JP4678458B2 - 半導体ウェーハの内部欠陥測定方法、半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハの内部欠陥測定装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウェーハの半導体ウェーハの内部欠陥測定方法、半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハの内部欠陥測定装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体ウェーハ(例えばシリコン単結晶ウェーハ)は、内部欠陥の分布状態が、該ウェーハから製造される半導体デバイスの歩留まりや特性に大きな影響をあたえるため、これを正確に測定・評価することは半導体ウェーハの製造に当たって非常に重要である。例えば、CZ法(Czochralski Method)などの公知の方法にて製造されたシリコン単結晶ウェーハに熱処理を行なうと、図1に示すように、ウェーハの内部に酸素析出物等を主体とするBMD(Bulk Micro Defect)層が形成される一方、表層部には熱処理時における酸素の外方拡散により析出物が消滅したDZ(Denuded Zone)層が形成される。シリコン単結晶ウェーハの主に表層部にシリコンデバイスを形成する場合、デバイス形成領域がなるべくBMD層にかからないようにすることが不良発生低減の上で有利である。他方、デバイス形成領域がDZ層内に留まる限り、BMD層内の酸素析出物はIG(Intrinsic Gettering)サイトとして機能するから、これを積極利用するためには、DZ層とBMD層とをバランスよく形成することが必要となる。
【0003】
従来、半導体ウェーハの内部欠陥の測定方法には、2つの方法が知られている。一つは選択エッチング法であり、他方は光散乱や光干渉を利用した光学的方法である。選択エッチング法では、まず、評価対象となる半導体ウェーハの内部を劈開あるいは斜め研磨により露出させ、その露出面を適当なエッチング液により腐食する。すると、欠陥などの歪を生じている部分は、歪の少ない健全部との間でエッチング速度に差を生ずるため、エッチピットの形でエッチングされる。このエッチピットを検出することで半導体ウェーハ内部の欠陥形成状態を知ることができる。
【0004】
一方、光散乱や光干渉を利用する光学的方法では、ウェーハの表面からレーザービームなどの入射光ビームを入射させ、欠陥により散乱ないし干渉を生じた光をウェーハの裏面あるいは別途形成した劈開面などから取り出して検出し、その検出光の情報に基づいて半導体ウェーハ内部の欠陥形成状態を知ることができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記従来の方法には以下のような欠点がある。まず、選択エッチング法では、そのエッチング液としてライト液やジルトル液などのクロム酸系のものが使用されてきたが、環境保護の観点からJIS−H液などの非クロム酸系のものに置き換わりつつある。しかしながら、非クロム酸系のエッチング液は弗酸や硝酸等の強酸を使用するため取り扱いが面倒であり、さらに、欠陥に対するエッチングの選択性が低いため、検出精度が高くないという問題がある。特に、ドーパント濃度の高い低抵抗率ウェーハ(特に0.02Ω・cm以下)においては欠陥に対する選択エッチング性が著しく悪く、とりわけ低温化が進む近年のデバイス製造プロセスにて発生しやすい微細な欠陥などは、ほとんど検出不能となってしまう。
【0006】
他方、光散乱や光干渉を利用する光学的方法の場合、主表面にデバイスパターンの形成された、あるいは表面が粗れた半導体ウェーハでは、パターンや凹凸の影響で入射光がウェーハ表面で乱反射し、正確な内部欠陥測定ができない問題がある。また、ウェーハ厚さ方向の欠陥分布を知るには、ステレオ欠陥像の撮影と解析が必要となり、測定装置の光学系の機構や解析プログラムが複雑になりやすく、測定誤差も生じやすい欠点がある。さらに、入射光ビームが半導体ウェーハの内部を長い距離通過する形になることから、低抵抗率のウェーハでは、自由電子による光散乱あるいは吸収が生じて検出信号レベルの低下が避け難くなり、欠陥検出精度が低下しやすくなる。特に、抵抗率が0.005Ω・cm以下に小さくなると、欠陥検出そのものが不可能となる。
