JP4645360B2 - バンプ形成用樹脂組成物、バンプ形成用二層積層膜、およびバンプ形成方法 - Google Patents
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Description
ICチップ側にバンプを形成する例として、BGA(Ball Grid Array)があるが、こ
れは一般的にはICチップがパッケージ基板に既に搭載された形態のものを指している。
(A)下記一般式(1)、下記一般式(2)、および下記一般式(3)で表される構造単位を有し、下記一般式(2)および(3)で表される構造単位の合計が30〜80重量%の範囲である重合体、および(B)有機溶媒を含有し、バンプ形成に用いる二層積層膜の下層膜用組成物として用いることができる。
よびR4は、同一であっても異なっていてもよく、水素または炭素数1から4のアルキル
基である。)
さらに本発明に係る前記樹脂組成物は、
(C)下記一般式(4)で表される構造を有するエーテル基含有化合物を含有してもよい。
上記化合物(C)は、常圧30℃において液体であることが好ましい。
本発明に係るバンプ形成用二層積層膜は、
(I)前記樹脂組成物からなる下層、および
(II)ネガ型感放射線性樹脂組成物からなる上層を有している。
本発明に係るバンプ形成方法は、少なくとも下記の工程を含む配線基板表面の電極パッド上へのバンプの形成方法である。
(a)基板上に前記二層積層膜を形成した後、電極パッドの対応位置に開口パターンを形成する工程、
(b)前記開口パターン内に低融点金属を導入する工程、
(c)加熱処理することで前記低融点金属をリフローしてバンプを形成する工程、
(d)前記二層積層膜を基板から剥離、除去する工程。
また本発明に係る他のバンプ形成方法は、少なくとも下記の工程を含む配線基板表面の電極パッド上へのバンプの形成方法である。
(a)基板上に前記二層積層膜を形成した後、電極パッドの対応位置に開口パターンを形成する工程、
(b’)前記開口パターン内に低融点金属を導入する工程、
(d’)前記二層積層膜を基板から剥離、除去する工程、
(c’)加熱処理することで前記低融点金属をリフローしてバンプを形成する工程。
下層材用組成物
本発明に係る樹脂組成物は非感放射線性であり、(A)特定の構造単位を有する重合体と、(B)有機溶媒とを含有しており、バンプ形成用二層積層膜の下層材として用いることができる。
本発明に係る上記樹脂組成物に含有される重合体(A)は、下記一般式(1)で表される構造単位を有する。
よびR4は各々水素または炭素数1から4のアルキル基である。
上記(1)の構造単位が重合体(A)に含まれると、アルカリ性溶液に容易に溶解させることができる。そのため、重合体(A)が含まれる組成物を下層材としたバンプ形成用
二層積層膜は、優れたアルカリ現像性を有し、パターニングを一度の露光/現像操作で行
える。
膜の下層材として用いると、露光操作を行っても下層の硬化が抑制されるので、該積層膜は容易に剥離される。
およびR4は各々水素または炭素数1から4のアルキル基である。
単量体(1’)としては、N−(p−ヒドロキシフェニル)アクリルアミド、N−(p−ヒドロキシフェニル)メタクリルアミド、N−(p−ヒドロキシベンジル)アクリルアミド、N−(p−ヒドロキシベンジル)メタクリルアミド、N−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシベンジル)アクリルアミド、N−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシベンジル)メタクリルアミド、N−(3,5−tertブチル−4−ヒドロキシベンジル)アクリルアミド、N−(3,5−tertブチル−4−ヒドロキシベンジル)メタクリルアミドなどが挙げられる。
上記重合体(A)は、さらに下記一般式(2)で表される構造単位を有する。
上記(2)の構造単位が重合体(A)に含まれると重合体(A)に可撓性が付与される。
単量体(2’)としては、
エチル(メタ)アクリレート、n−プロピル(メタ)アクリレート、iso−プロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、sec−ブチル(メタ)アクリレート、iso−ブチル(メタ)アクリレート、n−ペンチル(メタ)アクリレート、2−ペンチル(メタ)アクリレート、3−ペンチル(メタ)アクリレート、2−メチルブチル(メタ)アクリレート、3−メチルブチル(メタ)アクリレート、n−ヘキシル(メタ)アクリレート、2−エチルブチル(メタ)アクリレート、1,3−ジメチルブチル(メタ)アクリレート、n−ヘプチル(メタ)アクリレート、2−ヘプチル(メタ)アクリレート、n−オクチル(メタ)アクリレート、2−オクチル(メタ)アクリレート、2−メチルペンチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、n−ノニル(メタ)アクリレート、n−デシル(メタ)アクリレート、n−ウンデシル(メタ)アクリレート、n−ドデシル(メタ)アクリレート
などの直鎖状または分岐状(メタ)アクリル酸エステル類;
