JPH0519060A - シンチレータの製造方法 - Google Patents
シンチレータの製造方法Info
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- JPH0519060A JPH0519060A JP3170155A JP17015591A JPH0519060A JP H0519060 A JPH0519060 A JP H0519060A JP 3170155 A JP3170155 A JP 3170155A JP 17015591 A JP17015591 A JP 17015591A JP H0519060 A JPH0519060 A JP H0519060A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＢＧＯ結晶の切込み溝に反射材を高密度に充
填し、小型でエネルギ分解能が高く高感度なシンチレー
タを製造する。 【構成】 Bi4Ge3O12 結晶２のシンチレーション光の出
射面２ａから、前記出射面２ａに直交し且つ互いに直交
する格子状の切込み溝４および５を形成した後、反射材
粉末６を含有する樹脂溶液を切込み溝４および５に1.5
×1010Pa以下の減圧下で充填し、減圧により脱溶媒して
反射層７を形成する
填し、小型でエネルギ分解能が高く高感度なシンチレー
タを製造する。 【構成】 Bi4Ge3O12 結晶２のシンチレーション光の出
射面２ａから、前記出射面２ａに直交し且つ互いに直交
する格子状の切込み溝４および５を形成した後、反射材
粉末６を含有する樹脂溶液を切込み溝４および５に1.5
×1010Pa以下の減圧下で充填し、減圧により脱溶媒して
反射層７を形成する
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばＸ線断層撮影装
置（Ｘ線ＣＴ）、陽電子放出核種断層撮影装置（ポジト
ロンＣＴ）のような放射線医療診断装置や高エネルギ物
理学に用いられる放射線検出器を構成するシンチレータ
の製造方法に関する。
置（Ｘ線ＣＴ）、陽電子放出核種断層撮影装置（ポジト
ロンＣＴ）のような放射線医療診断装置や高エネルギ物
理学に用いられる放射線検出器を構成するシンチレータ
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】放射線検出器のひとつに、光電子増倍管
にシンチレータとしてBi4Ge3O12 結晶（以下「ＢＧＯ結
晶」という）を光学的に接合したものがある。ＢＧＯ結
晶の表面には反射材としてBaSO4粉末が塗布されてい
る。シンチレーション光を光電子増倍管に効率よく伝達
するためである。
にシンチレータとしてBi4Ge3O12 結晶（以下「ＢＧＯ結
晶」という）を光学的に接合したものがある。ＢＧＯ結
晶の表面には反射材としてBaSO4粉末が塗布されてい
る。シンチレーション光を光電子増倍管に効率よく伝達
するためである。
【０００３】ＢＧＯ結晶は、断層像の分解能を向上する
ために次第に小型化され、一つの光電子増倍管上に複数
のＢＧＯ結晶チップを反射材を挟んで並べる構造がとら
れるようになった。しかし、この構造のシンチレータ
は、複数の小さなＢＧＯ結晶チップを作成した後に、そ
のチップのひとつひとつにスプレーガン等を用いて反射
材を塗装し、所定の形状に組み上げるといった多くの労
力を必要とし、製造に手間がかかる。
ために次第に小型化され、一つの光電子増倍管上に複数
のＢＧＯ結晶チップを反射材を挟んで並べる構造がとら
れるようになった。しかし、この構造のシンチレータ
は、複数の小さなＢＧＯ結晶チップを作成した後に、そ
のチップのひとつひとつにスプレーガン等を用いて反射
材を塗装し、所定の形状に組み上げるといった多くの労
力を必要とし、製造に手間がかかる。
【０００４】また、このようなシンチレータは、図１に
示すようにブロック状に切り出したＢＧＯ結晶２に一定
間隔の切込み溝４・５を縦横に形成しても良い。その切
込み溝４・５に反射材を充填すれば、実質的に複数のＢ
ＧＯ結晶チップに区画されたシンチレータが得られる。
ところが、幅が狭い切込み溝４・５に反射材であるBaSO
4 粉末を入れることは難しい。例えばスプレーガンを用
いた場合、反射材は切込み溝４・５の一部分にしか充填
