JP4696821B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
また、SOIトランジスタでは、SOIのSi薄膜の表面からドレイン電位が与えられると、ドレインのオフセット層や高濃度不純物拡散層と埋め込み酸化膜との界面に高電圧がかかる。このため、ドレインのオフセット層や高濃度不純物拡散層と埋め込み酸化膜との界面に局所的に強い電界が発生し、SOIトランジスタの高耐圧化の妨げになるという問題があった。
さらに、半導体集積回路の微細化に伴ってチャネル長が短くなると、サブスレショルド領域のドレイン電流の立ち上がり特性(S値)が劣化する。このため、トランジスタの低電圧動作の妨げになるとともに、オフ時のリーク電流が増加し、動作時や待機時の消費電力が増大するだけでなく、トランジスタの破壊要因にもなるという問題があった。
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、第1半導体層よりもエッチングレートが小さな第2半導体層が前記第1半導体層上に積層された積層構造を半導体基板上に複数層形成する工程と、前記第1半導体層および第2半導体層を貫通して前記半導体基板を露出させる第1溝を形成するとともに、上層の第1半導体層および上層の第2半導体層を貫通して下層の第2半導体層を露出させる第2溝を形成する工程と、前記第1溝および前記第2溝に埋め込まれ、前記半導体基板上で前記第2半導体層を支持する支持体を形成する工程と、前記第1半導体層の少なくとも一部を前記第2半導体層から露出させる露出部を形成する工程と、前記露出部を介して第1半導体層を選択的にエッチングすることにより、前記第1半導体層が除去された空洞部を形成する工程と、前記空洞部内に埋め込まれた埋め込み絶縁層を形成する工程と、前記第2溝にて分離された上から2層目の第2半導体層の第1の領域に不純物のイオン注入を選択的に行うことにより、上から2層目の第2半導体層の第1の領域に第1不純物導入層を形成する工程と、前記第2溝にて分離された上から2層目の第2半導体層の第2の領域に不純物のイオン注入を選択的に行うことにより、上から2層目の第2半導体層の第2の領域に第2不純物導入層を形成する工程と、前記第2溝にて分離された前記第2半導体層の第1および第2の領域の表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、前記第2半導体層の第1および第2の領域にソース/ドレイン層をそれぞれ形成する工程とを備えることを特徴とする。
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す斜視図である。
図1において、半導体基板1上には絶縁層2が形成され、絶縁層2上には、単結晶半導体層3a、3bが積層されている。ここで、単結晶半導体層3a、3bは不純物の極性または濃度が互いに異なるように構成することができる。例えば、単結晶半導体層3aの極性をN型に設定するとともに、単結晶半導体層3bの極性をP型に設定することができる。そして、単結晶半導体層3a、3b上には、メサ分離された単結晶半導体層5a、5bが絶縁層4を介してそれぞれ積層されている。なお、半導体基板1および単結晶半導体層3a、3b、5a、5bの材質としては、例えば、Si、Ge、SiGe、GaAs、InP、GaP、GaN、SiCなどを用いることができる。また、単結晶半導体層3a、3b、5a、5bの代わりに、多結晶半導体層またはアモルファス半導体層を用いるようにしてもよい。そして、メサ分離された単結晶半導体層5a、5b間には素子分離絶縁層6が埋め込まれている。
また、上述した実施形態では、Pチャンネル電界効果型トランジスタとN極性を持つフィールドプレート電極を組み合わせるとともに、Nチャンネル電界効果型トランジスタとP極性を持つフィールドプレート電極を組み合わせる方法について説明したが、Pチャンネル電界効果型トランジスタとP極性を持つフィールドプレート電極を組み合わせるとともに、Nチャンネル電界効果型トランジスタとN極性を持つフィールドプレート電極を組み合わせるようにしてもよいし、Pチャンネル電界効果型トランジスタとP極性を持つフィールドプレート電極を組み合わせるとともに、Nチャンネル電界効果型トランジスタとP極性を持つフィールドプレート電極を組み合わせるようにしてもよいし、Pチャンネル電界効果型トランジスタとN極性を持つフィールドプレート電極を組み合わせるとともに、Nチャンネル電界効果型トランジスタとN極性を持つフィールドプレート電極を組み合わせるようにしてもよい。
