JP4683882B2 - ピラン誘導体とその製造方法、並びにピラン誘導体を用いた発光素子及び発光装置。 - Google Patents

Description

本発明はピラン誘導体に関し、特に長波長の発光を呈するピラン誘導体に関する。またそのピラン誘導体の製造方法、並びにそのピラン誘導体を用いた発光素子に関する。

エレクトロルミネッセンス素子（発光素子）からの発光を利用した発光装置は、表示用や照明用として注目されている装置である。

近年、発光装置の開発分野では、テレビ受像機やカーナビゲーションを初めとする各種情報処理機器の表示用装置等としての市場を得るべく、高品質なフルカラー表示画像を提供できる発光装置の研究開発が盛んに行われている。

ところで発光装置において、フルカラーの表示画像を得るためには、少なくとも赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の三原色の発光を呈する領域を独立に設け、適切かつ妥当なタイミングで各々の領域を発光させることが必要である。

これまでに前記領域を形成するための様々な方法が開発されている。その一つに、発光色の異なる発光性化合物からなる層を各々異なる部位に形成し、各々の層を含む発光素子を独立して設け、前記領域を形成する方法がある。

このような方法を用いる場合、発光色ごとに適した発光性化合物を選択する必要がある。そのため、これ迄に様々な発光波長を呈する発光性化合物が開発されてきた。

例えば、赤色系発光を呈する材料としては特許文献１に示されているようなピラン誘導体が開発されている。この他、特許文献２に記載されているようなＢｉｓ構造の４Ｈ−ピラン誘導体等も開発されている。一般に、発光性化合物の分子構造に立体的に大きなアルキル基を導入することにより、長波長の発光を得ることが知られており、特許文献１や特許文献２に示されているピラン誘導体も立体的に大きなアルキル基を導入することで、長波長の発光を達成している。

しかし、長波長の発光を呈する発光性化合物（主に赤色発光の発光性化合物）はキャリア輸送性が低く、そのため該発光性化合物を含む発光素子の駆動電圧が増加してしまう傾向があった（非特許文献１）。また、該発光性化合物の真空蒸着による成膜が困難になる場合もあった。
特許第２８１４４３５号公報（７頁） 特開２００１−１９９４６ 佐藤佳晴、応用物理学会 有機分子・バイオエレクトロニクス分科会 会誌、Ｖｏｌ．１１、Ｎｏ．１（２０００）、８６−９９

本発明では、キャリア輸送性が高く、また長波長の発光を呈することのできる発光性化合物を提供することを課題とする。また、前記発光性化合物を収率良く製造する方法についても提供することを課題とする。また、前記発光性化合物を用いることにより、発光に係る駆動電圧を低電圧化した発光素子を提供することを課題とする。

本発明のピラン誘導体は、下記一般式（１）、（２）、（６）、（１０）、構造式（１８）〜（２３）のいずれか一で表されるものである。

下記一般式（１）で表されるピラン誘導体。

（式中、Ａ¹およびＡ²は、それぞれ共役している炭素数が６〜１６のπ共役系置換基を表す。またＸ¹は、ジアルキルアミノ基を表す。またＹ¹は、ジアリールアミノ基、またはアルキルアリールアミノ基を表す。）

下記一般式（２）で表されるピラン誘導体。

（式中、Ｘ²は下記一般式（３）で表され、Ｙ²は下記一般式（４）または（５）で表される。）

（式中、Ａｒ¹は、炭素数６〜１４のアリール基を表す。Ｒ¹とＲ²とは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数１〜４のアルキル基を表す。）

（式中、Ａｒ²は、炭素数６〜１４のアリール基を表す。Ａｒ³とＡｒ⁴とは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、置換基を有するまたは無置換のアリール基または複素環残基を表す。また、Ａｒ²とＡｒ³、Ａｒ³とＡｒ⁴とは直接結合していてもよいし、若しくは−Ｏ−または−Ｓ−を介して結合していてもよい。）

（式中、Ａｒ⁵は、炭素数６〜１４のアリール基を表す。Ａｒ⁶は、置換基を有するまたは無置換のアリール基を表す。また、Ａｒ⁵とＡｒ⁶とは直接結合していてもよいし、若しくは−Ｏ−または−Ｓ−を介して結合していてもよい。Ｒ³は、炭素数１〜４のアルキル基、または水素原子を表す。）

下記一般式（６）で表されるピラン誘導体。

（式中、Ｘ³は下記一般式（７）で表され、Ｙ³は下記一般式（８）または（９）で表される。）

（式中、Ｒ⁴とＲ⁵とは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数１〜４のアルキル基を表す。また、Ｒ⁶とＲ⁷とは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数１〜４のアルキル基、または水素原子を表す。さらにＲ⁸は、アルコキシ基、または水素原子を表す。なお、Ｒ⁴とＲ⁷、Ｒ⁵とＲ⁶とは、それぞれ互いに結合し、ジュロリジン骨格を形成してもよい。）

（式中、Ａｒ⁷とＡｒ⁸とは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、置換基を有するまたは無置換のアリール基または複素環残基を表す。また、フェニル基の３位の炭素はＡｒ⁷と直接結合していてもよい。さらに、Ａｒ⁷とＡｒ⁸とは直接結合していてもよいし、若しくは−Ｏ−または−Ｓ−を介して結合していてもよい。なお、フェニル基に付したアラビア数字は炭素原子の位置番号を表す。）

（式中、Ａｒ⁹は、置換基を有するまたは無置換のアリール基を表す。また、フェニル基の３位の炭素はＡｒ⁹と直接結合していてもよい。Ｒ⁹は、炭素数１〜４のアルキル基、または水素原子を表す。なお、フェニル基に付したアラビア数字は炭素原子の位置番号を表す。）

下記一般式（１０）で表されるピラン誘導体。

（式中、Ｘ⁴は下記一般式（１１）または（１２）で表され、Ｙ⁴は下記一般式（１３）〜（１７）のいずれか一で表される。）

（式中、Ｒ¹⁰とＲ¹¹とは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数１〜４のアルキル基を表す。またＲ¹²は、炭素数１〜６のアルコキシ基、または水素原子を表す。）

