JPH06160538A - Ｃｔセンサーの形成方法及びそのｃｔセンサー - Google Patents
Ｃｔセンサーの形成方法及びそのｃｔセンサーInfo
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- JPH06160538A JPH06160538A JP4305228A JP30522892A JPH06160538A JP H06160538 A JPH06160538 A JP H06160538A JP 4305228 A JP4305228 A JP 4305228A JP 30522892 A JP30522892 A JP 30522892A JP H06160538 A JPH06160538 A JP H06160538A
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Landscapes
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スペーサの厚みを一定にし、隣接するダイオ
ードへの光の入射を阻止し、シンチレータに対応するフ
ォトダイオードにシンチレータからの光を正しく入射さ
せ得るシンチレータ素子体を有するＣＴ用固体センサー
の提供。 【構成】 基盤２１上に形成されたフォトダイオード層
２２とシンチレータブロック２５からなるシンチレータ
層を接合し（図２（ａ））、シンチレータ層の上面から
フォトダイオード層２２の上面に至る間をダイヤモンド
カッター２９により切断方向に平行に切断してフォトダ
イオード層２２の上面に至る複数の溝２７を形成し（図
２（ｂ））、微細状の光反射材を混入した光硬化樹脂を
主成分とする流動性充填物を溝に充填し、シンチレータ
層に光線を照射し、充填物の光硬化樹脂を硬化させて溝
を反射層２８とする（図２（ｃ））。
ードへの光の入射を阻止し、シンチレータに対応するフ
ォトダイオードにシンチレータからの光を正しく入射さ
せ得るシンチレータ素子体を有するＣＴ用固体センサー
の提供。 【構成】 基盤２１上に形成されたフォトダイオード層
２２とシンチレータブロック２５からなるシンチレータ
層を接合し（図２（ａ））、シンチレータ層の上面から
フォトダイオード層２２の上面に至る間をダイヤモンド
カッター２９により切断方向に平行に切断してフォトダ
イオード層２２の上面に至る複数の溝２７を形成し（図
２（ｂ））、微細状の光反射材を混入した光硬化樹脂を
主成分とする流動性充填物を溝に充填し、シンチレータ
層に光線を照射し、充填物の光硬化樹脂を硬化させて溝
を反射層２８とする（図２（ｃ））。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＣＴ装置に用いるＣＴセ
ンサーに関し、特に、固体センサーの形成方法及びその
方法により形成された固体センサーに関する。
ンサーに関し、特に、固体センサーの形成方法及びその
方法により形成された固体センサーに関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線検出器として、シンチレータとフォ
トダイオードを組合せた固体シンチレーション検出器が
ある。近年、ＣＴ画像の分解能の向上に伴い検出器の高
密度化が要求されており、そのためには検出器の配列ピ
ッチを出来るだけ小さくする必要がある。
トダイオードを組合せた固体シンチレーション検出器が
ある。近年、ＣＴ画像の分解能の向上に伴い検出器の高
密度化が要求されており、そのためには検出器の配列ピ
ッチを出来るだけ小さくする必要がある。
【０００３】図３〜６は従来の固体シンチレーション検
出器の構成の説明図であり、図３は基盤３１上に形成し
たフォトダイオード素子３２を示し、フォトダイオード
素子３２の一端には信号端子３３がある。図４はシンチ
レータ４１及びスペーサ４２を順次接着して形成したシ
ンチレータ素子体４０を示し、図５は基盤３１上のフォ
トダイオード素子３２上に透明接着剤でシンチレータ素
子体４０を接合して構成した固体シンチレーション検出
器５１を示している。また、図６は図７の固体シンチレ
ーション検出器５１の断面図であり、シンチレータ４１
とスペーサ４２及びシンチレータ４１，・・，４１とス
ペーサ４２の接合面の接着剤４３からなるシンチレータ
