JP4685001B2

JP4685001B2 - ホスフィン化合物、それを配位子とする遷移金属錯体及び光学活性カルボン酸の製造法

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Description

本発明は、各種の有機合成反応、特に不斉水素化反応の触媒として有用なホスフィン化合物、これを配位子とする遷移金属錯体および光学活性カルボン酸の製造法に関する。

ホスフィン化合物、特に、キラルなホスフィン化合物を配位子とする遷移金属錯体は、香料、医薬、農薬、液晶等の広範囲に亙る有機化合物の立体選択的製造を支える極めて重要な役割を担っている。

一方、これらの触媒は使用される遷移金属が高価であることから、使用量の低減や回収法の開発が求められており、すでに多くの方法が報告されている。

ホスフィン配位子を水溶性誘導体に変換してその遷移金属錯体を用いて反応を水溶液中で行い、生成物を分離して取り出したのち、残った水相を次回の反応に再使用する方法は、この問題の解決手段の一つである。ホスフィン配位子の水溶化法としては、様々な手段が試みられているが、アリールホスフィン類を例にとると最も多いのは分子内のフェニル基および、ナフタレン環などの芳香環のスルホン化である。

例えば、非特許文献１にはトリフェニルホスフィンの３つのフェニル基に２または３個のスルホン酸基が置換した化合物又は８個のスルホン酸基が置換した化合物が報告されている。

また、特許文献１にはビナフチル基の５および５´位がスルホン化されたＢＩＮＡＰ及び、非特許文献２には４つのフェニル基全てがスルホン化されたＢＩＮＡＰが記載されている。

非特許文献３にはテトラスルホン化された(S,S)-cyclobutanediop、(S,S)- Chiraphos、(S,S)- BDPPおよび(R)-Prophosの４種の配位子が報告されている。非特許文献４にはジホスフィン配位子NAPHOSのスルホン化物が報告されている。

Angew. Chem. Int. Ed. Engl., 995, 34, No.7, 811-3 Tetrahedron Asymmetry, Vol. 4, No.12, 2261-8(1993) Organometallics, 1989, 8 ,542-7 Journal of Organometallic Chem. 532 (1997) 243-9 特開平５−１７０７８０号公報

しかしながら、従来から知られている水溶性ホスフィン化合物は、適用する反応基質の種類によっては満足できる結果を与えない場合もあり、さらに様々なホスフィン化合物が望まれている。

本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、水溶性の触媒を用いる不斉水素化反応によって、所望の光学活性カルボン酸を製造出来、更に用いた触媒と生成物を分液操作だけで容易に分離することが可能な製造方法を提供する事を目的とする。

すなわち、本発明は以下の各発明［１］〜［６］を包含する。
［１］一般式（１）

（式中、Ｘ^１は酸素原子又はメチレン基を表し、Ｘ^２はメチレン基、エチレン基、トリメチレン基、１，２−ジメチルエチレン基、イソプロピリデン基又はジフルオロメチレン基を表す。Ａは周期表ＩＡ族のアルカリ金属、水素原子又はアンモニウムイオンを表し、ａ、ｂ、ｃ及びｄは０又は１の整数を表すが、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄは０ではない。）
で表されるホスフィン化合物。
［２］光学活性体である［１］記載のホスフィン化合物。
［３］［２］に記載のホスフィン化合物を配位子とする遷移金属錯体。
［４］炭素−炭素二重結合を有するカルボン酸化合物の不斉水素化を、［３］に記載の遷移金属錯体の存在下で行う光学活性カルボン酸の製造方法。
［５］遷移金属錯体が不斉水素化反応の反応系内で生成される［４］に記載の製造方法。
［６］反応終了後に得られる反応液より遷移金属錯体を水溶液として回収し、この水溶液を反応系にリサイクルする［４］又は［５］に記載の製造方法。
［７］炭素−炭素二重結合を有するカルボン酸化合物が、一般式（２）

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は水素原子、直鎖又は分岐あるいは環状のアルキル基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい複素環基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、フリルオキシ、チエニルオキシ等を表すか、Ｒ^１とＲ^２又はＲ^１とＲ^３とで二価基−（ＣＨ_２）_ｍ−Ｘ^３−（ＣＨ_２）_ｎ−（Ｘ^３はメチレン基、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子を表す。ｍは１又は２を表し、ｎは０〜３の整数を表す。）を形成してもよい。ただし、Ｒ^１とＲ^２は同じ基になることは無く、Ｒ^１とＲ^３は同時に水素原子になることは無い。）
で表される化合物であり、光学活性カルボン酸が下記一般式（３）

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は前記と同じ意味を表し、＊は一方又は両方が不斉炭素を表す。）
で表される化合物である［４］〜［６］の何れかに記載の製造方法。

本発明の光学活性ホスフィン化合物を配位子とした水溶性錯体を触媒として用いる不斉水素化反応は、触媒のリサイクルが可能であり、廃棄物の減少及びコストの削減につながる。また、本発明の光学活性水溶性錯体を触媒として用いた不斉水素化反応は、水系溶媒中で行えるので、環境に負荷のかかる溶媒の使用量及び廃棄量を低減することも可能である。

上記一般式（１）で表されるホスフィン化合物において、Ａで表される周期表ＩＡ族のアルカリ土類金属としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム及びセシウム等が挙げられる。また、Ａで表されるアンモニウムイオンとしては、下記一般式（４）又は一般式（５）

ＮＨＲ^４Ｒ^５Ｒ^６（４）

ＨｔＨ（５）

（式（４）及び（５）中、Ｒ^４、Ｒ^５及びＲ^６はそれぞれ独立して、水素原子、アルキル基又はアラルキル基を表し、Ｈｔは含窒素複素環を表す。）
で表されるものが挙げられる。

