JP4669114B2 - 光カプラ複合物、光カプラ複合物を備えるx線検出器装置及び、x線検出器アセンブリを製造する方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本明細書で開示し特許請求する発明は、全般的にはコンピュータ断層撮影(CT)診断用イメージング・システムやその他の用途において使用することができる改良型の半導体X線検出器に関するものである。さらに詳細には、本発明は上記のタイプのX線検出器のうち光カプラ材料を必要とするX線検出器に関するものである。またさらに詳細には、本発明は、その光カプラ材料が比較的低い熱膨張係数(CTE)を備えているX線検出器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
当技術分野で広く知られているように、CTイメージングやその他の用途において半導体X線検出器の重要性は増している。こうした検出器は、一般に多結晶質セラミック・シンチレータ材料からなる一体構造のブロックを含み、このブロックをX線放射のフラックスを受け取るように配置させている。このシンチレータ材料は、例えば、本出願受人であるゼネラル・エレクトリック・カンパニイが登録商標Lumexの名前で販売している材料を含むことができる。シンチレータが受け取ったX線エネルギーは、このシンチレータ材料を通過する際にX線エネルギーの強度に比例した近可視光に変換される。次いで、この光によりフォトダイオードを励起させる。このフォトダイオードは、シンチレータと近接し隣接させた関係に配置させると共に、特にフォトダイオードはコンピュータの支援を受けた手段によりこの光を処理するのに適当な電気信号に変換するように設計されている。
【0003】
上記のタイプのX線検出器を製造するには、シンチレータとフォトダイオードの間にエア・ギャップやエア・スペースが存在してはならないということが了解されている。エア・ギャップやエア・スペースが存在すると、シンチレータが発生させた光の一部は、エア・ギャップを横切る光の屈折のためにフォトダイオードにより検出されないことになる。さらに詳細には、空気の屈折率はこの2つの検出器コンポーネントの屈折率と大きく異なる。その結果、発生した光の一部は、空気・シンチレータ間の界面あるいは空気・フォトダイオード間の界面により反射される可能性があり、このためにフォトダイオードに到達することができない。したがって、こうした屈折損失を減少させるため、シンチレータとフォトダイオードの間に光カプラを配置する、すなわち、光カプラを間に挟むことが広く行われてきている。光カプラは、典型的には、固化して、シンチレータとフォトダイオードを互いに結合させるための液体接着剤として導入される透明な高分子材料(例えば、エポキシ)であり、このため光カプラによりこれらの間のエア・スペースをすべて防止することができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
一般に、上記の配置は、半導体X線検出器において屈折損失を最小化する、すなわち効率を高めるのに効果的であることが分かっている。しかし、Lumexなどのシンチレータは概ね6PPM/℃の熱膨張係数(すなわち、CTE)を有しており、また石英ガラスの結合面を備えるフォトダイオードは概ね7PPM/℃のCTEを有している。これに対して、当技術分野で広く用いられているタイプのエポキシ光カプラでは200PPM/℃ほどの高いCTEを有する可能性がある。こうしたCTEの大幅な食い違いにより、光カプラ・シンチレータ間の界面および光カプラ−フォトダイオード間の界面で熱により誘発される歪みを生じることがあり、これによりさらに、X線検出器が極限温度に曝された場合に光カプラの離脱を起こすことがある。すなわち、X線検出器が大きな温度変化を受けると、光カプラの寸法はシンチレータやフォトダイオードの寸法と比較してより一層大きな範囲で変化する可能性が高い。したがって、光カプラはかなりの応力を受けることがあり、さらには亀裂が生じたり、X線検出器の他のコンポーネントから分離することさえあり得る。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本明細書で開示し特許請求する発明は、半導体X線検出器用の光カプラの熱膨張係数を従来の技術による場合と比較して大幅に低下させるための比較的簡便で安価な技法を目的としている。