JP4647990B2 - Multilayer wiring board - Google Patents

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Description

本発明は、小径のスルーホール部を有するとともに、そのスルーホール部に充填材の硬化体が充填され、かつスルーホール部の開口部が蓋状導体によって塞がれた多層配線基板に関するものである。   The present invention relates to a multilayer wiring board having a small-diameter through-hole portion, the through-hole portion being filled with a hardened material of a filler, and an opening of the through-hole portion being closed with a lid-like conductor. .

近年、電子機器の小型化、高性能化に伴って電子部品の高密度実装化が要求されており、このような高密度実装化を達成するにあたり配線基板の多層化技術が重要視されている。多層化技術を用いた具体例としては、直径300μm程度のスルーホール部を設けたコア基板の片面または両面に、層間絶縁層及び配線層を交互に積層形成したビルドアップ層を設けた多層配線基板がよく知られている。   In recent years, with the miniaturization and high performance of electronic devices, there has been a demand for high-density mounting of electronic components, and in order to achieve such high-density mounting, multilayer circuit board technology is regarded as important. . As a specific example using the multilayer technology, a multilayer wiring board provided with a build-up layer in which an interlayer insulating layer and a wiring layer are alternately laminated on one side or both sides of a core board provided with a through hole portion having a diameter of about 300 μm. Is well known.

このような多層配線基板の製造時には、ビルドアップ層の平坦性を確保するために、あらかじめスルーホール部をスルーホール充填用ペースト等の充填材で穴埋めし、これを加熱して硬化させておく工程が必要となる。そして、スルーホール部の穴埋めに関する技術に関しては、従来いくつか提案されている(例えば、特許文献1,2参照)。特許文献1には、樹脂成分及び硬化剤の種類をそれぞれ特定した樹脂充填材を用いてスルーホール部の穴埋めを行うことで、層間絶縁層におけるクラック等を防止する技術が開示されている。特許文献2には、硬化体の収縮率に特徴のある充填材を用いてスルーホール部の穴埋めを行うことで、層間絶縁層などにおけるクラックを防止する技術が開示されている。   When manufacturing such a multilayer wiring board, in order to ensure the flatness of the build-up layer, a step of filling the through-hole part with a filler such as a paste for filling a through-hole in advance and heating and curing it Is required. And several techniques related to the technique for filling the through hole portion have been proposed (see, for example, Patent Documents 1 and 2). Patent Document 1 discloses a technique for preventing cracks and the like in an interlayer insulating layer by filling a through-hole portion using a resin filler that specifies the types of a resin component and a curing agent. Patent Document 2 discloses a technique for preventing cracks in an interlayer insulating layer or the like by filling a through-hole portion using a filler having a characteristic shrinkage rate of a cured body.

特開平10−75027号公報Japanese Patent Laid-Open No. 10-75027

特開平11−199759号公報JP-A-11-199759

ところで最近では、さらなる高密度実装化の要求があり、小径のスルーホール部を形成するケースが増えつつある。しかしながら、スルーホール径が200μmよりも小さくなると、今までに見られなかったような不具合が発生するようになる。   Recently, there has been a demand for further high-density mounting, and the number of cases in which small-diameter through-hole portions are formed is increasing. However, when the through hole diameter is smaller than 200 μm, a problem that has not been seen so far occurs.

つまり、図5に概略的に示されるように、充填材の硬化体101が充填されたスルーホール部102の開口部を塞ぐ蓋めっき103とその直上に有るビア106との界面にデラミネーションが生じやすくなり、高い接続信頼性の確保が困難になる。また、蓋めっき103とスルーホールめっき105との界面や、蓋めっき103自身にクラックが生じ、同様に高い接続信頼性の確保が困難になる。   That is, as schematically shown in FIG. 5, delamination occurs at the interface between the lid plating 103 that closes the opening of the through-hole portion 102 filled with the hardened material 101 of the filler and the via 106 immediately above the lid plating 103. It becomes easy to secure high connection reliability. In addition, cracks occur in the interface between the lid plating 103 and the through-hole plating 105 and in the lid plating 103 itself, and similarly, it is difficult to ensure high connection reliability.

本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、スルーホール部の開口部を塞ぐ蓋状導体やその周辺の導体部分にクラックやデラミネーションが生じにくく、接続信頼性に優れた多層配線基板を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and its purpose is to prevent cracks and delamination from occurring in the lid-like conductor that closes the opening of the through-hole part and its surrounding conductor part, and to have excellent connection reliability. Another object of the present invention is to provide a multilayer wiring board.

そこで、上記課題を解決すべく本願発明者が鋭意研究を行ったところ、スルーホール部の開口部を塞ぐ蓋状導体やその周辺の導体部分におけるデラミネーションやクラックの発生メカニズムに関して、下記のように推察した。   Therefore, when the inventors of the present invention conducted intensive research to solve the above-mentioned problems, as to the mechanism of delamination and cracks in the lid-like conductor that closes the opening of the through-hole part and the surrounding conductor part, as follows: I guessed.

通常の多層配線基板製造プロセスにおいては、はんだリフローを1回または複数回行って配線基板を作製した後、その配線基板に対する各種評価試験(外観評価試験など)を実施して、最終製品を得ている。ところで、充填材の硬化体は、はんだリフロー時の加熱、冷却によって熱膨張する。特に充填材の硬化体のZ軸方向(即ち配線基板の厚さ方向、スルーホール部の軸線方向)の膨張により充填材の硬化体が、スルーホール部の開口部に位置する蓋状導体を押し上げ、蓋状導体やその周辺の導体部分には圧縮・引張応力が加わる。このように圧縮・引張応力が内在した状態で、配線基板に熱衝撃を与える信頼性評価試験を行うと、とりわけスルーホール部が小径である場合に、その開口部に位置する蓋状導体やその周辺の導体部分にクラックやデラミネーションが発生しやすくなるのである。このような推察の下、本願発明者は充填材の硬化体の物性値、特に線膨張の値に着目し、その値の好適化を図れば、クラックやデラミネーションの発生を効果的に防止しうることを知見した。そして、本願発明者はこのような知見をさらに発展させ、最終的に下記の課題解決手段を想到したのである。   In a typical multilayer wiring board manufacturing process, after solder reflow is performed once or multiple times to produce a wiring board, various evaluation tests (such as an appearance evaluation test) are performed on the wiring board to obtain a final product. Yes. By the way, the hardened body of the filler thermally expands by heating and cooling during solder reflow. In particular, the hardened filler material pushes up the lid-like conductor located at the opening of the through-hole portion due to expansion in the Z-axis direction (that is, the thickness direction of the wiring board, the axial direction of the through-hole portion) of the hardened filler material. Compressive / tensile stress is applied to the lid-like conductor and the surrounding conductor. When a reliability evaluation test for applying a thermal shock to a wiring board is performed in a state where compression / tensile stress is inherent in this way, particularly when the through-hole portion has a small diameter, the lid-like conductor located in the opening and its Cracks and delamination are likely to occur in the surrounding conductor portions. Under such inference, the inventor of the present application pays attention to the physical property value of the cured material of the filler, particularly the value of linear expansion, and if the value is optimized, the occurrence of cracks and delamination can be effectively prevented. I found out. The inventor of the present application further developed such knowledge and finally came up with the following problem solving means.

即ち、上記課題を解決するための手段としては、第1主面及び第2主面を有し、前記第1主面及び前記第2主面にて開口する直径200μm以下の貫通孔の内壁面にスルーホール導体を設けた構造のスルーホール部を有するコア基板と、前記コア基板の前記第1主面及び前記第2主面の少なくとも一方側に配置された層間絶縁層と、前記層間絶縁層の表面上に配置された配線層と、前記スルーホール部に充填された充填材の硬化体と、前記スルーホール部の開口部を塞ぐ蓋状導体とを備え、前記充填材は、エポキシ樹脂に硬化剤及び最大粒径が5μm以上60μm以下のフィラーを添加したものであって、かつガラス転移点が140℃以上であり、前記充填材の硬化体の基板厚さ方向の線膨張の値が、室温からはんだリフロー温度までの温度域において1.2%以下であり、前記コア基板の前記基板厚さ方向の線膨張の値が、室温からはんだリフロー温度までの温度域において1.3%以下であり、前記層間絶縁層の前記基板厚さ方向の平均熱膨張係数は、20ppm/K以上60ppm/K以下であり、前記充填材の硬化体の前記基板厚さ方向の平均熱膨張係数と、前記スルーホール導体の前記基板厚さ方向の平均熱膨張係数との差の絶対値は、20ppm/K以下であり、前記コア基板の前記基板厚さ方向の平均熱膨張係数と、前記スルーホール導体の前記基板厚さ方向の平均熱膨張係数との差の絶対値は、30ppm/K以下であることを特徴とする多層配線基板、がある。 That is, as means for solving the above-mentioned problem, the inner wall surface of a through hole having a first main surface and a second main surface and having a diameter of 200 μm or less that opens at the first main surface and the second main surface. A core substrate having a through-hole portion having a structure in which a through-hole conductor is provided, an interlayer insulating layer disposed on at least one side of the first main surface and the second main surface of the core substrate, and the interlayer insulating layer A wiring layer disposed on the surface of the substrate, a cured body of the filler filled in the through-hole portion, and a lid-like conductor that closes the opening of the through-hole portion, and the filler is made of epoxy resin. A hardener and a filler having a maximum particle size of 5 μm or more and 60 μm or less are added, and the glass transition point is 140 ° C. or more, and the linear expansion value in the substrate thickness direction of the cured product of the filler is, Temperature range from room temperature to solder reflow temperature Ri der Oite 1.2 percent or less, the substrate thickness values of the linear expansion in the direction of the core substrate is not greater than 1.3% in a temperature range from room temperature to solder reflow temperature, the interlayer insulating layer The average thermal expansion coefficient in the substrate thickness direction is 20 ppm / K or more and 60 ppm / K or less, the average thermal expansion coefficient in the substrate thickness direction of the cured material of the filler, and the substrate thickness of the through-hole conductor. The absolute value of the difference between the average thermal expansion coefficient in the vertical direction is 20 ppm / K or less, the average thermal expansion coefficient in the substrate thickness direction of the core substrate, and the average of the through-hole conductors in the substrate thickness direction There is a multilayer wiring board characterized in that the absolute value of the difference from the thermal expansion coefficient is 30 ppm / K or less .

従って、本発明によると、充填材の硬化体の線膨張の値が、室温からはんだリフロー温度までの温度域において1.2%以下という極めて低い値に抑えられている。それゆえ、はんだリフローを行ったときの充填材の硬化体の熱膨張量が少なくなり、蓋状導体やその周辺の導体部分に内在する圧縮・引張応力もおのずと小さくなる。よって、熱衝撃を伴う信頼性評価試験を行ったとしても、蓋状導体やその周辺の導体部分にクラックやデラミネーションが発生しにくくなり、高い接続信頼性を付与することができる。   Therefore, according to the present invention, the linear expansion value of the hardened body of the filler is suppressed to an extremely low value of 1.2% or less in the temperature range from room temperature to the solder reflow temperature. Therefore, the amount of thermal expansion of the hardened material of the filler when solder reflow is performed is reduced, and the compressive / tensile stress inherent in the lid-like conductor and its surrounding conductor portion is also reduced. Therefore, even if a reliability evaluation test involving thermal shock is performed, cracks and delamination are less likely to occur in the lid-like conductor and its surrounding conductor portions, and high connection reliability can be imparted.