（式中、Ｒ¹³〜Ｒ¹⁶は、炭素数１〜４のアルキル基、または水素原子を表す。またＲ¹⁷は、炭素数１〜６のアルコキシ基、または水素原子を表す。）

（式中、Ｚは、酸素原子（Ｏ）または硫黄原子（Ｓ）を表す。）

（式中、Ｒ¹⁸は、炭素数１〜４のアルキル基または水素原子を表す。）

（式中、Ａｒ¹⁰は、炭素数２〜１４のアリール基または複素環残基を表す。）

上記に示した本発明のピラン誘導体は、キャリア輸送性を有し、また５６０〜７００ｎｍの長波長の発光を呈するものである。これは、本発明のピラン誘導体が、アリールアミン骨格に由来するホール輸送性と、アルキルアミン骨格の強い電子供与性に由来する発光の長波長化という性質とを併せ持つためと考えられる。さらに、本発明のピラン誘導体は、該アルキルアミン骨格におけるアルキル基としてジュロリジン骨格を有するような立体的に大きなものを導入した場合においても、蒸着による成膜が容易にできるものである。これは、４Ｈ−ピランの２位（または６位）に結合している置換基にアリールアミン骨格を導入したことにより、耐熱性が向上したためと考えられる。なお、立体的に大きなアルキル基を導入することにより、より長波長の発光を得ることができる。また、発光波長が長波長になることにより、色純度のよい赤色系発光を得ることもできる。

以下に、本発明のピラン誘導体について具体的な構造式（１８）〜（５８）を示す。ただし、本発明は、必ずしもこれらに限定されるものではない。

別の発明は、本発明のピラン誘導体の製造方法である。

本発明のピラン誘導体の製造方法は、例えば下記合成スキーム（ａ）で表されるように、アルキルアミン骨格を有する４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−４Ｈ−ピランの誘導体とアリールアミン骨格を有するアリールアルデヒド体とを縮合反応させて製造することを特徴としている。

（式中、Ｙ²は、一般式（２）で記されているＹ²と同一であり、一般式（４）または（５）で表される。また、Ａｒ¹、Ｒ¹、Ｒ²も一般式（２）で記されているＡｒ¹、Ｒ¹、Ｒ²と同一である。）

上記のような合成方法を適用することにより、収率よく本発明のピラン誘導体を得ることができる。

さらに別の発明は、上記一般式（１）、（２）、（６）、（１０）構造式（１８）〜（５８）のいずれかひとつで表される本発明のピラン誘導体を用いた発光素子である。

また、発光素子としては、一対の電極間に発光物質を含む層を有する構成のものが代表例としてあげられる。しかし、これ以外の構成を有する発光素子であっても構わない。

本発明のピラン誘導体は、キャリア輸送性を有し、また５６０〜７００ｎｍの長波長の発光を呈するものであるため、発光体として用いることができる。なかでも、６００〜６６０ｎｍの発光を示すものは、色純度のよい赤色系発光を呈する発光体として適している。

本発明のピラン誘導体がキャリア輸送性を有することから、本発明のピラン誘導体を発光体として用いた発光素子においては、駆動電圧を低くすることができる。本発明のピラン誘導体は単体で発光体として用いることもできるが、本発明のピラン誘導体をゲスト材料とし、ホスト材料と組み合わせて用いるのが好ましい。これにより、長波長の発光を呈する発光素子を得ることもできる。とくに、６００〜６６０ｎｍの発光を示すピラン誘導体を用いた場合には、色純度のよい赤色系発光を呈する発光素子として用いることができる。

本発明により、キャリア輸送性が高く、長波長の発光を呈するピラン誘導体を得ることができる。また色純度のよい赤色発光を呈するピラン誘導体を得ることができる。さらに、立体的に大きなアルキル基を導入した場合においても、蒸着によって容易に成膜できるピラン誘導体を得ることができる。

本発明のピラン誘導体を用いることにより、駆動電圧が低く、長波長の発光を呈する発光素子を得ることができる。また、色純度のよい赤色系発光を呈する発光素子を得ることもできる。

さらに、本発明のピラン誘導体の製造方法を用いることにより、収率よく本発明のピラン誘導体を得ることができる。従って、本発明のピラン誘導体の製造方法により製造されたピラン誘導体を用いた発光素子、発光装置、並びに該発光装置を搭載した電子機器などにおいては、これらの製造に係る原材料費を低く抑えることができ低コスト化できる。また、色純度のよい赤色系の表示画像を得ることができる。

（実施の形態１）
本形態では、本発明のピラン誘導体を用いた発光素子の態様について図１を用いて説明する。

図１では、基板１００上に第１の電極１０１が形成され、第１の電極１０１上に発光物質を含む層１０２が作製され、その上に第２の電極１０３が形成された構造を有する。

ここで基板１００に用いる材料としては、従来の発光素子に用いられているものであればよく、例えば、ガラス、石英、透明プラスチックなどからなるものを用いることができる。

また、本実施の形態において、第１の電極１０１は陽極として機能し、第２の電極１０３は陰極として機能する。

すなわち第１の電極１０１は陽極材料で形成され、ここで用いることのできる陽極材料としては、仕事関数の大きい（仕事関数４．０ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。なお、陽極材料の具体例としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）の他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（ＴｉＮ）等を用いることができる。

一方、第２の電極１０３の形成に用いられる陰極材料としては、仕事関数の小さい（仕事関数３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の１族または２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ）が挙げられる。しかしながら、第２の電極１０３と発光層との間に、電子注入を促す機能を有する層を当該第２の電極と積層して設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ等様々な導電性材料を第２の電極１０３として用いることができる。

なお、電子注入を促す機能を有する層としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ₂）等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属の化合物を用いることができる。また、この他、電子輸送性を有する材料中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含有させたもの、例えばＡｌｑ₃中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いることができる。

なお、上述した陽極材料及び陰極材料は、蒸着法、スパッタリング法等により薄膜を形成することにより、それぞれ第１の電極１０１及び第２の電極１０３を形成する。

また、本発明の発光素子において、発光物質を含む層１０２におけるキャリアの再結合により生じる光は、第１の電極１０１または第２の電極１０３の一方、または両方から外部に出射される構成となる。すなわち、第１の電極１０１から光を出射させる場合には、第１の電極１０１を透光性の材料で形成することとし、第２の電極１０３側から光を出射させる場合には、第２の電極１０３を透光性の材料で形成することとする。