素子体４０とシンチレータ素子体４０と接合したフォト
ダイオード素子４２の断面が示されている。また、これ
らの組立作業は重ね合せの手作業で行われていた。
出器の構成の説明図であり、図３は基盤３１上に形成し
たフォトダイオード素子３２を示し、フォトダイオード
素子３２の一端には信号端子３３がある。図４はシンチ
レータ４１及びスペーサ４２を順次接着して形成したシ
ンチレータ素子体４０を示し、図５は基盤３１上のフォ
トダイオード素子３２上に透明接着剤でシンチレータ素
子体４０を接合して構成した固体シンチレーション検出
器５１を示している。また、図６は図７の固体シンチレ
ーション検出器５１の断面図であり、シンチレータ４１
とスペーサ４２及びシンチレータ４１，・・，４１とス
ペーサ４２の接合面の接着剤４３からなるシンチレータ
素子体４０とシンチレータ素子体４０と接合したフォト
ダイオード素子４２の断面が示されている。また、これ
らの組立作業は重ね合せの手作業で行われていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このようにして形成さ
れたシンチレータ素子体４０は接合面の接着剤４３の厚
さやスペーサ４２の厚み等に若干の精度誤差を生じる。
このような誤差はシンチレータ素子体４０をフォトダイ
オード素子３２に接合する場合にシンチレータ素子体４
０とフォトダイオード素子３２間に上記の誤差分がピッ
チずれとなって生じる原因となり、１つのシンチレータ
４１で発光した光が当該シンチレータに対応するフォト
ダイオードに正しく入射せず、一部が隣接するダイオー
ドに入射し、その信号がクロストークとなって、ＣＴ画
像にアーチファクト（偽像）を生じるという問題点があ
った。
れたシンチレータ素子体４０は接合面の接着剤４３の厚
さやスペーサ４２の厚み等に若干の精度誤差を生じる。
このような誤差はシンチレータ素子体４０をフォトダイ
オード素子３２に接合する場合にシンチレータ素子体４
０とフォトダイオード素子３２間に上記の誤差分がピッ
チずれとなって生じる原因となり、１つのシンチレータ
４１で発光した光が当該シンチレータに対応するフォト
ダイオードに正しく入射せず、一部が隣接するダイオー
ドに入射し、その信号がクロストークとなって、ＣＴ画
像にアーチファクト（偽像）を生じるという問題点があ
った。
【０００５】本発明は、上記問題点を解消するためにス
ペーサの厚みを一定にし、隣接するダイオードへの光の
入射を阻止し、シンチレータに対応するフォトダイオー
ドにシンチレータからの光を正しく入射させ得るシンチ
レータ素子体を有するＣＴ用固体センサーを提供するこ
とを目的とする。
ペーサの厚みを一定にし、隣接するダイオードへの光の
入射を阻止し、シンチレータに対応するフォトダイオー
ドにシンチレータからの光を正しく入射させ得るシンチ
レータ素子体を有するＣＴ用固体センサーを提供するこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに第１の発明によるＣＴセンサーを形成する方法は、
基盤上に形成されたフォトダイオード層とシンチレータ
層を接合し、シンチレータ層の上面からフォトダイオー
ド層の上面に至る間を溝切り装置により切断方向に平行
且つ等間隔に切断してフォトダイオード層の上面に至る
複数の溝を形成し、微細状の光反射材を混入した光硬化
樹脂を主成分とする流動性充填物を溝に充填し、光線を
照射して充填物の光硬化樹脂を硬化させて溝を反射層と
することを特徴とする。
めに第１の発明によるＣＴセンサーを形成する方法は、
基盤上に形成されたフォトダイオード層とシンチレータ
層を接合し、シンチレータ層の上面からフォトダイオー
ド層の上面に至る間を溝切り装置により切断方向に平行
且つ等間隔に切断してフォトダイオード層の上面に至る
複数の溝を形成し、微細状の光反射材を混入した光硬化
樹脂を主成分とする流動性充填物を溝に充填し、光線を
照射して充填物の光硬化樹脂を硬化させて溝を反射層と
することを特徴とする。
【０００７】第２の発明は、上記第１の発明によるＣＴ
センサーの形成方法において、微細状の光反射材が白色
セラミッスパウダー及び／又は重金属パウダーであるこ
とを特徴とする。
センサーの形成方法において、微細状の光反射材が白色
セラミッスパウダー及び／又は重金属パウダーであるこ
とを特徴とする。
