましくは０．７〜０．８モルの範囲を、一般式（２）中のｍが２の場合では、通常１．０〜１．５モル、好ましくは１．１〜１．２モルの範囲を、一般式（２）中のｍが１の場合では、通常２．０〜３．０モル、好ましくは２．２〜２．４モルの範囲を例示できる。原料化合物が、ヘテロ環芳香族アルデヒド化合物であるとき、原料化合物１モルに対して、一般式（２）で表される臭素酸化物が、一般式（２）中のｍが３の場合では、通常０．３３〜０．５モル、好ましくは０．３５〜０．４モルの範囲を、一般式（２）中のｍが２の場合では、通常０．５〜０．７５モル、好ましくは０．５５〜０．６モルの範囲を、一般式（２）中のｍが１の場合では、通常１．０〜１．５モル、好ましくは１．１〜１．２モルの範囲を例示できる。

但し、一般式（１）で表される原料化合物が、複数の基−Ｘ（ヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基、ホルミル基）を有し（即ち、原料化合物が、一般式（１）中のｎが２〜６である化合物や、基−Ｘが置換しているフェニル基をＲとして有する化合物である場合、或いはこの両方が同時に成り立つ様な化合物である事を意味する。）、その全ての基−Ｘをニトリル基に変換したい場合には、上記臭素酸化物の使用モル比に、その置換基の総数を乗じたモル比の臭素酸化物を用いる必要がある。

当反応は、窒素源としてアンモニアを添加して行う。添加するアンモニアの形状としてはいずれでもかまわないが、入手の容易さから好ましくはアンモニア水、アンモニアガスが良い。特に好ましくはアンモニア水が良い。

アンモニアの使用量としては、原料化合物の当量以上であれば良いが、一般式（１）で表される原料化合物１モルに対して通常１．０〜５．０当量、好ましくは１．０〜３．０当量の範囲であれば良い。アンモニアの替わりに一級アミン類を用いることは、副生成物としてアミド化合物が生成する場合があるので望ましくない。

当反応はカルボン酸を用いて行う。当反応に用いうるカルボン酸としては、例えば、酢酸、プロピオン酸、トリフルオロ酢酸、フルオロ酢酸、乳酸、アミノ酸等のカルボン酸を例示することができるが、好ましくは、酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸を用いて行うのがよい。

当反応におけるカルボン酸の使用量は、反応が充分に進行する量であれば何れでも良いが、一般式（１）で表される原料化合物１モルに対して０．０５〜１００モル、好ましくは０．１〜３０モル、より好ましくは０．２〜１０モルの範囲を例示できる。本発明方法においては、原料化合物が中性である場合は、単純に上記のモル比で充分である。一方、原料化合物のヘテロ環部位が塩基性を示し、かつ塩酸塩等の塩の形態をとっていない遊離の状態である場合等には、該酸触媒が反応系内で原料化合物と対イオンの如きものを形成すること等により目的の機能を発揮しうる酸触媒の量が反応系内で減少すると考えられるため、酸触媒の使用量は、一般式（１）で表されるヘテロ環芳香族化合物分子中の塩基性部位の数に見合うだけの量の酸触媒を余分に使用する等の手法によって、目的の機能を発揮しうる酸触媒の量が前記酸触媒の使用量の例示範囲になるように調節するのが好ましい。また、該酸触媒の使用量はこの例示範囲に限定されることなく、後記する溶媒をかねて大過剰量を使用することもできる。

当反応は、無溶媒でも充分行うことができるが、溶媒を用いて行うこともできる。当反応に用いうる溶媒としては、反応を阻害しないものであれば良く、例えば、酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸；水；トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等の酢酸エステル類；ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、テトラメチル尿素、ヘキサメチルホスホリックトリアミド（ＨＭＰＡ）、プロピレンカーボネート等の非プロトン性極性溶媒類；ジエチルエ−テル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエ−テル系溶媒類；ペンタン、ｎ−ヘキサン等の脂肪族炭化水素類等が挙げられる。好ましくは酸化剤の溶解性、反応性の観点から酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸もしくは水を用いるのが良く、カルボン酸を溶媒として用いると、これが酸触媒を兼ねるので特に好ましい。溶媒は単独で、又は任意の混合割合の混合溶媒として用いることができる。