一態様において、本発明は、選択したセラミック・シンチレーション材料を第1の量だけ含み、指定された面を有する一体構造(monolithic)のシンチレータ本体を構成するように形成されたX線検出器装置である。このシンチレータ本体は、一定量のX線放射を受け取り、このX線放射量に対応した光量をこの指定されたシンチレータ面を通過して投射するように配置されている。検出器装置はさらに、この指定されたシンチレータ面から選択した幅のギャップだけ離隔させた位置にフォトダイオード・デバイスを備えており、このフォトダイオード・デバイスは投射された光を受け取り、この光に比例した電気信号、したがって、シンチレータ本体が受け取ったX線放射量と比例するか、さもなくば受け取ったX線放射量を表す電気信号を発生させるように配置されている。ギャップ内には選択した粘性をもつ光学カプリング材料を配置させ、ギャップを横切る光の屈折を低下させている。粉末の形態をしている選択したシンチレーション材料を第2の量だけ光学カプリング材料と混合させて、熱膨張を選択的に減少させた光カプラ組成物を提供することができる。
【0006】
シンチレーション材料は、酸化ガドリニウムおよび希土類賦活剤を指定した量だけ含む、Lumexなどの多結晶質セラミック材料で構成することが好ましい。好ましい実施の一形態では、その光学カプリング材料は透明なエポキシ材料を含み、またそのX線検出器はCTイメージング・システムで使用するように構成されている。本発明の実施の一形態により、半導体X線検出器にこれまで使用されている光カプラのCTEと比べてかなり低いCTEを有するX線検出器用の改良型の光カプラを提供できることが期待される。
【0007】
別の態様では、本発明は、CTイメージング・システム用のX線検出器アセンブリを製造するための方法を目的としている。この方法は、粉末の形態をしている予め指定した量のセラミック・シンチレータ材料を、樹脂および硬化剤成分を有する光学カプリング材料の樹脂成分と混合させることを含んでいる。その後、粉末シンチレータ−樹脂の混合物から気泡を選択的に除去する。この方法はさらに、予め指定した量の光学カプリング材料の硬化剤成分をこの粉末シンチレータ−樹脂の混合物と混合させて粉末シンチレータ−光カプラ複合物を提供し、次いでこの複合物から気泡を除去することを含む。セラミック・シンチレータ材料の一体構造のブロック、すなわち本体は、フォトダイオード・デバイスとの間に指定した幅のギャップを形成するようにフォトダイオード・デバイスに対して近接・離隔の関係で(すなわち、密に接近しているが隔たった関係になるように)配置される。このギャップには、上記複合物を充填させて、ギャップから空気のスペースを排除する。
【0008】
【発明の実施の形態】
図1を参照すると、X線放射の発生、伝搬および検出のために使用する典型的なCTスキャナの主要な要素を表している。このスキャナは、放射線を発生させるための放射線源10を含む。この放射線源は回転陽極X線管で構成するのが有効である。線源10が発生させた放射線はコリメータ12によりコリメートさせ、X線の狭いファンビーム14を作成する。この狭いファンビームは、アパーチャ16を通過して半導体X線検出器アレイ20に向けて投射される。例えば、患者やその他の対象18などの被検体は、アパーチャ16内のX線ファンビーム14の経路に配置させる。したがって、ファンビームは対象18を透過する際に、被検体の密度によって異なる減衰量で減衰を受ける。放射線検出器アレイ20は、複数の検出器セル24を有する検出器アレイ・ハウジング22を含む。検出器24は、減衰を受けたX線ファンビーム14のそれぞれ対応する部分を受け取り、受け取ったビームのそれぞれの部分の放射線強度と比例するか、さもなくばこれらの放射線強度を表す電気信号を発生させるように構成されている。したがって、得られた電気信号は、ビームを透過させた被検体18のそれぞれの部分によるX線ビームの減衰の尺度となっている。
【0009】
動作時には、線源10および検出器アレイ20をアパーチャ16の周りで回転させながら、対象18を基準とした複数の角度位置において、検出器セル24の各々から電気信号の読み値が採取される。得られた読み値はディジタル化されコンピュータ26に伝送される。このコンピュータ26は利用可能な多くのアルゴリズムのうちの1つを使用してX線のファンビーム14が横切った断面の画像を計算し作成する。得られた画像は陰極線管28上に表示されるか、また別法として、得られた画像は写真フィルムなどの永久的な媒体上に画像を作成するために使用されることがある。
【0010】