ここで、充填材の硬化体の線膨張の値は、室温からはんだリフロー温度までの温度域において1.20%以下(ただし0%は除く。)であり、好ましくは0.30%以上1.20%以下、特に好ましくは0.80%以上1.20%以下である。前記線膨張の値が1.20%を越えると、充填材の硬化体の熱膨張量を十分に少なくすることができず、クラックやデラミネーションの発生率を十分に減らすことができなくなる。また、前記線膨張の値が0.30%未満になると、充填材の硬化体が硬くなってしまい、充填材の硬化体自身にクラックが生じたり、スルーホール導体にクラックが生じたりする可能性がある。   Here, the linear expansion value of the hardened body of the filler is 1.20% or less (excluding 0%) in the temperature range from room temperature to the solder reflow temperature, preferably 0.30% or more and 1. It is 20% or less, particularly preferably 0.80% or more and 1.20% or less. If the value of the linear expansion exceeds 1.20%, the amount of thermal expansion of the cured material of the filler cannot be sufficiently reduced, and the rate of occurrence of cracks and delamination cannot be sufficiently reduced. Further, when the value of the linear expansion is less than 0.30%, the cured material of the filler becomes hard, and the cured material of the filler itself may crack, or the through-hole conductor may crack. There is.

上記発明において「線膨張」とは、多層配線基板を構成する充填材の硬化体を試料とし、室温(25℃)からはんだリフロー温度までの間をTMA装置(熱機械分析装置)にて測定したときの試料の伸び率(%)のことをいう。なお、多層配線基板の構成要素として使用されるべきはんだ材料として錫鉛共晶はんだ(Sn/37Pb:融点183℃)を選択するような場合、前記はんだリフロー温度は、錫鉛共晶はんだ用のリフロー温度(例えば215℃)に設定される。つまり、リフロー温度とは、このようにはんだの融点プラスおよそ30℃の温度ということができる。また、錫鉛共晶はんだ以外のSn/Pb系はんだ、例えばSn/36Pb/2Agという組成のはんだ(融点190℃)などを使用し、同程度のはんだリフロー温度を設定してもよい。
さらに、多層配線基板の構成要素として使用されるべきはんだ材料としては、上記のような鉛入りはんだ以外にも、鉛フリーはんだを選択することが可能である。鉛フリーはんだとは、鉛を全くまたは殆ど含まないはんだのことを意味し、例えば、Sn−Ag系はんだ、Sn−Ag−Cu系はんだ、Sn−Ag−Bi系はんだ、Sn−Ag−Bi−Cu系はんだ、Sn−Zn系はんだ、Sn−Zn−Bi系はんだ等を挙げることができる。なお、上記各系のはんだには微量元素(例えばAu,Ni,Ge等)が含まれていてもよい。
Sn−Ag系はんだの具体例としては、例えば、Sn/3.5Agという組成のはんだ(融点221℃)や、Sn/3Ag/6−8Inという組成のはんだ等がある。Sn−Ag−Cu系はんだの具体例としては、Sn/3.0Ag/0.5Cuという組成のはんだ(融点217℃)等がある。Sn−Ag−Bi系はんだの具体例としては、Sn/3.5Ag/0.5Bi/3.0Inという組成のはんだ(融点214℃)や、Sn/3.2Ag/2.7Bi/2.7Inという組成のはんだ(融点210℃)等がある。Sn−Ag−Bi−Cu系はんだの具体例としては、Sn/2.5Ag/1.0Bi/0.5Cuという組成のはんだ(融点214℃)等がある。Sn−Zn系はんだの具体例としては、Sn/9.0Znという組成のはんだ(融点199℃)等がある。Sn−Zn−Bi系はんだの具体例としては、Sn/8Zn/3Biという組成のはんだ(融点198℃)等がある。
In the above invention, the term “linear expansion” refers to a cured material of a filler constituting the multilayer wiring board as a sample, and measured from room temperature (25 ° C.) to solder reflow temperature with a TMA apparatus (thermomechanical analyzer). It refers to the elongation rate (%) of the sample. When a tin-lead eutectic solder (Sn / 37Pb: melting point 183 ° C.) is selected as a solder material to be used as a component of the multilayer wiring board, the solder reflow temperature is the same as that for tin-lead eutectic solder. The reflow temperature is set (for example, 215 ° C.). That is, the reflow temperature can be said to be a temperature of the melting point of the solder plus about 30 ° C. Further, Sn / Pb-based solder other than tin-lead eutectic solder, for example, solder having a composition of Sn / 36Pb / 2Ag (melting point 190 ° C.) may be used, and a similar solder reflow temperature may be set.
Furthermore, as a solder material to be used as a component of the multilayer wiring board, lead-free solder can be selected in addition to the above lead-containing solder. The lead-free solder means a solder containing no or almost no lead. For example, Sn-Ag solder, Sn-Ag-Cu solder, Sn-Ag-Bi solder, Sn-Ag-Bi- Cu-based solder, Sn-Zn-based solder, Sn-Zn-Bi-based solder, and the like can be given. In addition, trace elements (for example, Au, Ni, Ge, etc.) may be contained in the solder of each of the above systems.
Specific examples of the Sn—Ag solder include, for example, solder having a composition of Sn / 3.5Ag (melting point 221 ° C.) and solder having a composition of Sn / 3Ag / 6-8In. Specific examples of the Sn—Ag—Cu based solder include a solder having a composition of Sn / 3.0Ag / 0.5Cu (melting point: 217 ° C.). Specific examples of the Sn-Ag-Bi solder include a solder having a composition of Sn / 3.5Ag / 0.5Bi / 3.0In (melting point 214 ° C.), Sn / 3.2Ag / 2.7Bi / 2.7In. Such as a solder (melting point: 210 ° C.). Specific examples of the Sn—Ag—Bi—Cu based solder include a solder having a composition of Sn / 2.5Ag / 1.0Bi / 0.5Cu (melting point: 214 ° C.). Specific examples of the Sn—Zn solder include a solder having a composition of Sn / 9.0Zn (melting point: 199 ° C.). Specific examples of the Sn—Zn—Bi based solder include a solder having a composition of Sn / 8Zn / 3Bi (melting point: 198 ° C.).

充填材の硬化体に対する線膨張の測定は、実際にスルーホール部に充填された状態の充填材の硬化体について行われることが、本来的には望ましい。しかし、下記のような簡便な方法により測定して得た結果を、線膨張の測定結果として代用してもよい。   It is inherently desirable that the measurement of the linear expansion of the hardened material of the filler is performed on the hardened material of the filler that is actually filled in the through-hole portion. However, a result obtained by measurement by a simple method as described below may be used as a measurement result of linear expansion.

まず、熱硬化性の充填材を10mm×10mm×50mm程度の成形用空間を有する型に流し込み、通常用いる工程と同じ条件でその充填材を熱硬化させる。その後、旋盤等の加工装置を用いてφ5mm×20mmの円柱状試験片を作製し、これを試料として用いてTMA法による測定を行う。ここにいう「TMA」とは、熱機械分析をいい、例えばJIS−K7197(プラスチックの熱機械分析による線膨張率試験方法)に規定されるものをいう。そして、スパン20mmにて試験片の長手方向に約1gの圧縮荷重を加えた状態で、−55℃まで冷却し、10℃/分の昇温速度で215℃まで加熱する。このとき、25℃,215℃での試料の長さを測定し、得られた測定結果を式1に代入して線膨張の値(%)を計算する。なお、コア基板について線膨張を測定する場合には、スルーホール部形成前のコア基板を適宜カットして試験片とすればよい。   First, a thermosetting filler is poured into a mold having a molding space of about 10 mm × 10 mm × 50 mm, and the filler is heat-cured under the same conditions as those in a normal process. Thereafter, a cylindrical test piece of φ5 mm × 20 mm is produced using a processing device such as a lathe, and measurement is performed by the TMA method using this as a sample. Here, “TMA” refers to thermomechanical analysis, such as that specified in JIS-K7197 (linear expansion coefficient test method by thermomechanical analysis of plastics). Then, in a state where a compression load of about 1 g is applied in the longitudinal direction of the test piece with a span of 20 mm, the sample is cooled to −55 ° C. and heated to 215 ° C. at a temperature increase rate of 10 ° C./min. At this time, the length of the sample at 25 ° C. and 215 ° C. is measured, and the obtained measurement result is substituted into Equation 1 to calculate the linear expansion value (%). In addition, when measuring linear expansion about a core board | substrate, what is necessary is just to cut the core board | substrate before formation of a through-hole part suitably, and to make a test piece.

εb=(L215−L25)/L25×100 ・・・式1 εb = (L 215 −L 25 ) / L 25 × 100 Equation 1

εb:線膨張(%)         εb: linear expansion (%)

215:215℃における試料の長さ(mm) L 215 : sample length at 215 ° C. (mm)

25:室温(25℃)における試料の長さ(mm) L 25 : sample length (mm) at room temperature (25 ° C.)

また、前記充填材の硬化体の軸線方向(Z軸方向)における平均熱膨張係数の値は、例えば5ppm/K以上50ppm/K以下であることが好ましく、特には20ppm/K以上40ppm/K以下であることがより好ましい。また、充填材の硬化体の軸線方向における平均熱膨張係数の値は、前記コア基板の厚さ方向(Z軸方向)の平均熱膨張係数に近いことが望ましく、具体的には両者の差の絶対値が20ppm/K以下であることがよい。両者の差の絶対値を20ppm/K以下に設定しておけば、信頼性評価試験の際にスルーホール導体などにかかる応力を低減することができるからである。なお、両者の差の絶対値は10ppm/K以下であることがよりよい。   The average coefficient of thermal expansion in the axial direction (Z-axis direction) of the cured product of the filler is preferably, for example, from 5 ppm / K to 50 ppm / K, particularly from 20 ppm / K to 40 ppm / K. It is more preferable that Further, the value of the average thermal expansion coefficient in the axial direction of the hardened body of the filler is preferably close to the average thermal expansion coefficient in the thickness direction (Z-axis direction) of the core substrate. The absolute value is preferably 20 ppm / K or less. This is because if the absolute value of the difference between the two is set to 20 ppm / K or less, the stress applied to the through-hole conductor or the like during the reliability evaluation test can be reduced. The absolute value of the difference between the two is more preferably 10 ppm / K or less.

本発明における前記充填材の硬化体の平均熱膨張係数は、下記のような方法により測定可能である。まず、上述した方法によって充填材からφ5mm×20mmの円柱状試験片を作製し、これを試料として用いてTMA法による測定を行う。ここにいう「TMA」とは、熱機械分析をいい、例えばJIS−K7197(プラスチックの熱機械分析による線膨張率試験方法)に規定されるものをいう。そして、スパン20mmにて試験片の厚さ方向に約1gの圧縮荷重を加えた状態で、−55℃まで冷却し、10℃/分の昇温速度で215℃まで加熱する。このとき、−55℃,25℃,125℃での試料の長さを測定し、得られた測定結果を式2に代入して平均熱膨張係数の値(ppm/K)を計算する。なお、コア基板について平均熱膨張係数を測定する場合には、スルーホール部形成前のコア基板を適宜カットして試験片とすればよい。   The average coefficient of thermal expansion of the cured product of the filler in the present invention can be measured by the following method. First, a cylindrical test piece of φ5 mm × 20 mm is prepared from the filler by the method described above, and measurement is performed by the TMA method using this as a sample. Here, “TMA” refers to thermomechanical analysis, such as that specified in JIS-K7197 (linear expansion coefficient test method by thermomechanical analysis of plastics). Then, in a state where a compression load of about 1 g is applied in the thickness direction of the test piece with a span of 20 mm, the sample is cooled to −55 ° C. and heated to 215 ° C. at a temperature increase rate of 10 ° C./min. At this time, the lengths of the samples at −55 ° C., 25 ° C., and 125 ° C. are measured, and the obtained measurement result is substituted into Equation 2 to calculate the value of average thermal expansion coefficient (ppm / K). In addition, when measuring an average thermal expansion coefficient about a core board | substrate, what is necessary is just to cut the core board | substrate before through-hole part formation suitably, and to make a test piece.