されず、反射材６としての機能が十分に発揮されなかっ
た。
示すようにブロック状に切り出したＢＧＯ結晶２に一定
間隔の切込み溝４・５を縦横に形成しても良い。その切
込み溝４・５に反射材を充填すれば、実質的に複数のＢ
ＧＯ結晶チップに区画されたシンチレータが得られる。
ところが、幅が狭い切込み溝４・５に反射材であるBaSO
4 粉末を入れることは難しい。例えばスプレーガンを用
いた場合、反射材は切込み溝４・５の一部分にしか充填
されず、反射材６としての機能が十分に発揮されなかっ
た。
【０００５】欧州特許第 0146255号明細書には、シンチ
レータブロックの縦横に切込みを入れ、この切込みおよ
び隣り合ったブロック間に反射材成分と樹脂からなる反
射材粉末を含有する樹脂溶液を入れる方法が開示されて
いる。この方法では、樹脂成分を多くして反射材粉末を
含有する樹脂溶液の流動性を高め、切込みに充填させて
いる。しかし、米国特許第 4,543,485号明細書に示され
ているように、樹脂比率の高い反射材は光線を透過し易
く、シンチレータ内で発生したシンチレーション光が樹
脂を通じて隣接するチップやブロックの外部へ漏れ、反
射層としての特性が不十分である。シンチレーション光
の漏洩は、エネルギ分解能や感度の低下を招く。また、
脱溶媒の際に加熱を行なうと、ＢＧＯ結晶からなるシン
チレータの場合、透明なシンチレータが濁り、シンチレ
ーション光の発光量が減少するなどの悪影響を与えるこ
とがある。
レータブロックの縦横に切込みを入れ、この切込みおよ
び隣り合ったブロック間に反射材成分と樹脂からなる反
射材粉末を含有する樹脂溶液を入れる方法が開示されて
いる。この方法では、樹脂成分を多くして反射材粉末を
含有する樹脂溶液の流動性を高め、切込みに充填させて
いる。しかし、米国特許第 4,543,485号明細書に示され
ているように、樹脂比率の高い反射材は光線を透過し易
く、シンチレータ内で発生したシンチレーション光が樹
脂を通じて隣接するチップやブロックの外部へ漏れ、反
射層としての特性が不十分である。シンチレーション光
の漏洩は、エネルギ分解能や感度の低下を招く。また、
脱溶媒の際に加熱を行なうと、ＢＧＯ結晶からなるシン
チレータの場合、透明なシンチレータが濁り、シンチレ
ーション光の発光量が減少するなどの悪影響を与えるこ
とがある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記の課題を
解決するためなされたもので、ＢＧＯ結晶の切込み溝に
反射材を高密度に充填し、小型でエネルギ分解能が高く
高感度なシンチレータが得られるシンチレータの製造方
法を提供することを目的とする。
解決するためなされたもので、ＢＧＯ結晶の切込み溝に
反射材を高密度に充填し、小型でエネルギ分解能が高く
高感度なシンチレータが得られるシンチレータの製造方
法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、反射材６を
含む樹脂溶液の溶媒比率を高めて流動性を確保し、切込
み溝４・５に充填しながら溶媒を減圧除去すると反射材
６が密に充填されるという知見を得、本発明を完成する
に至った。
めに本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、反射材６を
含む樹脂溶液の溶媒比率を高めて流動性を確保し、切込
み溝４・５に充填しながら溶媒を減圧除去すると反射材
６が密に充填されるという知見を得、本発明を完成する
に至った。
【０００８】即ち、本発明のシンチレータの製造方法
は、図１に示すように、Bi4Ge3O12 結晶２のシンチレー
ション光の出射面２ａから、前記出射面２ａに直交し且
つ互いに直交する格子状の切込み溝４および５を形成し
た後、反射材粉末６を含有する樹脂溶液を切込み溝４お
よび５に1.5 ×1010Pa以下の減圧下で充填し、減圧によ
り脱溶媒して反射層７を形成する工程を含んでいる。
は、図１に示すように、Bi4Ge3O12 結晶２のシンチレー
ション光の出射面２ａから、前記出射面２ａに直交し且
つ互いに直交する格子状の切込み溝４および５を形成し
た後、反射材粉末６を含有する樹脂溶液を切込み溝４お
よび５に1.5 ×1010Pa以下の減圧下で充填し、減圧によ
り脱溶媒して反射層７を形成する工程を含んでいる。