【0007】
本発明の課題は、強酸などの化学薬品が不要であり、かつ低抵抗率の半導体ウェーハにおいても内部欠陥を高感度にて測定することができる半導体ウェーハの内部欠陥測定方法、半導体ウェーハの製造方法及び半導体ウェーハの内部欠陥測定装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段及び作用・効果】
上記の課題を解決するために、本発明の半導体ウェーハの内部欠陥測定方法は、半導体ウェーハに、該半導体ウェーハの内部を露出させる測定断面を形成し、欠陥検出用の入射光ビームを該測定断面に入射し、その入射光ビームに基づく測定断面からの応答光を検出して、その応答光の情報に基づいて半導体ウェーハの内部に存在する欠陥の測定を行ない、測定断面は、半導体ウェーハの主表面に対し傾斜した傾斜断面として形成されるものであり、傾斜断面は、半導体ウェーハの主表面を斜め研磨することにより形成されることを特徴とする。ここでいう応答光とは、入射光ビームと半導体ウェーハの測定断面形成部分との間における、散乱、干渉、フォトルミネセンス及び回折などの光学的相互作用に基づいて測定断面から放出される光のうち、半導体ウェーハの欠陥形成部と欠陥等の特に形成されない健全部との間で、強度、波長あるいは放出方向などの光学的状態に差異を生ずるものをいう。
【0009】
上記の方法によると、図2に示すように、測定対象となる半導体ウェーハ1の内部を露出させる測定断面IPを形成し、その測定断面IPに欠陥検出用の入射光ビームを入射し、該測定断面からの応答光の情報に基づいて半導体ウェーハ1の内部に存在する欠陥の測定を行なうようにしたから、選択エッチング法のように強酸などの取り扱いの面倒な化学薬品を使用する必要がない。また、デバイスパターンDPなど、ウェーハの主表面MPに凹凸や段差が形成されていても、その影響を全く受けることなく欠陥の測定・評価が可能である。さらに、ウェーハ厚さ方向の欠陥分布も、測定断面上において入射光ビームを厚さ方向に操作するのみで簡単に測定でき、例えばステレオ欠陥像の撮影・解析などのような複雑な光学系や解析プログラムも不要である。また、入射光ビームが長い距離ウェーハ内を透過しないので、自由電子による光散乱あるいは吸収の影響を受けにくく、従来の選択エッチングや光学的方法では測定不能であった、抵抗率が0.02Ω・cm以下、あるいは0.005Ω・cm以下の低抵抗率ウェーハでも、高精度で欠陥を検出でき、また、微細な欠陥の検出精度も高めることができる。
【0010】
次に、本発明の半導体ウェーハの製造方法は、上記本発明の測定方法により半導体ウェーハの内部欠陥の測定を行い、その測定結果に基づいて半導体ウェーハを選別することを特徴とする。すなわち、本発明の測定方法の採用により、半導体ウェーハの内部欠陥の検出を高精度かつ簡単に行なうことができるので、その測定価結果に基づいて半導体ウェーハを選別することにより、例えば出荷される半導体ウェーハ製品ロットの不良率が低減され、品質を高めることができる。
【0011】
上記本発明においては、測定断面に対する入射光ビームの照射位置を2次元的に走査することにより、測定断面上の複数位置において応答光を検出し、それら各位置の応答光の情報に基づいて半導体ウェーハの厚さ方向の欠陥分布状態を測定することができる。このようにすることで、半導体ウェーハ内部の欠陥分布状況を簡単かつ高精度に測定することができ、例えば半導体ウェーハ内部に形成されたDZ層あるいはBMD層の厚さ測定などに有効である。
【0012】
また、測定対象となるウェーハの厚さが小さい場合には、図2に示すように、測定断面IPを、主表面MPに対し傾斜した傾斜断面として形成することにより、厚さ方向の倍率を拡大でき、欠陥測定精度を高める上で有効である。また、半導体ウェーハにDZ層2あるいはBMD層3が形成されていて、そのDZ層2の厚さが相当小さい場合でも、傾斜断面IPにおいては各層の断面2’,3’は厚さ方向の距離が拡大されて現われるから、正確な測定が可能である。