ここで、アルキル基としては、直鎖又は分岐若しくは環状のアルキル基が挙げられ、具体的なアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基及びシクロヘキシル基等が挙げられる。アラルキル基としては、ベンジル基及び１−フェニルエチル基等が挙げられる。

Ｈｔで表される含窒素複素環としては、飽和又は不飽和の５員環又は６員環の含窒素複素環が挙げられ、具体的には、ピリジン環、ピロリジン環、ピペリジン環、モルホリン環及びイミダゾール環等が挙げられる。

一般式（１）で表される本発明のホスフィン化合物は、例えば以下の方法によって合成できる。

（スキーム中、Ｘ^１、Ｘ^２、Ａ、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＨｔは前記と同じ意味を表す。）
すなわち、ホスフィン化合物（６）に発煙硫酸の硫酸溶液を加え、リン上のフェニル基をスルホン化しスルホン酸化合物（Ｈ−１）を合成し、続いてアルカリ金属化合物又はアンモニア若しくはアミン類を加えることにより、アルカリ金属塩又はアンモニウム塩として本発明化合物（１）を得ることができる。

ここで、原料化合物であるホスフィン化合物（６）は、Ｘ^１が酸素原子である場合は例えば特許文献２に記載のように、３，４−メチレンジオキシブロモベンゼンを出発物質としてリン原子の導入、カップリング反応及び光学分割等を経て合成される。また、Ｘ^１がメチレンである場合は、例えば特許文献３に記載のように、２，２'−ジハロゲノ−１，１'−ビナフチルを遷移金属触媒存在下、ビナフチル環を部分的に水素化し、リン原子の導入及び光学分割等を経て合成される。

特開平１０−１８２６７８号公報特開平４−１３９１４０号公報

全ての反応操作はホスフィン化合物の酸化を防止するため、窒素、アルゴン等の不活性ガス雰囲気で行う事が好ましい。

第一工程のスルホン化における、濃硫酸と３０％発煙硫酸の硫酸溶液（３０％ＳＯ_３−Ｈ_２ＳＯ_４）のモル比は１：０．８〜１：１．２の範囲から選ばれ、好ましくは１：１〜１：１．１の範囲である。

３０％発煙硫酸中のＳＯ_３とホスフィン化合物（６）のモル比は６０：１から３０：１の範囲から選ばれ、より好ましくは４０：１から５０：１の範囲である。

反応温度は、発煙硫酸中のＳＯ_３によるホスフィン化合物（６）の酸化を最小限に止めるため、室温以下が望ましく、０℃から２５℃の範囲、より好ましくは０℃〜１０℃の範囲が良い。

反応時間は、反応温度が２０℃程度の時は１週間以内が望ましく、これ以上になるとリン原子が酸化されたホスフィンオキサイドが増加する。１０℃以下の場合では１週間から３週間の範囲がよく、より好ましくは５℃程度で１０日から２週間の範囲が良い。

スルホン化反応後、アルカリ金属化合物又はアンモニアもしくはアミン類によって過剰の硫酸を中和すると同時に、スルホン酸基の水素原子をアルカリ金属またはアンモニウムイオンで置換することにより本発明のホスフィン化合物（１）へと誘導できる。

ここで、用いられるアルカリ金属化合物としては、アルカリ金属の水酸化物、炭酸塩、アルコキシド及びリン酸塩等が挙げられる。これらのアルカリ金属化合物は水溶液などの溶液状態で用いることもできる。具体的な化合物として、これらに限定されるものではないが、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化セシウム、水酸化ルビジウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ルビジウム、炭酸セシウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、ナトリウムフェノキシド、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、カリウムｔｅｒｔ−ブトキシド、リチウムメトキシド、リン酸リチウム、リン酸カリウム、リン酸ナトリウム、リン酸水素カリウム及びリン酸水素ナトリウム等が挙げられる。

また、ここで用いられるアミン類としては、脂肪族及び芳香族の環状又は鎖状の第一級、第二級及び第三級アミン類が用いられる。具体的な化合物としては、アンモニア、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン，エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、プロピルアミン、ジイソプロピルアミン、エチルジイソプロピルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン、シクロヘキシルアミン、ベンジルアミン、ピリジン、ピコリン、ピロリジン、Ｎ−メチルピロリジン、ピペリジン、Ｎ−メチルピペリジン、モルホリン、Ｎ−メチルモルホリン、イミダゾール及びＮ−メチルイミダゾール等が挙げられる。

過剰量の硫酸を中和した後に、反応混合物から水を蒸留除去する操作は、本発明の水溶性のスルホン化ホスフィン化合物（１）と硫酸塩を有機溶媒によって効率良く分離するために必要である。

スルホン化ホスフィン化合物（１）の有機溶媒抽出はメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、含水メタノール、含水エタノール等で行う事が出来る。このなかでもより好ましくは、含水メタノール、ｎ−ブタノールが挙げられる。

このようにして合成されるスルホン化ホスフィン化合物（１）は更なる精製を行うこと無く、遷移金属錯体化合物へと誘導することが出来る。

錯体を形成する遷移金属としては、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、イリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）及び銅（Ｃｕ）等が挙げられる。

これら遷移金属錯体は下記一般式（７）

Ｍ_ｍＬ_ｎＷ_ｐＵ_ｑ（７）

（式中、ＭはＩｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｄ及びＮｉから成る群から選ばれる遷移金属を表し、Ｌは光学活性な本発明のホスフィン化合物（１）を表し、ｍ、ｎ、ｐ及びｑは以下の整数を表す。）
ＭがＩｒ又はＲｈの場合、Ｗ、Ｕ、ｍ、ｎ、ｐ及びｑは、Ｗは塩素原子（Ｃｌ）、臭素原子（Ｂｒ）又はヨウ素原子（Ｉ）を表し、ｍ＝ｎ＝ｐ＝２、ｑ＝０である。