【０００８】第３の発明によるＣＴセンサーは、基盤上
に形成されたフォトダイオード層と、フォトダイオード
層と接合し、微細状の光反射材を混入した光硬化樹脂を
主成分とした充填物をスペーサとするシンチレータと、
を有することを特徴とする。
に形成されたフォトダイオード層と、フォトダイオード
層と接合し、微細状の光反射材を混入した光硬化樹脂を
主成分とした充填物をスペーサとするシンチレータと、
を有することを特徴とする。
【０００９】第４の発明は、上記第３の発明によるＣＴ
センサーにおいて、充填物が光硬化樹脂を主成分とし、
白色セラミッスパウダー及び／又は重金属パウダーを混
入した光硬化樹脂を主成分とすることを特徴とする。
センサーにおいて、充填物が光硬化樹脂を主成分とし、
白色セラミッスパウダー及び／又は重金属パウダーを混
入した光硬化樹脂を主成分とすることを特徴とする。
【００１０】
【作用】上記構成により第１の発明によるＣＴセンサー
を形成する方法は、基盤上に形成されたフォトダイオー
ド層とシンチレータ層を接合し、シンチレータ層の上面
からフォトダイオード層の上面に至る間を溝切り装置に
より切断方向に平行且つ等間隔に切断してフォトダイオ
ード層の上面に至る複数の溝を形成し、微細状の光反射
材を混入した光硬化樹脂を主成分とする流動性充填物を
溝に充填し、光線を照射して充填物の光硬化樹脂を硬化
させて溝を反射層とする。
を形成する方法は、基盤上に形成されたフォトダイオー
ド層とシンチレータ層を接合し、シンチレータ層の上面
からフォトダイオード層の上面に至る間を溝切り装置に
より切断方向に平行且つ等間隔に切断してフォトダイオ
ード層の上面に至る複数の溝を形成し、微細状の光反射
材を混入した光硬化樹脂を主成分とする流動性充填物を
溝に充填し、光線を照射して充填物の光硬化樹脂を硬化
させて溝を反射層とする。
【００１１】第２の発明では、白色セラミッスパウダー
及び／又は重金属パウダーが光を反射し、また、重金属
パウダーはＸ線を遮蔽する。
及び／又は重金属パウダーが光を反射し、また、重金属
パウダーはＸ線を遮蔽する。
【００１２】第３の発明によるＣＴセンサーは、微細状
の光反射材を混入した光硬化樹脂を主成分とした充填物
をスペーサとするシンチレータにより、隣接するダイオ
ードへの光の入射を阻止し、シンチレータに対応するフ
ォトダイオードにシンチレータからの光を入射させる。
の光反射材を混入した光硬化樹脂を主成分とした充填物
をスペーサとするシンチレータにより、隣接するダイオ
ードへの光の入射を阻止し、シンチレータに対応するフ
ォトダイオードにシンチレータからの光を入射させる。
【００１３】第４の発明は、上記第３の発明によるＣＴ
センサーにおいて、充填物に含まれる白色セラミッスパ
ウダー及び／又は重金属パウダーが光を反射し、また、
重金属パウダーはＸ線を遮蔽する。
センサーにおいて、充填物に含まれる白色セラミッスパ
ウダー及び／又は重金属パウダーが光を反射し、また、
重金属パウダーはＸ線を遮蔽する。
【００１４】
【実施例】図１は本発明のＣＴセンサーの形成方法によ
り形成された固体シンチレーション検知器の基本的構成
を示す図であり、図１（ａ）はフォトダイオード素子２
２に接合されたシンチレータブロック２５に本発明のＣ
Ｔセンサーの形成方法（後述）により形成された溝２７
を示し、図１（ｂ）は溝２７に充填した充填物１８によ
り各々のシンチレータ２６，・・，２６が離隔形成され
ることにより全体として形成された固体センサー１０を
示す。
り形成された固体シンチレーション検知器の基本的構成
を示す図であり、図１（ａ）はフォトダイオード素子２
２に接合されたシンチレータブロック２５に本発明のＣ
Ｔセンサーの形成方法（後述）により形成された溝２７
を示し、図１（ｂ）は溝２７に充填した充填物１８によ
り各々のシンチレータ２６，・・，２６が離隔形成され
ることにより全体として形成された固体センサー１０を
示す。
【００１５】図２は、本発明のＣＴセンサーの形成方法
を示す概念図である。先ず、図２（ａ）に示すように基
盤２１上に形成されたフォトダイオード層２２にシンチ
レータブロック２５を透明な接着剤２４で固着させる。
を示す概念図である。先ず、図２（ａ）に示すように基
盤２１上に形成されたフォトダイオード層２２にシンチ
レータブロック２５を透明な接着剤２４で固着させる。