【0013】
また、本発明の半導体ウェーハの内部欠陥測定装置は、
内部を露出させる測定断面が形成された半導体ウェーハを、測定断面が入射光ビームの走査面と平行になるように保持するウェーハホルダと、
該ウェーハホルダに保持された半導体ウェーハの測定断面に、欠陥検出用の入射光ビームを入射する入射光ビーム発生ユニットと、
該入射光ビームに基づく測定断面からの応答光を検出する応答光検出部と、
ウェーハホルダを半導体ウェーハとともに入射光ビームに対し走査面内にて相対的に移動させることにより、測定断面に対する入射光ビームの照射位置を2次元的に走査する入射光ビーム走査機構と、
測定断面上の複数位置における応答光の情報に基づいて、記半導体ウェーハの内部に存在する欠陥の測定情報を出力する測定情報出力部と、
を備えたことを特徴とする。
【0014】
上記装置によると、前記した本発明の欠陥測定方法ひいては半導体ウェーハの製造方法を、合理的かつ能率的に実施することができ、測定断面上での欠陥部分布情報を高精度かつ能率的に測定することができる。また、前述の測定断面が形成された半導体ウェーハを、測定断面が入射光ビームの走査面と平行になるようにウェーハホルダにて保持させ、その状態でウェーハホルダを半導体ウェーハとともに入射光ビームに対し走査面内にて相対的に移動させることにより、測定断面に対する入射光ビームの照射位置を2次元的に走査するようにしたから、例えば測定断面がウェーハ主表面に対して傾斜した傾斜断面として形成されている場合でも、これを走査面に一致させることで、走査位置に関係なく入射光ビーム発生ユニットから入射光ビーム照射位置までの距離を一定に保つことができ、走査駆動系の構成を単純化することができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を用いて説明する。
図1は、半導体ウェーハとしてのシリコン単結晶ウェーハ(以下、単にウェーハともいう)1を示すものである。該ウェーハ1は、CZ法等にて製造されたシリコン単結晶インゴットを通常の方法によりウェーハに加工した後、所定の熱処理を施すことにより形成されたもので、各主表面MP,MPを含む形で欠陥の少ないDZ層2,2が形成され、それらの間に、酸素析出物などの欠陥が所定レベルにて存在するBMD層が形成されている。
【0016】
図2に示すように、該ウェーハ1に対し、内部を露出させる測定断面IPを形成する。本実施形態では、該測定断面IPを主表面MPに対し一定角度αにて傾斜する傾斜断面として形成する(以下、傾斜断面IPと記載する)。このような傾斜断面IPは、いわゆる斜め研磨法により形成することができる。図3は、その研磨装置の一例を示すもので、(a)に示すように、研磨クロス10にて覆われるとともに回転軸線Oの周りに回転する研磨定盤216、下面側にウェーハ1が貼り付け・固定される研磨治具11、研磨治具11を研磨定盤上216上にて保持する治具ホルダ217とを有する。研磨治具11にはウェーハ固定面12が形成され、図4に示すように、ここにウェーハ1の第二主表面MP2を、ワックス層13等を介して固定する。他方、治具ホルダ217は筒状に形成されて内側に研磨治具11が挿入され、ウェーハ1の第一主表面MP1が研磨クロス10に押し付けられるように該研磨治具11を研磨定盤216上にて保持する。そして、研磨定盤216を回転させると、治具ホルダ217は研磨治具11及びこれに固定されたウェーハ11とともに自転するようになっている。
【0017】