ＭがＲｕの場合、（i）ＷはＣｌ、Ｂｒ又はＩを表し、Ｕはトリアルキルアミノ基を表し、ｍ＝ｎ＝２、ｐ＝４及びｑ＝１、（ii）ＷはＣｌ、Ｂｒ又はＩを表し、Ｕはピリジン、ピコリン又はキノリンを表し、ｍ＝ｎ＝１、ｐ＝ｑ＝２、（iii）Ｗはカルボキシレート基で、ｍ＝ｎ＝１、ｐ＝２及びｑ＝０、（iv）ＷはＣｌ、Ｂｒ又はＩで、ｍ＝ｎ＝１、ｐ＝２及びｑ＝０、（v）ＷはＣｌ、Ｂｒ又はＩであり、Ｕはジアルキルアンモニウムを表し、ｍ＝ｎ＝２、ｐ＝５及びｑ＝１を表す。

ＭがＰｄの場合、（i）ＷはＣｌ、Ｂｒ又はＩであり、ｍ＝ｎ＝１、ｐ＝２及びｑ＝０、（ii）Ｗはアリル基であり、ｍ＝ｎ＝ｐ＝２及びｑ＝０である。

ＭがＮｉの場合、ＷはＣｌ、Ｂｒ又はＩであり、ｍ＝ｎ＝１、ｐ＝２及びｑ＝０である。）
で表される。

また、本発明の遷移金属錯体は下記一般式（８）

［Ｍ_ｍＬ_ｎＷ_ｐＵ_ｑ］Ｚ_ｓ（８）

（式中、ＭはＩｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｐｄ及びＮｉから成る群から選ばれる遷移金属を表し、Ｌは光学活性な本発明のホスフィン化合物（１）を表し、ｍ、ｎ、ｐ及びｑは以下の整数を表す。）
ＭがＩｒ又はＲｈの場合、Ｗは１，５−シクロオクタジエン（以下、ｃｏｄとする）、ノルボルナジエン（以下、ｎｂｄとする）であり、ＺはＢＦ_４、ＣｌＯ_４、ＣＦ_３ＳＯ_３（以下、ＯＴｆとする）、ＰＦ_６、ＳｂＦ_６又はＢＰｈ_４（Ｐｈはフェニル基を表す、以下同様。）を表し、ｍ＝ｎ＝ｐ＝ｓ＝１及びｑ＝０である。

ＭがＲｕの場合、（i）ＷはＣｌ、Ｂｒ又はＩであり、Ｕは中性配位子である芳香族化合物又はオレフィン化合物を表し、ＺはＣｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｉ_３又はスルホネートであり、ｍ＝ｎ＝ｐ＝ｑ＝ｓ＝１、（ii）ＺはＢＦ_４、ＣｌＯ_４、ＯＴｆ、ＰＦ_６、ＳｂＦ_６又はＢＰｈ_４で、ｍ＝ｎ＝１、ｐ＝ｑ＝０及びｓ＝２である。

ＭがＰｄ又はＮｉの場合、ＺはＢＦ_４、ＣｌＯ_４、ＯＴｆ、ＰＦ_６、ＳｂＦ_６又はＢＰｈ_４で、ｍ＝ｎ＝１、ｐ＝ｑ＝０及びｓ＝２である。）
としても表される。

これら本発明の遷移金属錯体は公知の方法を用いて製造することができる。
ロジウム錯体：
ロジウム錯体は例えば、非特許文献５に記載の方法に従い、［Ｒｈ（ｃｏｄ）_２］ＢＦ_４と光学活性な本発明のスルホン化ホスフィン化合物（１）とを反応させることにより得られる。

日本化学会編「第４版実験化学講座」、第１８巻、有機金属錯体、１９９１年丸善３３９〜３４４頁

ロジウム錯体の具体例としては例えば以下のものを挙げることができる。
［Ｒｈ（Ｌ）Ｃｌ］_２、［Ｒｈ（Ｌ）Ｂｒ］_２、［Ｒｈ（Ｌ）Ｉ］_２、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＯＴｆ、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＦ_４、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ_４、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＳｂＦ_６、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＰＦ_６、［Ｒｈ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ_４、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＯＴｆ、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＦ_４、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ_４、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＳｂＦ_６、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＰＦ_６、［Ｒｈ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ_４

ルテニウム錯体：
ルテニウム錯体は例えば、非特許文献６に記載の方法に従い、［Ｒｕ（ｃｏｄ）Ｃｌ_２］ｎと光学活性な本発明のスルホン化ホスフィン化合物（１）とをトリアルキルアミンの存在下に、溶媒中で撹拌することにより調製できる。また、特許文献４に記載の方法に従い、［Ｒｕ（ｂｅｎｚｅｎｅ）Ｃｌ_２］_２と光学活性な本発明のホスフィン化合物（１）とをジアルキルアミン存在下に溶媒中で撹拌することにより調製できる。また、非特許文献７に記載のように、［Ｒｕ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）Ｉ_２］_２と光学活性な本発明のホスフィン化合物（１）とを溶媒中で撹拌することにより調製できる。