【００１６】次に、ダイヤモンドカッター（または、ワ
イヤソー等の溝切り装置）２９でシンチレータブロック
からなるシンチレータ層２５をその上面から、図２
（ｂ）に示すように、フォトダイオード層２２の上面ま
で（フォトダイオード層２２に切込まないように）切断
してゆきフォトダイオードの各有感部２３と有感部２３
の間に溝２７を形成する。ダイヤモンドカッター２９は
シンチレータブロック２５を等間隔に切断するよう平行
に駆動制御される。従って、シンチレータブロック２５
にはダイヤモンドカッターの厚みに等しい平行な溝２
７，・・，２７が形成される。
イヤソー等の溝切り装置）２９でシンチレータブロック
からなるシンチレータ層２５をその上面から、図２
（ｂ）に示すように、フォトダイオード層２２の上面ま
で（フォトダイオード層２２に切込まないように）切断
してゆきフォトダイオードの各有感部２３と有感部２３
の間に溝２７を形成する。ダイヤモンドカッター２９は
シンチレータブロック２５を等間隔に切断するよう平行
に駆動制御される。従って、シンチレータブロック２５
にはダイヤモンドカッターの厚みに等しい平行な溝２
７，・・，２７が形成される。
【００１７】その後、エポシキ樹脂又はアルキル樹脂の
ような光硬化樹脂を主成分として、光反射率を向上させ
るために二酸化チタン，酸化マグネシュウムのような白
色セラミックのパウダー（粉末）または金（Ａｕ），白
金（Ｐｔ）や鉛白等の重金属パウダーを混入させた流動
性の充填物１８を溝２７に流し込んで溝２７を充填す
る。なお、金（Ａｕ），白金（Ｐｔ）や鉛白等の重金属
パウダーを用いるとこれらは比重が重いので溝２７の隅
々までこれら重金属がいきわたり、ついで、Ｘ線遮蔽効
果も有する。また、白色セラミックのパウダーおよび重
金属パウダーは１種類でもよく、数種類を適宜の比率で
組合せて光硬化樹脂と混合してもよい。
ような光硬化樹脂を主成分として、光反射率を向上させ
るために二酸化チタン，酸化マグネシュウムのような白
色セラミックのパウダー（粉末）または金（Ａｕ），白
金（Ｐｔ）や鉛白等の重金属パウダーを混入させた流動
性の充填物１８を溝２７に流し込んで溝２７を充填す
る。なお、金（Ａｕ），白金（Ｐｔ）や鉛白等の重金属
パウダーを用いるとこれらは比重が重いので溝２７の隅
々までこれら重金属がいきわたり、ついで、Ｘ線遮蔽効
果も有する。また、白色セラミックのパウダーおよび重
金属パウダーは１種類でもよく、数種類を適宜の比率で
組合せて光硬化樹脂と混合してもよい。
【００１８】なお、この工程は溝２７の間隔が非常に狭
い幅であるため充填物の充填の際、空気が混入すると溝
に充填物が完全にいきわたらなくなるので、真空下で行
われることが望ましい。また、光硬化樹脂と白色セラミ
ックパウダー及び／又は重金属パウダーの混合工程にお
いても空気の混入のないように撹拌、混合する必要があ
る。
い幅であるため充填物の充填の際、空気が混入すると溝
に充填物が完全にいきわたらなくなるので、真空下で行
われることが望ましい。また、光硬化樹脂と白色セラミ
ックパウダー及び／又は重金属パウダーの混合工程にお
いても空気の混入のないように撹拌、混合する必要があ
る。
【００１９】更に、溝２７に充填物１８を満たし、余分
な充填物を取り去った後、図２（ｃ）に示すように光
（例えば、可視光線）を照射すると、溝２７内の充填物
の光硬化樹脂を硬化させて反射性充填物からなる反射層
２８を形成する。なお、切断により形成された各シンチ
レータ２６からも反射層２８の壁面に光が入射するので
樹脂の硬化が促進される。また、反射層を二酸化チタン
と金（Ａｕ）を混合した光硬化樹脂で形成した場合、光
透過率０％，反射率９０％以上の反射層を得ることが出
来る。
な充填物を取り去った後、図２（ｃ）に示すように光
（例えば、可視光線）を照射すると、溝２７内の充填物
の光硬化樹脂を硬化させて反射性充填物からなる反射層
２８を形成する。なお、切断により形成された各シンチ
レータ２６からも反射層２８の壁面に光が入射するので
樹脂の硬化が促進される。また、反射層を二酸化チタン
と金（Ａｕ）を混合した光硬化樹脂で形成した場合、光
透過率０％，反射率９０％以上の反射層を得ることが出
来る。
【００２０】上記により、反射層２８によって等間隔に
隔設されたシンチレータ２６，・・，２６が形成される
ので、所望の面積の固体センサー１０を得ることが出来