研磨クロス10の表面GPは回転軸線Oと直交する一方、ウェーハ固定面12はクロス表面GPに対して角度αだけ傾斜して形成される。ここにウェーハ1を固定し、研磨治具11を治具ホルダ17の内側に挿入して研磨クロス10とウェーハ1とを接触させ、その状態で研磨砥粒を含んだスラリーを流しながら研磨定盤16を回転させると、図3(c)に示すように、ウェーハ1の第一主表面MP1が斜め研磨され、第一主表面MP1に対し角度αだけ傾斜した傾斜断面IPが形成される。傾斜断面IPの傾斜方向には、ウェーハ1の厚さ方向の距離がcosecα倍だけ拡大されて表れる。例えばαを5゜44′とすれば、拡大倍率は約10倍となる。なお、傾斜断面IPの研磨側縁部に面だれが生じることを防止するために、図4に示すように、ウェーハ1の第一主表面MP1側にダミー材19をワックス等により貼り付けて研磨を行なうことが有効である。ダミー材19の材質は、ウェーハ1と研削性が略拮抗する材質であれば特に限定されないが、例えばシリコン単結晶ウェーハや、あるいは硬質樹脂にて構成されたものを使用できる。
【0018】
なお、傾斜断面は劈開法により形成することもできる。例えばウェーハ1の主軸が<100>である場合、{110}劈開を利用して、主表面に垂直な断面を劈開面の形で形成することができる。
【0019】
傾斜断面IPを形成したウェーハ1は、図5に示すように、該傾斜断面IPが上となるように、ウェーハホルダ14に装着される。図6に示すように、ウェーハホルダ14は、入射光ビームLBの走査面と平行となるようにウェーハ1(あるいはウェーハ1から切り出された測定試験片)を保持するものである。図5に示す例では、ウェーハホルダ14の上面に、ウェーハ1を着脱可能に保持させるためのウェーハ装着部15が、ウェーハ1を嵌め込む浅い凹部として形成されている。該凹部の底面は、ウェーハホルダ14の下面をなす基準面BP(後述する走査面と平行である)に対し、傾斜断面IPの傾斜角αだけ傾いたウェーハ保持面HPとされている。そして、ウェーハ装着部15に対しウェーハ1を、第二主表面MP2がウェーハ保持面HPと接するように装着することにより、該ウェーハ1は、傾斜断面IPが基準面BPと略平行となるように保持される。
【0020】
図6に示すように、上記のウェーハホルダ14をウェーハ1とともに、測定装置100の走査用X−Yテーブル18(X方向移動用のXテーブル20と、該Xテーブル20をY方向に移動させるYテーブル21とを有する)に装着する。X−Yテーブル18の上面には、走査面CPと平行な保持面KPを有するホルダ装着部20a(ここでは浅い凹部として形成されるが、これに限定されない)が形成されてなり、ウェーハホルダ14は基準面BPが保持面KPと接するようにここに装着される。これにより、ウェーハ1の傾斜断面IPは、X−Yテーブル18により走査面CPと平行に、互いに交差する(例えば互いに直交する)X方向及びY方向に独立に移動することが可能となる。
【0021】
そして、上記の傾斜断面IPに対し、入射光ビーム発生ユニット30により欠陥検出用の入射光ビームLBを、位置を変えながら照射し、各位置からの応答光DBを応答光検出部117により検出する。入射光ビーム発生ユニット30は、例えば図7に示すようなレーザ出射ユニットであり、所定波長の赤外レーザないし可視光レーザ光を発生させる。このレーザ光は対物光学系35によって所定径dを有するレーザービームに絞られた形で傾斜断面IPに照射される。レーザ光の波長λとビーム径dとは検出すべき欠陥の種別や寸法により適宜選択するが、特に傾斜断面(測定断面)IPの第一主表面MP1側の縁近い領域では、該縁に形成される稜や第一主表面MP1にもともと形成されているパターンによる乱反射を起こりにくくするために、ビーム径dを例えば1〜5μm程度に絞ることが有効である(スポット形状が円以外の場合は同面積の円に換算した径を採用する)。
【0022】
図6に戻り、応答光検出部117は光電子倍増管、フォトダイオードあるいはCCDセンサなどで構成できる。応答光は、例えば傾斜断面IPにおける散乱光とすることができる。この場合、傾斜断面IP上に欠陥(すなわち内部欠陥)が存在していれば、欠陥非存在の部分との間に散乱光強度の差を生ずる。従って、応答光検出部117は、この場合、各位置毎の発生散乱光の合計強度を検出するものとして構成される。
【0023】