半導体X線検出器アレイ20では、検出器セル24の各々は、典型的には、図2に模式的に示すタイプのものである。検出器の幅は、検出器24が対面するファンビームの逐次増部分に沿って一緒になってX線14を受け取るためのウィンドウを規定しているコリメータ・プレート30と32の間の距離により規定される。図2および図3での比較から分かるように、検出器セルの幅は、その長さ、すなわちファンビーム面に垂直の方向の検出器寸法と比べてかなり狭い。ファンビームの良好な空間分解能を提供するため、検出器の幅を最小にすることが望ましい。実際の放射線検出器アレイにおける典型的な検出器セルの寸法としては、検出器セルの幅で概ね1ミリメートル、また検出器セルの長さで概ね20ミリメートルである。
【0011】
さらに図2を参照すると、多結晶質セラミック・シンチレータ本体36を備えたX線検出器24を表している。シンチレータ本体36はコリメータ・プレート30および32により規定され、これらの間に間隔を含んでいるチャネル34内に配置されている。このため、チャネル34が受け取ったX線放射14は、コリメータ・プレート30と32の間を通過した後にシンチレータ本体36上に入射する。入射放射線により本体36は予め定められた波長でシンチレーションを発し、これにより入射したX線放射は可視光または近可視光スペクトル帯の低エネルギー放射(すなわち、光エネルギー)に変換される。したがって、X線検出器24はさらに、シンチレータ本体36が発生させた可視光スペクトルまたはシンチレータ・エネルギーを検出するためのデバイスを含んでいる。こうしたデバイスはシンチレータ本体36と結合され、検出器アレイ22の対応するチャネル34を通ってシンチレータ本体36により受け取られたX線放射の強度に比例するか、さもなくば、これらの強度を表している電気信号を発生させる。図2および図3に示す実施形態では、そのシンチレータ検出デバイスは、実効面(active surface)42を有するフォトダイオード・アセンブリ40を備えている。面42は、例えば、石英ガラスの結合面を備えることがある。シンチレータ本体36が発生させたシンチレータ・エネルギーが面38を通過してシンチレータ本体36から外方に投射させる場合には、フォトダイオード・アセンブリ40は、その実効面42をシンチレータ本体の面38と近接・離隔の関係で固定するようにして位置決めされる。これにより、フォトダイオード40は、入射するX線放射に応答して本体36が発生させるシンチレーション放射を実質的にすべて受け取ることになる。
【0012】
シンチレータ36が発生させた光をフォトダイオード40の実効面42に導くためには、様々な技法が利用可能である。例えば、当該の面38を除くシンチレータ36のすべての面に対しては、面上に入射する光をすべて内方に反射させるように処理を施す。さらに、図2および図3で示すように、光カプラ44を利用して、シンチレータ本体36の面38とフォトダイオード40の実効面42の間のギャップを埋める。この光カプラ44は、上記のように屈折損失を大幅に減少させることにより、シンチレータ36からの光のフォトダイオード40への結合を強める。
【0013】
シンチレータ本体36は上記で言及した材料Lumexにより製造すると有効である。Lumexは、米国特許第4,421,671号に開示されている多結晶質セラミック・シンチレータ材料と同様であるか、あるいは同一である。この米国特許に開示されたシンチレータ材料は、希土類のイットリア−ガドリニア(yttria-gadolinia)のホスト(母材)と3価の希土類賦活剤の酸化物より構成されている。さらに、このシンチレータ組成物は、この特許に記載されている透明性促進剤(transparency promoter) および光出力再生剤(light output restorer) を1つまたは複数含んでもよい。この米国特許に記載されているように、出来上がったシンチレータ本体は、様々な化学的成分からなる立方晶固溶体で構成されている。しかし、本発明の範囲をこうしたシンチレータ材料に限定しようという意図はない。
【0014】
図4を参照すると、本発明に従って調製された光カプラ44の組成物をより詳細に表している。さらに詳細には、光カプラ44は、透明なエポキシ46などの液体の接着剤を含んでおり、この接着剤は固化して、シンチレータ本体36とフォトダイオード40を互いに結合させる。さらに、図4は、エポキシ46と混合された粉末の形態をした一定量のシンチレータ材料48を表している。このシンチレータ材料48は、例えば、粉末のセラミック・シンチレータ材料を圧縮し焼結させて一体構造の形態とすることにより一体構造のシンチレータ本体36を製造するのに使用したのと同じ、Lumexなどのシンチレータ材料を含むことが好ましい。