2−エトキシエチル(メタ)アクリレート、2−メトキシエチル(メタ)アクリレート、3−エトキシプロピル(メタ)アクリレート、3−メトキシプロピル(メタ)アクリレート、3−メトキシブチル(メタ)アクリレート
などのメトキシ基、またはエトキシ基で置換された直鎖状または分岐状(メタ)アクリル酸エステル類;
などが挙げられる。
n−ブチルアクリレート、2−エチルブチルアクリレート、n−ヘキシルアクリレート、n−ヘプチルアクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、n−ノニルアクリレート、n−デシルアクリレート、n−デシルメタクリレート、n−ウンデシルメタクリレート
、n−ドデシルメタクリレート
などの直鎖状または分岐状(メタ)アクリル酸エステル類;
および2−エトキシエチルアクリレート、2−メトキシエチルアクリレート、3−エトキシプロピルアクリレート、3−メトキシプロピルアクリレート、3−メトキシブチルアクリレートなどのメトキシ基またはエトキシ基置換の直鎖状または分岐状アクリル酸エステル類;
などが好ましい。
上記重合体(A)は、さらに下記一般式(3)で表される構造単位を有する。
上記(3)の構造単位が重合体(A)に含まれると、重合体(A)を含む組成物から形成される下層と、上層との密着性が優れ、本発明で得られる二層積層膜を含む転写フィルム(ドライフィルム)の現像時に好ましいパターンプロファイルが得られる。
単量体(3’)としては、
ヒドロキシメチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシペンチル(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシペンチル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシペンチル(メタ)アクリレート、5−ヒドロキシペンチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシヘキシル(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシヘキシル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシヘキシル(メタ)アクリレート、5−ヒドロキシヘキシル(メタ)アクリレ
ート6−ヒドロキシヘキシル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシ−1−メチルエチル(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシ−1−メチルプロピル(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシ−2−メチルプロピル(メタ)アクリレートが挙げられる。
2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、3−ヒドロキシプロピルアクリレート、2−ヒドロキシ−1−メチルエチルアクリレート、4−ヒドロキシブチルアクリレート、5−ヒドロキシペンチルアクリレート、6−ヒドロキシヘキシルアクリレート、4−ヒドロキシブチルメタクリレート、5−ヒドロキシペンチルメタクリレート、6−ヒドロキシヘキシルメタクリレートが好ましい。
単量体(4’)としては、o−ヒドロキシスチレン、m−ヒドロキシスチレン、p−ヒドロキシスチレン、p−イソプロペニルフェノール、スチレン、α−メチルスチレン、p−メチルスチレン、p−メトキシスチレンなどの芳香族ビニル化合物;
N−ビニルピロリドン、N−ビニルカプロラクタムなどのヘテロ原子含有脂環式ビニル化合物;
アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどのシアノ基含有ビニル化合物;
1.3−ブタジエン、イソプレンなどの共役ジオレフィン類;
アクリルアミド、メタクリルアミドなどのアミド基含有ビニル化合物;
アクリル酸、メタクリル酸などのカルボキシル基含有ビニル化合物;
ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、グリセロールモノ(メタ)アクリレート、フェニル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレートなどの(メタ)アクリル酸エステル類などが挙げられる。
体(A)の全重量に対して30〜80重量%の範囲であり、好ましくは35〜75重量%
の範囲、より好ましくは40〜70重量%の範囲である。
上記範囲内にあると、重合体(A)を含む組成物から形成される塗膜に柔軟性を与えることができ、本発明で得られる二層積層膜を含む転写フィルム(ドライフィルム)にも可とう性が付与され、クラックを生じさせずに巻き取りできる。
下層のアルカリ溶解速度が、上層と比較して速すぎると二層積層膜の開口部の形状がアンダーカット形状となり、遅すぎると下層がスソを引いた形状になる。
重合体(A)の分子量は、単量体組成、ラジカル重合開始剤、分子量調節剤、重合温度などの重合条件を適切に選択することにより調節することができる。重合体(A)の分子量は、ポリスチレン換算重量平均分子量(以下、「Mw」という。)で、通常、1000〜100000、好ましくは3000〜50000である。重合体(A)のMwが上記範