他方、入射光ビームによる測定断面からのフォトルミネセンス発光を応答光として利用することもできる。この場合、欠陥存在部におけるフォトルミネセンス発光の強度や波長が他の部分と異なることを利用して欠陥検出を行なうことができる。この場合、応答光検出部117は、各位置毎のフォトルミネセンス発光の合計強度を検出するものとして構成される。フォトルミネセンス発光波長が、欠陥部において特有のものになる場合は、分光器により対応する波長の光のみを選択的に検出できるようにしておく。例えば重金属原子の吸着されやすい欠陥部においては、吸着された重金属原子に特有の発光波長が生ずるので、元から基板に含有されている、あるいは測定に際して故意にドーピングした重金属原子からのフォトルミネセンス発光を検出することが欠陥検出を行なう上で有効である。
【0024】
上記のようなフォトルミネセンス法を用いる場合、例えば特開平11−274257号公報に開示されているような強励起顕微フォトルミネッセンス法を用いることが望ましい。これは、スポット径を1〜2μmまで絞り込み(通常のフォトルミネッセンス法では直径0.1〜1mm程度)、さらにレーザパワーも測定位置で20〜100mWと通常のフォトルミネッセンス法の数〜数十倍高い励起条件で行なうフォトルミネッセンス法である。この励起条件下では、励起レーザのエネルギー密度が通常フォトルミネッセンス法の105倍程度高くなっている。通常フォトルミネッセンス法の励起条件では、キャリアの拡散長は数百μmと長く、フォトルミネッセンス光(バンド端発光)の空間分解能も数百μm程度であった。一方、強励起顕微フォトルミネッセンス法では、上記の強励起条件を用いることでキャリアの拡散長は数μmのオーダまで抑制され、高い空間分解能(〜1μm)でのフォトルミネッセンス光測定が可能となり、欠陥検出精度を高めることができる。ここで強励起顕微フォトルミネッセンス法におけるバンド端発光強度は、次式で表される。
Ib∝nex 2
τ(ここに、Ib:バンド端発光強度、nex:注入キャリア濃度、τ:ライフタイムである)
【0025】
図8は、測定装置100の電気的構成の一例を示すものであり、制御用コンピュータ111とこれに接続された測定系101とを有する。制御用コンピュータ111はI/Oポート108とこれに接続されたCPU104、ROM105、RAM106、記憶装置としてのハードディスクドライブ(以下、HDDと略記する)107、さらに入力装置としてキーボード109及びマウス110が接続されている。HDD107には、パーティクル検出装置の動作を司る制御プログラム107a、結晶欠陥データを取り込むためのデータ取込みプログラム107b、及び取り込まれた結晶欠陥データファイル107cが記憶されている。また、RAM106には、制御プログラム107a及びデータ取込みプログラム107bのワークエリア106a,106bと、取り込まれた結晶欠陥データ格納エリア106cとが形成されている。
【0026】
次に、測定系101は、前述の入射光ビーム発生ユニット30(図6)、応答光検出部117及び前述のX−Yテーブル18(図6)を駆動するための駆動部とを有する。駆動部は、具体的には、Xテーブル20とYテーブル21(図6)とを、図示しない螺子軸機構等を介して駆動するX駆動モータ113及びY駆動モータ115と、それらモータのサーボ制御及び回転角度位置を検出するためのパルスジェネレータ(以下、X−PGという)114及びパルスジェネレータ(以下、Y−PGという)116を含む。X駆動モータ113及びY駆動モータ115は、それぞれ図示しないモータドライバを介して制御コンピュータ111のI/Oポート108に接続され、制御プログラム107aの実行により駆動制御される。なお、走査方式はここではX−Y走査であるが、螺旋走査を採用してもよい。
【0027】
一方、応答光光検出部117が検出した応答光の検出レベル出力はデータインタフェース103に入力される。他方、パルスジェネレータ114及び116の出力はデータインタフェース103を介してI/Oポート108に入力されるようになっている。データインタフェース103は、例えば、図9に示すように、X−PG114及びY−PG116からのパルス信号を受けてカウントアップするX−カウンタ103a及びY−カウンタ103bと、ゲートIC103c及びコンパレータ103d等を有する。各カウンタ103a,103bのカウント出力は、入射光ビーム発生ユニット30による測定位置を一義的に与える。そして、該測定位置における応答光の強度が欠陥像ピクセルのX座標およびY座標を与えるものであり、それぞれそのカウンタ出力がゲートIC103cを介してI/Oポート108に入力される。なお、カウンタ103a,103bの出力は複数ビットであるが、簡単化のため1本の線で描いている。