図2において、半導体基板31上には、単結晶半導体層51、33、52、35がエピタキシャル成長にて順次積層されている。なお、単結晶半導体層51、52は、半導体基板31および単結晶半導体層33、35よりもエッチングレートが大きな材質を用いることができ、半導体基板31、半導体層33、35、51、52の材質としては、例えば、Si、Ge、SiGe、GaAs、InP、GaP、GaN、SiCなどの中から適宜選択することができる。特に、半導体基板31がSiの場合、単結晶半導体層51、52としてSiGe、単結晶半導体層33、35としてSiを用いることが好ましい。これにより、単結晶半導体層51、52と単結晶半導体層33、35との間の格子整合をとることを可能としつつ、単結晶半導体層51、52と単結晶半導体層33、35との間の選択比を確保することができる。また、単結晶半導体層51、33、52、35の代わりに、多結晶半導体層、アモルファス半導体層または多孔質半導体層を用いるようにしてもよい。また、単結晶半導体層51、52の代わりに、単結晶半導体層をエピタキシャル成長にて成膜可能なγ−酸化アルミニウムなどの金属酸化膜を用いるようにしてもよい。また、単結晶半導体層51、33、52、35の膜厚は、例えば、1〜100nm程度とすることができる。
次に、図3に示すように、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて、酸化防止膜54、下地酸化膜53、単結晶半導体層35、52、33、51をパターニングすることにより、半導体基板31を露出させる溝36を所定の方向に沿って形成する。なお、半導体基板31を露出させる場合、半導体基板31の表面でエッチングを止めるようにしてもよいし、半導体基板31をオーバーエッチングして半導体基板31に凹部を形成するようにしてもよい。また、溝36の配置位置は、単結晶半導体層33の素子分離領域の一部に対応させることができる。
次に、図5に示すように、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて酸化防止膜54、下地酸化膜53、単結晶半導体層35、52、33、51をパターニングすることにより、半導体基板31を露出させる溝38を溝36と直交する方向に沿って形成する。ここで、溝38は、単結晶半導体層35が溝60によって単結晶半導体層35a、35bに分断されるように配置することができる。なお、半導体基板31を露出させる場合、半導体基板31の表面でエッチングを止めるようにしてもよいし、半導体基板31をオーバーエッチングして半導体基板31に凹部を形成するようにしてもよい。また、溝38の配置位置は、単結晶半導体層33、35の素子分離領域に対応させることができる。
ここで、溝36、37内に支持体56を設けることにより、単結晶半導体層51、52が除去された場合においても、単結晶半導体層33、35を半導体基板31上で支持することが可能となるとともに、溝36、37とは別に溝38を設けることにより、単結晶半導体層33、35下にそれぞれ配置された単結晶半導体層51、52にエッチングガスまたはエッチング液を接触させることが可能となる。このため、単結晶半導体層33、35の結晶品質を損なうことなく、単結晶半導体層33、35と半導体基板31との間の絶縁を図ることが可能となる。
また、空洞部57a,57bは、ALD処理により、Al,Zr,Hf酸化物などのHigh−K膜を形成しても良い。この場合には、単結晶半導体層33,35の酸化による膜減りは無い。半導体層熱酸化による埋め込み絶縁膜の最小膜厚は2nm程度、ALDによるHigh−K埋め込み絶縁膜の最小膜厚は1nm程度である。
次に、図10に示すように、フォトリソグラフィー技術を用いることにより、溝60にて分断された単結晶半導体層35a下の単結晶半導体層33上が露出されるとともに、溝60にて分断された単結晶半導体層35b下の単結晶半導体層33上が覆われるように配置されたレジストパターンR1を形成する。そして、レジストパターンR1をマスクとして適切な加速エネルギーを選択して不純物のイオン注入IP1を単結晶半導体層33に行うことにより、単結晶半導体層33に不純物導入層36aを形成する。
次に、図12に示すように、単結晶半導体層35の表面の熱酸化を行うことにより、単結晶半導体層35a、35bの表面にゲート絶縁膜61を形成する。この時、ALD方やCVD法、あるいは、熱窒化法を用いて、Al2O3,などのHigh−K膜を形成しても良い。絶縁膜32,34,61は、各々、膜厚、誘電率を独立かつ任意に設定できる。電界効果型トランジスタの閾値制御性やS値の向上、同時に、ソース・ドレイン・フィールドプレート電極の寄生容量低減など、目的に応じて、最適な設定を行うことができる。そして、CVDなどの方法により、ゲート絶縁膜61が形成された単結晶半導体層35a、35b上に多結晶シリコン層を形成する。そして、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて多結晶シリコン層をパターニングすることにより、支持体56にまたがるようにして単結晶半導体層35a、35bに共通に配置されたゲート電極62を形成する。ゲート電極62は、Ni,Pt,Co,Tiなどのシリサイド、あるいは、Ti,TiN,Ta,TaN,Wなどのメタルでも良い。
