JP4647359B2 - 基板処理装置および成膜方法 - Google Patents
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Description
図1は減圧下で被処理基板を処理する基板処理装置の排気システムの構成を説明するための概略縦断面図であり、図2は、図1の部分拡大概略縦断面図である。
図示しない基板処理室に搬送機構で被処理基板を搬送し、基板処理室全体を400℃に加熱し、ブースタポンプ2及びメインポンプ3を動作させ、基板処理室を減圧状態にした後1SLMのDCS(ジクロルシラン:SiH2Cl2)を10秒間供給する。
その後、基板処理室に残留するDCSを10秒間不活性ガスを供給しながら排気した後活性化した5SLMのアンモニア(NH3)を10秒間供給する。
その後、基板処理室内に残留するアンモニアを10秒間不活性ガスを供給しながら排気する。
この4つの操作を1サイクルとして繰り返すことにより、被処理基板に窒化膜を形成して行く。
基板を収容する処理室と、
前記処理室内に所望の複数の膜生成用ガスを供給する第1供給手段と、
前記処理室内の雰囲気を排出する真空ポンプと、
前記真空ポンプの回転軸保持部材に不活性ガスを供給する第2供給手段と、 前記複数の膜生成用ガスを互いに前記処理室内にて混合させることなく、前記処理室に対しそれぞれ交互に供給、排出している膜堆積工程の間は、前記複数の膜生成用ガスを使用しないその他の工程の時と比べ、前記真空ポンプの回転軸保持部材に供給する不活性ガスの量を増加させるように、前記第2供給手段を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする基板処理装置が提供される。
また、本発明によれば、
基板を収容する処理室と、前記処理室内に所望の複数の膜生成用ガスを供給する供給手段と、前記処理室内の雰囲気を排出する真空ポンプと、を備える基板処理装置を使用する成膜方法であって、
前記複数の膜生成用ガスを互いに前記処理室内にて混合させることなく、前記処理室に対しそれぞれ交互に供給、排出すると共に、前記真空ポンプの回転軸保持部材に不活性ガスを第1の量で供給する膜堆積工程と、
前記膜堆積工程以外の工程であって、前記複数の膜生成用ガスを前記処理室に供給せず、前記真空ポンプの回転軸保持部材に前記不活性ガスを前記第1の量より小さい第2の量で供給する工程と、
を備えることを特徴とする成膜方法が提供される。
図6は、減圧下で被処理基板を処理する本発明の好ましい実施例の基板処理装置の排気システムの構成を説明するための概略縦断面図である。従来例と同じ構成品には同じ番号をつけてある。
なお、カセット移載機114等の搬送動作は、搬送制御手段124により制御される。
2…ブースタポンプ
3…メインポンプ
4…ブースタポンプ排気室
5…メインポンプ排気室
7…ブースタポンプギア側ベアリング
8…ブースタポンプモータ側ベアリング
9…メインポンプギア側ベアリング
10…メインポンプモータ側ベアリング
11…ブースタポンプモータ
12…メインポンプモータ
13…ベアリング室
15…不活性ガス供給配管
16…排気配管
17、18…回転軸
21〜23…ニードルバルブ
31〜33…マスフローコントローラ
200…ウエハ
202…処理炉
321…制御装置
Claims (2)
- 基板を収容する処理室と、
前記処理室内に所望の複数の膜生成用ガスを供給する第1供給手段と、
前記処理室内の雰囲気を排出する真空ポンプと、
前記真空ポンプの回転軸保持部材に不活性ガスを供給する第2供給手段と、 前記複数の膜生成用ガスを互いに前記処理室内にて混合させることなく、前記処理室に対しそれぞれ交互に供給、排出している膜堆積工程の間は、前記複数の膜生成用ガスを使用しないその他の工程の時と比べ、前記真空ポンプの回転軸保持部材に供給する不活性ガスの量を増加させるように、前記第2供給手段を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 基板を収容する処理室と、前記処理室内に所望の複数の膜生成用ガスを供給する供給手段と、前記処理室内の雰囲気を排出する真空ポンプと、を備える基板処理装置を使用する成膜方法であって、
前記複数の膜生成用ガスを互いに前記処理室内にて混合させることなく、前記処理室に対しそれぞれ交互に供給、排出すると共に、前記真空ポンプの回転軸保持部材に不活性ガスを第1の量で供給する膜堆積工程と、
前記膜堆積工程以外の工程であって、前記複数の膜生成用ガスを前記処理室に供給せず、前記真空ポンプの回転軸保持部材に前記不活性ガスを前記第1の量より小さい第2の量で供給する工程と、
を備えることを特徴とする成膜方法。
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JP2005083405A JP4647359B2 (ja) | 2005-03-23 | 2005-03-23 | 基板処理装置および成膜方法 |
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Citations (4)
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---|---|---|---|---|
JPS63105294A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-10 | Hitachi Ltd | スクロ−ル形真空ポンプ |
JPH01237397A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-21 | Hitachi Ltd | 真空ポンプ |
JP2004140373A (ja) * | 2002-10-18 | 2004-05-13 | Boc Group Inc:The | 半導体処理チャンバへのフッ素の大気条件よりも低い条件での供給 |
JP2005064306A (ja) * | 2003-08-15 | 2005-03-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
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2005
- 2005-03-23 JP JP2005083405A patent/JP4647359B2/ja active Active
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