る。
隔設されたシンチレータ２６，・・，２６が形成される
ので、所望の面積の固体センサー１０を得ることが出来
る。
【００２１】なお、本発明の固体シンチレーション検出
器を用いた場合、Ｘ線管からの斜方向の入射Ｘ線を反射
層で遮蔽できるので、従来、Ｘ線管からの斜方向の入射
Ｘ線を遮蔽するためにシンチレータ上方前面に設けられ
ているコリメータを不要とし得る。
器を用いた場合、Ｘ線管からの斜方向の入射Ｘ線を反射
層で遮蔽できるので、従来、Ｘ線管からの斜方向の入射
Ｘ線を遮蔽するためにシンチレータ上方前面に設けられ
ているコリメータを不要とし得る。
【００２２】以上本発明の一実施例について説明した
が、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、種
々の変形実施が可能であることはいうまでもない。
が、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、種
々の変形実施が可能であることはいうまでもない。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、シ
ンチレータブロックをフォトダイオード層に接着させた
後、機械的に溝を設け、その溝に充填物充填して硬化さ
せスペーサ（反射層）を形成するので、従来固体シンチ
レーション検出器の製造過程で生じた接合厚のバラツキ
が生ぜず、また、シンチレータとフォトダイオードのピ
ッチずれも生じない。
ンチレータブロックをフォトダイオード層に接着させた
後、機械的に溝を設け、その溝に充填物充填して硬化さ
せスペーサ（反射層）を形成するので、従来固体シンチ
レーション検出器の製造過程で生じた接合厚のバラツキ
が生ぜず、また、シンチレータとフォトダイオードのピ
ッチずれも生じない。
【００２４】従って、隣接するダイオードへの光の入射
を阻止し、シンチレータに対応するフォトダイオードに
シンチレータからの光を入射させ得るシンチレータ素子
体を有する固体センサーを提供し得る。
を阻止し、シンチレータに対応するフォトダイオードに
シンチレータからの光を入射させ得るシンチレータ素子
体を有する固体センサーを提供し得る。
【００２５】また、機械的に形成された溝に充填物を流
し込むので従来の手作業が不要となり、精度の向上及び
製造能率の向上が実現される。
し込むので従来の手作業が不要となり、精度の向上及び
製造能率の向上が実現される。
【図１】本発明により形成された固体シンチレーション
検知器の基本的構成を示す図である。
検知器の基本的構成を示す図である。
【図２】本発明のＣＴセンサーの形成方法を示す概念図
である。
である。
【図３】基盤上に形成したフォトダイオード素子を示す
図である。
図である。
【図４】従来技術により形成したシンチレータ素子体を
示す図である。
示す図である。
【図５】従来技術によるシンチレータ素子対を基盤上の
フォトダイオードに接合して構成した固体シンチレーシ
ョン検出器を示す図である。
フォトダイオードに接合して構成した固体シンチレーシ
ョン検出器を示す図である。
【図６】図５の固体シンチレーション検出器の断面図で
ある。
ある。
【符号の説明】 ２１ 基盤 ２２ フォトダイオード素子（フォトダイオード層） ２３ 有感部 ２４ 接着剤 ２５ シンチレータブロック（シンチレータ層） ２６ シンチレータ ２７ 溝 ２８ 反射層 ２９ ダイヤモンドカッター（溝切り装置） ３０ 固体センサー（ＣＴセンサー）
Claims (4)
- 【請求項１】 基盤上に形成されたフォトダイオード層
とシンチレータ層を接合し、前記シンチレータ層の上面
から前記フォトダイオード層の上面に至る間を溝切り装
置により切断方向に平行且つ等間隔に切断して前記フォ
トダイオード層の上面に至る複数の溝を形成し、微細状
の光反射材を混入した光硬化樹脂を主成分とする流動性
充填物を前記溝に充填し、光線を照射して前記充填物の
光硬化樹脂を硬化させて前記溝を反射層とすることを特
徴とするＣＴセンサーを形成する方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のＣＴセンサーの形成方法
において、微細状の光反射材が白色セラミッスパウダー
及び／又は重金属パウダーであることを特徴とするＣＴ
