JP4667723B2 - Power module substrate - Google Patents

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JP4667723B2 JP2003102052A JP2003102052A JP4667723B2 JP 4667723 B2 JP4667723 B2 JP 4667723B2 JP 2003102052 A JP2003102052 A JP 2003102052A JP 2003102052 A JP2003102052 A JP 2003102052A JP 4667723 B2 JP4667723 B2 JP 4667723B2
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義幸 長友
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、大電圧、大電流を制御する半導体装置に用いられるパワーモジュール用基板に関し、特に、半導体チップから発生する熱を放散させる放熱体を備えたパワーモジュール用基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種のパワーモジュール用基板として、図３に示すように、ＡｌＮからなる絶縁基板１２の一方の面にＡｌ又はＣｕからなる回路層１３を積層し、この回路層１３にはんだを介して半導体チップ１５を搭載するとともに、絶縁基板１２の他方の面にはんだ又はろう材を介して放熱体１６を直接接合したパワーモジュール用基板１１が知られている。
【０００３】
また、図４に示すように、ＡｌＮからなる絶縁基板２２の一方の面にＡｌからなる回路層２３を積層し、他方の面にＡｌからなる金属層２４を積層し、回路層２３にはんだを介して半導体チップ２５を搭載し、金属層２４にはんだ又はろう材を介して放熱体２６を接合したパワーモジュール用基板２１も知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】
特公平４−１２５５４号公報（第１〜３頁、第１図、第２図）
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記のような構成のパワーモジュール用基板１１、２１のうち、図３に示すものは、回路層１３と放熱体１６との間の距離が短いので、放熱性に優れ、半導体チップ１５からの熱を効率良く放熱体１６側に伝達させて放出させることができるものである。しかし、放熱体１６は、例えば３Ｎ−Ｃｕの銅（純度が９９．９％の銅）から形成されているので、温度サイクルの作用によって熱膨張、収縮を繰り返すことにより常温で加工硬化が生じてしまい、絶縁基板１２と放熱体１６との間のはんだ又はろう材にクラックが生じ、絶縁基板１２と放熱体１６との間に剥離が生じたり、絶縁基板１２が損傷を受ける等の問題がある。
【０００６】
一方、図４に示すものは、絶縁基板２２と放熱体２６との間に緩衝材である金属層２４が介装されているので、温度サイクルの作用によって熱膨張、収縮を繰り返しても、絶縁基板２２と放熱体２６との熱膨張率の差を吸収でき、両者間に剥離が生じるようなことはなく、絶縁基板２２が損傷を受けるようなことはないものである。しかし、回路層２３と放熱体２６との間の距離が長いので放熱性が悪く、半導体チップ２５からの熱を効率良く放熱体２６側に伝達させて放出させることができない。
【０００７】
本発明は、上記のような従来の問題に鑑みなされたものであって、温度サイクルの作用によって熱膨張、収縮を繰り返しても、加工硬化が生じて絶縁基板と放熱体との間に剥離が生じたり、絶縁基板が損傷を受けたりするようなことがなく、温度サイクルに対する耐久性を著しく高めることができるとともに、放熱性に優れて半導体チップからの熱を効率良く放熱体側に伝達させて放出させることができるパワーモジュール用基板を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記のような課題を解決するために、以下のような手段を採用している。すなわち、請求項１に係る発明は、絶縁基板の少なくとも一方の面に金属層が積層されるとともに、該絶縁基板の他方の面に放熱体が積層されるパワーモジュール用基板において、前記放熱体及び前記金属層を、純度９９．９９９９％以上の銅で構成したことを特徴とする。
この発明によるパワーモジュール用基板によれば、放熱体及び金属層は、６Ｎ−Ｃｕ以上の銅（純度が９９．９９９９％以上の銅）で構成されることになるので、温度サイクルの作用によって熱膨張、収縮を繰り返しても、加工硬化が生じるようなことはなく常温で再結晶して内部応力が消滅することになる。従って、内部応力が蓄積することがないので、温度サイクルに対する耐久性を高めることができることになる。また、金属層に搭載される半導体チップと放熱体との間の距離が短いので、放熱性を高めることができ、半導体チップの熱を効率良く放熱体側に伝達させて放出させることができることになる。
【０００９】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載のパワーモジュール用基板であって、前記絶縁基板の他方の面に前記放熱体がはんだ又はろう材を介して直接接合されていることを特徴とする。