また、発光物質を含む層１０２は複数の層を積層することにより形成されるが、本実施の形態では、ホール注入層１１１、ホール輸送層１１２、発光層１１３、および電子輸送層１１４を積層することにより形成される。

ホール注入層１１１を形成するホール注入材料としては、フタロシアニン系の化合物が有効である。例えば、フタロシアニン（略称：Ｈ₂Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等を用いることができる。

ホール輸送層１１２を形成するホール輸送材料としては、芳香族アミン系（すなわち、ベンゼン環−窒素の結合を有するもの）の化合物が好適である。広く用いられている材料として、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ
−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称：ＴＰＤ）の他、その誘導体である４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル（略称
：α−ＮＰＤ）、あるいは４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミ
ノ）−トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ
−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）などのスターバースト型芳香族アミン化合物が挙げられる。

発光層１１３は、上記一般式（１）、（２）、（６）、（１０）構造式（１８）〜（５８）のいずれかひとつで表される本発明のピラン誘導体を含む層である。発光層１１３は、本発明のピラン誘導体をゲスト材料としホスト材料と共蒸着することにより形成してもよいし、若しくは本発明のピラン誘導体を単独で蒸着して形成してもよい。

なお、上記ホスト材料としては、上記ホール輸送材料や下記電子輸送材料の他、４，４’−ビス（Ｎ−カルバゾリル）−ビフェニル（略称：ＣＢＰ）や、２，２’
，２”−（１，３，５−ベンゼントリ−イル）−トリス［１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール］（略称：ＴＰＢＩ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）などの公知の化合物を用いることができる。

電子輸送層１１４を形成する場合の電子輸送材料としては、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ₃）、トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ₃）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ₂）、先に述べたＢＡｌｑなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体が好適である。また、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）₂）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）₂）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体もある。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども電子輸送材料として用いることができる。

以上により、本発明のピラン誘導体からなる発光層１１３と、低分子系材料からなるホール注入層１１１、ホール輸送層１１２、および電子輸送層１１４を有する発光素子を作製することができる。なお、ホール注入層１１１、ホール輸送層１１２、および電子輸送層１１４としては、低分子系材料に限らず、高分子系材料を用いても構わない。

上記に示した発光素子は、第１の電極１０１と第２の電極１０３の間に生じた電位差により電流が流れ、発光する。

本実施の形態においては、ガラス、石英、透明プラスチックなどからなる基板１００上に発光素子を作製している。一基板上にこのような発光素子を複数作製することで、パッシブ型の発光装置を作製することができる。また、ガラス、石英、透明プラスチックなどからなる基板以外に、例えば図２に示すように、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイと接する発光素子を作製してもよい。なお、図２中、１０は基板、点線で囲まれた１１，１２はＴＦＴ、１４は第１の電極、１５は発光物質を含む層、１６は第２の電極、１７は配線を表し、第１の電極と発光物質を含む層１５と第２の電極１６とが積層した部分は発光素子１３として機能する。これにより、ＴＦＴによって発光素子の駆動を制御するアクティブマトリクス型の発光装置を作製できる。なお、ＴＦＴの構造は、特に限定されない。

さらに、本発明の発光素子によって複数の色からなる表示画像を得たい場合には、マスクや隔壁層（またはバンクともいう。）などを利用し、本発明の有機化合物を発光物質として含む層を、発光色の異なるものごとにそれぞれ分離して形成すればよい。この場合、各発光色を呈する発光物質を含む層ごとに、異なる積層構造を有しても構わない。

また、発光物質を含む層１０２の構造は、上記のものに限定されるものではなく、上記とは異なる積層構造を有する発光物質を含む層としてもよい。例えば、発光層以外に、電子注入層、電子輸送層、正孔阻止層、正孔輸送層、正孔注入層等の層を自由に組み合わせて設け、正孔注入層／発光層／電子輸送層、正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層、正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層、正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層、正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層等の積層構造を有する発光物質を含む層としてもよい。

本発明のピラン誘導体がキャリア輸送性を有するものであることから、本発明の発光素子においては、駆動電圧を低く抑えることができる。また、本発明のピラン誘導体が５６０〜７００ｎｍの長波長の発光を呈するものであるため、本発明の発光素子は５６０〜７００ｎｍの長波長の発光を呈する発光素子として用いることができる。また、特に６００〜６６０ｎｍの長波長の発光をするピラン誘導体を用いた場合には、色純度のよい赤色系発光を呈する発光素子として用いることもできる。

（実施の形態２）
本形態では、上記一般式（６）で表される本発明のピラン誘導体の製造方法の態様について説明する。

先ず、下記合成スキーム（ｂ−１）で表すように４−（ジシアノメチレン）−２，６−ジメチル−４Ｈ−ピランとアルキルアミン骨格を有するｐ‐（ジアルキルアミノ）ベンズアルデヒドとを縮合反応させ、アルキルアミン骨格を有する４−（ジシアノメチレン）−２−｛ｐ−（ジアルキルアミノ）スチリル｝−６−メチル−４Ｈ−ピランを合成する。次に、下記合成スキーム（ｂ−２）で表すように４−（ジシアノメチレン）−２−｛ｐ−（ジアルキルアミノ）スチリル｝−６−メチル−４Ｈ−ピランと、アリールアミン骨格を有するｐ−（ジアリールアミノ）ベンズアルデヒドとを縮合させ、４−（ジシアノメチレン）−２−｛ｐ−（ジアルキルアミノ）スチリル｝−６−｛ｐ−（ジアリールアミノ）スチリル｝−４Ｈ−ピランを合成する。

式中、Ｒ²¹とＲ²²とは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ａｒ²¹とＡｒ²²とは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、置換基を有するまたは無置換のアリール基を表す。また、Ａｒ²¹とＡｒ²²とは直接結合していてもよいし、若しくは−Ｏ−または−Ｓ−を介して結合していてもよい。