α={(L125−L-55)/(L25×(125−(−55)))} ・・・式2 α = {(L 125 −L −55 ) / (L 25 × (125 − (− 55)))} Equation 2

α:平均熱膨張係数(ppm/K)         α: Average coefficient of thermal expansion (ppm / K)

125:125℃における試料の長さ(mm) L 125 : sample length at 125 ° C. (mm)

-55:−55℃における試料の長さ(mm) L −55 : Length of sample at −55 ° C. (mm)

25:室温(25℃)における試料の長さ(mm) L 25 : sample length (mm) at room temperature (25 ° C.)

また、前記充填材の硬化体のZ軸方向の平均熱膨張係数と、前記スルーホール導体のZ軸方向の平均熱膨張係数との差の絶対値は、20ppm/K以下であることが好ましく、15ppm/K以下であることがより好ましい。さらに、前記コア基板の厚さ方向の平均熱膨張係数と、前記スルーホール導体のZ軸方向の平均熱膨張係数との差の絶対値は、30ppm/K以下であることが好ましく、25ppm/K以下であることがより好ましい。いずれ場合においても、差の絶対値を小さくすることにより、信頼性評価試験の際にスルーホール導体、蓋状導体、層間絶縁層などに加わる応力を低減することができるからである。   The absolute value of the difference between the average thermal expansion coefficient in the Z-axis direction of the cured material of the filler and the average thermal expansion coefficient in the Z-axis direction of the through-hole conductor is preferably 20 ppm / K or less, More preferably, it is 15 ppm / K or less. Furthermore, the absolute value of the difference between the average thermal expansion coefficient in the thickness direction of the core substrate and the average thermal expansion coefficient in the Z-axis direction of the through-hole conductor is preferably 30 ppm / K or less, and 25 ppm / K. The following is more preferable. In any case, by reducing the absolute value of the difference, it is possible to reduce the stress applied to the through-hole conductor, the lid-like conductor, the interlayer insulating layer, and the like during the reliability evaluation test.

加えて、前記層間絶縁層のZ軸方向の平均熱膨張係数は、20ppm/K以上60ppm/K以下であることが好ましく、20ppm/K以上55ppm/K以下であることがより好ましい。この平均熱膨張係数が60ppm/K以下を超えると、信頼性評価試験時の熱膨張量が大きくなって、配線層やビアのパッド部に応力が加わり、クラックが生じやすくなるからである。一方、この平均熱膨張係数が20ppm/Kよりも低くなると、層間絶縁層が硬くなる結果、配線層との隙間を十分に埋めることが困難になったり、層間絶縁層自体にクラックが生じやすくなったりするおそれがある。   In addition, the average thermal expansion coefficient in the Z-axis direction of the interlayer insulating layer is preferably 20 ppm / K or more and 60 ppm / K or less, and more preferably 20 ppm / K or more and 55 ppm / K or less. If the average thermal expansion coefficient exceeds 60 ppm / K or less, the thermal expansion amount during the reliability evaluation test increases, stress is applied to the wiring layer and via pad portions, and cracks are likely to occur. On the other hand, when the average coefficient of thermal expansion is lower than 20 ppm / K, the interlayer insulating layer becomes hard. As a result, it becomes difficult to sufficiently fill a gap with the wiring layer, or the interlayer insulating layer itself tends to crack. There is a risk of

本発明において使用可能なコア基板としては、樹脂基板、セラミック基板、金属基板などが挙げられるが、なかでも樹脂基板が好ましい。好適な樹脂基板としては、EP樹脂(エポキシ樹脂)、PI樹脂(ポリイミド樹脂)、BT樹脂(ビスマレイミド−トリアジン樹脂)、PPE樹脂(ポリフェニレンエーテル樹脂)等からなる基板が挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維(ガラス織布やガラス不織布)との複合材料からなる基板を使用してもよい。その具体例としては、ガラス−BT複合基板、高Tgガラス−エポキシ複合基板(FR−4、FR−5等)等の高耐熱性積層板などがある。また、これらの樹脂とポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料からなる基板を使用してもよい。あるいは、連続多孔質PTFE等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料からなる基板等を使用してもよい。この場合、コア基板は、線膨張や平均熱膨張係数の値が小さいものであることが望ましく、その点において高耐熱性積層板などを使用することが好適である。さらに、内部に配線層を有するコア基板であってもよい。   Examples of the core substrate that can be used in the present invention include a resin substrate, a ceramic substrate, and a metal substrate. Among these, a resin substrate is preferable. Suitable resin substrates include substrates made of EP resin (epoxy resin), PI resin (polyimide resin), BT resin (bismaleimide-triazine resin), PPE resin (polyphenylene ether resin), and the like. In addition, a substrate made of a composite material of these resins and glass fibers (glass woven fabric or glass nonwoven fabric) may be used. Specific examples thereof include a high heat resistant laminate such as a glass-BT composite substrate and a high Tg glass-epoxy composite substrate (FR-4, FR-5, etc.). A substrate made of a composite material of these resins and organic fibers such as polyamide fibers may be used. Alternatively, a substrate made of a resin-resin composite material obtained by impregnating a thermosetting resin such as an epoxy resin with a three-dimensional network fluorine-based resin base material such as continuous porous PTFE may be used. In this case, it is desirable that the core substrate has a small value of linear expansion or average thermal expansion coefficient, and in that respect, it is preferable to use a high heat resistant laminate. Further, it may be a core substrate having a wiring layer inside.

樹脂基板をコア基板として用いる場合には、粉末状または繊維状の無機フィラーを含むものを選択することが好適である。このような無機フィラーとしては、セラミックフィラー、金属フィラー、ガラスフィラーなどがある。好適なセラミックフィラーとしては、シリカ、アルミナ、炭酸カルシウム、窒化アルミニウム、水酸化アルミニウム、チタニア、硫酸バリウムなどが挙げられる。樹脂中に無機材料が含まれていると、線膨張や平均熱膨張係数の値が低くなり、かつ、耐熱性も向上するからである。   When a resin substrate is used as the core substrate, it is preferable to select one containing a powdery or fibrous inorganic filler. Examples of such inorganic fillers include ceramic fillers, metal fillers, and glass fillers. Suitable ceramic fillers include silica, alumina, calcium carbonate, aluminum nitride, aluminum hydroxide, titania, barium sulfate and the like. This is because if the resin contains an inorganic material, the values of linear expansion and average thermal expansion coefficient are lowered, and the heat resistance is also improved.

前記コア基板は、第1主面及び第2主面にて開口する貫通孔の内壁面にスルーホール導体を設けた構造のスルーホール部を有している。スルーホール導体は、導電性を有する金属を貫通孔の内壁面上に設けることよって形成される。この場合、例えば貫通孔の内壁面上に無電解銅めっきを析出させることによって形成されるスルーホールめっきが、製造上、コスト上の観点から好適である。また、前記コア基板の厚さ方向における線膨張の値が、室温からはんだリフロー温度までの温度域において0.3%以上1.4%以下であることがよく、0.8%以上1.3%以下であることが好ましい。   The core substrate has a through-hole portion having a structure in which a through-hole conductor is provided on an inner wall surface of a through-hole opened in the first main surface and the second main surface. The through-hole conductor is formed by providing a conductive metal on the inner wall surface of the through hole. In this case, for example, through-hole plating formed by depositing electroless copper plating on the inner wall surface of the through hole is preferable from the viewpoint of manufacturing and cost. Further, the value of linear expansion in the thickness direction of the core substrate is preferably 0.3% or more and 1.4% or less, and 0.8% or more and 1.3% or less in a temperature range from room temperature to the solder reflow temperature. % Or less is preferable.

スルーホール導体の表面は、凹凸が少ないことがよく、具体的にはRa<1μmの平滑面であることが好ましい。例えば、樹脂中にフィラーを添加した充填材を印刷して貫通孔内に充填する場合、凹凸部があるとそこに樹脂が取られてしまう。このため、貫通孔の出口側近くになるほどフィラーの含有量が増加して充填材の粘度が極端に増大し、充填性が悪くなる。また、貫通孔内に充填材を充填できたとしても、貫通孔の出口側付近と入口側付近とで、フィラーの含有量の相違に起因する熱膨張差が生じる。そのため、充填材の硬化体にクラックが生じやすくなる可能性がある。RaとはJIS B 0601−1994で規格されている算術平均粗さのことをいう。   The surface of the through-hole conductor should have few irregularities, and specifically, it should preferably be a smooth surface with Ra <1 μm. For example, in the case where a filler in which a filler is added to a resin is printed and filled in the through hole, the resin is taken out if there is an uneven portion. For this reason, the closer to the outlet side of the through hole, the more the filler content increases, the viscosity of the filler extremely increases, and the filling property deteriorates. Even if the filler can be filled in the through hole, a difference in thermal expansion due to the difference in the filler content occurs between the vicinity of the outlet side and the vicinity of the inlet side of the through hole. Therefore, there is a possibility that cracks are likely to occur in the cured body of the filler. Ra means the arithmetic average roughness standardized by JIS B 0601-1994.

本発明において前記スルーホール部は、従来のものに比べて小径であり、直径200μm以下(ただし、0μmは除く。)の貫通孔内にスルーホール導体を設けた構造となっている。その理由は、スルーホール部の開口部を塞ぐ蓋状導体やその周辺の導体部分におけるクラックやデラミネーションの発生、という問題は、貫通孔の直径が200μm以下になることで顕在化するからである。つまり、本願特有の解決課題は、貫通孔が直径200μm以下である場合に生じうるからである。ここで、小径のスルーホール部がある場合において本願特有の解決課題が発生する詳細な理由は不明であるが、従来サイズのスルーホール部に比べて蓋状導体等に与える応力の負荷が大きくなることにその原因があると予想される。なお、貫通孔の直径は100μm以下(ただし、0μmは除く。)であってもよい。   In the present invention, the through-hole portion has a smaller diameter than the conventional one, and has a structure in which a through-hole conductor is provided in a through-hole having a diameter of 200 μm or less (excluding 0 μm). The reason for this is that the problem of generation of cracks and delamination in the lid-like conductor that closes the opening of the through-hole portion and the surrounding conductor portion becomes apparent when the diameter of the through-hole becomes 200 μm or less. . That is, the problem specific to the present application can occur when the through hole has a diameter of 200 μm or less. Here, when there is a small-diameter through-hole part, the detailed reason for the problem to be solved peculiar to the present application is unknown. However, the stress load applied to the lid-like conductor or the like is larger than that of the conventional through-hole part. It is expected that there is a cause. The diameter of the through hole may be 100 μm or less (excluding 0 μm).

本発明において使用される充填材は、耐熱性が高いことが望ましく、特にガラス転移点が高いことが望ましい。一般にガラス転移点を超えると平均熱膨張係数が増加するため、ガラス転移点が低い充填材の線膨張は大きいものとなるからである。ガラス転移点としては、好ましくは140℃以上、さらに好ましくは150℃以上がよい。前記充填材は、例えば熱硬化性を付与した樹脂材料をベースにして形成されたものであることが好ましく、スルーホール部内に充填した後に硬化される。前記充填材としては、エポキシ樹脂をベースにして形成されたものが好適である。エポキシ樹脂は一般に硬化収縮が少なく、硬化後であっても端面に窪みが生じにくいからである。   The filler used in the present invention preferably has high heat resistance, and particularly preferably has a high glass transition point. This is because the average thermal expansion coefficient generally increases beyond the glass transition point, so that the linear expansion of the filler having a low glass transition point becomes large. The glass transition point is preferably 140 ° C. or higher, more preferably 150 ° C. or higher. The filler is preferably formed based on, for example, a resin material imparted with thermosetting properties, and is cured after filling the through hole portion. As the filler, those formed on the basis of an epoxy resin are suitable. This is because epoxy resins generally have little curing shrinkage, and even after curing, dents are unlikely to form.