この発明によるパワーモジュール用基板によれば、絶縁基板の一方の面の金属層に搭載される半導体チップの熱は、金属層、絶縁基板、及び絶縁基板の他方の面のはんだ（又はろう材）を介して放熱体に伝達され、放熱体を介して放出されることになる。また、放熱体は、６Ｎ−Ｃｕ以上の銅（純度が９９．９９９９％以上の銅）で構成されているので、温度サイクルの作用によって熱膨張、収縮を繰り返しても加工硬化が生じるようなことはなく、常温で再結晶することにより内部応力が消滅することになる。従って、内部応力が蓄積することがないので、温度サイクルに対する耐久性を高めることができる。
【００１０】
請求項３に係る発明は、請求項１に記載のパワーモジュール用基板であって、前記絶縁基板の他方の面には金属層が積層され、該金属層にはんだ又はろう材を介して前記放熱体が接合されていることを特徴とする。
この発明によるパワーモジュール用基板によれば、絶縁基板の一方の面の金属層に搭載される半導体チップの熱は、金属層、絶縁基板、及び絶縁基板の他方の面の金属層、及びはんだ又はろう材を介して放熱体に伝達され、放熱体を介して放出されることになる。また、放熱体は、６Ｎ−Ｃｕ以上の銅（純度が９９．９９９９％以上の銅）で構成されているので、温度サイクルの作用によって熱膨張、収縮を繰り返しても加工硬化が生じるようなことはなく、常温で再結晶することにより内部応力が消滅することになる。従って、内部応力が蓄積することがないので、温度サイクルに対する耐久性を高めることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。
図１には、本発明によるパワーモジュール用基板の第１の実施の形態が示されていて、このパワーモジュール用基板１は、絶縁基板２と、絶縁基板２の一方の面に積層される金属層である回路層３と、回路層３に搭載される半導体チップ５と、絶縁基板２の他方の面に接合される放熱体６とを備えている。
【００１２】
絶縁基板２は、例えばＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣ等により所望の大きさに形成されるものであって、その上面側に回路層３が積層接着され、下面側に放熱体６が接合されるようになっている。
【００１３】
回路層３を絶縁基板２に積層接着する方法としては、絶縁基板２と回路層３とを重ねた状態で、これらに荷重０．５〜２ｋｇｆ／ｃｍ2（４．９×１０４〜１９．６×１０４Ｐａ）を加え、Ｎ2雰囲気中で１０６５℃に加熱するいわゆるＤＢＣ法（Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｏｎｄｉｎｇ Ｃｏｐｐｅｒ法）、絶縁基板３と回路層３との間にＡｇ−Ｃｕ−Ｔｉろう材の箔を挟んだ状態で、これらに荷重０．５〜２ｋｇｆ／ｃｍ2（４．９×１０４〜１９．６×１０４Ｐａ）を加え、真空中で８００〜９００℃に加熱するいわゆる活性金属法等があり、用途に応じて適宜の方法を選択して使用すれば良い。
【００１４】
回路層３は、Ａｌ又は６Ｎ−Ｃｕ以上の銅（純度９９．９９９９％以上のＣｕ）から構成される。６Ｎ−Ｃｕ以上の銅（純度９９．９９９９％以上のＣｕ）は、再結晶温度がＲＴ（室温）〜１００℃の特性を有する。従って、−４０〜１２５℃の温度サイクルで繰り返し使用しても、内部応力が蓄積するようなことはなく、温度サイクルの高温側での加工硬化を抑制することができ、回路層３をＡｌで構成したものと同様に、３０００サイクル以上の温度サイクル寿命が得られる。回路層３には、半導体チップ５を搭載するための回路パターンが形成され、この回路層３の上部にはんだを介して半導体チップ５が搭載されている。
【００１５】
絶縁基板２の下面には、はんだ、ろう材等の接合材による接合、拡散接合等によって放熱体６が一体に接合されている。放熱体６は、回路層３と同様に、６Ｎ−Ｃｕ以上の銅（純度９９．９９９９％以上のＣｕ）から構成される。従って、−４０〜１２５℃の温度サイクルで繰り返し使用しても、内部応力が蓄積するようなことはなく、温度サイクルの高温側での加工硬化を抑制することができ、放熱体６をＡｌで構成したものと同様に、３０００サイクル以上の温度サイクル寿命が得られる。
【００１６】
上記のように構成したこの実施の形態によるパワーモジュール用基板１にあっては、放熱体６を６Ｎ−Ｃｕ以上の銅（純度９９．９９９９％以上のＣｕ）で構成しているので、−４０〜１２５℃の温度サイクルが繰り返し作用する条件下で使用しても、放熱体６に内部応力が蓄積するようなことはなく、温度サイクルの高温側での加工硬化を抑制することができる。従って、放熱体６と絶縁基板２との間の剥離、及び絶縁基板２の損傷を防止できるので、温度サイクルに対する耐久性を著しく高めることができる。
【００１７】
また、回路層３を６Ｎ−Ｃｕ以上の銅（純度９９．９９９９％以上のＣｕ）で構成した場合には、−４０〜１２５℃の温度サイクルが繰り返し作用する条件下で使用しても、回路層３に内部応力が蓄積するようなことはなく、温度サイクルの高温側での加工硬化を抑制することができる。従って、回路層３と絶縁基板２との間の剥離、及び絶縁基板２の損傷を防止できるので、温度サイクルに対する耐久性を著しく高めることができる。
【００１８】
さらに、回路層３に搭載される半導体チップ５から放熱体６までの距離を短くすることができるので、放熱性を向上させることができ、半導体チップ５の熱を効率良く放熱体６側に伝達させて放出させることができる。
【００１９】
図２には、本発明によるパワーモジュール用基板の第２の実施の形態が示されていて、このパワーモジュール用基板１は、絶縁基板２と、絶縁基板２の一方の面に積層される金属層である回路層３と、回路層３に搭載される半導体チップ５と、絶縁基板２の他方の面に積層される金属層４と、金属層４に接合される放熱体６とを備えている。