上記合成スキーム（ｂ−１）、（ｂ−２）で表されるように、アルキルアミン骨格を有する４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−４Ｈ−ピランの誘導体とアリールアミン骨格を有するアリールアルデヒド体とを縮合反応させて製造することにより、収率よく本発明のピラン誘導体を製造できる。

なお、アルキルアミン骨格を有するベンズアルデヒド体としては、ｐ−（ジメチルアミノ）ベンズアルデヒドや、ｐ−（ジエチルアミノ）ベンズアルデヒド、ジュロリジン−９−カルバルデヒド、８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−９−カルバルデヒド等を用いることができる。また、アリールアミン骨格を有するアリールアルデヒド体としては、ｐ−（ジフェニルアミノ）ベンズアルデヒドや、ｐ−（Ｎ−カルバゾリル）ベンズアルデヒド、ｐ−｛（１‐ナフチル）メチルアミノ｝ベンズアルデヒド等を用いることができる。

また、アルキルアミン骨格を有するジシアノメチレン−４Ｈ−ピランの誘導体は、上記合成スキーム（ｂ−１）で表されるような方法で合成したものを用いてもよいし、または下記構造式（５９）、（６０）、（６１）、（６２）で表されるような公知の４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−４Ｈ−ピランの誘導体を用いてもよい。

また、アリールアミン骨格を有するベンズアルデヒド体としては、合成スキーム（ｂ−１）に示すようなジアリールアミノ基を有するものでもよいし、若しくは下記一般式（６３）で表されるようなアルキルアリールアミノ基を有するｐ−（アルキルアリールアミノ）ベンズアルデヒドでもよい。この場合、４−（ジシアノメチレン）−２−｛ｐ−（ジアルキルアミノ）スチリル｝−６−｛ｐ−（アルキルアリールアミノ）スチリル｝−４Ｈ−ピランが合成される。

（式中、Ａｒ²³は、置換基を有するまたは無置換のアリール基を表す。Ｒ²³は、炭素数１〜４のアルキル基、または水素原子を表す。）

なお、本発明のピラン誘導体は、下記合成スキーム（ｃ−１）および（ｃ−２）で表されるように、アリールアミン骨格を有する４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−４Ｈ−ピランの誘導体を合成した後、アルキルアミン骨格を有するベンズアルデヒド体と縮合反応させる方法により製造することも可能である。しかし、合成スキーム（ｃ−１）で表されるアリールアミン骨格を有する４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−４Ｈ−ピランの誘導体の合成収率は、合成スキーム（ｂ−１）で表されるアルキルアミン骨格を有する４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−４Ｈ−ピランの誘導体の合成収率よりも低い。このため、上記合成スキーム（ｂ−２）で表されるような過程を経て製造することが好ましい。

なお、合成スキーム（ｃ−１）及び（ｃ−２）で表される記号は、合成スキーム（ｂ−１）および（ｂ−２）で記したものと同一である。

（合成例１）
構造式（１８）で表される４−（ジシアノメチレン）−２−｛ｐ−（ジメチルアミノ）スチリル｝−６−｛ｐ−（ジフェニルアミノ）スチリル｝−４Ｈ−ピランの合成方法について説明する。

５０ｍｌ三口フラスコに、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−｛ｐ−（ジメチルアミノ）スチリル｝−４Ｈ−ピラン３０５ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）と、ｐ−（ジフェニルアミノ）ベンズアルデヒド２０８ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）とを入れ、系内を窒素気流下にした後、脱水アセトニトリル１０ｍｌとピペリジン数滴を加えた。反応終了まで９時間加熱還流した後に、反応溶液を室温まで冷まし、生じた固体を回収した。回収した固体を、酢酸エチル、ヘキサンにより再結晶し、赤色粉末状固体３５４ｍｇを得た（収率６０％）。核磁気共鳴法（¹Ｈ−ＮＭＲ）によって、この赤色粉末状固体が４−（ジシアノメチレン）−２−｛ｐ−（ジメチルアミノ）スチリル｝−６−｛ｐ−（ジフェニルアミノ）スチリル｝−４Ｈ−ピランであることを確認した。
この化合物の¹Ｈ−ＮＭＲは次のようであった。
¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ， ＣＤＣｌ₃） ｄ ｐｐｍ： ７．４７−７．４０（ｍ， ６Ｈ）， ７．３１（ｔ， ４Ｈ， Ｊ＝７．８Ｈｚ）， ７．１７−７．０３（ｍ， ８Ｈ）， ６．７２（ｄ， ２Ｈ， Ｊ＝８．７Ｈｚ）， ６．６１−６．５５（ｍ， ３Ｈ）， ６．５１（ｄ， １Ｈ， Ｊ＝１５．９Ｈｚ）， ３．０６（ｓ， ６Ｈ）

また、４−（ジシアノメチレン）−２−｛ｐ−（ジメチルアミノ）スチリル｝−６−｛ｐ−（ジフェニルアミノ）スチリル｝−４Ｈ−ピランのジクロロメタン溶液中における吸収・発光スペクトルを図３に示す。ジクロロメタン溶液中では６３６ｎｍにピークを有する赤色系発光であった。

（合成例２）
構造式（１９）で表される４−（ジシアノメチレン）−２−（９−ジュロリジン−イル）エチニル−６−｛ｐ−（ジフェニルアミノ）スチリル｝−４Ｈ−ピランの合成方法について説明する。

５０ｍｌ三口フラスコに、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（９−ジュロリジン−イル）エチニル−４Ｈ−ピラン５１４ｍｇ（１．４ｍｍｏｌ）と、ｐ−（ジフェニルアミノ）ベンズアルデヒド３８９ｍｇ（１．４ｍｍｏｌ）とを入れ、系内を窒素気流下にした後、脱水アセトニトリル１０ｍｌとピペリジン数滴を加えた。反応終了まで９時間加熱還流した後に、反応溶液を室温まで冷まし、生じた固体を回収した。回収した固体を、酢酸エチル、ヘキサンにより再結晶し、黒色粉末状固体７２４ｍｇを得た（収率８２％）。核磁気共鳴法（¹Ｈ−ＮＭＲ）によって、この黒色粉末状固体が４−（ジシアノメチレン）−２−（９−ジュロリジン−イル）エチニル−６−｛ｐ−（ジフェニルアミノ）スチリル｝−４Ｈ−ピランであることを確認した。
この化合物の¹Ｈ−ＮＭＲは次のようであった。
¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ， ＣＤＣｌ₃） ｄ ｐｐｍ： ７．４３−７．２６（ｍ， ８Ｈ）， ７．１５−７．００（ｍ， １０Ｈ）， ６．５８−６．３８（ｍ， ４Ｈ）， ３．２７−３．２３（ｍ， ４Ｈ）， ２．７７−２．７３（ｍ， ４Ｈ）， ２．００−１．９４（ｍ， ４Ｈ）