J. Chem. Soc., Chem. Commun., 922(1985) 特開平１１−２６９２８５号公報 J. Chem. Soc., Chem. Commun., 1208(1989)

ルテニウム錯体の具体例としては例えば以下のようなものが挙げられる。（Ａｃはアセチル基を表し、Ｐｈはフェニル基を表す。以下同様。）
Ｒｕ（ＯＡｃ）_２（Ｌ）、Ｒｕ（ＯＣＯＣＦ_３）_２（Ｌ）、Ｒｕ_２Ｃｌ_４（Ｌ）_２ＮＥｔ_３、［｛ＲｕＣｌ（Ｌ）｝_２（μ−Ｃｌ_３）［Ｍｅ_２ＮＨ_２］、［｛ＲｕＢｒ（Ｌ）｝_２（μ−Ｂｒ_３）［Ｍｅ_２ＮＨ_２］、［｛ＲｕＩ（Ｌ）｝_２（μ−Ｉ_３）［Ｍｅ_２ＮＨ_２］、［｛ＲｕＣｌ（Ｌ）｝_２（μ−Ｃｌ_３）［Ｅｔ_２ＮＨ_２］、［｛ＲｕＢｒ（Ｌ）｝_２（μ−Ｂｒ_３）［Ｅｔ_２ＮＨ_２］、［｛ＲｕＩ（Ｌ）｝_２（μ−Ｉ_３）［Ｅｔ_２ＮＨ_２］、ＲｕＣｌ_２（Ｌ）、ＲｕＢｒ_２（Ｌ）、ＲｕＩ_２（Ｌ）、ＲｕＣｌ_２（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）、ＲｕＢｒ_２（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）、ＲｕＩ_２（ｐｙｒｉｄｉｎｅ）、［ＲｕＣｌ（ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｌ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ（ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｌ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ（ｂｅｎｚｅｎｅ）（Ｌ）］Ｉ、［ＲｕＣｌ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｃｌ、［ＲｕＢｒ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｂｒ、［ＲｕＩ（ｐ−ｃｙｍｅｎｅ）（Ｌ）］Ｉ、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＯＴｆ）_２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＢＦ_４）_２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＣｌＯ_４）_２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＳｂＦ_６）_２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＰＦ_６）_２、［Ｒｕ（Ｌ）］（ＢＰｈ_４）_２

イリジウム錯体：
イリジウム錯体は例えば非特許文献８に記載の方法に従って、光学活性な本発明のスル
ホン化ホスフィン化合物（１）と［Ｉｒ（ｃｏｄ）（ＣＨ_３ＣＮ）_２］ＢＦ_４とを、溶媒中にて撹拌することにより調製できる。

J. Organomet. Chem., 1992, 428, 213

イリジウム錯体の具体例としては例えば以下のようなものが挙げられる。
［Ｉｒ（Ｌ）Ｃｌ］_２、［Ｉｒ（Ｌ）Ｂｒ］_２、［Ｉｒ（Ｌ）Ｉ］_２、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＯＴｆ、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＦ_４、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ_４、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＳｂＦ_６、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＰＦ_６、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ_４、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＯＴｆ、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＦ_４、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ_４、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＳｂＦ_６、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＰＦ_６、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ_４

パラジウム錯体：
パラジウム錯体は、非特許文献９に記載の方法に従って、光学活性な本発明のスルホン化ホスフィン化合物（１）とπ−アリルパラジウムクロリドとを反応させることにより調製できる。

J. Am. Chem. Soc., 1991, 113, 988

パラジウム錯体の具体例としては例えば以下のようなものが挙げられる。
ＰｄＣｌ_２（Ｌ）、ＰｄＢｒ_２（Ｌ）、ＰｄＩ_２（Ｌ）、Ｐｄ（ＯＡｃ）_２（Ｌ）、Ｐｄ（ＯＣＯＣＦ_３）_２（Ｌ）、［（π−ａｌｌｙｌ）Ｐｄ（Ｌ）］Ｃｌ、［（π−ａｌｌｙｌ）Ｐｄ（Ｌ）］Ｂｒ、［（π−ａｌｌｙｌ）Ｐｄ（Ｌ）］Ｉ、［（π−ａｌｌｙｌ）Ｐｄ（Ｌ）］ＯＴｆ、［（π−ａｌｌｙｌ）Ｐｄ（Ｌ）］ＢＦ_４、［（π−ａｌｌｙｌ）Ｐｄ（Ｌ）］ＣｌＯ_４、［（π−ａｌｌｙｌ）Ｐｄ（Ｌ）］ＳｂＦ_６、［（π−ａｌｌｙｌ）Ｐｄ（Ｌ）］ＰＦ_６、［（π−ａｌｌｙｌ）Ｐｄ（Ｌ）］ＢＰｈ_４、［Ｐｄ（Ｌ）］（ＯＴｆ）_２、［Ｐｄ（Ｌ）］（ＢＦ_４）_２、［Ｐｄ（Ｌ）］（ＣｌＯ_４）_２、［Ｐｄ（Ｌ）］（ＳｂＦ_６）_２、［Ｐｄ（Ｌ）］（ＰＦ_６）_２、［Ｐｄ（Ｌ）］（ＢＰｈ_４）_２、ＰｈＣＨ_２Ｐｄ（Ｌ）Ｃｌ、ＰｈＣＨ_２Ｐｄ（Ｌ）Ｂｒ、ＰｈＣＨ_２Ｐｄ（Ｌ）Ｉ、ＰｈＰｄ（Ｌ）Ｃｌ、ＰｈＰｄ（Ｌ）Ｃｌ、ＰｈＰｄ（Ｌ）Ｃｌ

ニッケル錯体：
ニッケル錯体は例えば上記非特許文献９に記載の方法に従って、光学活性な本発明のスルホン化ホスフィン化合物（１）と塩化ニッケルとを、溶媒中で撹拌することにより調製できる。

ニッケル錯体の具体例としては例えば以下のものを挙げることができる。
ＮｉＣｌ_２（Ｌ）、ＮｉＢｒ_２（Ｌ）、ＮｉＩ_２（Ｌ）
これら遷移金属錯体を調製するときの有機溶媒としては、本発明のスルホン化ホスフィン化合物（１）の溶解性が高い溶媒が好ましく、より好ましいのは脱気した低級アルカノールであり、メタノールがより好ましい。