溶媒量としては、反応系の攪拌が充分にできる量であれば良いが、一般式（１）で表される原料化合物１モルに対して通常０．０５〜１０ｌ、好ましくは０．５〜２ｌの範囲であれば良い。溶媒の極性を余り低くしすぎることは、酸化剤の溶解度が減少するために反応が進みにくくなる場合があるので望ましくない。

当反応は、上述の一般式（１）表される原料化合物、触媒、一般式（２）で表される臭素酸化物、アンモニア、溶媒等必要な試材を一括に仕込んで反応をさせてもよいが、反応熱の制御をより容易に行い得ると言う観点からは、例えば一般式（２）で表される臭素酸化物を固体のまま分割投入する手法、水等の溶媒を用いて一般式（２）で表される臭素酸化物をスラリーとしたのち徐々に添加する方法、一般式（２）で表される臭素酸化物の水溶液又は温水溶液を滴下する手法等を採用するのが好ましく、特に一般式（２）で表される臭素酸化物の水溶液又は温水溶液を滴下する手法が好ましい。

当反応の反応温度は、７０℃〜使用する溶媒の還流温度、の範囲を例示できるが、好ましくは７０℃〜１００℃の範囲が良い。

当反応の反応時間は特に制限されないが、副生物抑制の観点等から、好ましくは１時間〜３０時間がよい。

当反応によれば、特別な反応装置あるいは過剰な酸化剤や窒素源を用いることなく、穏やかな条件下で高選択的に一般式（３）で表されるヘテロ環芳香族ニトリル化合物が生成する。得られる一般式（３）で表されるヘテロ環芳香族ニトリル化合物は、医農薬等の中間原料として有用な化合物である。

次に、実施例を挙げて本発明化合物の製造方法を具体的に説明するが、本発明は、これら実施例によって何ら限定されるものではない。

実施例１（〔１〕項記載の発明）：２−シアノ−５−メチルチオフェンの製造
マグネットスターラー、還流冷却器、温度計を備えた５０ｍｌの三口フラスコに、２−ホルミル−５−メチルチオフェン６．３ｇ（５０ｍｍｏｌ）、臭素酸ナトリウム３．０ｇ（２０ｍｍｏｌ）、酢酸１０ｍｌ（１７４ｍｍｏｌ）、２５％アンモニア水５ｇ（７４ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で、４時間攪拌した。反応液に水３０ｍｌ、エーテル５０ｍｌを加え、さらに注意深く２３％水酸化ナトリウム水溶液をｐＨ＞１１となるまで加えた。この溶液を分液し、水、次いで飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧下エーテルを留去し残渣のオイル６．５ｇを得た。このオイルをクーゲルロール蒸留にて蒸留し、無色オイル５．９ｇを得た。このオイルの成分は液クロマトグラフィーの面積比で２−シアノ−５−メチルチオフェン９４．０％、収率９６．０％であった。液マスクロマトグラフィーにて分子イオンピーク［（Ｍ−１）^＋］＝１２２を確認した。

実施例２（〔１〕項記載の発明）：２−フロニトリルの製造
マグネットスターラー、還流冷却器を備えた１５ｍｌの試験管型反応器に、フルフラール０．３８ｇ（４ｍｍｏｌ）、臭素酸ナトリウム０．２ｇ（１．３５ｍｍｏｌ）、酢酸２ｍｌ（３４．８ｍｍｏｌ）、２５％アンモニア水０．３ｇ（４．４ｍｍｏｌ）を加え、７０℃で３時間攪拌した。この時の反応液中の成分はガスクロマトグラフィーの面積比で２−フロニトリル３４．８％、フルフラール６５．２％であった。ガスマスクロマトグラフィーにて分子イオンピーク［Ｍ^＋］＝９３を確認した。