【0028】
他方、コンパレータ103dは、応答光の検出レベル出力と閾レベルVrefとを比較し、検出レベル出力がVrefよりも大きくなると、ゲートIC103cのインヒビット入力端子にデータ取込許容信号を出力する。これにより、ゲートIC103cは制御コンピュータ111に対し、各カウンタ103a,103bのカウント出力、すなわち、欠陥像ピクセルのX座標及びY座標のデータを、I/Oポート108を介して取り込むことを許容する。該データの取り込み処理は、データ取込みプログラム107bにより実行され、取り込まれたデータは、結晶欠陥検出点データファイル107cに格納される。なお、図9においては、図示はしていないが、カウンタ出力の後段に、データ取込みが完了するまでカウンタ出力をラッチ保持させるフリップフロップを設けることができる。
【0029】
以下、測定装置100の動作の流れについてフローチャートを用いて説明する。図10は測定装置100における検査処理の流れである。この処理は、制御コンピュータ111のCPU104が検出装置制御プログラム107aの実行により行なうものである。まず、S1において測定するべきウェーハの品番やロット番号、製造日付などのウェーハ特定データを入力する。次に、S2及びS3において図6に示すようにウェーハ1をウェーハホルダ14とともに装着し、装着が正常に完了すれば測定処理に移る。
【0030】
図10に戻り、S4では、図3のX駆動モータ113及びY駆動モータ115を作動させ、ウェーハホルダ14の位置(以下、ホルダ位置という)を(X,Y)座標上にて予め定められた原点位置に移動させ、図9に示すX−リセット信号及びY−リセット信号により、X−カウンタ103a及びY−カウンタ103bをリセットする。以下、入射光ビームLBの照射位置を、X−Y座標平面上にてX方向を水平方向、Y方向を垂直方向として走査しながら、各位置に入射光ビームLB照射して応答光の検出を行なう。すなわち、S5においてY座標値YkがY方向の最初の走査位置Y1となるように設定し、S6ではY座標値XkがX方向の最初の走査位置X1となるように設定する。これにより、レーザービームプローブは最初の測定位置(X1,Y1)へ移動する。
【0031】
そして、S7で該測定位置においてウェーハを一定時間保持し、主表面に入射光ビームLBを照射して、その応答光を検出する。例えば光散乱あるいはフォトルミネッセンスを用いる場合は、応答光の強度信号レベルが基準値(閾値)Vrefよりも高ければ、その位置のピクセルを欠陥存在部のピクセルとして定め、そうでない場合は欠陥非存在部のピクセルとして定める。また、そのときのX−カウンタ103a及びY−カウンタ103bのカウンタ値が、各ピクセルのX座標データ及びY座標データとして取り込まれる(S8,S9)。こうして、二値ピクセルデータの集合として記述されたビットマップ欠陥像データが得られることとなる。取り込まれたデータは、図8のRAM106の、結晶欠陥検出点データ格納エリア106cに格納される。なお、このフローチャートでは、閾値との比較ステップを便宜的にS8として表しているが、実際にはこの比較ステップは図9のデータインタフェース103内にてハードウェア的に行われる(ただし、制御プログラム107a中にてソフトウェア的に行ってもよいことはいうまでもない)。なお、応答光の強度信号レベルを3以上の複数段階に区切り、欠陥像データを階調データとして生成してもよい。
【0032】