続いて、本発明の光学活性カルボン酸の製造法に関して説明する。

本発明の光学活性なスルホン化ホスフィン化合物（１）を配位子とする遷移金属錯体を不斉水素化反応の触媒として使用する場合は、例えば濃縮、減圧濃縮、溶媒抽出、洗浄、再結晶などの精製法により錯体の純度を高めてから使用してもよいが、錯体を精製することなく使用してもよい。また、水素化反応系内に、錯体前駆体である遷移金属化合物及びホスフィン化合物（１）を各々加え反応を行ってもよく、その場合は基質である炭素−炭素二重結合を有するカルボン酸化合物を加える前に適当な時間撹拌することにより触媒活性が向上することがある。

本発明の光学活性カルボン酸製造法の原料である炭素−炭素二重結合を有するカルボン酸化合物は、具体的な例として例えば下記一般式(２)

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は水素原子、直鎖又は分岐あるいは環状のアルキル基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい複素環基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、フリルオキシ、チエニルオキシ等を表すか、Ｒ^１とＲ^２又はＲ^１とＲ^３とで二価基−（ＣＨ_２）_ｍ−Ｘ^３−（ＣＨ_２）_ｎ−（Ｘ^３はメチレン基、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子を表す。ｍは１又は２を表し、ｎは０〜３の整数を表す。）を形成してもよい。ただし、Ｒ^１とＲ^２は同じ基になることは無く、Ｒ^１とＲ^３は同時に水素原子になることは無い。）
で表される化合物が挙げられる。

ここで、アルキル基としては炭素数１〜８の直鎖又は分岐あるいは環状のアルキル基が好ましい。具体的なアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、２−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｔｒ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、メチルシクロペンチル基、シクロヘキシル基メチルシクロヘキシル基等が挙げられる。

置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基の芳香族炭化水素基としてはフェニル基、ナフチル基が挙げられる。これら、芳香族炭化水素基に置換する置換基としてはアルキル基、アルコキシ基及びハロゲン原子等が挙げられる。アルキル基としては例えば前記したようなアルキル基が挙げられる。

アルコキシ基としては、例えば炭素数１〜８のアルコキシ基が挙げられ、具体的にはメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、２−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基及びｎ−ヘキシルオキシ基等が挙げられる。

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。

置換基を有していてもよい複素環基の複素環基としては、フリル基、チエニル基、ピロリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、イミダゾリル基、ピリジル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピロリジニル基、ピペリジル基、モルホリニル基、モルホリノ基、インドリル基、ベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、キノリル基及びカルバゾリル基等が挙げられる。これら複素環基に置換する置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子等が挙げられ、具体例としては前記したようなものが挙げられる。

アシルオキシ基としては、カルボン酸由来の例えば炭素数２〜１８のアシルオキシ基が挙げられ、具体的にはアセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ペンタノイルオキシ基、ヘキサノイルオキシ基、ラウロイルオキシ基、ステアロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等が挙げられる。

アシルアミノ基としては、アミノ基の１個の水素原子が前記したようなアシル基で置換されたアミノ基が挙げられ、例えば、ホルミルアミノ基、アセチルアミノ基、プロピオニルアミノ基、ピバロイルアミノ基、ペンタノイルアミノ基、ヘキサノイルアミノ基、ベンゾイルアミノ基等が挙げられる。

アリールオキシ基としては、前記したようなアリール基に酸素原子が結合した基であり、例えば、フェニルオキシ基、トリルオキシ基、ナフチルオキシ基などが挙げられる。アルコキシカルボニル基としては、直鎖状でも分岐状でも或いは環状でもよい、例えば炭素数２〜１９のアルコキシカルボニル基が挙げられ、具体的にはメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、２−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、ラウリルオキシカルボニル基、ステアリルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基等が挙げられる。

次に不斉水素化方法について説明する。不斉水素化される基質である炭素−炭素二重結合を有するカルボン酸化合物、及び溶媒として水；メタノール、エタノール、イソプロパノールなどのアルコール溶媒；テトラヒドロフラン、ジイソプロピルエーテル等のエーテル溶媒；塩化メチレン等のハロゲン化炭化水素；アセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類；トルエン、キシレン等の炭化水素類；及びアセトニトリル等を単独またはこれらの混合溶媒中、基質に対して1/1000〜300000、好ましくは1/10000〜1/50000モルの触媒を加え、水素圧1〜10 MPa、好ましくは1.5〜5 MPa、温度−20〜100℃、好ましくは20〜80℃で1〜30時間、好ましくは2〜20時間水素化を行うと光学活性なカルボン酸化合物が得られる。

反応の溶媒として水を用いる場合の水の使用量は、炭素−炭素二重結合を有するカルボン酸化合物に対して、通常1〜10倍量であり、好ましくは2〜5倍の範囲から適宜選択される。

反応終了後は、不斉水素化反応に溶媒として水だけを使用している場合は、生成物と触媒を分離するために、水に対する溶解度が低く生成物が溶解する溶剤を系内に加えるか又は、不斉水素化反応に溶媒として有機溶媒だけを使用している場合は、触媒を溶解させるために水を加え、生成物が溶解している有機層と、触媒が溶解している水層を分液することにより、容易に生成物と触媒を分離することができる。溶媒として水及び有機溶媒の混合系で行った場合は、反応終了後そのまま分液することにより生成物と触媒を分離できる。

ここで、分離された触媒はそのまま水溶液として、また必要に応じて水を除去した後、リサイクル使用することができる。リサイクル使用する場合は、触媒活性の低下を防ぐため、触媒が溶解している水層と生成物が溶解している有機層を分離する際に、窒素又はアルゴン等の不活性ガス雰囲気下で行うことが望ましい。

また、本発明の不斉水素化により得られる一般式（３）で表される光学活性カルボン酸は基質の構造によっては、１つ又は２つの不斉点を有する場合があり、本発明の方法はこれら両方の場合を含むものである。