前記エポキシ樹脂のなかでも、耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れる芳香族エポキシ、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等を用いることが望ましい。さらに、3官能以上の多官能のエポキシ樹脂(アミノフェノール型等)の使用は、線膨張の低減を達成するうえで有効である。   Among the epoxy resins, aromatic epoxy excellent in heat resistance, moisture resistance, and chemical resistance, for example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, etc. are used. It is desirable. Furthermore, the use of a polyfunctional epoxy resin having three or more functions (such as aminophenol type) is effective in achieving reduction in linear expansion.

前記充填材は、エポキシ樹脂に、熱硬化性を付与するための硬化剤を添加したものであることが好ましい。このような硬化剤としては、耐熱性や耐薬品性に優れるという点で、イミダゾール系硬化剤や、ジシアンアミド等のアミン系硬化剤が好適である。硬化剤の性状は特に限定されないが、粉末状であると調製後の寿命の管理が容易になるという利点がある。   The filler is preferably an epoxy resin added with a curing agent for imparting thermosetting properties. As such a curing agent, an imidazole-based curing agent or an amine-based curing agent such as dicyanamide is preferable in terms of excellent heat resistance and chemical resistance. The properties of the curing agent are not particularly limited, but the powdery form has an advantage of easy management of the life after preparation.

前記充填材は、エポキシ樹脂に、硬化剤に加えてさらに最大粒径が5μm以上60μm以下のフィラーを添加したものであることが好ましい。このようなフィラーとしては、セラミックフィラー、金属フィラー、ガラスフィラー等のような無機フィラーであることが好ましい。無機フィラーの添加は、充填材の硬化体の線膨張や平均熱膨張係数の低減につながるからである。好適なセラミックフィラーとしては、シリカ、アルミナ、炭酸カルシウム、窒化アルミニウム、水酸化アルミニウム、チタニア、硫酸バリウムなどの粒子が挙げられる。好適な金属フィラーとしては、銅、銀、スズ、鉛、チタン、鉄、ニッケル等の粒子が挙げられる。なお、セラミックフィラーの表面を金属でコーティングした粒子を用いてもよい。セラミックフィラー及び金属フィラーの両方を用いてもよい。   The filler is preferably an epoxy resin obtained by adding a filler having a maximum particle size of 5 μm or more and 60 μm or less in addition to a curing agent. Such fillers are preferably inorganic fillers such as ceramic fillers, metal fillers, glass fillers and the like. This is because the addition of the inorganic filler leads to a reduction in the linear expansion and average thermal expansion coefficient of the cured material of the filler. Suitable ceramic fillers include particles of silica, alumina, calcium carbonate, aluminum nitride, aluminum hydroxide, titania, barium sulfate, and the like. Suitable metal fillers include particles of copper, silver, tin, lead, titanium, iron, nickel and the like. In addition, you may use the particle | grains which coated the surface of the ceramic filler with the metal. Both ceramic fillers and metal fillers may be used.

前記フィラーの最大粒径は5μm以上60μm以下であることが好ましい。最大粒径が5μm未満であると、充填材を高密度で充填できなくなるため、充填材の硬化体の線膨張や平均熱膨張係数を低い値に抑えることが困難になる。一方、最大粒径が60μmを超えると、直径200μm以下の貫通孔に充填材を充填する際に、内部で目詰まりが発生しやすくなる。よって、充填材を充填する作業が困難になるおそれがある。   The maximum particle size of the filler is preferably 5 μm or more and 60 μm or less. When the maximum particle size is less than 5 μm, the filler cannot be filled at a high density, so that it is difficult to suppress the linear expansion and the average thermal expansion coefficient of the cured material of the filler to a low value. On the other hand, when the maximum particle size exceeds 60 μm, clogging tends to occur inside when filling the through hole having a diameter of 200 μm or less with the filler. Therefore, it may be difficult to fill the filler.

前記スルーホール部に充填する際の前記充填材を粘度は、22±3℃において剪断速度が21s-1のとき、300Pa・s以下であることが好ましく、さらには10Pa・s以上200Pa・s以下であることがより好ましい。粘度が10Pa・s未満であると、充填された充填材がスルーホール部の外に垂れてしまうおそれがある。一方、粘度が200Pa・sを超えるような場合には、充填材の流動性が小さくなりすぎて、スルーホール部に充填材を充填する作業が困難になる。なお、スルーホール部に充填材を充填する好適な手法としては、印刷法がある。この場合、マスクを介して充填材を印刷してもよいほか、マスクを介さずに充填材を直接印刷してもよい。 When the through-hole part is filled, the viscosity of the filler is preferably 300 Pa · s or less when the shear rate is 21 s −1 at 22 ± 3 ° C., and more preferably 10 Pa · s to 200 Pa · s. It is more preferable that If the viscosity is less than 10 Pa · s, the filled filler may sag outside the through-hole portion. On the other hand, when the viscosity exceeds 200 Pa · s, the fluidity of the filler becomes too small, and the work of filling the through hole with the filler becomes difficult. A suitable method for filling the through hole with a filler is a printing method. In this case, the filler may be printed through a mask, or the filler may be printed directly without using a mask.

本発明では、実質的に影響を及ぼさない範囲で、充填材に上記以外の他の成分を混合してもよい。例えば、絶縁性及び耐湿性等に実質的に影響を及ぼさない範囲で、消泡剤、揺変剤、着色剤、レベリング剤、カップリング剤等を添加することが許容される。   In this invention, you may mix other components other than the above with a filler in the range which does not have influence substantially. For example, it is allowed to add an antifoaming agent, a thixotropic agent, a coloring agent, a leveling agent, a coupling agent, etc. within a range that does not substantially affect the insulation and moisture resistance.

前記層間絶縁層は、コア基板の第1主面側、第2主面側、または、第1主面及び第2主面の両側に配置される。層間絶縁層は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂などをベースとしてそれに硬化剤等を添加したものを用いて形成されることが好ましい。このようなものであれば、層間絶縁層の線膨張や平均熱膨張係数を低い値に設定しやすくなる。層間絶縁層は単層からなるものでも複数層からなるものでもよい。   The interlayer insulating layer is disposed on the first main surface side, the second main surface side, or both sides of the first main surface and the second main surface of the core substrate. The interlayer insulating layer is preferably formed by using an epoxy resin, polyimide resin, bismaleimide-triazine resin or the like as a base and a curing agent or the like added thereto. If it is such, it will become easy to set the linear expansion and average thermal expansion coefficient of an interlayer insulation layer to a low value. The interlayer insulating layer may be a single layer or a plurality of layers.

前記層間絶縁層の表面上には配線層が配置されている。配線層を形成する手法や金属材料は、導電性や層間絶縁層との密着性などを考慮して適宜選択される。配線層の形成に用いられる金属材料の例としては、銅、銅合金、銀、銀合金、ニッケル、ニッケル合金、スズ、スズ合金などが挙げられる。配線層を形成する手法としては、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法を採用することができる。具体的にいうと、例えば、銅箔のエッチング、無電解銅めっきあるいは電解銅めっき、無電解ニッケルめっきあるいは電解ニッケルめっきなどの手法を用いることができる。なお、スパッタやCVD等の手法により金属層を形成した後にエッチングを行うことで配線層を形成したり、導電性ペースト等の印刷により配線層を形成したりすることも可能である。また、前記層間絶縁層の最表層上には、必要に応じて、配線層を保護するためのソルダーレジストが配置されていてもよい。   A wiring layer is disposed on the surface of the interlayer insulating layer. The technique for forming the wiring layer and the metal material are appropriately selected in consideration of conductivity, adhesion with the interlayer insulating layer, and the like. Examples of the metal material used for forming the wiring layer include copper, copper alloy, silver, silver alloy, nickel, nickel alloy, tin, and tin alloy. As a method of forming the wiring layer, a known method such as a subtractive method, a semi-additive method, or a full additive method can be employed. Specifically, for example, techniques such as etching of copper foil, electroless copper plating or electrolytic copper plating, electroless nickel plating or electrolytic nickel plating can be used. It is also possible to form a wiring layer by etching after forming a metal layer by a technique such as sputtering or CVD, or to form a wiring layer by printing a conductive paste or the like. A solder resist for protecting the wiring layer may be disposed on the outermost layer of the interlayer insulating layer as necessary.

スルーホール部の開口部には、スルーホール部を塞ぐ蓋状導体が配置されている。このような蓋状導体は、導電性金属を用いて従来公知の手法によりスルーホール部の開口部に導体層を形成することにより得られる。蓋状導体の好適例としては、銅めっきを施すことにより形成された蓋めっき(蓋めっき層)を挙げることができる。かかる蓋めっきの厚さは例えば5μm以上50μm以下に設定され、特には10μm以上30μm以下に設定されることがよい。   A lid-like conductor that closes the through-hole portion is disposed in the opening of the through-hole portion. Such a lid-like conductor can be obtained by forming a conductor layer at the opening of the through-hole portion by a conventionally known method using a conductive metal. Preferable examples of the lid-like conductor include lid plating (cover plating layer) formed by performing copper plating. The thickness of the lid plating is set to, for example, 5 μm or more and 50 μm or less, and particularly preferably 10 μm or more and 30 μm or less.

前記層間絶縁層において前記蓋状導体の表面上の位置には、ビアが配置されていてもよく、特にビア凹部にめっきを充填したフィルドビアが配置されていることがよい。ビア凹部にめっきが充填されたフィルドビアは、ビア凹部にめっきが充填されていないビアに比べて、スルーホール部からの押し上げに弱く、自身の塑性変形によって応力を逃がすことが難しい。従って、その位置にフィルドビアがあると、蓋状導体やその周辺の導体部分におけるクラックやデラミネーションの発生、という本願特有の解決課題が生じやすくなるからである。フィルドビアは、例えば、層間絶縁層にビア凹部を開口した後、そのビア凹部の内部に電解銅めっきを施して上面を略平坦にすることにより形成される。またフィルドビアは、層間絶縁層にビア凹部を開口した後、そのビア凹部の内部に無電解銅めっきを施し、さらにビア内の窪みに電解銅めっきや導電性ペーストなどを充填して上面を略平坦にすることにより形成される。   Vias may be arranged at positions on the surface of the lid-like conductor in the interlayer insulating layer, and filled vias filled with plating in the via recesses are particularly preferably arranged. A filled via with a via recess filled with plating is weaker to push up from the through-hole portion than a via with no via recess filled with plating, and it is difficult to release stress by its own plastic deformation. Therefore, if there is a filled via at that position, a problem specific to the present application such as generation of cracks and delamination in the lid-like conductor and the surrounding conductor portion is likely to occur. The filled via is formed, for example, by opening a via recess in the interlayer insulating layer and then electrolytically plating the inside of the via recess to make the upper surface substantially flat. For filled vias, after opening via recesses in the interlayer insulation layer, electroless copper plating is applied to the insides of the via recesses, and electrolytic copper plating or conductive paste is filled in the recesses in the vias so that the top surface is substantially flat. It is formed by.