【0015】
光カプラ44は、エポキシ46および粉末シンチレータ材料48を以下に記載する手順に従って互いに混合させることにより形成した組成物を含んでおり、光学カプリング特性に優れていることを理解されたい。このため、光カプラ組成物44により、シンチレータ本体36が発生させた光のシンチレータ本体からフォトダイオード40への、これらの間のギャップを横切った伝送が高められる。同時に、本発明による光カプラ組成物44は、従来の技術による光カプラと比べて比較的低い熱膨張係数を有することが分かっている。例えば、組成物44は、典型的には光学カプリングの用途で使用される未調合のエポキシのCTE値の概ね50%のCTEを有することがある。その結果、光カプラ組成物44を使用すると、X線検出器24に対する極端な温度変化の影響が大幅に低下する。こうした温度変化が検出器を歪ませたり、さらにシンチレータ本体またはフォトダイオードから光カプラが離脱することにより検出器が損傷するおそれはほとんどなくなる。
【0016】
光カプラ組成物44を調製する際には、先ず、シンチレータ本体36とフォトダイオード40の間に形成される結合部のギャップ充填特性およびサイズ特性に対応するため、粉末シンチレータ材料48を具体的なある標準サイズ分布になるまでふるい分けする。粉末の分布は充填されるギャップの幅より小さくする必要があることは明らかである。典型的には、これらの間のギャップの幅wは概ね40〜50マイクロメートルである。その後、粉末シンチレータ材料48をエポキシ46と混合させる。この混合は、エポキシが液体状態のままの間に(すなわち、硬化する前に)シンチレータ材料をエポキシ内に加えることによる。より具体的には、光学的用途のために製造された最も市場で入手しやすいエポキシは、2つの構成要素、すなわち硬化剤と樹脂とで構成されており、これらの2つ要素は特定の比率で混合し、続いて熱により硬化させる。シンチレータ粉末48のエポキシ46内への混合は、幾つかの段階により実行される。先ず、予め計量した量のシンチレータ粉末を予め計量した量の樹脂に加え、次いでシンチレータ粉末が樹脂材料全体に均一に分布するまで完全に混合させる。シンチレータ粉末と樹脂のそれぞれの比率は、以下に記載するように複合則(ROM)分析により決定することができる。この混合物を真空ガス抜き操作にかけることにより、捕捉された気泡をこの混合物から除去する。真空ガス抜きにあたり、この混合物は気密性のチャンバー内に配置させ、次いで真空ポンプによりこのチャンバーを排気させる。
【0017】
第2の段階では、樹脂に対する正しい比率で求めた予め計量した量の硬化剤を、シンチレータ粉末を調合した樹脂に加え、混合させ、先のようにして真空ガス抜きを施す。捕捉された気泡を除去した後に、シンチレータ本体36とフォトダイオード40の結合に使用するための完全な光カプラ複合物系の準備が整う。
【0018】
X線検出器24に光カプラ複合物44を使用すると、光カプラ内の粉末シンチレータ材料48により同等の量の非シンチレーション性のエポキシ材料が置き換えられるという点でさらに有益である。粉末材料48のシンチレータ特性により、検出器24の全体的な効率が高まることが分かっている。
【0019】
指定されたCTEを有する光カプラ組成物44を提供するためには、複合則(ROM)を利用して粉末シンチレータ材料とエポキシとのそれぞれの比率をその組成物向けに選択することができる。このROM関係は次式で表される。
【0020】
VSαS+VCαC=αT (式1)
式1において、VS はエポキシ・カプラに添加される粉末シンチレータの体積含有率(0<VS <1)、αS はシンチレータ材料のCTE(単位:ppm/℃)、VC はエポキシの体積含有率(1−VS に等しい)、αC はエポキシ・カプラのCTE、またαT は複合された混合物の最終的なCTEである。αS とαC の値は、関心温度範囲の全体にわたって適用可能でなければならない。例えば、膨張係数が低いカプラ複合物で充填されるシンチレータ本体36とフォトダイオード40の間の結合部が−10℃〜50℃の温度範囲に曝される場合、式1で使用するαS とαC の値もまた、この温度範囲の全体にわたって有効である必要がある。
【0021】
式1で使用する体積含有率の値は、光カプラ組成物の構成要素のそれぞれの重量に、その比容積(specific volume) vを乗算し、次の関係式を用いて決定できる。