また、４−（ジシアノメチレン）−２−（９−ジュロリジン−イル）エチニル−６−｛ｐ−（ジフェニルアミノ）スチリル｝−４Ｈ−ピランのジクロロメタン溶液中における吸収・発光スペクトルを図４に示す。ジクロロメタン溶液中では６２９ｎｍにピークを有する赤色系発光であった。

（合成例３）
構造式（２０）で表される４−（ジシアノメチレン）−２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−イル）エチニル−６−｛ｐ−（ジフェニルアミノ）スチリル｝−４Ｈ−ピランの合成方法について説明する。

５０ｍｌ三口フラスコに、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（８−メトキシー１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−イル）エチニル−４Ｈ−ピラン１９４ｍｇ（０．４４ｍｍｏｌ）と、ジフェニルアミノベンズアルデヒド１２０ｍｇ（０．４４ｍｍｏｌ）とを入れ、系内を窒素気流下にした後、脱水アセトニトリル１０ｍｌとピペリジン数滴を加えた。反応終了まで９時間加熱還流した後に、反応溶液を室温まで冷まし、生じた固体を回収した。回収した固体を、酢酸エチル、ヘキサンにより再結晶し、黒色粉末状固体１００ｍｇを得た（収率３３％）。核磁気共鳴法（¹Ｈ−ＮＭＲ）によって、この黒色粉末状固体が４−（ジシアノメチレン）−２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−イル）エチニル−６−｛ｐ−（ジフェニルアミノ）スチリル｝−４Ｈ−ピランであることを確認した。
この化合物の¹Ｈ−ＮＭＲは次のようであった。
¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ， ＣＤＣｌ₃） ｄ ｐｐｍ：７．７３（ｄ， １Ｈ， Ｊ＝１６．２Ｈｚ）， ７．４５（ｄ， １Ｈ， Ｊ＝１５．９Ｈｚ）， ７．３８（ｄ， ２Ｈ， Ｊ＝８．７Ｈｚ）， ７．３２−７．２７（ｍ， ５Ｈ）， ７．１４−７．０７（ｍ， ６Ｈ）， ７．０３（ｄ， ２Ｈ， Ｊ＝９．０Ｈｚ）， ６．６１−６．５５（ｍ， ３Ｈ）， ６．４８（ｄ， １Ｈ， Ｊ＝１５．６Ｈｚ），３．８３（ｓ， ３Ｈ）， ３．２８−３．２４（ｍ，２Ｈ）， ３．２０−３．１７（ｍ， ２Ｈ）， １．７４−１．７０（ｍ， ４Ｈ）， １．４１（ｓ， ６Ｈ）， １．３０（ｓ， ６Ｈ）

また、４−（ジシアノメチレン）−２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−イル）エチニル−６−｛ｐ−（ジフェニルアミノ）スチリル｝−４Ｈ−ピランのジクロロメタン溶液中における吸収・発光スペクトルを図５に示す。ジクロロメタン溶液中では６５４ｎｍにピークを有する赤色系発光であった。

（合成例４）
構造式（２１）で表される４−（ジシアノメチレン）−２−｛ｐ−（ジメチルアミノ）スチリル｝−６−｛ｐ−（Ｎ−カルバゾリル）スチリル｝−４Ｈ−ピランの合成方法について説明する。

５０ｍｌ三口フラスコに、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−｛ｐ−（ジメチルアミノ）スチリル｝−４Ｈ−ピラン３１１ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）と、ｐ−（ジフェニルアミノ）ベンズアルデヒド２８１ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）とを入れ、系内を窒素気流下にした後、脱水アセトニトリル１０ｍｌとピペリジン数滴を加えた。反応終了まで９時間加熱還流した後に、反応溶液を室温まで冷まし、生じた固体を回収した。回収した固体を、酢酸エチル、ヘキサンにより再結晶化し、赤色粉末状固体３６０ｍｇを得た（収率６２％）。核磁気共鳴法（¹Ｈ−ＮＭＲ）によって、この赤色粉末状固体が４−（ジシアノメチレン）−２−｛ｐ−（ジメチルアミノ）スチリル｝−６−｛ｐ−（Ｎ−カルバゾリル）スチリル｝−４Ｈ−ピランであることを確認した。
この化合物の¹Ｈ−ＮＭＲは次のようであった。
¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ， ＣＤＣｌ₃） ｄ ｐｐｍ：８．１４（ｄ， ２Ｈ， Ｊ＝７．２Ｈｚ）， ７．８０（ｄ， ２Ｈ， Ｊ＝８．７Ｈｚ）， ７．６７（ｄ， ２Ｈ， Ｊ＝８．７Ｈｚ）， ７．６１−７．２８（ｍ， １２Ｈ）， ６．８５−６．５２（ｍ， ４Ｈ）， ３．０６（ｓ， ６Ｈ）

また、４−（ジシアノメチレン）−２−｛ｐ−（ジメチルアミノ）スチリル｝−６−｛ｐ−（Ｎ−カルバゾリル）スチリル｝−４Ｈ−ピランのジクロロメタン溶液中における吸収・発光スペクトルを図６に示す。ジクロロメタン溶液中では６３２ｎｍにピークを有する赤色系発光であった。

（合成例５）
構造式（２２）で表される４−（ジシアノメチレン）−２−（９−ジュロリジン−イル）エチニル−６−｛ｐ−（Ｎ−カルバゾリル）スチリル｝−４Ｈ−ピランの合成方法について説明する。