【０００９】反射材粉末６は、例えば、BaSO4 、TiO2、
Al2O3 およびMgO の粉末を使用する。
Al2O3 およびMgO の粉末を使用する。
【００１０】樹脂溶液は、高分子系バインダを溶媒に溶
解したものである。高分子系バインダとしては、例え
ば、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール、シリコーン
樹脂およびエポキシ樹脂が使用可能である。なかでもア
クリル樹脂とポリビニルアルコールとを併用することが
望ましい。アクリル樹脂量は、反射材粉末１００重量部
に対して８重量部以下、好ましくは１〜４重量部混合す
ることが好ましい。８重量部以上の場合はシンチレーシ
ョン光が樹脂を通じて外部へ漏れ易くなりエネルギ分解
能や感度が低下する。ポリビニルアルコール量は、反射
材粉末１００重量部に対して０．３重量部以下、好まし
くは０．１〜０．２重量部混合することが好ましい。
０．３重量部以上の場合、反射層７が吸湿性をもち、耐
久性が乏しくなる。
解したものである。高分子系バインダとしては、例え
ば、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール、シリコーン
樹脂およびエポキシ樹脂が使用可能である。なかでもア
クリル樹脂とポリビニルアルコールとを併用することが
望ましい。アクリル樹脂量は、反射材粉末１００重量部
に対して８重量部以下、好ましくは１〜４重量部混合す
ることが好ましい。８重量部以上の場合はシンチレーシ
ョン光が樹脂を通じて外部へ漏れ易くなりエネルギ分解
能や感度が低下する。ポリビニルアルコール量は、反射
材粉末１００重量部に対して０．３重量部以下、好まし
くは０．１〜０．２重量部混合することが好ましい。
０．３重量部以上の場合、反射層７が吸湿性をもち、耐
久性が乏しくなる。
【００１１】溶媒は、減圧により蒸発可能なものを使用
する。水をはじめ、例えば、メチルアルコールやエチル
アルコール等のアルコール類、アセトンやメチルイソブ
チルケトン等のケトン類、エステル類が使用可能であ
る。
する。水をはじめ、例えば、メチルアルコールやエチル
アルコール等のアルコール類、アセトンやメチルイソブ
チルケトン等のケトン類、エステル類が使用可能であ
る。
【００１２】反射材粉末６を含有する樹脂溶液の充填作
業は、真空度が 1.5×104Pa 以下、好ましくは 1.0×10
4Pa 以下の減圧下で行なう。真空度が 1.5×104Pa 以上
の場合は脱溶媒の速度が低下して反射材粉末６の充填密
度が低くなり、反射層７の光線反射率が低下してしま
う。
業は、真空度が 1.5×104Pa 以下、好ましくは 1.0×10
4Pa 以下の減圧下で行なう。真空度が 1.5×104Pa 以上
の場合は脱溶媒の速度が低下して反射材粉末６の充填密
度が低くなり、反射層７の光線反射率が低下してしま
う。
【００１３】充填作業時の温度は20〜30℃程度に設定す
る。温度が30℃以上になると、溶媒が低圧下で沸騰して
急激に揮散する恐れがある。この場合、充填中の樹脂溶
液の粘度が上昇して流動性が低下し、充填作業が阻害さ
れることに加え、乾燥後の反射層７に空隙が生じて反射
材粉末６の充填密度が低下し、十分な光線反射率が得ら
れなくなる。
る。温度が30℃以上になると、溶媒が低圧下で沸騰して
急激に揮散する恐れがある。この場合、充填中の樹脂溶
液の粘度が上昇して流動性が低下し、充填作業が阻害さ
れることに加え、乾燥後の反射層７に空隙が生じて反射
材粉末６の充填密度が低下し、十分な光線反射率が得ら
れなくなる。
【００１４】
【作用】反射材粉末６を含有する樹脂溶液は、反射材粉
末６と高分子系バインダと溶媒とを混合することによ
り、粘度が調節されて流動性が確保されている。ＢＧＯ
結晶２の切込み溝４・５に入れられた樹脂溶液は、狭い
切込み溝４・５内を流動してその深部まで隙間なく充填
される。充填作業は減圧下で行なわれ、反射材粉末６を
含有する樹脂溶液は流動しながら溶媒が蒸発するため、
反射材粉末６の充填密度が高く、光線反射率が高い反射
層７が形成される。例えば反射層７の光線反射率は波長
480nm において90％以上になる。また脱溶媒の際に加熱
を行なう必要がなく、シンチレータの特性に悪影響を与
えることがない。