実施例
以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではない。
分析機器は次の通り。
1）ガスクロマトグラフィー：Agilent 6890
TC-WAX、Chirasil-DEX-CB、
2）比旋光度：日本分光 JASCO DIP−360型旋光度計
3）^１Ｈ, ^３１P−ＮＭＲ：BURUKER DRX-500
4）HPLC：HITACHI L-7000, Cosmosil 5C8
5）LC-MS: JEOL LC mate, ZORBAX Eclipse XDB-CB C8

スルホン化(R)-H_８-BINAPナトリウム塩((R)-SO_３Na-H_８-BINAP)の合成

窒素雰囲気下、冷却した濃硫酸3.68 ｇ (2mL, 37.55 mmol)中へ０〜５℃で(R)-5,6,7,8,5',6',7',8'-オクタヒドロ-“2,2'-ビス（ジフェニルホスフィノ）-1,1'-ビナフチル((R)-H_８-BINAP) 2.52 ｇ (4 mmol)を加えて攪拌し、つぎに、シリンジを使用して30% SO_３-H_２SO_４ 35.8 g (20 mL, 375.5 mmol)を注入した。冷却を外して攪拌し、室温まで戻すと、反応液はおよそ１時間でスラリー状態から均一溶液へと変化した。さらに室温で１時間攪拌したのち、反応装置を窒素封入して５℃の低温庫に入れて２週間静置した。

続いて、窒素置換された砕氷200 gを入れたフラスコに、反応溶液をゆっくり加えた。
この中へ、脱気した50% NaOH水溶液およそ80 gを１５℃以下に保って滴下して中和し、ｐＨ＝7.5とした。中和した水溶液を減圧下に蒸留して水を完全に除去し、灰白色塊状固体62 gを得た。固体を取り出して粉砕してから、反応容器中へ入れ窒素置換し、脱気した10%含水メタノール140 mLを加えて１時間攪拌して(R)-SO_３Na-H_８-BINAPを抽出した。この含水メタノール溶液をセライトろ過して硫酸塩を除いた後、減圧で蒸留濃縮し、3.2 g（薄褐色白色粉末）の(R)-SO_３Na-H_８-BINAPを得た。HPLC分析により、SO_３Na基が２個置換したものの割合が３２％、３個置換したものの割合が５３％であった。平均分子量を９００と仮定した場合の収率は８８．９％。比旋光度[α]_Ｄ ^２０=+39.8(c=1、脱気H_２O)
LC-MS(HPLC: ZORBAX Eclipse XDB-CB C8、メタノール-ジブチルアミン水溶液、APCI negative mode, m/z):788.7（ジスルホン化H_８-BINAPトリウム塩から２個のNa原子が外れた２価のアニオンと１個の水素原子から生成したアニオン）、919（ジスルホン化H_８-BINAPナトリウム塩から２個のNa原子が外れた２価のアニオンと水素原子および、ジブチルアミン各１個から生成したアニオン）、868.7（トリスルホン化H_８-BINAPナトリウム塩から３個のNa原子が外れた３価のアニオンと２個の水素原子から生成したアニオン）、997.8（トリスルホン化H_８-BINAPナトリウム塩から３個のNa原子が外れた３価のアニオンと水素原子および、ジブチルアミン各１個から生成したアニオン）
^１H-NMR(CD_３OD)δ:0.82-1.00（2H, broad s）, 1.21-1.38（2.7Ｈ, broad s）, 1.68-1.38（5.7Ｈ, broad s）, 1.78-1.86（2.5Ｈ, broad s）, 2.6-2.77（3H, broad ｍ）, 6.93-7.07（3Ｈ, ｍ）, 7.1-7.25（5.6Ｈ, ｍ）, 7.26-7.42（7.1Ｈ, ｍ）, 7.63-7.74（1.4H, ｍ）, 7.78-7.98（4.7H, m）
^３１P-NMR(CD_３OD)δ:-15.56, -15.86, +35.3 (P=O, <10%)

スルホン化(R)-segphosナトリウム塩（(R)-SO_３Na-segphos）の合成

窒素雰囲気下、冷却した濃硫酸0.92ｇ（0.5 mL,9.4 mmol）中へ氷冷下に(R)−（４，４’−ビ−１，３−ベンゾジオキソール）−５，５’−ジイル−ビス（ジフェニルホスフィン）((R)-segphos) 0.61ｇ（1 mmol）を加えて攪拌し、つぎに、シリンジを使用して30%SO_３-H_２SO_４ 9.2ｇ（5 mL,94 mmol）を加えた。反応溶液は、冷却を外して攪拌して20℃まで戻すとスラリー状態から、およそ１.5時間で均一溶液へと変化した。反応装置を窒素封入して５℃の低温庫に入れて２週間静置した。

砕氷50ｇを入れたフラスコを窒素置換し、反応溶液をゆっくり加えた。この中へ、脱気した50% NaOH水溶液およそ20ｇを１５℃以下に保って滴下し、pH=7.5の弱アルカリとした。得られた水溶液を減圧下に蒸留して水を完全に蒸発除去し、灰白色塊状固体15ｇを得た。固体を取り出して粉砕してから、容器中へ戻して窒素置換し、脱気した10%含水メタノール30 mLを加えて１時間攪拌して(R)-SO_３Na-segphosを抽出した。含水メタノール溶液をセライトろ過して硫酸塩を除いた後減圧下で蒸留濃縮し、2.2ｇ（褐色帯びた白色塊状固体）の(R)-SO_３Na-segphosを得た。つぎに、塊状固体を粉末化してから、脱気した10％含水メタノール22 mLと混合して抽出した。抽出溶液をろ過して不溶性塩を除去して得られた含水メタノール溶液を、蒸留濃縮し、0.7ｇの固体を得た。
^１H-NMR(D_２O) δ: 5.21(1H, s), 5.22（1Ｈ, s）, 5.74(1H, s), 5.76（1Ｈ,s）, 7.02-7.68（30Ｈ, broad ｍ）
^３１P-NMR(D_２O) δ: -10.8(large), -13.1（small）, +17.49, +18.8 (P=O, <10%)