５０ｍｌ三口フラスコに、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（９−ジュロリジン−イル）エチニル−４Ｈ−ピラン５０４ｍｇ（１．４ｍｍｏｌ）と、ｐ−（ジフェニルアミノ）ベンズアルデヒド３８２ｍｇ（１．４ｍｍｏｌ）とを入れ、系内を窒素気流下にした後、脱水アセトニトリル１０ｍｌとピペリジン数滴を加えた。反応終了まで９時間加熱還流した後に、反応溶液を室温まで冷まし、生じた固体を回収した。回収した固体を、酢酸エチル、ヘキサンにより再結晶し、赤色粉末状固体２５４ｍｇを得た（収率３０％）。核磁気共鳴法（¹Ｈ−ＮＭＲ）によって、この赤色粉末状固体が４−（ジシアノメチレン）−２−（９−ジュロリジン−イル）エチニル−６−｛ｐ−（Ｎ−カルバゾリル）スチリル｝−４Ｈ−ピランであｓることを確認した。
この化合物の１Ｈ−ＮＭＲは次のようであった。
¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ， ＣＤＣｌ₃） ｄ ｐｐｍ：８．１４（ｄ， ２Ｈ， Ｊ＝７．２Ｈｚ）， ７．８０（ｄ， ２Ｈ， Ｊ＝８．１Ｈｚ）， ７．６６（ｄ， ２Ｈ， Ｊ＝８．７Ｈｚ）， ７．５７（ｄ， １Ｈ， Ｊ＝１６．２Ｈｚ）， ７．４９−７．２８（ｍ， ７Ｈ）， ７．０５（ｓ， ２Ｈ）， ６．８１（ｄ， １Ｈ， Ｊ＝１６．２Ｈｚ）， ６．８４−６．３９（ｍ， ３Ｈ）， ３．２７−３．２３（ｍ， ４Ｈ）， ２．７７−２．７３（ｍ， ４Ｈ）， ２．００−１．９４（ｍ， ４Ｈ）

また、４−（ジシアノメチレン）−２−（９−ジュロリジン−イル）エチニル−６−｛ｐ−（Ｎ−カルバゾリル）スチリル｝−４Ｈ−ピランのジクロロメタン溶液中における吸収・発光スペクトルを図７に示す。ジクロロメタン溶液中では６２３ｎｍにピークを有する赤色系発光であった。

本実施例では、構造式（１８）で表される本発明のピラン誘導体、４−（ジシアノメチレン）−２−｛ｐ−（ジメチルアミノ）スチリル｝−６−｛ｐ−（ジフェニルアミノ）スチリル｝−４Ｈ−ピランを含む本発明の発光素子およびその素子特性について説明する。

ガラス基板上にスパッタ法によりＩＴＯを成膜した後、ＩＴＯの上に銅フタロシアニンとα−ＮＰＢとを順に真空蒸着法によって成膜した。膜厚は、それぞれ２０ｎｍ、４０ｎｍである。さらにα−ＮＰＢの上に、構造式（１８）で表される本発明のピラン誘導体を１．０ｗｔ％含むＡｌｑ₃を共蒸着によって３０ｎｍの膜厚で成膜した。このＡｌｑ₃の上に、さらにＡｌｑ₃を２０ｎｍで成膜した後、ＣａＦ₂と、アルミニウムとを順に成膜し、本発明の発光素子を作製した。

上記のようにして作製した本発明の発光素子の電流−電圧特性（Ｉ−Ｖ）を図８（Ａ）に、輝度−電圧（Ｌ−Ｖ）特性を図８（Ｂ）に示す。また、約１００ｃｄ／ｍ²時のＣＩＥ色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．６１４，０．３７３）であり、赤色系の発光であった。なお、この素子の発光スペクトルを図９に示す。

本実施例では、構造式（２０）で表される本発明のピラン誘導体、４−（ジシアノメチレン）−２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−イル）エチニル−６−｛ｐ−（ジフェニルアミノ）スチリル｝−４Ｈ−ピランを含む本発明の発光素子およびその素子特性について説明する。

ガラス基板上にスパッタ法によりＩＴＯを成膜した後、ＩＴＯの上に銅フタロシアニンとα−ＮＰＢとを順に真空蒸着法によって成膜した。膜厚は、それぞれ２０ｎｍ、４０ｎｍである。さらにα−ＮＰＢの上に、構造式（２０）で表される本発明のピラン誘導体を１．０ｗｔ％含むＡｌｑ₃を共蒸着によって３０ｎｍの膜厚で成膜した。このＡｌｑ₃の上に、さらにＡｌｑ₃を２０ｎｍで成膜した後、ＣａＦ₂と、アルミニウムとを順に成膜し、本発明の発光素子を作製した。

上記のようにして作製した本発明の発光素子の電流−電圧特性（Ｉ−Ｖ）を図８（Ａ）に、輝度−電圧（Ｌ−Ｖ）特性を図８（Ｂ）に示す。また、約１００ｃｄ／ｍ²時のＣＩＥ色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．６０８，０．３８０）であり、赤色系の発光であった。なお、この素子の発光スペクトルを図９に示す。

（比較例１）
本発明の発光素子との比較例として、Ｂｉｓ構造のピラン誘導体のひとつである４−（ジシアノメチレン）−２，６−ビス｛ｐ−（ジメチルアミノ）スチリル｝−４Ｈ−ピラン（ＢｉｓＤＣＭ）を含む発光素子およびその素子特性について説明する。なお、素子構造は実施例２および実施例３と同様である。

なお本比較例における発光素子は次のようにして作製した。先ず、ガラス基板上にスパッタ法によりＩＴＯを成膜した後、ＩＴＯの上に銅フタロシアニンとα−ＮＰＢとを順に真空蒸着法によって成膜した。膜厚は、それぞれ２０ｎｍ、４０ｎｍである。さらにα−ＮＰＢの上に、ＢｉｓＤＣＭを１．０ｗｔ％含むＡｌｑ₃を共蒸着によって３０ｎｍの膜厚で成膜した。このＡｌｑ₃の上に、さらにＡｌｑ₃を２０ｎｍで成膜した後、ＣａＦ₂と、アルミニウムとを順に成膜し、本発明の発光素子を作製した。