末６と高分子系バインダと溶媒とを混合することによ
り、粘度が調節されて流動性が確保されている。ＢＧＯ
結晶２の切込み溝４・５に入れられた樹脂溶液は、狭い
切込み溝４・５内を流動してその深部まで隙間なく充填
される。充填作業は減圧下で行なわれ、反射材粉末６を
含有する樹脂溶液は流動しながら溶媒が蒸発するため、
反射材粉末６の充填密度が高く、光線反射率が高い反射
層７が形成される。例えば反射層７の光線反射率は波長
480nm において90％以上になる。また脱溶媒の際に加熱
を行なう必要がなく、シンチレータの特性に悪影響を与
えることがない。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例として図１に示すシン
チレータを製造する例を説明する。
チレータを製造する例を説明する。
【００１６】内周切断器を用いて30×30×15mmのＢＧＯ
結晶２を切り出し、全ての面にGC＃600 の砥粒で研磨加
工を施す。さらに30×30mmの面のうちの一面２ａを鏡面
に仕上げ、シンチレータの出射面とする。マルチバンド
ソーを用い、鏡面加工された出射面２ａから、その面と
垂直に、幅0.5mm 、深さ12mmの切込み溝４を５mm間隔で
５本形成する。さらにＢＧＯ結晶２をマルチバンドソー
に対して90度回転させ、同様に出射面２ａから、先に形
成した切込み溝４と直交する切込み溝５を５本形成す
る。ＢＧＯ結晶２には格子状の切込み溝４・５が形成さ
れる。
結晶２を切り出し、全ての面にGC＃600 の砥粒で研磨加
工を施す。さらに30×30mmの面のうちの一面２ａを鏡面
に仕上げ、シンチレータの出射面とする。マルチバンド
ソーを用い、鏡面加工された出射面２ａから、その面と
垂直に、幅0.5mm 、深さ12mmの切込み溝４を５mm間隔で
５本形成する。さらにＢＧＯ結晶２をマルチバンドソー
に対して90度回転させ、同様に出射面２ａから、先に形
成した切込み溝４と直交する切込み溝５を５本形成す
る。ＢＧＯ結晶２には格子状の切込み溝４・５が形成さ
れる。
【００１７】次にＢＧＯ結晶２の切込み溝４・５に反射
材粉末６を含有する樹脂溶液を充填する。反射材粉末６
を含有する樹脂溶液は、BaSO4 粉末１Kg、水500gおよび
2.6%のポリビニルアルコール水溶液60g を分散させた分
散液と、アクリル系樹脂（日本ペイント（株）製、ニッ
ペイホームペイント）とを容積比３：１で混合した樹脂
溶液を使用する。
材粉末６を含有する樹脂溶液を充填する。反射材粉末６
を含有する樹脂溶液は、BaSO4 粉末１Kg、水500gおよび
2.6%のポリビニルアルコール水溶液60g を分散させた分
散液と、アクリル系樹脂（日本ペイント（株）製、ニッ
ペイホームペイント）とを容積比３：１で混合した樹脂
溶液を使用する。
【００１８】内のりが約30×30mm、高さ15〜50mmの型枠
に、ＢＧＯ結晶２をその出射面２ａを上方に向けて装着
する。型枠内に先に調製した樹脂溶液を注入した後、Ｂ
ＧＯ結晶２を型枠ごと減圧装置に入れ、減圧装置内を真
空引きして 1.0×1010Pa以下に減圧する。樹脂溶液は流
動性を有しており、狭い切込み溝４・５内部をその深部
まで流動するとともに、減圧によって溶媒成分が気化
し、真空脱泡される。樹脂溶液の流動性が失われたら減
圧を一旦中止して、減圧装置内に五酸化リン等の乾燥剤
を入れ、再度1.0 ×1010Pa以下に減圧し、脱溶媒を十分
に行なって乾燥させる。これらの操作により、切込み溝
４・５には反射材粉末６が密に充填された反射層７が形
成される。反射層７形成後、減圧装置からＢＧＯ結晶２
を取り出し、型枠を外す。一連の作業の間、ＢＧＯ結晶
２周囲の温度は25℃程度にしておく。
に、ＢＧＯ結晶２をその出射面２ａを上方に向けて装着
する。型枠内に先に調製した樹脂溶液を注入した後、Ｂ
ＧＯ結晶２を型枠ごと減圧装置に入れ、減圧装置内を真
空引きして 1.0×1010Pa以下に減圧する。樹脂溶液は流
動性を有しており、狭い切込み溝４・５内部をその深部
まで流動するとともに、減圧によって溶媒成分が気化
し、真空脱泡される。樹脂溶液の流動性が失われたら減
圧を一旦中止して、減圧装置内に五酸化リン等の乾燥剤
を入れ、再度1.0 ×1010Pa以下に減圧し、脱溶媒を十分
に行なって乾燥させる。これらの操作により、切込み溝