【００２０】
すなわち、この実施の形態に示すパワーモジュール用基板１は、絶縁基板２の他方の面に金属層４を設け、この金属層４をはんだ、ろう材等の接合材を介して放熱体６に接合したものであって、その他の構成は前記第１の実施の形態に示すものと同様であるので、前記第１の実施の形態に示すものと同様の部分には同一の番号を付してその詳細な説明は省略するものとする。
【００２１】
金属層４は、回路層３と同様に、Ａｌ又は６Ｎ−Ｃｕ以上の銅（純度９９．９９９９％以上のＣｕ）から構成される。従って、金属層４を６Ｎ−Ｃｕ以上の銅（純度が９９．９９９９％以上のＣｕ）で構成した場合には、−４０〜１２５℃の温度サイクルで繰り返し使用しても、内部応力が蓄積するようなことはなく、温度サイクルの高温側での加工硬化を抑制することができ、金属層４をＡｌで構成したものと同様に、３０００サイクル以上の温度サイクル寿命が得られる。
【００２２】
そして、この実施の形態に示すパワーモジュール用基板１にあっても、前記第１の実施の形態に示すものと同様に、放熱体６を６Ｎ−Ｃｕ以上の銅（純度９９．９９９９％以上のＣｕ）で構成しているので、−４０〜１２５℃の温度サイクルが繰り返し作用する条件下で使用しても、内部応力が蓄積するようなことはなく、温度サイクルの高温側での加工硬化を抑制することができる。従って、絶縁基板２と金属層４との間の剥離、金属層４と放熱体６との間の剥離、及び絶縁基板２の損傷を防止できるので、温度サイクルに対する耐久性を著しく高めることができる。
【００２３】
また、回路層３及び金属層４を６Ｎ−Ｃｕ以上の銅（純度９９．９９９９％以上のＣｕ）で構成した場合には、−４０〜１２５℃の温度サイクルが繰り返し作用する条件下で使用しても、回路層３及び金属層４に内部応力が蓄積するようなことはなく、温度サイクルの高温側での加工硬化を抑制することができる。従って、回路層３と絶縁基板４との間の剥離、絶縁基板３と金属層４との間の剥離、金属層４と放熱体６との間に剥離、及び絶縁基板２の損傷を防止できるので、温度サイクルに対する耐久性を著しく高めることができる。
【００２４】
表１に、従来のパワーモジュール用基板と本発明のパワーモジュール用基板との試験を比較した結果を示す。ここでの試験は、図１、図２に示す本発明品と従来品との温度サイクル試験を行い、接合部の温度（ジャンクション温度）を測定したものである。この表１から、本発明によるパワーモジュール用基板が従来のパワーモジュール用基板よりも接合部の温度変化が少ない（又は温度変化がない）ことが分かる。
【００２５】
【表１】

Figure 0004667723
【００２６】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明のパワーモジュール用基板によれば、絶縁基板の少なくとも一方の面に積層される金属層、及び絶縁基板の他方の面に積層される放熱体がそれぞれ６Ｎ−Ｃｕ以上（純度が９９．９９９９％以上の銅）で構成されることになるので、温度サイクルが繰り返し作用する条件下で使用しても、内部応力が蓄積するようなことはなく、温度サイクルの高温側での加工硬化を抑制することができる。従って、絶縁基板と放熱体との間の剥離、及び絶縁基板の損傷を防止できるので、温度サイクルに対する耐久性を著しく高めることができることになる。また、絶縁基板の一方の面に積層される金属層に搭載される半導体チップから放熱体までの距離を短くすることができるので、放熱性を向上させることができることになり、半導体チップからの熱を効率良く放熱体側に伝達させて放出させることができることになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明によるパワーモジュール用基板の第１の実施の形態を示した概略断面図である。
【図２】 本発明によるパワーモジュール用基板の第２の実施の形態を示した概略断面図である。
【図３】 従来のパワーモジュール用基板の一例を示した概略断面図である。
【図４】 従来のパワーモジュール用基板の他の例を示した概略断面図である。
【符号の説明】
１ パワーモジュール用基板
２ 絶縁基板
３ 回路層（金属層）
４ 金属層
５ 半導体チップ
６ 放熱体[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a power module substrate used in a semiconductor device that controls a large voltage and a large current, and more particularly to a power module substrate including a heat dissipator that dissipates heat generated from a semiconductor chip.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, as this type of power module substrate, as shown in FIG. 3, a circuit layer 13 made of Al or Cu is laminated on one surface of an insulating substrate 12 made of AlN, and this circuit layer 13 is soldered via solder. A power module substrate 11 is known in which a semiconductor chip 15 is mounted and a heat radiator 16 is directly bonded to the other surface of the insulating substrate 12 via solder or brazing material.