上記のようにして作製した発光素子の電流−電圧特性（Ｉ−Ｖ）を図８（Ａ）に、輝度−電圧（Ｌ−Ｖ）特性を図８（Ｂ）に示す。また、約１００ｃｄ／ｍ²時のＣＩＥ色度座標は（ｘ，ｙ）＝（０．６３７，０．３５２）であり、赤色系の発光であった。なお、この素子の発光スペクトルを図９に示す。

図８（Ａ）より、実施例２および実施例３の発光素子の方が比較例１の発光素子よりも同一電圧印加時における電流値が高いことが分かる。つまり、本発明のピラン誘導体がキャリア輸送性の高いものであることを示している。また、図８（Ｂ）より、実施例２および実施例３の発光素子の方が比較例１の発光素子よりも同一輝度の発光を得るのに必要な電圧が低く、低駆動電圧化していることがわかる。さらに、図９より、実施例２および実施例３のいずれにおいても、比較例１の発光素子と同程度の長波長の発光が得られていることがわかる。

本実施例では、画素部に本発明の発光素子を有する発光装置について図１０を用いて説明する。なお、図１０（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図である。点線で示された４０１は駆動回路部（ソース側駆動回路）、４０２は画素部、４０３は駆動回路部（ゲート側駆動回路）である。また、４０４は封止基板、４０５はシール材であり、シール材４０５で囲まれた内側は、空間４０７になっている。

なお、引き回し配線４０８はソース側駆動回路部４０１及びゲート側駆動回路部４０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）４０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、このＦＰＣにはプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられていてもよい。本実施例における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。

次に、断面構造について図１０（Ｂ）を用いて説明する。素子基板４１０上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路部４０１と、画素部４０２が示されている。

なお、ソース側駆動回路部４０１はｎチャネル型ＴＦＴ４２３とｐチャネル型ＴＦＴ４２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路を形成するＴＦＴは、公知のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に形成することもできる。

また、画素部４０２はスイッチング用ＴＦＴ４１１と、電流制御用ＴＦＴ４１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極４１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極４１３の端部を覆って絶縁物４１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。

また、カバレッジを良好なものとするため、絶縁物４１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物４１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物４１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物４１４として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。

第１の電極４１３上には、発光物質を含む層４１６、および第２の電極４１７がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第１の電極４１３に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）膜、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。

また、発光物質を含む層４１６は、蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法によって形成される。発光物質を含む層４１６には、本発明のピラン誘導体をその一部に用いることとする。その他、発光物質を含む層４１６に、用いることのできる材料としては、低分子系材料であっても高分子系材料であってもよい。また、発光物質を含む層４１６に用いる材料としては、通常、有機化合物を単層もしくは積層で用いる場合が多いが、本実施例においては、有機化合物からなる膜の一部に無機化合物を用いる構成も含めることとする。

なお、複数の色からなる表示画像を得たい場合には、マスクや隔壁層などを利用し、本発明のピラン誘導体を発光物質として含む層を、発光色の異なるものごとにそれぞれ分離して形成すればよい。この場合、各発光色を呈する発光物質を含む層ごとに、異なる積層構造を有しても構わない。

さらに、発光物質を含む層４１６上に形成される第２の電極（陰極）４１７に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、Ａｌ−Ｌｉ、ＣａＦ₂、またはＣａＮ）を用いればよい。なお、発光物質を含む層４１６で生じた光が第２の電極４１７を透過させる場合には、第２の電極（陰極）４１７として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ₂Ｏ₃―ＺｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのがよい。

さらにシール材４０５で封止基板４０４を素子基板４１０と貼り合わせることにより、素子基板４１０、封止基板４０４、およびシール材４０５で囲まれた空間４０７に発光素子４１８が備えられた構造になっている。なお、空間４０７には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材４０５で充填される構成も含むものとする。

なお、シール材４０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板４０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。

以上のようにして、本発明の発光素子を有する発光装置を得ることができる。

本実施例では、本発明を適用した電子機器について、図１１を用いて説明する。

図１１（Ａ）は表示装置であり、筐体５５０１、支持台５５０２、表示部５５０３を含む。実施例４に示した発光装置を表示部５５０３に組み込むことで表示装置を完成できる。

図１１（Ｂ）はビデオカメラであり、本体５５１１、表示部５５１２、音声入力５５１３、操作スイッチ５５１４、バッテリー５５１５、受像部５５１６などによって構成されている。実施例４に示した発光装置を表示部５５１２に組み込むことでビデオカメラを完成できる。本発明の発光装置を組み込むことにより駆動電圧を低くすることができ、低消費電力化を図ることができる。

図１１（Ｃ）は、本発明を適用して作製したノート型のパーソナルコンピュータであり、本体５５２１、筐体５５２２、表示部５５２３、キーボード５５２４などによって構成されている。実施例４に示した発光装置を表示部５５２３に組み込むことでパーソナルコンピュータを完成できる。本発明の発光装置を組み込むことにより駆動電圧を低くすることができ、低消費電力化を図ることができる。

図１１（Ｄ）は、本発明を適用して作製した携帯情報端末（ＰＤＡ）であり、本体５５３１には表示部５５３３と、外部インターフェイス５５３５と、操作ボタン５５３４等が設けられている。また操作用の付属品としてスタイラス５５３２がある。実施例４に示した発光装置を表示部５５３３に組み込むことで携帯情報端末（ＰＤＡ）を完成できる。本発明の発光装置を組み込むことにより駆動電圧を低くすることができ、低消費電力化を図ることができる。

図１１（Ｅ）はデジタルカメラであり、本体５５５１、表示部（Ａ）５５５２、接眼部５５５３、操作スイッチ５５５４、表示部（Ｂ）５５５５、バッテリー５５５６などによって構成されている。実施例４に示した発光装置を表示部（Ａ）５５５２または表示部（Ｂ）５５５５に組み込むことでデジタルビデオカメラを完成できる。本発明の発光装置を組み込むことにより駆動電圧を低くすることができ、低消費電力化を図ることができる。

図１１（Ｆ）は、本発明を適用して作製した携帯電話である。本体５５６１には表示部５５６４と、音声出力部５５６２、音声入力部５５６３、操作スイッチ５５６５、アンテナ５５６６が設けられている。実施例４に示した発光装置を表示部５５６４に組み込むことで携帯電話を完成できる。本発明の発光装置を組み込むことにより駆動電圧を低くすることができ、低消費電力化を図ることができる。