【0022】
VS =(WSvS)/(WSvS+WCvC) (式2)
VC =(WCvC)/(WSvS+WCvC) (式3)
WT =WSvS+WCvC (式4)
式2〜式4において、WS は複合された混合物44内のシンチレータ粉末48の重量(単位:グラム)、vS はシンチレータ粉末の比容積(単位:m3 /g)、WC はエポキシ・カプラ46の重量、vC はエポキシ・カプラの比容積、またWT はこの混合物の2つの構成要素の合計重量である。式1〜式4を連立させて解き、指定されたCTEをもつ光カプラ組成物44を提供するために必要なシンチレータ粉末48の体積含有率を決定することができる。
【0023】
エポキシ・カプラに対するシンチレータ粉末の添加は、実際的には限界がある。調合されるエポキシの粘性は、VS の増加に伴いかなり増加する。このため、VS が大きな値(すなわち、>0.5)のときには、当技術分野でよく知られているように、カプラを塗布するのに使用する装置を、厚いペースト状の粘稠度を有するタイプの材料を塗布するように変更する。
【0024】
図5は、式1のROM関係式により予測される複合された混合物の最終的なCTE(αT )を、シンチレータ粉末48の体積含有率VS の関数としてプロットしたグラフである。式1を解くにあたっては、2剤性エポキシ樹脂で作られた光カプラに典型的な材料パラメータを使用した。これらの材料では一般的であるように、CTEは、その動作温度が当技術分野でエポキシ材料のガラス転移温度と呼ばれる温度を超えると大幅に上昇する。図5に関連して示す例では、そのガラス転移温度は48℃である。したがって、図5の曲線(a)は、ガラス転移温度を超える温度に対して予測される複合された混合物44のCTEをプロットしたものである。同様に、図5の曲線(b)は、ガラス転移温度未満の温度に対して予測される複合された混合物44のCTEをプロットしたものである。このシンチレータ材料の特性は上記のLumex材料に対するものである。これらのプロットは、以下の材料パラメータを用いて生成されたものである。
【0025】
【0026】
図5で示すように、48℃未満の動作温度では、シンチレータ粉末が体積にして50%調合される(0.50VS )と、αT のCTEは未調合のカプラ46の値の約56%まで低下する。48℃を超える場合のCTE低下は、これより幾分大きく、最終的なCTEは未調合のカプラ材料46の値の52%になる。
【0027】
図6を参照すると、シンチレータ本体36とフォトダイオード40の双方の結合面のそれぞれに光学カプリング組成物44からなる極めて薄い層をコーティングとして塗布した、本発明の一修正形態を表している。次いで、従来の透明なエポキシ46の層を用いて、コーティングを施したこの2つの要素を互いに結合させる。
【0028】
本発明に関するその他多くの修正や変形が上記の教示に照らして可能であることは明白である。したがって、開示した概念の範囲内で、本発明を具体的に記載してきたもの以外によって実施することも可能であることを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【図1】CTイメージング・システムまたはスキャナの主要な要素を表した略図である。
【図2】X線検出器に本発明の実施の一形態を組み込んだ図1のCTスキャナ用のX線検出器セルを表した概略断面図である。
【図3】図2を線3−3に沿って切って描いた断面図である。
【図4】図3の一部分をより詳細に表した図である。
【図5】本発明により形成されたある組成物のCTEを、主要な成分材料の体積含有率の関数としてプロットしたグラフである。
【図6】図4に示す実施形態の修正を含むX線検出器コンポーネントを示す断面図である。
【符号の説明】
10 放射線源
12 コリメータ
14 X線ファンビーム
16 アパーチャ
18 被検体
20 X線検出器アレイ
22 検出器アレイ・ハウジング
24 検出器セル
26 コンピュータ
28 陰極線管
30 コリメータ・プレート
32 コリメータ・プレート
34 チャネル
36 シンチレータ本体
38 面
40 フォトダイオード・アセンブリ
42 実効面
44 光カプラ
46 エポキシ
48 シンチレータ材料
Claims (12)