[0003]
Further, as shown in FIG. 4, a circuit layer 23 made of Al is laminated on one surface of an insulating substrate 22 made of AlN, a metal layer 24 made of Al is laminated on the other surface, and solder is applied to the circuit layer 23. There is also known a power module substrate 21 in which a semiconductor chip 25 is mounted and a heat radiator 26 is joined to the metal layer 24 via solder or brazing material (see, for example, Patent Document 1).
[0004]
[Patent Document 1]
Japanese Examined Patent Publication No. 4-12554 (pages 1 to 3, FIGS. 1 and 2)
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
Incidentally, among the power module substrates 11 and 21 configured as described above, the one shown in FIG. 3 is excellent in heat dissipation since the distance between the circuit layer 13 and the heat dissipating body 16 is short. This heat can be efficiently transferred to the radiator 16 side and released. However, since the heat radiator 16 is made of, for example, 3N—Cu copper (copper having a purity of 99.9%), work hardening occurs at room temperature by repeated thermal expansion and contraction due to the action of the temperature cycle. As a result, the solder or brazing material between the insulating substrate 12 and the heat dissipating body 16 cracks, and there is a problem that the insulating substrate 12 and the heat dissipating member 16 are peeled off or the insulating substrate 12 is damaged. .
[0006]
On the other hand, since the metal layer 24 as a buffer material is interposed between the insulating substrate 22 and the radiator 26, the one shown in FIG. 4 is insulated even if the thermal expansion and contraction are repeated by the action of the temperature cycle. The difference in coefficient of thermal expansion between the substrate 22 and the radiator 26 can be absorbed, no peeling occurs between them, and the insulating substrate 22 is not damaged. However, since the distance between the circuit layer 23 and the radiator 26 is long, the heat dissipation is poor, and heat from the semiconductor chip 25 cannot be efficiently transmitted to the radiator 26 side and released.