本発明の発光素子を有する発光装置は上記に述べた電子機器に限らず、他の電子機器、情報処理機器、家庭用電化製品、照明機器等のあらゆる分野に適用することができる。

本発明の発光素子の態様について説明する図。 本発明の発光素子有する発光装置の態様について説明する図。 本発明のピラン誘導体の発光・吸収スペクトル図。 本発明のピラン誘導体の発光・吸収スペクトル図。 本発明のピラン誘導体の発光・吸収スペクトル図。 本発明のピラン誘導体の発光・吸収スペクトル図。 本発明のピラン誘導体の発光・吸収スペクトル図。 本発明および比較例のピラン誘導体を含む発光素子の電流−電圧特性図と輝度−電圧特性図。 本発明および比較例のピラン誘導体を含む発光素子の発光スペクトル図。 本発明を適用した発光装置について説明する図。 本発明を適用した電子機器について説明する図。

符号の説明

１０ 基板
１１ ＴＦＴ
１２ ＴＦＴ
１３ 発光素子
１４ 第１の電極
１５ 発光物質を含む層
１６ 第２の電極
１７ 配線
１００ 基板
１０１ 第１の電極
１０２ 発光物質を含む層
１０３ 第２の電極
１１１ ホール注入層
１１２ ホール輸送層
１１３ 発光層
１１４ 電子輸送層
４０１ 駆動回路部
４０２ 画素部
４０３ 駆動回路部
４０４ 封止基板
４０５ シール材
４０７ 空間
４０８ 引き回し配線
４０９ ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
４１０ 素子基板
４１１ スイッチング用ＴＦＴ
４１２ 電流制御用ＴＦＴ
４１３ 第１の電極
４１４ 絶縁物
４１６ 発光物質を含む層
４１７ 第２の電極
４１８ 発光素子
４２３ ｎチャネル型ＴＦＴ
４２４ ｐチャネル型ＴＦＴ
５５０１ 筐体
５５０２ 支持台
５５０３ 表示部
５５１１ 本体
５５１２ 表示部
５５１３ 音声入力
５５１４ 操作スイッチ
５５１５ バッテリー
５５１６ 受像部
５５２１ 本体
５５２２ 筐体
５５２３ 表示部
５５２４ キーボード
５５３１ 本体
５５３２ スタイラス
５５３３ 表示部
５５３４ 操作ボタン
５５３５ 外部インターフェイス
５５５１ 本体
５５５２ 表示部（Ａ）
５５５３ 接眼部
５５５４ 操作スイッチ
５５５５ 表示部（Ｂ）
５５５６ バッテリー
５５６１ 本体
５５６２ 音声出力部
５５６３ 音声入力部
５５６４ 表示部
５５６５ 操作スイッチ
５５６６ アンテナ

Claims (15)

1. 一般式（６）で表されるピラン誘導体。
   

   

   （式中、Ｘ³は一般式（７）で表され、Ｙ³は一般式（８）で表される。）
   

   

   （式中、Ｒ⁴とＲ⁵とは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数１〜４のアルキル基を表す。また、Ｒ ⁶ 、Ｒ ⁷ 及びＲ ⁸ は水素原子を表す。なお、Ｒ⁴とＲ⁷、Ｒ⁵とＲ⁶とは、それぞれ互いに結合し、ジュロリジン骨格を形成してもよい。）
   

   

   （式中、Ａｒ⁷とＡｒ⁸とは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、置換基を有するまたは無置換のアリール基を表す。なお、フェニル基に付したアラビア数字は炭素原子の位置番号を表す。）
2. 一般式（１０）で表されるピラン誘導体。
   

   

   （式中、Ｘ⁴は一般式（１１）または（１２）で表され、Ｙ⁴は一般式（１３）で表される。）
   

   

   （式中、Ｒ¹⁰とＲ¹¹とは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数１〜４のアルキル基を表す。またＲ¹² は水素原子を表す。）
   

   

   （式中、Ｒ¹³〜Ｒ¹⁶は、炭素数１〜４のアルキル基を表す。またＲ¹⁷ は水素原子を表す。）
   

   
3. 式（１８）で表わされる化合物。
   

   
4. 式（２０）で表わされる化合物。
   

   
5. 下記一般式
   

   

   （式中、Ｒ ^２１ とＲ ^２２ とは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ａｒ ^２１ とＡｒ ^２２ とは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、置換基を有するまたは無置換のアリール基を表す）で表わされる化合物の製造方法であって、
   下記式で表わされる、４−（ジシアノメチレン）−２−｛ｐ−（ジアルキルアミノ）スチリル｝−６−メチル−４Ｈ-ピランと、アリールアミン骨格を有するｐ−（ジアリールアミノ）ベンズアルデヒドとを縮合させることを特徴とする製造方法。
   

   

   （式中、Ｒ ^２１ とＲ ^２２ とは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、炭素数１〜４のアルキル基を表す。）
   

   

   （式中、Ａｒ ^２１ とＡｒ ^２２ とは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、置換基を有するまたは無置換のアリール基を表す。）
6. 請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載のピラン誘導体を用いた発光素子。
7. 一対の電極間に、請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載のピラン誘導体を含む層を有することを特徴とする発光素子。
8. 請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載のピラン誘導体を発光体として用いていることを特徴とする発光素子。
9. 請求項６乃至８のいずれか一に記載の発光素子を有することを特徴とする発光装置。
10. 請求項６乃至８のいずれか一に記載の発光素子を同一基板上に複数有することを特徴とするアクティブマトリクス型発光装置。
11. 請求項９または１０に記載の発光装置を表示部に備えたビデオカメラ。
12. 請求項９または１０に記載の発光装置を表示部に備えたパーソナルコンピュータ。
13. 請求項９または１０に記載の発光装置を表示部に備えた携帯情報端末。
14. 請求項９または１０に記載の発光装置を表示部に備えたデジタルビデオカメラ。
15. 請求項９または１０に記載の発光装置を表示部に備えた携帯電話。
    

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