- シンチレーション材料で形成された半導体シンチレータ本体を備え、さらに前記シンチレータ本体から離隔させたフォトダイオード・デバイスを備えるX線検出器であって、前記シンチレータ本体はX線放射を受け取り、このX線放射に対応した光量を前記シンチレータ本体と前記フォトダイオード・デバイスの間のギャップを横切って前記フォトダイオード・デバイスに投射するように配置されているX線検出器において、前記ギャップ内に挿入するために配置される光カプラ複合物であって、
光学カプリング材料と、前記光学カプリング材料のみの熱膨張係数より低い熱膨張係数を有する組成物を提供するために、前記光学カプリング材料に混合される粉末の形態をした前記シンチレーション材料と、を含んでいる光カプラ複合物。 - 前記シンチレーション材料がイットリア−ガドリニアおよび希土類賦活剤を含んでいる請求項1に記載の複合物。
- 前記シンチレーション材料がLumexを含んでいる請求項1に記載の複合物。
- 前記光学カプリング材料が透明なエポキシ材料を含んでいる請求項1乃至3のいずれれかに記載の複合物。
- 次式で表される複合則を利用して粉末の前記シンチレーション材料と前記光学カプリング材料とのそれぞれの比率が選択され、
VSαS+VCαC=αT
ここで、
VS は前記光学カプリング材料に添加される前記シンチレーション材料の体積含有率(0<VS <1)、
αS は前記シンチレーション材料のCTE(単位:ppm/℃)、
VC は前記光学カプリング材料の体積含有率(1−VS に等しい)、
αC は前記光学カプリング材料のCTE、
αT は複合された混合物の最終的なCTEであり、
VS =(WSvS)/(WSvS+WCvC)
VC =(WCvC)/(WSvS+WCvC)
WT =WSvS+WCvC
であり、
ここで、
WS は前記複合物内の前記シンチレーション材料の重量、
vS は前記シンチレーション材料の比容積、
WC は前記光学カプリング材料の重量、
vC は前記光学カプリング材料の比容積、
WT は前記複合物の合計重量、
CTEは熱膨張係数である請求項1乃至4のいずれかに記載の複合物。 - 一体構造のブロックとなるシンチレータ本体を構成するように形成させた多結晶質シンチレーション材料であって、前記シンチレータ本体はX線放射を受け取り、前記X線放射の量に対応した光量を前記シンチレータ本体を通過させて投射するように配置されている、多結晶質シンチレーション材料と、
前記フォトダイオード・デバイスであって、前記投射された光を受け取り、前記投射された光および前記X線放射を表す電気信号を発生させるように配置されているフォトダイオード・デバイスと、
前記投射された光が前記ギャップを横切る際の前記投射された光の屈折を減少させるために、前記ギャップ内に配置した、請求項1乃至5のいずれかに記載の複合物と、を備えることを特徴とするX線検出器装置。 - 前記X線検出器がCTイメージング・システムで使用するように配置されている請求項6に記載の装置。
- CTシステム用のX線検出器アセンブリを製造するための方法であって、
粉末の形態をしたセラミック・シンチレータ材料と、光学カプリング材料の樹脂成分とを混合させ、粉末シンチレータ−光カプラの組成物を作成するステップと、
前記セラミック・シンチレータ材料の一体構造のブロックとなるシンチレータ本体を、フォトダイオード・デバイスとをこれらの間にギャップを設けて配置し、かつ前記粉末シンチレータ−光カプラ組成物で前記ギャップを充填させるステップと、を含む方法。 - 前記ギャップの幅が40〜50マイクロメートルである請求項8に記載の方法。
- 前記組成物を作成する前記ステップが、前記粉末シンチレータ材料を前記樹脂に添加し、次いで前記粉末シンチレータ材料が前記樹脂の全体に均一に分布するまで完全に混合させることを含む請求項8又は9に記載の方法。
- 前記方法が、前記粉末シンチレータ−樹脂の混合物から、並びに前記組成物から気泡を除去するステップを含んでいる請求項8乃至10のいずれかに記載の方法。
- CTシステム用のX線検出器アセンブリを製造するための方法であって、
粉末の形態をしたセラミック・シンチレータ材料と、光学カプリング材料の樹脂成分とを混合させ、粉末シンチレータ−光カプラの組成物を作成するステップと、
前記セラミック・シンチレータ材料の一体構造のブロックとなるシンチレータ本体に前記組成物を塗布してコーティングするステップと、
フォトダイオード・デバイスに前記組成物を塗布してコーティングするステップと、
接着剤を用いて、コーティングを施したこの2つの要素を互いに結合させるステップと、を含む方法。
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