[RuCl((R)-SO_３Na-H_８-BINAP)(p-cymene)]Clの合成
窒素置換したシュレンク管を使用し、実施例１で得られた(R)-SO_３Na-H_８-BINAP 0.13ｇ（0.144 mmol）、[RuCl_２(p-cymene)]_２ 38.3mg (0.0625 mmol)、及び脱気したメタノール3 mLを混合し２時間加熱還流した。つぎに、減圧下にメタノールを蒸発させて完全に除き、赤褐色微粉末0.17 mgを得た。
^３１P-NMR(d_７-DMF)δ: 39.4-43.0

[RuI((R)-SO_３Na-H_８-BINAP)(p-cymene)]Iの合成
窒素置換したシュレンク管を使用し、実施例１で得られた(R)-SO_３Na-H_８-BINAP 0.13ｇ（0.144 mmol）、[RuI_２(p-cymene)]_２ 61mg(0.0623 mmol)、及び脱気したメタノール３ｍｌを混合し、室温で２４時間攪拌した。つぎに、減圧下にメタノールを蒸発させて完全に除き、赤褐色微粉末0.19ｇを得た。
^３１P-NMR(d_６-DMSO)δ: 41.5-43.4

[RuCl((R)-SO_３Na-segphos)(p-cymene)]Clの合成
窒素置換したシュレンク管を使用し、実施例２で得られた(R)-SO_３Na-segphos 0.11ｇ（0.122mmol）、[RuCl_２(p-cymene)]_２ 36.7mg (0.06 mmol)および、脱気したメタノール2 mLを混合し室温で２４時間攪拌した。つぎに、減圧下にメタノールを蒸発させて完全に除き、赤褐色微粉末0.15ｇを得た。

チグリン酸の不斉水素化
１００ｍＬオートクレーブにチグリン酸 3.3ｇ（33 mmol）と実施例３で得られた[RuCl((R)-SO_３Na-H_８-BINAP)(p-cymene)]Cl 2.42mg（0.002 mmol）を入れて密封し、窒素置換したのち、脱気したジイソプロピルエーテル4 mLと脱気した蒸留水3 mLを加え、水素で置換後、水素圧2.5 MPa、温度８０℃で２時間撹拌した。反応後、室温まで冷却して反応溶液を取り出し、有機層を分離した。無水硫酸マグネシウムで脱水したのち、ろ過濃縮し、粗製の（Ｒ）−２−メチルブタン酸2.9ｇを得た。転化率99.4％、選択率100％、光学純度96.4％ee。

チグリン酸の不斉水素化
触媒を[RuI((R)-SO_３Na-H_８-BINAP)(p-cymene)]I 2.75mg (2.0 μmol)にし、溶媒を塩化メチレンに変えた以外は実施例６と同じ条件でチグリン酸3.3ｇ（33 mmol）を不斉水素化して、粗製の（Ｒ）−２−メチルブタン酸3.2ｇを得た。転化率98.4％、選択率100％、光学純度97.4％ee。

チグリン酸の不斉水素化
窒素置換したオートクレーブにチグリン酸4g (0.04mol)と[RuI((R)-SO_３Na-H_８-BINAP)(p-cymene)]I 1.2mg (0.8 μmol)および、脱気蒸留水2 mLを加え、水素で置換した後、水素圧2.5 MPa、反応温度65℃で18時間撹拌した。反応後、ジイソプロピルエーテルで抽出し実施例６と同様に後処理し、粗製の（Ｒ）−２−メチルブタン酸3.9ｇを得た。転化率98.4％、選択率100％、光学純度96.6％ee。

チグリン酸の不斉水素化
実施例５で得られた[RuCl((R)-SO_３Na-segphos)(p-cymene)]Clを用いて実施例6と同じ条件でチグリン酸3.3ｇ（33mmol）を不斉水素化し、粗製の2-メチルブタン酸2.8ｇを得た。転化率89.7％、選択率100％、光学純度90.6％ee。

チグリン酸の不斉水素化（触媒溶液である水相のリサイクル）
窒素置換した200ｍＬオートクレーブへ、チグリン酸 20g(199.8 mmol)と[RuI((R)-SO_３Na-H_８-BINAP)(p-cymene)]I 13.9 mg (10.0 μmol)を脱気した塩化メチレン80 mLに溶解してシリンジを用いて加えた後、減圧下に塩化メチレンを回収した。次に、脱気蒸留水40 mLを加え、水素で置換した後、水素圧2 MPa、反応温度65℃で4時間撹拌した。反応後、脱気したヘプタン60 mLを加えて攪拌したのち、反応溶液をコック付きのシリンジで吸引して取り出し、つぎにコックを閉じて３０分静置した。シリンジ中の溶液は上層に（Ｒ）−２−メチルブタン酸のヘプタン溶液、下層に触媒を含有する水相に分離した。水相はオートクレーブへ戻して次回の反応へ再使用した。ヘプタン溶液は無水硫酸マグネシウムで脱水して濃縮し、粗製の（Ｒ）−２−メチルブタン酸39ｇを得た。転化率99.5％、選択率100％、光学純度97.5％ee。

（水相のリサイクル１〜３回目）
反応に使用した水相の中へ、チグリン酸20g(199.8 mmol)と脱気した塩化メチレン80 mLを加え、リサイクル前の反応（初回の反応）と同様にして4時間反応した。反応後、初回の反応と同様にして後処理して、粗製の（Ｒ）−２−メチルブタン酸39ｇを得た。転化率99.3％、選択率100％、光学純度97.3％ee。リサイクル３回目までは操作を同様に行った。