実施例３（〔１〕項記載の発明）：２−フロニトリルの製造
マグネットスターラー、還流冷却器を備えた１５ｍｌの試験管型反応器に、フルフラール０．３８ｇ（４ｍｍｏｌ）、臭素酸ナトリウム０．２ｇ（１．３５ｍｍｏｌ）、酢酸０．４ｇ（６．７ｍｍｏｌ）、２５％アンモニア水０．３５ｇ（５ｍｍｏｌ）、水１ｍｌを加え、９０℃で２時間攪拌した。この時の反応液中の成分はガスクロマトグラフィーの面積比で２−フロニトリル６１．５％、フルフラール３８．５％であった。ガスマスクロマトグラフィーにて分子イオンピーク［Ｍ^＋］＝９３を確認した。

実施例４（〔１〕項記載の発明）：４−キノリンカルボニトリルの製造
マグネットスターラー、還流冷却器を備えた１５ｍｌの試験管型反応器に、４−キノリンカルボアルデヒド０．７１ｇ（４．５ｍｍｏｌ）、臭素酸ナトリウム０．２７ｇ（１．８ｍｍｏｌ）、酢酸０．６ｇ（１０ｍｍｏｌ）、２５％アンモニア水０．３５ｇ（５ｍｍｏｌ）、水１ｍｌを加え、９０℃で２時間攪拌した。この時の反応液中の成分はガスクロマトグラフィーの面積比で４−キノリンカルボニトリル９７．４％であった。反応液に飽和重曹水３０ｍｌ、酢酸エチル３０ｍｌを加えた。この溶液を分液した後、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧下酢酸エチルを留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル／ｎ−へキサン １：１ｖ／ｖ）にて精製し、白色結晶０．３５ｇを得た。収率５０．５％。ガスマスクロマトグラフィーにて分子イオンピーク［Ｍ^＋］＝１５４を確認した。

実施例５（〔１〕項記載の発明）：３−シアノピリジンの製造
マグネットスターラー、還流冷却器を備えた５０ｍｌのナスフラスコに、３−ピリジルメタノール２．１８ｇ（２０ｍｍｏｌ）、臭素酸ナトリウム２．２５ｇ（１５ｍｍｏｌ）、酢酸３．０ｇ（５０ｍｍｏｌ）、２５％アンモニア水１．５ｇ（２２ｍｍｏｌ）、水５ｍｌを加え、９５℃で２時間攪拌した。この時の反応液中の成分はガスクロマトグラフィーの面積比で３−シアノピリジン９５．２％であった。反応液に飽和重曹水５０ｍｌ、酢酸エチル５０ｍｌを加えた。この溶液を分液した後、水相をさらに酢酸エチル５０ｍｌで抽出した。酢酸エチル相を併せ、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧下酢酸エチルを留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（酢酸エチル／ｎ−へキサン＝１：１（ｖ／ｖ））にて精製し、白色結晶０．９ｇを得た。収率４３．３％。ガスマスクロマトグラフィーにて分子イオンピーク［Ｍ^＋］＝１０４を確認した。

実施例６（〔１〕項記載の発明）：２−シアノチアゾールの製造
マグネットスターラー、還流冷却器を備えた１５ｍｌの試験管型反応器に、２−ホルミルチアゾール０．２２ｇ（２ｍｍｏｌ）、臭素酸ナトリウム０．１２ｇ（０．８ｍｍｏｌ）、酢酸１．０ｇ（１６．７ｍｍｏｌ）、２５％アンモニア水０．２５ｇ（３．６ｍｍｏｌ）、水１ｍｌを加え、９０℃で２時間攪拌した。この時の反応液中の成分はガスクロマトグラフィーの面積比で２−シアノチアゾール６７．６％であった。ガスマスクロマトグラフィーにて分子イオンピーク［Ｍ^＋］＝１１０を確認した。