囲にあることにより、重合体の露光後のアルカリ溶解性が優れ、上層の溶解性とのバランスもとりやすい。
〔有機溶媒(B)〕
本発明に係る非感放射線性樹脂組成物は、前述した重合体(A)、後述するフェノール水酸基含有化合物、アクリル樹脂、界面活性剤、その他の成分を均一に混合するため、あるいは良好な膜を形成するために、有機溶媒(B)を含有する。
これら有機溶媒(B)の中では、2−ヒドロキシプロピオン酸エチルやプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、2−ヘプタノンが好ましい。これら溶媒(B)は、単独でまたは2種以上を組み合わせて使用することができる。
(B)との合計100重量部に対して、通常5〜50重量部であり、好ましくは10〜4
0重量部である。
本発明に係る非感放射線性樹脂組成物は、前述した重合体(A)および有機溶媒(B)に加えて、下記一般式(4)で表される構造を有する化合物(C)を含有してもよい。化合物(C)の添加量を調製すると、上記樹脂組成物からなる膜、およびこの膜を含むフィルムの可撓性を調節出来る。
上記化合物(C)は、常圧30℃で液体であることが好ましい。
上記化合物(C)としては、
ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル、ポリエチレングリコールモノエチルエーテル、ポリエチレングリコールモノn−プロピルエーテル、ポリエチレングリコールモノn−ブチルエーテル、ポリエチレングリコールジメチルエーテル、ポリエチレングリコールジエチルエーテル、ポリエチレングリコールジn−プロピルエーテル、ポリエチレングリコールジn−ブチルエーテル、ポリプロピレングリコールモノメチルエーテル、ポリプロピレングリコールモノエチルエーテル、ポリプロピレングリコールモノn−プロピルエーテル、ポリプロピレングリコールモノn−ブチルエーテル、ポリプロピレングリコールジメチルエーテル、ポリプロピレングリコールジエチルエーテル、ポリプロピレングリコールジn−プロピルエーテル、ポリプロピレングリコールジn−ブチルエーテル、ポリオキシエチレンポリプロピレングリコールモノメチルエーテル、ポリオキシエチレンポリプロピレングリコールモノエチルエーテル、ポリオキシエチレンポリプロピレングリコールモノn−プロピルエーテル、ポリオキシエチレンポリプロピレングリコールモノn−ブチルエーテル、ポリオキシエチレンポリプロピレングリコールジメチルエーテル、ポリオキシエチレンポリプロピレングリコールジエチルエーテル、ポリオキシエチレンポリプロピレングリコールジn−プロピルエーテル、ポリオキシエチレンポリプロピレングリコールジn−ブチルエーテル、ユニルーブDM−18、ユニオックスMM−500、ユニオックスMM−1000(以上3点、日本油脂製)、などのポリアルキレングリコール誘導体;
商品名:ソフタノール30、ソフタノール50、ソフタノール70、ソフタノール90、ソフタノール120、ソフタノール150、ソフタノール200、ソフタノール300、ソフタノール400、ソフタノール500(以上、日本触媒製)などのポリオキシエチレ
ンアルキルエーテルが挙げられる。
0、ソフタノール120、以上、日本触媒製)、およびオキシエチレン鎖、並びにオキシ
プロピレン鎖の数を調節したポリアルキレングリコール誘導体が挙げられる。
上記化合物(C)の含有量は特に限定されないが、重合体(A)100重量部に対して
、通常5〜100重量部であり、好ましくは5〜70重量部である。
本発明に係る非感光性樹脂組成物には、アルカリ溶解速度の調整をしたり、上層とのインターミキシングを制御するために、フェノール性水酸基含有化合物を添加することができる。
−1−メチルエチル]フェニル]エチリデン]ジフェノール、2,2−ビス(1,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオン酸メチルエステル、4,6−ビス[1−(
4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]−1,3−ベンゼンジオールなどが挙げ
られる。
ルフェノール)、4,4'−(1−メチルエチリデン)ビス(2,6−ジメチルフェノー
ル)、4,4',4"−エチリデントリス(2−メチルフェノール)、4,4',4"−エチリデントリスフェノール、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパンなどが挙げられる。
本発明において用いられるアルカリ可溶性ノボラック樹脂は、m−クレゾールと、他の1種以上のフェノール類と、アルデヒド化合物とを縮合して得られる樹脂であって、m−クレゾールの含有量が全フェノール類中の50〜90モル%であるアルカリ可溶性ノボラック樹脂であれば特に制限されない。
ことができる。このようなアルデヒド化合物の使用量は、全フェノール類1モルに対し、0.4〜2モルの範囲であることが好ましく、0.6〜1.5モルの範囲であることがより
好ましい。
。
縮合反応は、フェノール類、アルデヒド化合物、酸性触媒などを一括して仕込む方法、および酸性触媒の存在下にフェノール類、アルデヒド化合物などを反応の進行とともに加えていく方法などによって行うことができる。