（水相のリサイクル４〜１０回目）
初回の反応からリサイクル１０回目までの結果を以下の表１に示す。水相のリサイクル４回目以降は[RuI((R)-SO_３Na-H_８-BINAP)(p-cymene)]Iを初回の反応の3％づつ追加した。初回の反応からリサイクル１０回目までの結果を以下の表１に示す。原料のチグリン酸の量は全て20 g、反応温度は65℃、水素圧は2 MPaで行った。なお、表中の(S/C)は、チグリン酸／[RuI((R)-SO_３Na-H_８-BINAP)(p-cymene)]Iのモル比を表す。

（実施例１１）（Ｅ）−２−メチル−２−ペンテン酸の不斉水素化
窒素置換したオートクレーブに（Ｅ）−２−メチルペンテン酸 0.37g（3.3 mmol）と[RuI((R)-SO_３Na-H_８-BINAP)(p-cymene)]I 2.42 mg（1.7 μmol）及び脱気蒸留した塩化メチレン0.8 mLおよび、脱気蒸留水3mLを加え、水素で置換した後、反応温度80℃、水素圧2.5
MPaで３時間撹拌した。反応後、塩化メチレンを追加して抽出し、実施例６と同様に処理して、粗製の（Ｒ）-２−メチルペンタン酸0.36ｇを得た。転化率99.6％、選択率99.2％、光学純度95.0％ee。

（実施例１２）（Ｅ）−２−メチル−２−ペンテン酸の不斉水素化
窒素置換したオートクレーブに（Ｅ）−２−メチル−２−ペンテン酸 0.377g (3.3mmol)と[RuI((R)-SO_３Na-H_８-BINAP)(p-cymene)]I 2.42mg（2.0 μmol）、及び脱気蒸留したジイソプロピルエーテル0.8 mLおよび、脱気蒸留水3 mLを加え、水素で置換した後、反応温度80℃、水素圧2.5 MPaで３時間撹拌した。反応後、実施例８と同様に処理して粗製の（Ｒ）−２−メチルペンタン酸0.35ｇを得た。転化率100％、選択率99.6％、光学純度94.4％ee。

（実施例１３）（Ｅ）−２−メチル−２−ヘキセン酸の不斉水素化
窒素置換したオートクレーブに（Ｅ）−２−メチル−２−ヘキセン酸 0.423ｇ（3.3mmol）と[RuI((R)-SO_３Na-H_８-BINAP)(p-cymene)]I 2.42 mg（1.7 μmol）及び脱気蒸留した塩化メチレン0.8 mLおよび、脱気蒸留水3 mLを加え、水素置換した後、反応温度80℃、水素圧2.5 MPaで３時間撹拌した。反応後、実施例９と同様に処理して粗製の（Ｒ）−２−メチルヘキサン酸0.41ｇを得た。転化率99.6％、選択率99.2％、光学純度93.1％ee。

香料、医薬、農薬、液晶等の広範囲に亙る有機化合物の立体選択的な製造を可能にする不斉合成は、産業上極めて重要となってきている。本発明は、不斉合成のための遷移金属錯体、それを用いた不斉合成用の触媒、そのためのホスフィン化合物等を提供するものであり、産業上の極めて有用なものである。
本発明の遷移金属錯体からなる触媒は水溶性であることから、反応後の分離回収が容易であり、触媒のリサイクルが可能であるばかりでなく、不斉合成反応を水系溶媒中で行えるので、環境に負荷のかかる溶媒の使用量及び廃棄量を低減することも可能であり、産業上極めて有利な触媒を提供するものである。
したがって、本発明は、産業上の利用可能性を有するものである。

Claims

一般式（１）

（式中、Ｘ^１は酸素原子又はメチレン基を表し、Ｘ^２はメチレン基、エチレン基、トリメチレン基、１，２−ジメチルエチレン基、イソプロピリデン（ジメチルメチレン）基又はジフルオロメチレン基を表す。Ａは周期表ＩＡ族のアルカリ金属、水素原子又はアンモニウムイオンを表し、ａ、ｂ、ｃ及びｄは０又は１の整数を表すが、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄは０ではない。）
で表されるホスフィン化合物。
光学活性体である請求項１記載のホスフィン化合物。
請求項２に記載のホスフィン化合物を配位子とするルテニウム錯体。
炭素−炭素二重結合を有するカルボン酸化合物の不斉水素化を、請求項３に記載のルテニウム錯体の存在下で行う光学活性カルボン酸の製造方法。
ルテニウム錯体が不斉水素化反応の反応系内で生成される請求項４に記載の製造方法。
反応終了後に得られる反応液よりルテニウム錯体を水溶液として回収し、この水溶液を反応系にリサイクルする請求項４又は請求項５に記載の製造方法。
炭素−炭素二重結合を有するカルボン酸化合物が、一般式（２）

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は水素原子、直鎖又は分岐あるいは環状のアルキル基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい複素環基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、フリルオキシ、チエニルオキシ等を表すか、Ｒ^１とＲ^２又はＲ^１とＲ^３とで二価基−（ＣＨ_２）_ｍ−Ｘ^３−（ＣＨ_２）_ｎ−（Ｘ^３はメチレン基、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子を表す。ｍは１又は２を表し、ｎは０〜３の整数を表す。）を形成してもよい。ただし、Ｒ^１とＲ^２は同じ基になることは無く、Ｒ^１とＲ^３は同時に水素原子になることは無い。）
で表される化合物であり、光学活性カルボン酸が下記一般式（３）

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は前記と同じ意味を表し、＊は一方または両方が不斉炭素を表す。）
で表される化合物である請求項４〜請求項６の何れかに記載の製造方法。