Claims (2)
- 第1半導体層よりもエッチングレートが小さな第2半導体層が前記第1半導体層上に積
層された積層構造を半導体基板上に複数層形成する工程と、
前記第1半導体層および第2半導体層を貫通して前記半導体基板を露出させる溝を形成
する工程と、
前記溝に埋め込まれ、前記半導体基板上で前記第2半導体層を支持する支持体を形成す
る工程と、
前記第1半導体層の少なくとも一部を前記第2半導体層から露出させる露出部を形成す
る工程と、
前記露出部を介して第1半導体層を選択的にエッチングすることにより、前記第1半導
体層が除去された空洞部を形成する工程と、
前記空洞部内に埋め込まれた埋め込み絶縁層を形成する工程と、
上から2層目の第2半導体層に不純物のイオン注入を選択的に行うことにより、上から
2層目の第2半導体層に不純物導入層を形成する工程と、
最上層の第2半導体層の表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極の側方に配置されたソース/ドレイン層を最上層の第2半導体層に形成
する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 第1半導体層よりもエッチングレートが小さな第2半導体層が前記第1半導体層上に積
層された積層構造を半導体基板上に複数層形成する工程と、
前記第1半導体層および第2半導体層を貫通して前記半導体基板を露出させる第1溝を
形成するとともに、上層の第1半導体層および上層の第2半導体層を貫通して下層の第2
半導体層を露出させる第2溝を形成する工程と、
前記第1溝および前記第2溝に埋め込まれ、前記半導体基板上で前記第2半導体層を支
持する支持体を形成する工程と、
前記第1半導体層の少なくとも一部を前記第2半導体層から露出させる露出部を形成す
る工程と、
前記露出部を介して第1半導体層を選択的にエッチングすることにより、前記第1半導
体層が除去された空洞部を形成する工程と、
前記空洞部内に埋め込まれた埋め込み絶縁層を形成する工程と、
前記第2溝にて分離された上から2層目の第2半導体層の第1の領域に不純物のイオン
注入を選択的に行うことにより、上から2層目の第2半導体層の第1の領域に第1不純物
導入層を形成する工程と、
前記第2溝にて分離された上から2層目の第2半導体層の第2の領域に不純物のイオン
注入を選択的に行うことにより、上から2層目の第2半導体層の第2の領域に第2不純物
導入層を形成する工程と、
前記第2溝にて分離された最上層の前記第2半導体層の第1および第2の領域の表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
前記第2半導体層の第1および第2の領域にソース/ドレイン層をそれぞれ形成する工
程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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JP2002057346A (ja) * | 2001-06-06 | 2002-02-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP2003188383A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-07-04 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
JP2003303834A (ja) * | 2003-03-10 | 2003-10-24 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2003332582A (ja) * | 2002-05-13 | 2003-11-21 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
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2005
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