[0007]
The present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and even if thermal expansion and contraction are repeated by the action of a temperature cycle, work hardening occurs and peeling occurs between the insulating substrate and the radiator. It does not occur or the insulating substrate is not damaged, and it can remarkably improve the durability against temperature cycle, and it is excellent in heat dissipation and efficiently dissipates heat from the semiconductor chip to the radiator side and releases it. An object of the present invention is to provide a power module substrate that can be provided.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The present invention employs the following means in order to solve the above-described problems. That is, the invention according to claim 1, together with the metal layer is laminated on at least one surface of the insulating substrate, the power module substrate heat radiating body is laminated on the other surface of the insulating substrate, the radiator and The metal layer is made of copper having a purity of 99.9999% or more.
According to the power module substrate of the present invention, the radiator and the metal layer are composed of 6N-Cu or more copper (copper having a purity of 99.9999% or more). Even if the expansion and contraction are repeated, work hardening does not occur and the internal stress disappears by recrystallization at room temperature. Therefore, since internal stress does not accumulate, durability against temperature cycles can be improved. In addition, since the distance between the semiconductor chip mounted on the metal layer and the heat radiating body is short, heat dissipation can be improved, and the heat of the semiconductor chip can be efficiently transmitted to the heat radiating body and released. .
[0009]
The invention according to claim 2 is the power module substrate according to claim 1, wherein the radiator is directly joined to the other surface of the insulating substrate via solder or brazing material. To do.
According to the power module substrate of the present invention, the heat of the semiconductor chip mounted on the metal layer on one surface of the insulating substrate is caused by the solder (or brazing material) on the metal layer, the insulating substrate, and the other surface of the insulating substrate. Is transmitted to the heat radiating body through the heat sink and released through the heat radiating body. In addition, since the radiator is made of 6N-Cu or higher copper (copper having a purity of 99.9999% or higher), work hardening may occur even if thermal expansion and contraction are repeated by the action of the temperature cycle. However, the internal stress disappears by recrystallization at room temperature. Therefore, since internal stress does not accumulate, durability against a temperature cycle can be enhanced.
[0010]
The invention according to claim 3 is the power module substrate according to claim 1, wherein a metal layer is laminated on the other surface of the insulating substrate, and the heat dissipation is performed on the metal layer via a solder or a brazing material. The body is joined.
According to the power module substrate of the present invention, the heat of the semiconductor chip mounted on the metal layer on one side of the insulating substrate is generated by the metal layer, the insulating substrate, the metal layer on the other side of the insulating substrate, and solder or The heat is transmitted to the heat radiating body through the brazing material and discharged through the heat radiating body. In addition, since the radiator is made of 6N-Cu or higher copper (copper having a purity of 99.9999% or higher), work hardening may occur even if thermal expansion and contraction are repeated by the action of the temperature cycle. However, the internal stress disappears by recrystallization at room temperature. Therefore, since internal stress does not accumulate, durability against a temperature cycle can be enhanced.
[0011]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 shows a first embodiment of a power module substrate according to the present invention. The power module substrate 1 is composed of an insulating substrate 2 and a metal laminated on one surface of the insulating substrate 2. The circuit layer 3 which is a layer, the semiconductor chip 5 mounted on the circuit layer 3, and the heat radiating body 6 bonded to the other surface of the insulating substrate 2 are provided.
[0012]
The insulating substrate 2 is formed to have a desired size using, for example, AlN, Al 2 O 3 , Si 3 N 4 , SiC, etc., and the circuit layer 3 is laminated and bonded on the upper surface side, and the heat is dissipated on the lower surface side. The body 6 is joined.
[0013]
As a method of laminating and bonding the circuit layer 3 to the insulating substrate 2, a load of 0.5 to 2 kgf / cm 2 (4.9 × 10 4 to 19. 6 × 10 4 Pa) and heating to 1065 ° C. in an N 2 atmosphere, a so-called DBC method (Direct Bonding Copper method), and an Ag—Cu—Ti brazing foil is sandwiched between the insulating substrate 3 and the circuit layer 3 In this state, a load of 0.5 to 2 kgf / cm 2 (4.9 × 10 4 to 19.6 × 10 4 Pa) is added to these, and the so-called active metal method of heating to 800 to 900 ° C. in vacuum is performed. Yes, an appropriate method may be selected and used according to the application.