４・５には反射材粉末６が密に充填された反射層７が形
成される。反射層７形成後、減圧装置からＢＧＯ結晶２
を取り出し、型枠を外す。一連の作業の間、ＢＧＯ結晶
２周囲の温度は25℃程度にしておく。
【００１９】反射層７が形成されたＢＧＯ結晶２の粗面
加工された五つの面に、BaSO4 粉末１Kg、水500gおよび
2.6%のポリビニルアルコール水溶液60g を分散させた分
散液と、アクリル系樹脂（日本ペイント（株）製、ニッ
ペイホームペイント）とを容積比１：１で混合した樹脂
溶液をスプレーガンで塗装して厚さ 400μｍの反射層９
を設けると、図１に示すシンチレータが完成する。な
お、出射面２ａに付着した樹脂溶液（反射層）は取り除
いておく。
加工された五つの面に、BaSO4 粉末１Kg、水500gおよび
2.6%のポリビニルアルコール水溶液60g を分散させた分
散液と、アクリル系樹脂（日本ペイント（株）製、ニッ
ペイホームペイント）とを容積比１：１で混合した樹脂
溶液をスプレーガンで塗装して厚さ 400μｍの反射層９
を設けると、図１に示すシンチレータが完成する。な
お、出射面２ａに付着した樹脂溶液（反射層）は取り除
いておく。
【００２０】シンチレータ２の出射面２ａを図２に示す
ように光電子増倍管１０の入射面１０ａに光学的に接合
すれば、放射線検出器が完成する。この放射線検出器
は、シンチレータ２内で発生したシンチレーション光が
損失なく最大限に光電子増倍管１０へ伝達されるため、
光電子増倍管１０に達する光子数が多く、高感度でエネ
ルギ分解能が優れたものになる。
ように光電子増倍管１０の入射面１０ａに光学的に接合
すれば、放射線検出器が完成する。この放射線検出器
は、シンチレータ２内で発生したシンチレーション光が
損失なく最大限に光電子増倍管１０へ伝達されるため、
光電子増倍管１０に達する光子数が多く、高感度でエネ
ルギ分解能が優れたものになる。
【００２１】なお、上記した実施例では、反射材６とし
てBaSO4 粉末、バインダとしてアクリル系樹脂を用いた
が、このほかにも公知のものが使用可能である。
てBaSO4 粉末、バインダとしてアクリル系樹脂を用いた
が、このほかにも公知のものが使用可能である。
【００２２】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように本発明を適
用するシンチレータの製造方法によれば、ＢＧＯ結晶の
切込み溝に反射材粉末を高密度に充填することができ、
小型でエネルギ分解能が高く、高感度なシンチレータを
製造することができる。
用するシンチレータの製造方法によれば、ＢＧＯ結晶の
切込み溝に反射材粉末を高密度に充填することができ、
小型でエネルギ分解能が高く、高感度なシンチレータを
製造することができる。
【図１】本発明を適用する製造方法で製造されたシンチ
レータの部分断面斜視図である。
レータの部分断面斜視図である。
【図２】本発明を適用する製造方法で製造されたシンチ
レータを用いた放射線検出器の斜視図である。
レータを用いた放射線検出器の斜視図である。
２はＢＧＯ結晶、２ａは鏡面加工面、４・５は切込み
溝、６は反射材粉末、７・９は反射層、１０は光電子増
倍管、１０ａは入射窓である。
溝、６は反射材粉末、７・９は反射層、１０は光電子増
倍管、１０ａは入射窓である。
Claims (3)
- 【請求項１】 Bi4Ge3O12 結晶のシンチレーション光の
出射面から、前記出射面に直交し且つ互いに直交する格
子状の切込み溝を形成した後、反射材粉末を含有する樹
脂溶液を前記切込み溝に1.5 ×1010Pa以下の減圧下で充
填し、減圧により脱溶媒して反射層を形成する工程を含
むことを特徴とするシンチレータの製造方法。 - 【請求項２】 前記反射材粉末を含有する樹脂溶液の樹
脂成分は、ポリビニルアルコールとアクリル樹脂とから
なることを特徴とする請求項１に記載のシンチレータの
製造方法。 - 【請求項３】 前記反射材粉末を含有する樹脂溶液の組
成比は、反射材粉末１００重量部に対し、ポリビニルア
ルコールが０．３重量部以下であり、アクリル樹脂が８
重量部以下であることを特徴とする請求項１に記載のシ