また、上記課題を解決するための別の手段としては、第1主面及び第2主面を有し、前記第1主面及び前記第2主面にて開口する直径200μm以下の貫通孔の内壁面にスルーホール導体を設けた構造のスルーホール部を有するコア基板と、前記コア基板の前記第1主面及び前記第2主面の少なくとも一方側に配置された層間絶縁層と、前記層間絶縁層の表面上に配置された配線層と、前記スルーホール部に充填された充填材の硬化体と、前記スルーホール部の開口部を塞ぐ蓋状導体とを備え、前記充填材は、エポキシ樹脂に硬化剤及び最大粒径が5μm以上60μm以下のフィラーを添加したものであって、かつガラス転移点が140℃以上であり、室温からはんだリフロー温度までの温度域における前記充填材の硬化体の基板厚さ方向の線膨張の値と、室温からはんだリフロー温度までの温度域における前記コア基板の前記基板厚さ方向の線膨張の値との差の絶対値が、0.1%以下であり、前記層間絶縁層の前記基板厚さ方向の平均熱膨張係数は、20ppm/K以上60ppm/K以下であり、前記充填材の硬化体の前記基板厚さ方向の平均熱膨張係数と、前記スルーホール導体の前記基板厚さ方向の平均熱膨張係数との差の絶対値は、20ppm/K以下であり、前記コア基板の前記基板厚さ方向の平均熱膨張係数と、前記スルーホール導体の前記基板厚さ方向の平均熱膨張係数との差の絶対値は、30ppm/K以下であることを特徴とする多層配線基板、がある。
従って、本発明によると、室温からはんだリフロー温度までの温度域における前記充填材の硬化体の線膨張の値と、当該温度域における前記コア基板の厚さ方向における線膨張の値との差の絶対値が、0.1%以下という極めて低い値に抑えられている。それゆえ、はんだリフローを行ったときの充填材の硬化体の熱膨張量が少なくなり、蓋状導体やその周辺の導体部分に内在する圧縮・引張応力もおのずと小さくなる。よって、熱衝撃を伴う信頼性評価試験を行ったとしても、蓋状導体やその周辺の導体部分にクラックやデラミネーションが発生しにくくなり、高い接続信頼性を付与することができる。
Further, as another means for solving the above-described problem, there is a through hole having a first main surface and a second main surface and having a diameter of 200 μm or less that opens at the first main surface and the second main surface. A core substrate having a through-hole portion having a structure in which a through-hole conductor is provided on an inner wall surface; an interlayer insulating layer disposed on at least one side of the first main surface and the second main surface of the core substrate; and the interlayer and arranged wiring layer on the surface of the insulating layer, wherein comprising a cured body of the filler filled in the through-hole portion, and a lid-like conductor for closing the opening portion of the through hole, wherein the filler is an epoxy A cured product of the filler in a temperature range from room temperature to solder reflow temperature , which is obtained by adding a curing agent and a filler having a maximum particle size of 5 μm or more and 60 μm or less to a resin, and having a glass transition point of 140 ° C. or more. substrate thickness direction of the line of The value of Zhang, absolute value of the difference between the value of the linear expansion of the substrate thickness direction of the core substrate in the temperature range from room temperature to solder reflow temperature, 0.1% or less, of the interlayer insulating layer average thermal expansion coefficient of the substrate thickness direction, 20 ppm / K Ri der than 60 ppm / K or less, an average thermal expansion coefficient of the substrate thickness direction of the cured product of the filler, the substrate of the through-hole conductors The absolute value of the difference between the average thermal expansion coefficient in the thickness direction is 20 ppm / K or less, the average thermal expansion coefficient in the substrate thickness direction of the core substrate, and the substrate thickness direction of the through-hole conductor in the substrate thickness direction. There is a multilayer wiring board characterized in that the absolute value of the difference from the average thermal expansion coefficient is 30 ppm / K or less .
Therefore, according to the present invention, the difference between the value of linear expansion of the cured material of the filler in the temperature range from room temperature to the solder reflow temperature and the value of linear expansion in the thickness direction of the core substrate in the temperature range. The absolute value is suppressed to an extremely low value of 0.1% or less. Therefore, the amount of thermal expansion of the hardened material of the filler when solder reflow is performed is reduced, and the compressive / tensile stress inherent in the lid-like conductor and its surrounding conductor portion is also reduced. Therefore, even if a reliability evaluation test involving thermal shock is performed, cracks and delamination are less likely to occur in the lid-like conductor and its surrounding conductor portions, and high connection reliability can be imparted.

以下、本発明を具体化した実施形態の多層配線基板11を、図1〜図4に基づき詳細に説明する。
図1に示されるように、この多層配線基板11は、両面にビルドアップ層を備える両面ビルドアップ多層配線基板である。多層配線基板11を構成するコア基板12は、平面視で略矩形状の板状部材(厚さ0.8mm)であり、上面13(第1主面)及び下面14(第2主面)を有している。コア基板12における複数箇所には、上面13及び下面14を貫通するスルーホール部15が等間隔に形成されている。これらのスルーホール部15は、上面13及び下面14にて開口する貫通孔16の内壁面にスルーホールめっき17(スルーホールめっき部)を設けた構造を有している。本実施形態の場合、スルーホールめっき17は無電解銅めっきの後の電界銅めっきからなり、その析出厚さは約20μmに設定されている。スルーホールめっき17の表面は平滑面であって凹凸を殆ど有しておらず、Raも1μm未満になっている。スルーホール部15内には充填材の硬化体18が充填されている。ここでは充填材として、エポキシ樹脂をベースとしてそれに硬化剤及びフィラーを添加したペーストを用いている。その詳細については後述する。スルーホール部15における上側の開口部には上側蓋めっき21(蓋状導体)が形成され、スルーホール部15における下側の開口部には下側蓋めっき22(蓋状導体)が形成されている。その結果、これらの蓋めっき21,22によってスルーホール部15が塞がれている。本実施形態では、無電解めっきの後、電解銅めっきにより蓋めっき21,22を形成するとともに、その厚さ(詳細には充填材の硬化体18の端面に接する箇所の厚さ)を15μm〜25μm程度に設定している。スルーホール部15のランド部分に接する箇所の蓋めっき21,22の厚さは、これよりも厚く、35μm〜45μm程度になっている。
Hereinafter, a multilayer wiring board 11 according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS.
As shown in FIG. 1, the multilayer wiring board 11 is a double-sided build-up multilayer wiring board having a build-up layer on both sides. The core substrate 12 constituting the multilayer wiring substrate 11 is a substantially rectangular plate-like member (thickness 0.8 mm) in plan view, and has an upper surface 13 (first main surface) and a lower surface 14 (second main surface). Have. Through holes 15 penetrating the upper surface 13 and the lower surface 14 are formed at equal intervals at a plurality of locations on the core substrate 12. These through-hole portions 15 have a structure in which a through-hole plating 17 (through-hole plating portion) is provided on the inner wall surface of the through-hole 16 that opens at the upper surface 13 and the lower surface 14. In the case of this embodiment, the through-hole plating 17 is made of electrolytic copper plating after electroless copper plating, and the deposition thickness is set to about 20 μm. The surface of the through-hole plating 17 is a smooth surface with almost no irregularities, and Ra is less than 1 μm. The through hole portion 15 is filled with a hardened material 18 of a filler. Here, a paste is used as a filler, which is based on an epoxy resin and added with a curing agent and a filler. Details thereof will be described later. An upper lid plating 21 (lid conductor) is formed in the upper opening in the through hole portion 15, and a lower lid plating 22 (lid conductor) is formed in the lower opening in the through hole portion 15. Yes. As a result, the through-hole portion 15 is blocked by the lid platings 21 and 22. In the present embodiment, after electroless plating, lid platings 21 and 22 are formed by electrolytic copper plating, and the thickness (specifically, the thickness of the portion in contact with the end face of the hardened body 18 of the filler) is 15 μm to It is set to about 25 μm. The thicknesses of the lid platings 21 and 22 in contact with the land portion of the through-hole portion 15 are thicker than this, and are about 35 μm to 45 μm.

コア基板12の上面13には層間絶縁層31が形成され、コア基板12の下面14には層間絶縁層32が形成されている。層間絶縁層31,32はいずれもその厚さが約30μmであって、例えば連続多孔質PTFEにエポキシ樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料からなる。上面13側に位置する第1層めの層間絶縁層31の表面上には配線層23がパターン形成され、下面14側に位置する第1層めの層間絶縁層32の表面上には配線層24がパターン形成されている。また、第1層めの層間絶縁層31における所定箇所、即ちスルーホール部15の直上部には、直径約70μmのビア凹部41が設けられている。第1層めの層間絶縁層32における所定箇所、即ちスルーホール部15の直下部には、同様に直径約70μmのビア凹部44が設けられている。ビア凹部41,44にはビア導体である電解銅めっきが充填され、これによりフィルドビア43,46が形成されている。上面13側のフィルドビア43は、その内側面が蓋めっき21に対して接続される一方、その外側面が配線層23に対して接続されている。その結果、フィルドビア43を介してスルーホール部15と配線層23とが導通している。また、下面14側のフィルドビア46は、その内側面が蓋めっき22に対して接続される一方、その外側面が配線層24に対して接続されている。その結果、フィルドビア46を介してスルーホール部15と配線層24とが導通している。   An interlayer insulating layer 31 is formed on the upper surface 13 of the core substrate 12, and an interlayer insulating layer 32 is formed on the lower surface 14 of the core substrate 12. Each of the interlayer insulating layers 31 and 32 has a thickness of about 30 μm, and is made of, for example, a resin-resin composite material obtained by impregnating continuous porous PTFE with an epoxy resin. A wiring layer 23 is patterned on the surface of the first interlayer insulating layer 31 located on the upper surface 13 side, and the wiring layer is formed on the surface of the first interlayer insulating layer 32 located on the lower surface 14 side. 24 is patterned. Further, a via recess 41 having a diameter of about 70 μm is provided at a predetermined position in the first interlayer insulating layer 31, that is, immediately above the through-hole portion 15. A via recess 44 having a diameter of about 70 μm is similarly provided at a predetermined location in the first interlayer insulating layer 32, that is, immediately below the through-hole portion 15. The via recesses 41 and 44 are filled with electrolytic copper plating which is a via conductor, whereby filled vias 43 and 46 are formed. The filled via 43 on the upper surface 13 side has an inner surface connected to the lid plating 21, and an outer surface connected to the wiring layer 23. As a result, the through-hole portion 15 and the wiring layer 23 are electrically connected via the filled via 43. The filled via 46 on the lower surface 14 side has an inner surface connected to the lid plating 22, and an outer surface connected to the wiring layer 24. As a result, the through hole portion 15 and the wiring layer 24 are electrically connected through the filled via 46.

第1層めの層間絶縁層31の表面上には第2層めの層間絶縁層51が形成され、第1層めの層間絶縁層32の表面上には第2層めの層間絶縁層52が形成されている。層間絶縁層51,52はいずれもその厚さが約30μmであって、連続多孔質PTFEにエポキシ樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料からなる。第2層めの層間絶縁層51,52の表面上には、それぞれソルダーレジスト71,72が設けられている。第2層めの層間絶縁層51,52における所定箇所には、それぞれ直径約70μmのビア凹部61,64が設けられている。ビア凹部61,64にはビア導体である電解銅めっきが充填され、これによりフィルドビア63,66が形成されている。   A second interlayer insulating layer 51 is formed on the surface of the first interlayer insulating layer 31, and a second interlayer insulating layer 52 is formed on the surface of the first interlayer insulating layer 32. Is formed. Each of the interlayer insulating layers 51 and 52 has a thickness of about 30 μm and is made of a resin-resin composite material in which continuous porous PTFE is impregnated with an epoxy resin. Solder resists 71 and 72 are provided on the surfaces of the second interlayer insulating layers 51 and 52, respectively. Via recesses 61 and 64 having a diameter of about 70 μm are provided at predetermined positions in the second interlayer insulating layers 51 and 52, respectively. The via recesses 61 and 64 are filled with electrolytic copper plating which is a via conductor, whereby filled vias 63 and 66 are formed.

上面13側のフィルドビア63は、その内側面が配線層23に対して接続される一方、その外側面がソルダーレジスト71の開口部81によって露出されている。そして、フィルドビア63の外側面上には、図示しないICチップ側のパッドとの接続に用いられるはんだバンプ83が設けられている。下面14側のフィルドビア66は、その内側面が配線層24に対して接続される一方、その外側面がソルダーレジスト72の開口部84によって露出されている。そして、フィルドビア66の外側面上には、図示しないマザーボード側のパッドとの接続に用いられるはんだバンプ86が設けられている。   The filled via 63 on the upper surface 13 side is connected to the wiring layer 23 on the inner side surface, and the outer side surface is exposed by the opening 81 of the solder resist 71. On the outer surface of the filled via 63, a solder bump 83 used for connection to a pad on the IC chip side (not shown) is provided. The inner surface of the filled via 66 on the lower surface 14 side is connected to the wiring layer 24, while the outer surface thereof is exposed through the opening 84 of the solder resist 72. On the outer surface of the filled via 66, there are provided solder bumps 86 used for connection to a pad on the mother board (not shown).