S10では、測定位置がX方向の限界位置XNに到達したかどうかを判断する。到達していなければS11に進み、Y方向の測定位置座標Ykの値を固定したまま、X方向の測定位置座標Xkの値を次の座標値Xk+1に増加させる形で、測定位置の移動を行なうとともに、S7に戻って以下のS9までの処理を繰り返す。他方、S10で測定位置がX方向の限界位置XNに到達していればS12に進み、Y方向の限界位置YNに到達したかどうかを同様に判断する。到達していなければS13にてYkの値を次の座標値Yk+1に増加させ、さらにS6に戻ってXkの値を初期値X1に戻す。以下、S7に戻って以下のS9までの処理を繰り返す。他方、S13にてYkの値がYNに到達していれば、すべての測定位置での測定が終了したことを意味するから、データ取り込みのループを脱出してS14に進む。
【0033】
例えば、図11は、光散乱法を用いて得られた欠陥像データの一例を示すものである。欠陥部分が黒の領域であるが、各欠陥はそれぞれ大きさが異なるので、欠陥領域の大きさもまちまちである。例えば欠陥形成密度を求めたい場合は、個々の欠陥の位置情報を含んだ欠陥分布データが必要となる。この場合、欠陥像データにおいて公知のラベリングの手法により個々の欠陥領域を分離し、各領域毎に欠陥位置を予め定められた定義(例えば幾何学的重心位置)に従い欠陥位置を決定するようにする。こうして得られた欠陥像データあるいは欠陥分布データは、ウェーハ特定データと対応付ける形にて、結晶欠陥データファイル107cとしてHDD107に保存される。
【0034】
結晶欠陥データ204cの記憶内容に基づいて欠陥測定情報は、例えば図8に示すプリンタ120やモニタ121(測定情報出力部)から種々の形で出力することができる。例えば、抜き取り検査の場合は、ウェーハの品番、ロット番号及び製造日付と、結晶欠陥種類別の検出点のカウント数とを出力させることができる。例えば特定種別の結晶欠陥のカウント数が予め定められた限界値を超えていた場合、そのウェーハの属する製品ロットを不良と判断して、良品から選別することができる。
【0035】
【実施例】
本発明の効果を確認するために以下の実験を行なった。
評価対象のウェーハとして、以下の2種類のp型シリコン単結晶ウェーハ(直径200mm)を用意した。
▲1▼抵抗率0.01Ω・cm、初期酸素約14ppma(JEIDA(日本電子工業振興協会)規格)。850℃にて8時間+1000℃にて16時間の酸素析出物形成熱処理を行なっている。
▲2▼抵抗率10Ω・cm、初期酸素約16ppma(JEIDA規格)。850℃にて0.5時間+800℃にて36時間+1000℃にて2時間+650℃にて3時間+900℃にて2時間の酸素析出物形成熱処理を行なっている。
【0036】
これらの各ウェーハから、図12に示すように互いに隣り合う形でそれぞれ4mm幅の2枚のサンプルを切り出し、それぞれ図3に示す方法により斜め研磨して、一方を本発明用サンプル、他方を比較例の選択エッチング用サンプルとした。本発明用サンプルは、半導体レーザ(波長980nm、出射エネルギー1mW)を入射光ビームとして用い、散乱光を応答光として図6あるいは図8に示す装置100により、傾斜断面IPにおける欠陥像を測定した。他方、選択エッチング用サンプルは、エッチング液として非クロム酸系のJIS−H液を用いて傾斜断面IPをエッチングし、そのエッチング後の表面を光学顕微鏡により観察した。図13は▲1▼の、図14は▲2▼の各ウェーハについて得られた欠陥の画像であり(それぞれ倍率200倍)、(a)は選択エッチングによるもの、(b)は本発明の方法によるものである。図13では、低抵抗率ウェーハであるため、選択エッチングでは欠陥の識別がほとんど不能であるのに対し、本発明の方法では明瞭な欠陥像が得られていることがわかる。また、図14では、通常抵抗率ウェーハであるが、低温プロセスをシミュレートした熱処理であるため内部欠陥サイズが小さく、選択エッチング法ではエッチピットが非常に不明瞭であるのに対し、本発明の方法では明瞭な欠陥像が得られていることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【図1】評価対象となる半導体ウェーハの模式図。
【図2】傾斜断面の効果説明図。
【図3】傾斜断面を斜め研磨により行なう方法を示す側面模式図。
【図4】傾斜断面の面ダレを防止するためにダミー材を使用する様子を表す側面断面模式図。
【図5】傾斜断面を有するウェーハをウェーハホルダに取り付けた様子をあらわす側面断面模式図。