ンチレータの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3170155A JPH0519060A (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | シンチレータの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3170155A JPH0519060A (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | シンチレータの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0519060A true JPH0519060A (ja) | 1993-01-26 |
Family
ID=15899709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3170155A Pending JPH0519060A (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | シンチレータの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0519060A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001220232A (ja) * | 1999-09-01 | 2001-08-14 | General Electric Co <Ge> | 複合セラミック物品及びその製造法 |
| JP2002071816A (ja) * | 2000-08-29 | 2002-03-12 | Japan Atom Energy Res Inst | ２次元放射線および中性子イメージ検出器 |
| JP2002311142A (ja) * | 2001-04-18 | 2002-10-23 | Toshiba Corp | Ｘ線固体検出器の製造方法およびｘ線ｃｔ装置 |
| US7138638B2 (en) | 2003-11-20 | 2006-11-21 | Juni Jack E | Edge effects treatment for crystals |
| JP2009058453A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Tohoku Univ | アレイ製造方法、シンチレータアレイ |
| WO2010092869A1 (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-19 | 日立金属株式会社 | 放射線検出器および放射線検出器の製造方法 |
| JP2011106981A (ja) * | 2009-11-18 | 2011-06-02 | Furukawa Co Ltd | シンチレータアレイ |
| US8158949B2 (en) | 2007-07-26 | 2012-04-17 | Toshiba Electron Tubes & Devices Co., Ltd. | Radiation detector and method for manufacturing the same |
| JP2013039363A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | General Electric Co <Ge> | 計算機式断層写真法（ｃｔ）撮像用の低分解能シンチレート式アレイ、及び該アレイを実装する方法 |
| WO2013146167A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 日立金属株式会社 | シンチレータデュアルアレイの製造方法 |
| JP2015525352A (ja) * | 2012-06-21 | 2015-09-03 | レイキャン テクノロジー カンパニー リミテッド（スーヂョウ） | 多層シンチレーション結晶及びｐｅｔ検出器 |
| CN111528888A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-08-14 | 南昌大学 | 一种基于自锁结构发光晶体的单光子发射断层成像结构 |