以下、本実施形態をより具体化した実施例について説明する。
(1)スルーホール部15を充填するための充填材の作製
Hereinafter, examples in which the present embodiment is more specific will be described.
(1) Production of filler for filling the through-hole portion 15

表1の組成になるように、エポキシ樹脂、硬化剤及びフィラーを混合し、3本ロールミルを用いて混練して、充填材であるスルーホール部充填用ペーストを調製した。ここで用いた原材料の詳細は以下のとおりである。表1では、エポキシ樹脂と硬化剤との和が100部となるようにして、各成分の量を重量部にて表示している。下記の成分以外に、スルーホール部充填用ペーストには、少量の触媒核、増粘剤、消泡剤を添加した。   An epoxy resin, a curing agent, and a filler were mixed so as to have the composition shown in Table 1, and kneaded using a three-roll mill to prepare a through-hole filling paste as a filler. The details of the raw materials used here are as follows. In Table 1, the amount of each component is expressed in parts by weight so that the sum of the epoxy resin and the curing agent is 100 parts. In addition to the following components, a small amount of catalyst nuclei, thickener and antifoaming agent were added to the through-hole filling paste.

<充填材>   <Filler>

・E−828:ビスフェノールA型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン製)   E-828: bisphenol A type epoxy resin (made by Japan Epoxy Resin)

・E−807:ビスフェノールF型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン製)   E-807: Bisphenol F type epoxy resin (made by Japan Epoxy Resin)

・E−630:アミノフェノール型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン製)   E-630: aminophenol type epoxy resin (made by Japan Epoxy Resin)

<硬化剤>   <Curing agent>

・2MAZ−PW:イミダゾール系硬化剤(四国化成工業製)   ・ 2MAZ-PW: Imidazole-based curing agent (manufactured by Shikoku Chemicals)

・DICY7:ジシアンジアミド系硬化剤(ジャパンエポキシレジン製)   ・ DICY7: Dicyandiamide-based curing agent (manufactured by Japan Epoxy Resin)

<フィラー>   <Filler>

・f1:平均粒径3μm、最大粒径10μmに分級したアトマイズCu粉末   F1: Atomized Cu powder classified to an average particle size of 3 μm and a maximum particle size of 10 μm

・f2:平均粒径6μm、最大粒径24μmに分級したシリカ粉末   F2: Silica powder classified to an average particle size of 6 μm and a maximum particle size of 24 μm

・f3:平均粒径2μm、最大粒径10μm未満に分級した炭酸カルシウム粉末の表面処理品
(2)多層配線基板11の作製
F3: Surface treated product of calcium carbonate powder classified to an average particle size of 2 μm and a maximum particle size of less than 10 μm (2) Production of multilayer wiring board 11

多層配線基板11の作製にあたり、下記のようなコア基板12を使用した。その物性については表2に示す。   In manufacturing the multilayer wiring board 11, the following core board 12 was used. The physical properties are shown in Table 2.

<コア基板>   <Core substrate>

・コア基板A:BT/ガラスクロス複合基板A   Core substrate A: BT / glass cloth composite substrate A

・コア基板B:エポキシ/ガラスクロス/フィラー複合基板   Core substrate B: Epoxy / glass cloth / filler composite substrate

・コア基板C:BT/ガラスクロス複合基板C   Core substrate C: BT / glass cloth composite substrate C

そして、まず、上記のコア基板12(厚さ0.8mm)に、直径100μm、200μmまたは300μmの貫通孔16を設けた。その後、従来公知の手法に従って無電解銅めっき、電解めっきを行い、前記貫通孔16の内壁面にスルーホールめっき17を設け、スルーホール部15とした。次に、表1に示す充填材を従来公知の印刷方法にて印刷することにより、スルーホール部15内に充填材を充填した。そして、コア基板12を150℃×5時間の条件で加熱硬化させ、充填材の硬化体18とした。このような熱硬化処理の後、ベルトサンダー研磨によってコア基板12の上面13及び下面14を平滑化したうえで、充填材の硬化体18の端面を含むコア基板12全体に無電解めっきの後、電解銅めっきを施した。次に、形成された導体層上にドライフィルムを設けて露光・現像を行った後にエッチングを行い、導体層をパターニングした。これによりスルーホール部15の開口部に蓋めっき21,22を形成した。さらに、ビルドアップ法により層間絶縁層31,32(味の素製:ABF−GX、Z軸方向の平均熱膨張係数が55ppm/K)を形成した後、スルーホール部15の直上部を炭酸ガスレーザにて穴明けした。そして、この穴明けにより形成されたビア凹部41,44内を無電解めっきの後、電解銅めっきで埋めてフィルドビア43,46を形成し、併せて層間絶縁層31,32の表面上に配線層23,24を形成した。さらに、同様の手法により、層間絶縁層51,52の形成、レーザ穴明け、無電解めっき、電解銅めっき等によるフィルドビア63,66の形成を行い、次いでソルダーレジスト71,72の形成を行った。そして最後に、ソルダーレジスト71,72から露出しているフィルドビア63,66にはんだを印刷し、215℃×10秒の加熱条件でリフローを行って、はんだバンプ83,86を有する図1の多層配線基板11を完成させた。なお、はんだバンプ83,86を形成するはんだ材料として、本実施例では錫鉛共晶はんだ(Sn/37Pb:融点183℃)を用いた。   First, a through hole 16 having a diameter of 100 μm, 200 μm, or 300 μm was provided in the core substrate 12 (thickness 0.8 mm). Thereafter, electroless copper plating and electrolytic plating were performed according to a conventionally known method, and a through-hole plating 17 was provided on the inner wall surface of the through-hole 16 to form a through-hole portion 15. Next, the filler shown in Table 1 was printed by a conventionally known printing method to fill the through-hole portion 15 with the filler. Then, the core substrate 12 was heat-cured under the conditions of 150 ° C. × 5 hours to obtain a cured material 18 of the filler. After such a thermosetting treatment, after smoothing the upper surface 13 and the lower surface 14 of the core substrate 12 by belt sander polishing, after the electroless plating on the entire core substrate 12 including the end face of the cured material 18 of the filler, Electrolytic copper plating was applied. Next, a dry film was provided on the formed conductor layer, exposed and developed, and then etched to pattern the conductor layer. As a result, lid platings 21 and 22 were formed in the opening of the through-hole portion 15. Furthermore, after forming the interlayer insulation layers 31 and 32 (Ajinomoto: ABF-GX, the average thermal expansion coefficient in the Z-axis direction is 55 ppm / K) by the build-up method, a carbon dioxide laser is used to directly above the through-hole portion 15. I made a hole. The via recesses 41 and 44 formed by drilling are filled with electrolytic copper plating after electroless plating, and filled vias 43 and 46 are formed. At the same time, wiring layers are formed on the surfaces of the interlayer insulating layers 31 and 32. 23, 24 were formed. Further, by the same method, interlayer insulating layers 51 and 52 were formed, filled holes 63 and 66 were formed by laser drilling, electroless plating, electrolytic copper plating, etc., and then solder resists 71 and 72 were formed. Finally, solder is printed on the filled vias 63 and 66 exposed from the solder resists 71 and 72, and reflow is performed under a heating condition of 215 ° C. × 10 seconds, and the multilayer wiring of FIG. The substrate 11 was completed. In this embodiment, tin-lead eutectic solder (Sn / 37Pb: melting point 183 ° C.) was used as a solder material for forming the solder bumps 83 and 86.

表3に示されるように、ここではコア基板Aと充填材F1との組み合わせを「サンプル番号1」とし、コア基板Aと充填材F2との組み合わせを「サンプル番号2」とし、コア基板Aと充填材F3との組み合わせを「サンプル番号3」とし、コア基板Aと充填材F4との組み合わせを「サンプル番号4」とした。また、コア基板Bと充填材F1との組み合わせを「サンプル番号5」とした。そして、コア基板Cと充填材F1との組み合わせを「サンプル番号6」とし、コア基板Cと充填材F4との組み合わせを「サンプル番号7」とした。
(3)熱衝撃試験
As shown in Table 3, here, the combination of the core substrate A and the filler F1 is “sample number 1”, the combination of the core substrate A and the filler F2 is “sample number 2”, and the core substrate A and The combination with the filler F3 was “sample number 3”, and the combination with the core substrate A and the filler F4 was “sample number 4”. The combination of the core substrate B and the filler F1 was “sample number 5”. The combination of the core substrate C and the filler F1 was “sample number 6”, and the combination of the core substrate C and the filler F4 was “sample number 7”.
(3) Thermal shock test

上記(2)に従って作製された多層配線基板11について、接続信頼性の良否を比較するために、下記の要領で熱衝撃試験を実施した。具体的には、−55℃×5分〜125℃×5分を1サイクルとして、このヒートサイクルを500回行った時点でスルーホール部15の軸線方向に沿ってコア基板12を切断し、その切断面をSEMで観察した。そして、蓋めっき21,22及びそれに接する導体部分(スルーホール部15のランド部分、フィルドビア43,46)におけるクラックやデラミネーションの発生状況を調査した。その結果を表3に示す。ちなみに、熱衝撃試験を行う前の多層配線基板11では、特にクラックやデラミネーション等の不良は認められなかった。
(4)充填材の硬化体18及びコア基板12の線膨張、平均熱膨張係数の測定
In order to compare the connection reliability of the multilayer wiring board 11 manufactured according to the above (2), a thermal shock test was performed as follows. Specifically, with the cycle of −55 ° C. × 5 minutes to 125 ° C. × 5 minutes as one cycle, the core substrate 12 is cut along the axial direction of the through-hole portion 15 when this heat cycle is performed 500 times. The cut surface was observed with SEM. Then, the occurrence of cracks and delamination in the cover platings 21 and 22 and the conductor portions in contact therewith (land portions of the through-hole portion 15 and filled vias 43 and 46) were investigated. The results are shown in Table 3. Incidentally, in the multilayer wiring board 11 before the thermal shock test was performed, defects such as cracks and delamination were not particularly recognized.
(4) Measurement of linear expansion and average thermal expansion coefficient of cured material 18 of filler and core substrate 12

・充填材の硬化体18:まず、充填材を10mm×10mm×50mm程度の成形用空間を有する型に流し込み、150℃×5時間の条件(即ち通常用いる工程と同じ条件)でその充填材を熱硬化させた。その後、旋盤を用いてφ5mm×20mmの円柱状試験片を作製し、これを試料として用いてTMA法による測定を行った。即ち、スパン20mmにて試験片の長手方向に約1gの圧縮荷重を加えた状態で、−55℃まで冷却し、10℃/分の昇温速度で215℃まで加熱した。このとき、25℃,215℃での試料の長さを測定し、得られた測定結果を上記式1に代入して線膨張の値(%)を計算した。また、−55℃,25℃,125℃での試料の長さを測定し、この測定結果を上記式2に代入して平均熱膨張係数の値(ppm/K)を計算した。それらの結果を表1,2に示す。   Cured body 18 of filler: First, the filler is poured into a mold having a molding space of about 10 mm × 10 mm × 50 mm, and the filler is used under the conditions of 150 ° C. × 5 hours (that is, the same conditions as those in a normal use process). Heat cured. Thereafter, a cylindrical test piece of φ5 mm × 20 mm was prepared using a lathe, and measurement was performed by the TMA method using this as a sample. That is, in a state where a compressive load of about 1 g was applied in the longitudinal direction of the test piece with a span of 20 mm, the sample was cooled to −55 ° C. and heated to 215 ° C. at a temperature increase rate of 10 ° C./min. At this time, the lengths of the samples at 25 ° C. and 215 ° C. were measured, and the obtained measurement results were substituted into the above equation 1 to calculate the linear expansion value (%). Further, the lengths of the samples at −55 ° C., 25 ° C., and 125 ° C. were measured, and this measurement result was substituted into the above equation 2 to calculate the value of average thermal expansion coefficient (ppm / K). The results are shown in Tables 1 and 2.