センサーを形成する方法。 - 【請求項３】 基盤上に形成されたフォトダイオード層
と、前記フォトダイオード層と接合し、微細状の光反射
材を混入した光硬化樹脂を主成分とした充填物をスペー
サとするシンチレータと、を有することを特徴とするＣ
Ｔセンサー。 - 【請求項４】 請求項３記載のＣＴセンサーにおいて、
充填物が光硬化樹脂を主成分とし、白色セラミッスパウ
ダー及び／又は重金属パウダーを混入した光硬化樹脂を
主成分とすることを特徴とするＣＴセンサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4305228A JPH06160538A (ja) | 1992-11-16 | 1992-11-16 | Ｃｔセンサーの形成方法及びそのｃｔセンサー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4305228A JPH06160538A (ja) | 1992-11-16 | 1992-11-16 | Ｃｔセンサーの形成方法及びそのｃｔセンサー |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06160538A true JPH06160538A (ja) | 1994-06-07 |
Family
ID=17942581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4305228A Pending JPH06160538A (ja) | 1992-11-16 | 1992-11-16 | Ｃｔセンサーの形成方法及びそのｃｔセンサー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06160538A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005201891A (ja) * | 2003-12-11 | 2005-07-28 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | Ｃｔ検出器用の多層反射体 |
| US7053380B2 (en) | 2002-02-08 | 2006-05-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | X-ray detector and method for producing X-ray detector |
| WO2008132634A2 (en) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Radiation detector having a split laminate optical coupling |
| JP2014185857A (ja) * | 2013-03-21 | 2014-10-02 | Canon Inc | 放射線検出装置及び放射線検出システム |
| US10330801B2 (en) | 2017-03-17 | 2019-06-25 | Canon Medical Systems Corporation | Radiation detector, medical image diagnosis apparatus, detector package, scintillator array, scintillator array manufacturing method, and radiation detector manufacturing method |
-
1992
- 1992-11-16 JP JP4305228A patent/JPH06160538A/ja active Pending
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| US8586933B2 (en) | 2007-04-25 | 2013-11-19 | Koninklijke Philips N.V. | Radiation detector having a split laminate optical coupling |
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