（参考例１）：２−ホルミル−５−メチルチオフェンの合成
マグネットスターラー、還流冷却器、温度計を備えた５０ｍｌの三口フラスコに、ジメチルホルムアミド１０．９ｇ（０．１５ｍｏｌ）、オキシ塩化リン１５．３ｇ（０．１５ｍｏｌ）を加え、攪拌しながら０℃に冷却した。次いで、２−メチルチオフェン９．８ｇ（０．１ｍｏｌ）を系に滴下し、２５〜３５℃で１８時間攪拌した。反応液に水３０ｍｌ、エーテル５０ｍｌを加え、さらに注意深く２３％水酸化ナトリウム水溶液をｐH＞１１となるまで加えた。この溶液を分液した後、飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧下エーテルを留去した。残渣をクーゲルロール蒸留し、１０．１ｇの無色オイルを得た。このオイル中の成分はガスクロマトグラフィーの面積比で２−ホルミル−５−メチルチオフェン＞９９．９％であった。収率８０．２％。ガスマスクロマトグラフィーにて分子イオンピーク［Ｍ^＋］＝１２６を確認した。

ヘテロ環芳香族ニトリル化合物の新規な工業的製造法が提供される。本発明方法によれば、原料として、入手容易な一般式（１）で表されるヘテロ環芳香族ヒドロキシメチル化合物、ヘテロ環芳香族アルコキシメチル化合物もしくはヘテロ環芳香族アルデヒド化合物のうちいずれか一種あるいはこれらの混合物を任意に選択して用いることが可能で、特殊な反応装置あるいは高価な触媒もしくは遷移金属を用いることなく、穏やかな条件下で目的とするヘテロ環芳香族ニトリル化合物を高選択的に、しかも簡便な操作で製造できる上、触媒もしくは遷移金属に由来する有害な廃棄物も出ないので廃棄物処理が容易で環境にも優しく、工業的な利用価値が高い。

Claims (6)

1. 一般式（１）
   

   

   （式中、環Ａは少なくとも１個のヘテロ原子を有する芳香族ヘテロ環を示し、Ｘはヒドロキシメチル基、アルコキシメチル基またはホルミル基を示し、ｎは１〜９の整数を示し、Ｒは同一または相異なっていてもよく、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、ハロアルキル基、カルボキシル基又はその金属塩、アルコキシカルボニル基、ハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、アルキルカルボニルアミノ基、シアノ基、アルキルカルボニル基又は置換基を有しても良いフェニル基を示し、また、Ｒは２つが結合することにより環を形成してもよく、ｑは１〜９の整数を示すが、（ｑ−ｎ）は０又は正の整数である。）
   表されるヘテロ環芳香族ヒドロキシメチル化合物、ヘテロ環芳香族アルコキシメチル化合物もしくはヘテロ環芳香族アルデヒド化合物のうちいずれか一種あるいはこれらの混合物と、一般式（２）
   

   

   （式中、Ｍは水素原子又は金属原子を示し、ｍは１〜３の整数を示す。）
   で表される臭素酸化物とを、カルボン酸および当量以上のアンモニア存在下で反応させる事を特徴とする、一般式（３）
   

   

   （式中、環Ａ、Ｒ、ｑ、ｎは前記と同じ意味を示す。）
   で表されるヘテロ環芳香族ニトリル化合物の製造方法。
   
2. ヘテロ原子が、窒素原子、酸素原子、硫黄原子からなる群より選ばれるものである請求項１記載のヘテロ環芳香族ニトリル化合物の製造方法。
3. 環Ａが、窒素原子、酸素原子、硫黄原子からなる群より選ばれる１乃至３個のヘテロ原子を有する５員乃至１０員芳香族ヘテロ環である、請求項１記載のヘテロ環芳香族ニトリル化合物の製造方法。
4. 環Ａが、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、キノリン環、又はチアゾール環である請求項１記載のヘテロ環芳香族ニトリル化合物の製造方法。
5. 一般式（１）または（２）で表される原料化合物が、Ｒが全て水素原子であるか又はＲのうち少なくとも一つが電子吸引性基あるいはアルキル基であるものである、請求項１乃至３記載のヘテロ環芳香族ニトリル化合物の製造方法。
6. 一般式（１）で表される化合物が、Ｒが全て水素原子であるか又はＲのうち少なくとも一つが、クロロ基、ニトロ基、フルオロ基、メチル基のいずれかであるものである、請求項１乃至４記載のヘテロ環芳香族ニトリル化合物の製造方法。