・コア基板12:ダイシング装置を用いて厚さ0.8mm×縦横5.0mmに切断して正方形状の試験片とし、これを試料として用いてTMA法による測定を行った。即ち、試験片の厚さ方向に約1gの圧縮荷重を加えた状態で、−55℃まで冷却し、10℃/分の昇温速度で215℃まで加熱した。このとき、25℃,215℃での試料の厚さを測定し、この測定結果を上記式1に代入して線膨張の値(%)を計算した。また、−55℃,25℃,125℃での試料の厚さを測定し、この測定結果を上記式2に代入して平均熱膨張係数の値(ppm/K)を計算した。それらの結果も表1,2に示す。
(5)結果及び考察
Core substrate 12: Cut into a thickness of 0.8 mm × length and width 5.0 mm using a dicing apparatus to obtain a square test piece, and this was used as a sample and measured by the TMA method. That is, in a state where a compressive load of about 1 g was applied in the thickness direction of the test piece, it was cooled to −55 ° C. and heated to 215 ° C. at a temperature rising rate of 10 ° C./min. At this time, the thickness of the sample at 25 ° C. and 215 ° C. was measured, and the measurement result was substituted into the above equation 1 to calculate the linear expansion value (%). Moreover, the thickness of the sample at −55 ° C., 25 ° C., and 125 ° C. was measured, and this measurement result was substituted into the above equation 2 to calculate the value of the average thermal expansion coefficient (ppm / K). The results are also shown in Tables 1 and 2.
(5) Results and discussion

・充填材の硬化体18の線膨張:表1に示すように、充填材F1,F2の硬化体18では、いずれも線膨張の値が1.20%以下となり、その値は好適範囲に属していた。これに対し、充填材F3,F4の硬化体18では、いずれも線膨張の値が1.20%を超えてしまい、その値は好適範囲に属していなかった。従って、充填材F1,F2を選択した場合に好結果が得られるであろうことが示唆された。   -Linear expansion of the cured material 18 of the filler: As shown in Table 1, in the cured material 18 of the fillers F1 and F2, the linear expansion value is 1.20% or less, and the value belongs to the preferred range. It was. On the other hand, in the cured bodies 18 of the fillers F3 and F4, the linear expansion value exceeded 1.20%, and the value did not belong to the preferred range. Therefore, it was suggested that good results would be obtained when the fillers F1, F2 were selected.

・コア基板12の線膨張、平均熱膨張係数:表2に示すように、コア基板A,Bについては線膨張の値がいずれも1.30%以下となり、その値は好適範囲に属していた。これに対し、コア基板Cについては線膨張の値が1.30%を超えてしまい、その値は好適範囲に属していなかった。なお、平均熱膨張係数についても同様の傾向が認められ、コア基板A,Bのほうがコア基板Cに比べて低い値となった。以上の結果から、コア基板A,Bを選択した場合に好結果が得られるであろうことが示唆された。   -Linear expansion and average thermal expansion coefficient of the core substrate 12: As shown in Table 2, the values of the linear expansion of the core substrates A and B were 1.30% or less, and the values belonged to the preferred range. . On the other hand, the value of linear expansion exceeded 1.30% for the core substrate C, and the value did not belong to the preferred range. The same tendency was observed for the average thermal expansion coefficient, and the core substrates A and B were lower in value than the core substrate C. From the above results, it was suggested that good results would be obtained when the core substrates A and B were selected.

・コア基板12に対する充填材の印刷性:サンプル番号1,2,3,5,6では、100μmという極めて小径のスルーホール部15に対しても良好な印刷性を示した。これに対し、サンプル番号4,7では、小径のスルーホール部15に対する印刷性が悪く、充填が不十分になることがわかった。つまり、印刷性の観点からすると、充填材F1,F2,F3を使用したほうが充填材F4を使用した場合よりも好結果が得られることがわかった。   -Printability of filler on core substrate 12: Sample Nos. 1, 2, 3, 5, and 6 showed good printability even for through-hole portions 15 having an extremely small diameter of 100 μm. On the other hand, in sample numbers 4 and 7, it turned out that the printability with respect to the through-hole part 15 of a small diameter is bad, and filling is insufficient. That is, from the viewpoint of printability, it was found that better results were obtained when the fillers F1, F2, and F3 were used than when the filler F4 was used.

・熱衝撃試験による接続信頼性:サンプル番号1,2,5では、スルーホール部15の直径が100μmになったときでも、クラックやデラミネーションの発生率を0%に抑えることができた。従って、サンプル番号1,2,5の多層配線基板11においては、蓋めっき21,22やその周辺の導体部分に極めて高い接続信頼性が確保されていた。一方、他のサンプルでは、スルーホール部15が200μm以下になると、クラックやデラミネーションが高頻度で発生した。
(6)結論
Connection reliability by thermal shock test: In sample numbers 1, 2, and 5, even when the diameter of the through-hole portion 15 was 100 μm, the occurrence rate of cracks and delamination could be suppressed to 0%. Therefore, in the multilayer wiring board 11 of sample numbers 1, 2, and 5, extremely high connection reliability is ensured for the cover platings 21 and 22 and the peripheral conductor portions. On the other hand, in other samples, when the through-hole portion 15 was 200 μm or less, cracks and delamination occurred frequently.
(6) Conclusion

従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。即ち、充填材の硬化体18の線膨張の値が、室温(25℃)からはんだリフロー温度(215℃)までの温度域において1.2%以下という極めて低い値に抑えられている。また、室温(25℃)からはんだリフロー温度(215℃)までの温度域における充填材の硬化体18の線膨張の値と、当該温度域におけるコア基板12の厚さ方向における線膨張の値との差の絶対値が、0.1%以下という極めて低い値に抑えられている。それゆえ、はんだリフローを行ったときの充填材の硬化体18の熱膨張量が少なくなり、蓋めっき21,22やその周辺の導体部分に内在する圧縮・引張応力もおのずと小さくなる。よって、上記のような熱衝撃試験を行ったとしても、蓋めっき21,22やその周辺の導体部分にクラックやデラミネーションが発生しにくくなり、多層配線基板11に高い接続信頼性を付与することができる。   Therefore, according to the present embodiment, the following effects can be obtained. That is, the linear expansion value of the hardened material 18 of the filler is suppressed to an extremely low value of 1.2% or less in the temperature range from room temperature (25 ° C.) to the solder reflow temperature (215 ° C.). Further, the linear expansion value of the hardened material 18 of the filler in the temperature range from room temperature (25 ° C.) to the solder reflow temperature (215 ° C.), and the linear expansion value in the thickness direction of the core substrate 12 in the temperature range The absolute value of the difference is suppressed to an extremely low value of 0.1% or less. Therefore, the amount of thermal expansion of the hardened material 18 of the filler when solder reflow is performed is reduced, and the compressive / tensile stress inherent in the cover platings 21 and 22 and the surrounding conductor portions is also reduced. Therefore, even if the thermal shock test as described above is performed, cracks and delamination are less likely to occur in the cover platings 21 and 22 and the surrounding conductors, and high connection reliability is imparted to the multilayer wiring board 11. Can do.

次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。   Next, the technical ideas grasped by the embodiment described above are listed below.

(1)第1主面及び第2主面を有し、前記第1主面及び前記第2主面にて開口する直径200μm以下の貫通孔の内壁面にスルーホール導体を設けた構造のスルーホール部を有するコア基板と、前記コア基板の前記第1主面及び前記第2主面の少なくとも一方側に配置された層間絶縁層と、前記層間絶縁層の表面上に配置された配線層と、前記スルーホール部に充填された充填材の硬化体と、前記スルーホール部の開口部を塞ぐ蓋状導体とを備え、前記充填材の硬化体の線膨張の値が、室温からはんだリフロー温度までの温度域において0.30%以上1.20%以下であることを特徴とする多層配線基板。   (1) Through having a structure in which a through hole conductor is provided on the inner wall surface of a through hole having a first main surface and a second main surface and having a diameter of 200 μm or less that opens at the first main surface and the second main surface. A core substrate having a hole; an interlayer insulating layer disposed on at least one side of the first main surface and the second main surface of the core substrate; and a wiring layer disposed on a surface of the interlayer insulating layer; A hardened body of the filler filled in the through-hole portion and a lid-like conductor that closes the opening of the through-hole portion, and the linear expansion value of the hardened body of the filler is from room temperature to a solder reflow temperature. A multilayer wiring board characterized by being 0.30% or more and 1.20% or less in the temperature range up to.

(2)前記充填材の硬化体の平均熱膨張係数と、前記コア基板の厚さ方向の平均熱膨張係数との差の絶対値が、20ppm/K以下であることを特徴とする技術的思想1に記載の多層配線基板。   (2) The technical idea characterized in that the absolute value of the difference between the average thermal expansion coefficient of the cured material of the filler and the average thermal expansion coefficient in the thickness direction of the core substrate is 20 ppm / K or less. 2. The multilayer wiring board according to 1.

(3)前記充填材の硬化体の平均熱膨張係数と、前記スルーホール導体の平均熱膨張係数との差の絶対値が、20ppm/K以下であることを特徴とする技術的思想1または2に記載の多層配線基板。   (3) Technical idea 1 or 2 characterized in that the absolute value of the difference between the average thermal expansion coefficient of the cured material of the filler and the average thermal expansion coefficient of the through-hole conductor is 20 ppm / K or less. A multilayer wiring board according to 1.

(4)前記コア基板の厚さ方向の平均熱膨張係数と、前記スルーホール導体の平均熱膨張係数との差の絶対値が、30ppm/K以下であることを特徴とする技術的思想1乃至3のいずれか1項に記載の多層配線基板。   (4) Technical thoughts 1 to 3, wherein an absolute value of a difference between an average thermal expansion coefficient in the thickness direction of the core substrate and an average thermal expansion coefficient of the through-hole conductor is 30 ppm / K or less. 4. The multilayer wiring board according to any one of 3 above.

(5)前記層間絶縁層の平均熱膨張係数が、20ppm/K以上60ppm/K以下であることを特徴とする技術的思想1乃至4のいずれか1項に記載の多層配線基板。   (5) The multilayer wiring board according to any one of the technical ideas 1 to 4, wherein an average thermal expansion coefficient of the interlayer insulating layer is 20 ppm / K or more and 60 ppm / K or less.

(6)第1主面及び第2主面を有し、前記第1主面及び前記第2主面にて開口する直径200μm以下の貫通孔の内壁面にスルーホール導体を設けた構造のスルーホール部を有するコア基板と、前記コア基板の前記第1主面及び前記第2主面の少なくとも一方側に配置された層間絶縁層と、前記層間絶縁層の表面上に配置された配線層と、前記スルーホール部に充填された充填材の硬化体と、前記スルーホール部の開口部を塞ぐ蓋状導体と、前記蓋状導体の表面上に配置されたビアとを備え、前記充填材の硬化体の線膨張の値が、室温からはんだリフロー温度までの温度域において1.2%以下であることを特徴とする多層配線基板。   (6) A through having a first main surface and a second main surface, and a through-hole conductor is provided on an inner wall surface of a through hole having a diameter of 200 μm or less that opens at the first main surface and the second main surface. A core substrate having a hole; an interlayer insulating layer disposed on at least one side of the first main surface and the second main surface of the core substrate; and a wiring layer disposed on a surface of the interlayer insulating layer; A cured body of the filler filled in the through-hole part, a lid-like conductor that closes the opening of the through-hole part, and a via disposed on the surface of the lid-like conductor, A multilayer wiring board, wherein a value of linear expansion of a cured product is 1.2% or less in a temperature range from room temperature to a solder reflow temperature.