[0014]
The circuit layer 3 is made of Al or copper of 6N-Cu or higher (Cu having a purity of 99.9999% or higher). Copper of 6N-Cu or higher (Cu of purity 99.9999% or higher) has a recrystallization temperature of RT (room temperature) to 100 ° C. Therefore, even if it is repeatedly used at a temperature cycle of −40 to 125 ° C., internal stress does not accumulate, work hardening on the high temperature side of the temperature cycle can be suppressed, and the circuit layer 3 is made of Al. Similar to the construction, a temperature cycle life of 3000 cycles or more is obtained. A circuit pattern for mounting the semiconductor chip 5 is formed on the circuit layer 3, and the semiconductor chip 5 is mounted on the circuit layer 3 via solder.
[0015]
The heat dissipating body 6 is integrally bonded to the lower surface of the insulating substrate 2 by bonding with a bonding material such as solder or brazing material, diffusion bonding, or the like. The radiator 6 is made of 6N—Cu or higher copper (Cu having a purity of 99.9999% or higher), like the circuit layer 3. Therefore, even if it is repeatedly used at a temperature cycle of −40 to 125 ° C., internal stress does not accumulate, work hardening on the high temperature side of the temperature cycle can be suppressed, and the radiator 6 is made of Al. Similar to the construction, a temperature cycle life of 3000 cycles or more is obtained.
[0016]
In the power module substrate 1 according to this embodiment configured as described above, the radiator 6 is composed of 6N-Cu or more copper (Cu having a purity of 99.9999% or more). Even when the temperature cycle of ˜125 ° C. is used repeatedly, internal heat does not accumulate in the radiator 6, and work hardening on the high temperature side of the temperature cycle can be suppressed. Therefore, peeling between the radiator 6 and the insulating substrate 2 and damage to the insulating substrate 2 can be prevented, so that durability against temperature cycles can be remarkably enhanced.
[0017]
Further, when the circuit layer 3 is made of copper of 6N-Cu or higher (Cu having a purity of 99.9999% or higher), the circuit layer 3 may be used even under a condition where a temperature cycle of −40 to 125 ° C. repeatedly acts. Internal stress does not accumulate in the layer 3, and work hardening on the high temperature side of the temperature cycle can be suppressed. Therefore, since peeling between the circuit layer 3 and the insulating substrate 2 and damage to the insulating substrate 2 can be prevented, durability against temperature cycles can be remarkably enhanced.
[0018]
Furthermore, since the distance from the semiconductor chip 5 mounted on the circuit layer 3 to the heat radiating body 6 can be shortened, heat dissipation can be improved, and the heat of the semiconductor chip 5 is efficiently transmitted to the heat radiating body 6 side. Can be released.
[0019]
FIG. 2 shows a second embodiment of a power module substrate according to the present invention. This power module substrate 1 is composed of an insulating substrate 2 and a metal laminated on one surface of the insulating substrate 2. A circuit layer 3 that is a layer, a semiconductor chip 5 mounted on the circuit layer 3, a metal layer 4 laminated on the other surface of the insulating substrate 2, and a radiator 6 joined to the metal layer 4. Yes.
[0020]
That is, in the power module substrate 1 shown in this embodiment, a metal layer 4 is provided on the other surface of the insulating substrate 2, and the metal layer 4 is joined to the radiator 6 via a joining material such as solder or brazing material. Since other configurations are the same as those shown in the first embodiment, the same parts as those shown in the first embodiment are denoted by the same reference numerals. Detailed description will be omitted.
[0021]
Similarly to the circuit layer 3, the metal layer 4 is made of Al or copper of 6N—Cu or higher (Cu having a purity of 99.9999% or higher). Therefore, when the metal layer 4 is made of copper of 6N-Cu or more (Cu having a purity of 99.9999% or more), internal stress accumulates even if it is repeatedly used at a temperature cycle of -40 to 125 ° C. There is no such thing, work hardening on the high temperature side of the temperature cycle can be suppressed, and a temperature cycle life of 3000 cycles or more can be obtained as in the case where the metal layer 4 is made of Al.