【図6】図5のウェーハホルダを用いた測定装置の要部を示す模式図。
【図7】レーザ出射ユニットの一例を示す模式図。
【図8】測定装置の電気的構成の一例を示すブロック図。
【図9】図8のデータインタフェースの構成例を示す回路図。
【図10】図8の測定装置を用いた検査処理の一例の流れを示すフローチャート。
【図11】光散乱法による本発明の方法により得られた欠陥像の一例を示す画像。
【図12】実験例で使用したサンプルのウェーハからの取出形態を示す説明図。
【図13】実験例の▲1▼のウェーハの本発明による欠陥像を選択エッチングによる比較例と対比して示す画像。
【図14】実験例の▲2▼のウェーハの本発明による欠陥像を選択エッチングによる比較例と対比して示す画像。
【符号の説明】
1 半導体ウェーハ
IP 測定断面(傾斜断面)
14 ウェーハホルダ
18 X−Yテーブル(入射光ビーム走査機構)
30 入射光ビーム発生ユニット
100 欠陥測定装置
117 応答光検出部
120 プリンタ(測定情報出力部)
121 モニタ(測定情報出力部)
Claims (9)
- 半導体ウェーハに、該半導体ウェーハの内部を露出させる測定断面を形成し、欠陥検出用の入射光ビームを該測定断面に入射し、その入射光ビームに基づく前記測定断面からの応答光を検出して、その応答光の情報に基づいて前記半導体ウェーハの内部に存在する欠陥の測定を行ない、
前記測定断面は、前記半導体ウェーハの主表面に対し傾斜した傾斜断面として形成されるものであり、
前記傾斜断面は、前記半導体ウェーハの前記主表面を斜め研磨することにより形成されることを特徴とする半導体ウェーハの内部欠陥測定方法。 - 前記測定断面に対する前記入射光ビームの照射位置を2次元的に走査することにより、前記測定断面上の複数位置において前記応答光を検出し、それら各位置の応答光の情報に基づいて前記半導体ウェーハの厚さ方向の欠陥分布状態を測定する請求項1記載の半導体ウェーハの内部欠陥測定方法。
- 前記入射光ビームは赤外光または可視光のレーザービームが使用される請求項1又は2に記載の半導体ウェーハの内部欠陥測定方法。
- 前記入射光ビームによる前記測定断面からの散乱光を前記応答光として検出する請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体ウェーハの内部欠陥測定方法。
- 前記入射光ビームによる前記測定断面からのフォトルミネセンス発光を前記応答光として検出する請求項1ないし4のいずれかに記載の半導体ウェーハの内部欠陥測定方法。
- 強励磁フォトルミネセンス法を用いて前記フォトルミネセンス発光を検出する請求項5記載の半導体ウェーハの内部欠陥測定方法。
- 前記半導体ウェーハは表面抵抗率が0.02Ω・cm以下のものである請求項1ないし6のいずれかに記載の半導体ウェーハの内部欠陥測定方法。
- 請求項1ないし7のいずれかに記載の方法により半導体ウェーハの内部欠陥の測定を行い、その測定結果に基づいて前記半導体ウェーハを選別することを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
- 内部を露出させる測定断面が形成された半導体ウェーハを、前記測定断面が入射光ビームの走査面と平行になるように保持するウェーハホルダと、
該ウェーハホルダに保持された前記半導体ウェーハの前記測定断面に、欠陥検出用の前記入射光ビームを入射する入射光ビーム発生ユニットと、
該入射光ビームに基づく前記測定断面からの応答光を検出する応答光検出部と、
前記ウェーハホルダを前記半導体ウェーハとともに前記入射光ビームに対し前記走査面内にて相対的に移動させることにより、前記測定断面に対する前記入射光ビームの照射位置を2次元的に走査する前記入射光ビーム走査機構と、
前記測定断面上の複数位置における前記応答光の情報に基づいて、前記半導体ウェーハの内部に存在する欠陥の測定情報を出力する測定情報出力部と、
を備えたことを特徴とする半導体ウェーハの内部欠陥測定装置。
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