(7)直径200μm以下のスルーホール部を有する多層配線基板の前記スルーホール部に充填されるペースト状の充填材であって、前記充填材の硬化体の線膨張の値が、室温からはんだリフロー温度までの温度域において1.2%以下であることを特徴とする多層配線基板用スルーホール部充填材。   (7) A paste-like filler filled in the through-hole portion of the multilayer wiring board having a through-hole portion having a diameter of 200 μm or less, wherein the linear expansion value of the cured body of the filler is a solder reflow from room temperature A through-hole filling material for a multilayer wiring board, which is 1.2% or less in a temperature range up to a temperature.

(8)配線基板製造用のコア基板であって、第1主面と、第2主面と、前記第1主面及び前記第2主面にて開口する直径200μm以下の貫通孔の内壁面にスルーホール導体を設けた構造のスルーホール部と、前記スルーホール部に充填された充填材の硬化体と、前記スルーホール部の開口部を塞ぐ蓋状導体とを備え、前記充填材の硬化体の線膨張の値が、室温からはんだリフロー温度までの温度域において1.2%以下であることを特徴とする配線基板製造用コア基板。   (8) A core substrate for manufacturing a wiring board, the inner wall surface of a first main surface, a second main surface, and a through hole having a diameter of 200 μm or less that opens at the first main surface and the second main surface A through-hole portion having a structure provided with a through-hole conductor, a cured body of the filler filled in the through-hole portion, and a lid-like conductor that closes the opening of the through-hole portion, and curing the filler A core substrate for manufacturing a wiring board, wherein a value of linear expansion of a body is 1.2% or less in a temperature range from room temperature to a solder reflow temperature.

(9)基板に形成された直径200μm以下の貫通孔の内壁面にスルーホール導体を設けたスルーホール部構造であって、室温からはんだリフロー温度までの温度域において線膨張の値が1.2%以下である充填材の硬化体によってその内部が充填され、その開口部が蓋状導体によって塞がれていることを特徴とするスルーホール部構造。   (9) A through-hole structure in which a through-hole conductor is provided on the inner wall surface of a through-hole having a diameter of 200 μm or less formed on a substrate, and the linear expansion value is 1.2 in the temperature range from room temperature to solder reflow temperature. The through-hole portion structure is characterized in that the inside is filled with a hardened material of a filler that is not more than% and the opening is closed with a lid-like conductor.

本発明を具体化した一実施形態の多層配線基板の要部拡大断面図。The principal part expanded sectional view of the multilayer wiring board of one Embodiment which actualized this invention. 実施例の熱衝撃試験にて用いる充填材の組成及び物性を示す表。The table | surface which shows the composition and physical property of a filler used in the thermal shock test of an Example. 実施例の熱衝撃試験にて用いるコア基板の物性等を示す表。The table | surface which shows the physical property etc. of the core board | substrate used by the thermal shock test of an Example. 実施例の熱衝撃試験の結果等を示す表。The table | surface which shows the result etc. of the thermal shock test of an Example. 従来技術の問題点を説明するための多層配線基板の要部拡大断面図。The principal part expanded sectional view of the multilayer wiring board for demonstrating the problem of a prior art.

符号の説明Explanation of symbols

11…多層配線基板
12…コア基板
13…第1主面としての上面
14…第2主面としての下面
15…スルーホール部
16…貫通孔
17…スルーホール導体としてのスルーホールめっき
18…充填材の硬化体
23,24…配線層
21,22…蓋状導体としての蓋めっき
31,32,51,52…層間絶縁層
41,44,61,64…ビア凹部
43,46,63,66…フィルドビア
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Multilayer wiring board 12 ... Core board 13 ... Upper surface as 1st main surface 14 ... Lower surface as 2nd main surface 15 ... Through-hole part 16 ... Through-hole 17 ... Through-hole plating as a through-hole conductor 18 ... Filler Hardened body 23, 24 ... Wiring layer 21, 22 ... Lid plating as lid-like conductor 31, 32, 51, 52 ... Interlayer insulating layer 41, 44, 61, 64 ... Via recess 43, 46, 63, 66 ... Filled via

Claims (8)

第1主面及び第2主面を有し、前記第1主面及び前記第2主面にて開口する直径200μm以下の貫通孔の内壁面にスルーホール導体を設けた構造のスルーホール部を有するコア基板と、
前記コア基板の前記第1主面及び前記第2主面の少なくとも一方側に配置された層間絶縁層と、
前記層間絶縁層の表面上に配置された配線層と、
前記スルーホール部に充填された充填材の硬化体と、
前記スルーホール部の開口部を塞ぐ蓋状導体と
を備え
前記充填材は、エポキシ樹脂に硬化剤及び最大粒径が5μm以上60μm以下のフィラーを添加したものであって、かつガラス転移点が140℃以上であり、
前記充填材の硬化体の基板厚さ方向の線膨張の値が、室温からはんだリフロー温度までの温度域において1.2%以下であり、前記コア基板の前記基板厚さ方向の線膨張の値が、室温からはんだリフロー温度までの温度域において1.3%以下であり、
前記層間絶縁層の前記基板厚さ方向の平均熱膨張係数は、20ppm/K以上60ppm/K以下であり、
前記充填材の硬化体の前記基板厚さ方向の平均熱膨張係数と、前記スルーホール導体の前記基板厚さ方向の平均熱膨張係数との差の絶対値は、20ppm/K以下であり、
前記コア基板の前記基板厚さ方向の平均熱膨張係数と、前記スルーホール導体の前記基板厚さ方向の平均熱膨張係数との差の絶対値は、30ppm/K以下である
ことを特徴とする多層配線基板。
A through hole portion having a first main surface and a second main surface, and having a through hole conductor provided on an inner wall surface of a through hole having a diameter of 200 μm or less that opens at the first main surface and the second main surface. A core substrate having,
An interlayer insulating layer disposed on at least one side of the first main surface and the second main surface of the core substrate;
A wiring layer disposed on the surface of the interlayer insulating layer;
A cured body of a filler filled in the through-hole portion;
A lid-like conductor that closes the opening of the through-hole portion ;
The filler is obtained by adding a curing agent and a filler having a maximum particle size of 5 μm or more and 60 μm or less to an epoxy resin, and has a glass transition point of 140 ° C. or more.
The value of the linear expansion of the substrate thickness direction of the cured product of the filler, from room Ri der 1.2% or less in a temperature range up to the solder reflow temperature, the linear expansion of the substrate thickness direction of the core substrate The value is 1.3% or less in the temperature range from room temperature to the solder reflow temperature,
The average thermal expansion coefficient of the interlayer insulating layer in the substrate thickness direction is 20 ppm / K or more and 60 ppm / K or less,
The absolute value of the difference between the average thermal expansion coefficient in the substrate thickness direction of the cured body of the filler and the average thermal expansion coefficient in the substrate thickness direction of the through-hole conductor is 20 ppm / K or less,
The absolute value of the difference between the average thermal expansion coefficient of the core substrate in the substrate thickness direction and the average thermal expansion coefficient of the through-hole conductor in the substrate thickness direction is 30 ppm / K or less. A multilayer wiring board characterized by
前記スルーホール導体はスルーホールめっきであることを特徴とする請求項1に記載の多層配線基板。   The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the through-hole conductor is through-hole plating. 前記コア基板の前記基板厚さ方向における線膨張の値が、室温からはんだリフロー温度までの温度域において0.8%以上1.3%以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の多層配線基板。 The value of the linear expansion of the substrate thickness direction of the core substrate, or 0.8% Te temperature range smell from room temperature to solder reflow temperature 1. The multilayer wiring board according to claim 1 or 2, wherein the content is 3% or less. 前記蓋状導体の表面上には、ビア凹部にめっきを充填したフィルドビアが配置されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の多層配線基板。   4. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein a filled via in which a via recess is filled with plating is disposed on a surface of the lid-like conductor. 5. 前記スルーホール部に充填する際の前記充填材の粘度は、22±3℃において剪断速度が21s-1のとき、300Pa・s以下であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の多層配線基板。 5. The viscosity of the filler when filling the through-hole portion is 300 Pa · s or less when the shear rate is 21 s −1 at 22 ± 3 ° C. 5. A multilayer wiring board according to the item. 前記スルーホール導体の表面は、Ra<1μmの平滑面であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の多層配線基板。   The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the surface of the through-hole conductor is a smooth surface with Ra <1 μm. 前記充填材は、3官能以上の多官能のエポキシ樹脂に、熱硬化性を付与するための粉末状の硬化剤及び最大粒径が5μm以上60μm以下の無機フィラーを添加したものであることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の多層配線基板。 The filler is obtained by adding a powdery curing agent for imparting thermosetting property and an inorganic filler having a maximum particle size of 5 μm or more and 60 μm or less to a polyfunctional epoxy resin having three or more functions. The multilayer wiring board according to any one of claims 1 to 6. 第1主面及び第2主面を有し、前記第1主面及び前記第2主面にて開口する直径200μm以下の貫通孔の内壁面にスルーホール導体を設けた構造のスルーホール部を有するコア基板と、
前記コア基板の前記第1主面及び前記第2主面の少なくとも一方側に配置された層間絶縁層と、
前記層間絶縁層の表面上に配置された配線層と、
前記スルーホール部に充填された充填材の硬化体と、
前記スルーホール部の開口部を塞ぐ蓋状導体と
を備え
前記充填材は、エポキシ樹脂に硬化剤及び最大粒径が5μm以上60μm以下のフィラーを添加したものであって、かつガラス転移点が140℃以上であり、
室温からはんだリフロー温度までの温度域における前記充填材の硬化体の基板厚さ方向の線膨張の値と、室温からはんだリフロー温度までの温度域における前記コア基板の前記基板厚さ方向の線膨張の値との差の絶対値が、0.1%以下であり、
前記層間絶縁層の前記基板厚さ方向の平均熱膨張係数は、20ppm/K以上60ppm/K以下であり、
前記充填材の硬化体の前記基板厚さ方向の平均熱膨張係数と、前記スルーホール導体の前記基板厚さ方向の平均熱膨張係数との差の絶対値は、20ppm/K以下であり、
前記コア基板の前記基板厚さ方向の平均熱膨張係数と、前記スルーホール導体の前記基板厚さ方向の平均熱膨張係数との差の絶対値は、30ppm/K以下である
ことを特徴とする多層配線基板。
A through hole portion having a first main surface and a second main surface, and having a through hole conductor provided on an inner wall surface of a through hole having a diameter of 200 μm or less that opens at the first main surface and the second main surface. A core substrate having,
An interlayer insulating layer disposed on at least one side of the first main surface and the second main surface of the core substrate;
A wiring layer disposed on the surface of the interlayer insulating layer;
A cured body of a filler filled in the through-hole portion;
A lid-like conductor that closes the opening of the through-hole portion ;
The filler is obtained by adding a curing agent and a filler having a maximum particle size of 5 μm or more and 60 μm or less to an epoxy resin, and has a glass transition point of 140 ° C. or more.
Wherein the value of the linear expansion of the substrate thickness direction of the cured body filler, the linear expansion of the substrate thickness direction of the core substrate in the temperature range from room temperature to solder reflow temperature in a temperature range of from room temperature to solder reflow temperature the absolute value of the difference between the value state, and are 0.1% or less,
The average thermal expansion coefficient of the interlayer insulating layer in the substrate thickness direction is 20 ppm / K or more and 60 ppm / K or less,
The absolute value of the difference between the average thermal expansion coefficient in the substrate thickness direction of the cured body of the filler and the average thermal expansion coefficient in the substrate thickness direction of the through-hole conductor is 20 ppm / K or less,
The absolute value of the difference between the average thermal expansion coefficient of the core substrate in the substrate thickness direction and the average thermal expansion coefficient of the through-hole conductor in the substrate thickness direction is 30 ppm / K or less. A multilayer wiring board characterized by
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