[0022]
And even if it exists in the board | substrate 1 for power modules shown in this embodiment, similarly to what is shown in the said 1st Embodiment, the heat radiator 6 is made of 6N-Cu or more copper (purity of 99.9999% or more). Cu), so even if it is used under conditions where a temperature cycle of −40 to 125 ° C. repeatedly acts, internal stress does not accumulate, and work hardening on the high temperature side of the temperature cycle is possible. Can be suppressed. Accordingly, it is possible to prevent the peeling between the insulating substrate 2 and the metal layer 4, the peeling between the metal layer 4 and the heat radiating body 6, and the damage to the insulating substrate 2, so that the durability against the temperature cycle can be remarkably enhanced. .
[0023]
Moreover, when the circuit layer 3 and the metal layer 4 are made of 6N-Cu or more copper (purity 99.9999% or more Cu), the circuit layer 3 and the metal layer 4 are used under the condition that the temperature cycle of -40 to 125 ° C is repeatedly applied. However, internal stress does not accumulate in the circuit layer 3 and the metal layer 4, and work hardening on the high temperature side of the temperature cycle can be suppressed. Therefore, peeling between the circuit layer 3 and the insulating substrate 4, peeling between the insulating substrate 3 and the metal layer 4, peeling between the metal layer 4 and the radiator 6, and damage to the insulating substrate 2 can be prevented. Therefore, the durability against the temperature cycle can be remarkably increased.
[0024]
Table 1 shows the result of comparing the tests of the conventional power module substrate and the power module substrate of the present invention. In this test, the temperature cycle test of the product of the present invention and the conventional product shown in FIGS. From Table 1, it can be seen that the power module substrate according to the present invention has less temperature change (or no temperature change) at the joint than the conventional power module substrate.
[0025]
[Table 1]
Figure 0004667723
[0026]
【The invention's effect】
As described above, according to the power module substrate of the present invention, the metal layer laminated on at least one surface of the insulating substrate and the heat radiator laminated on the other surface of the insulating substrate are each 6N-Cu. Since it is composed of the above (copper having a purity of 99.9999% or more), internal stress does not accumulate even when used under conditions where the temperature cycle repeatedly acts, and the temperature cycle is high. Work hardening on the side can be suppressed. Accordingly, since peeling between the insulating substrate and the heat radiating body and damage to the insulating substrate can be prevented, durability against temperature cycles can be remarkably enhanced. In addition, since the distance from the semiconductor chip mounted on the metal layer laminated on one surface of the insulating substrate to the radiator can be shortened, the heat dissipation can be improved, and the heat from the semiconductor chip can be improved. Can be efficiently transmitted to the radiator side and released.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a first embodiment of a power module substrate according to the present invention.
FIG. 2 is a schematic sectional view showing a second embodiment of a power module substrate according to the present invention.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an example of a conventional power module substrate.
FIG. 4 is a schematic sectional view showing another example of a conventional power module substrate.
[Explanation of symbols]
1 Power module substrate 2 Insulating substrate 3 Circuit layer (metal layer)
4 Metal layer 5 Semiconductor chip 6 Heat radiator

Claims (3)

絶縁基板の少なくとも一方の面に金属層が積層されるとともに、該絶縁基板の他方の面に放熱体が積層されるパワーモジュール用基板において、前記放熱体及び前記金属層を、純度９９．９９９９％以上の銅で構成したことを特徴とするパワーモジュール用基板。In a power module substrate in which a metal layer is laminated on at least one surface of an insulating substrate and a heat radiator is laminated on the other surface of the insulating substrate, the heat radiator and the metal layer have a purity of 99.9999%. A power module substrate comprising the above copper. 請求項１に記載のパワーモジュール用基板であって、前記絶縁基板の他方の面に前記放熱体がはんだ又はろう材を介して直接接合されていることを特徴とするパワーモジュール用基板。  2. The power module substrate according to claim 1, wherein the heat dissipating member is directly joined to the other surface of the insulating substrate via a solder or a brazing material. 請求項１に記載のパワーモジュール用基板であって、前記絶縁基板の他方の面には金属層が積層され、該金属層にはんだ又はろう材を介して前記放熱体が接合されていることを特徴とするパワーモジュール用基板。  2. The power module substrate according to claim 1, wherein a metal layer is laminated on the other surface of the insulating substrate, and the radiator is joined to the metal layer via solder or brazing material. Characteristic power module substrate.
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