| CN112540395A (zh) * | 2020-12-04 | 2021-03-23 | 清远先导材料有限公司 | 闪烁晶体阵列及其组装方法和拆卸方法 |
-
1991
- 1991-07-10 JP JP3170155A patent/JPH0519060A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001220232A (ja) * | 1999-09-01 | 2001-08-14 | General Electric Co <Ge> | 複合セラミック物品及びその製造法 |
| JP2002071816A (ja) * | 2000-08-29 | 2002-03-12 | Japan Atom Energy Res Inst | ２次元放射線および中性子イメージ検出器 |
| JP2002311142A (ja) * | 2001-04-18 | 2002-10-23 | Toshiba Corp | Ｘ線固体検出器の製造方法およびｘ線ｃｔ装置 |
| US7138638B2 (en) | 2003-11-20 | 2006-11-21 | Juni Jack E | Edge effects treatment for crystals |
| JP2007532864A (ja) * | 2003-11-20 | 2007-11-15 | ジャック イー ジュニ | 結晶に対するエッジ効果処理 |
| US8158949B2 (en) | 2007-07-26 | 2012-04-17 | Toshiba Electron Tubes & Devices Co., Ltd. | Radiation detector and method for manufacturing the same |
| JP2009058453A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Tohoku Univ | アレイ製造方法、シンチレータアレイ |
| WO2010092869A1 (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-19 | 日立金属株式会社 | 放射線検出器および放射線検出器の製造方法 |
| JP2011106981A (ja) * | 2009-11-18 | 2011-06-02 | Furukawa Co Ltd | シンチレータアレイ |
| JP2013039363A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | General Electric Co <Ge> | 計算機式断層写真法（ｃｔ）撮像用の低分解能シンチレート式アレイ、及び該アレイを実装する方法 |
| WO2013146167A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 日立金属株式会社 | シンチレータデュアルアレイの製造方法 |
| JPWO2013146167A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2015-12-10 | 日立金属株式会社 | シンチレータデュアルアレイの製造方法 |
| US9899113B2 (en) | 2012-03-30 | 2018-02-20 | Hitachi Metals, Ltd. | Production method of scintillator dual array |
| JP2015525352A (ja) * | 2012-06-21 | 2015-09-03 | レイキャン テクノロジー カンパニー リミテッド（スーヂョウ） | 多層シンチレーション結晶及びｐｅｔ検出器 |
| CN111528888A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-08-14 | 南昌大学 | 一种基于自锁结构发光晶体的单光子发射断层成像结构 |
| CN112540395A (zh) * | 2020-12-04 | 2021-03-23 | 清远先导材料有限公司 | 闪烁晶体阵列及其组装方法和拆卸方法 |
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