ピオン酸メチル、乳酸エチル、メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン、ジオキサン、メタノール、酢酸エチルなどの良溶媒に溶解したのち、水、n−ヘキサン、n−ヘプタンなどの貧溶媒を混合し、次いで、析出する樹脂溶液層を分離する方法が挙げられる。
本発明に用いることができるポリヒドロキシスチレン類としては、マルカリンカーM,マルカリンカーCMM、マルカリンカーCHM、マルカリンカーMB、マルカリンカーPHM−C、マルカリンカーCST、マルカリンカーCBA(丸善石油化学(株)製)などの名称で市販されている樹脂が挙げられる。
本発明に係る非感光性樹脂組成物には、塗布性の向上、および塗膜の性状安定化のために、アルカリ可溶性アクリル樹脂を添加してもよい。
上記フェノール性水酸基を有する単量体としては、p−ヒドロキシスチレン、m−ヒドロキシスチレン、o−ヒドロキシスチレン、α−メチル−p−ヒドロキシスチレン、α−メチル−m−ヒドロキシスチレン、α−メチル−o−ヒドロキシスチレン、4−イソプロペニルフェノール、2−アリルフェノール、4−アリルフェノール、2−アリル−6−メチルフェノール、2−アリル−6−メトキシフェノール、4−アリル−2−メトキシフェノール、4−アリル−2,6−ジメトキシフェノール、4−アリルオキシ−2−ヒドロキシベンゾフェノンなどのフェノール性水酸基を有するビニル系モノマーなどが使用できる。これらフェノール性水酸基を有する単量体の中では、p−ヒドロキシスチレン、4−イソプロペニルフェノールが好ましい。
本発明に係る非感光性樹脂組成物には、塗布性、消泡性、レベリング性などを向上させるために、界面活性剤を配合してもよい。
本発明に係る非感光性樹脂組成物は、その他の成分として以下の樹脂や添加剤などを含有してもよい。
本発明に係るバンプ形成用二層積層膜に用いられる上層材用の組成物は、ネガ型感放射線性樹脂組成物である。このようなネガ型感放射線性樹脂組成物としては、例えば、特開平8−301911号公報に記載されているような感放射線性樹脂組成物を用いることが
できる。
本発明に用いられるネガ型感放射線性樹脂組成物はカルボキシル基および/またはフェノール性水酸基を有する重合体(D)を含有する。上記樹脂組成物は、重合体(D)が含まれることにより、アルカリ可溶性が付与される。上記重合体は、カルボキシル基を有する単量体および/またはフェノール性水酸基を有する単量体を(共)重合することにより得ることができる。
これらの化合物は単独でもしくは2種以上組み合わせて使用できる。上記単量体の中では、p−ヒドロキシスチレン、4−イソプロペニルフェノールが好ましい。
単量体(4’)としては、アクリルアミド、メタクリルアミド、N−(p−ヒドロキ
シフェニル)アクリルアミド、N−(p−ヒドロキシフェニル)メタクリルアミド、N−(p−ヒドロキシベンジル)アクリルアミド、N−(p−ヒドロキシベンジル)メタクリルアミドなどのアミド基含有ビニル化合物;
メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、n−プロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、グリセロールモノ(メタ)アクリレート、フェニル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、イソボルニル(メタ)アクリレート、アダマンチル(メタ)アクリレート、8−トリシクロ[5.2.1.02.6]デカニル−(メタ)
アクリレートなどの(メタ)アクリル酸エステル類などが挙げられる。
始剤を用いることができる。
重合体(D)の分子量は、単量体組成、ラジカル重合開始剤、分子量調節剤、重合温度などの重合条件を適切に選択することにより調節することができる。重合体(A)の分子量は、ポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)で、通常、2,000〜30,000、好ましくは4,000〜10,000である。
本発明に用いられるネガ型感放射線性樹脂組成物は架橋剤(E)を含有する。
架橋剤(E)としては、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリス(アクリロキシエチル)イソシアヌレート、ビス(アクリロキシエチル)ヒドロキシエチルイソシアヌレート、トリシクロデカンジメタノールジ(メタ)アクリレート、ビスフェノールAのジグリシジルエーテルに(メタ)アクリル酸を付加させたエポキシ(メタ)アクリレート、ビスフェノールAジ(メタ)アクリロイルオキシエチルエーテル、ビスフェノールAジ(メタ)アクリロイルオキシエチルオキシエチルエーテル、ビスフェノールAジ(メタ)アクリロイルオキシロキシメチルエチルエーテル、テトラメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレートなどが挙げられる。
剤のみを用いることが好ましい。25℃における粘度が1000mPa・s未満である架橋剤としては、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、トリス(アクリロキシエチル)イソシアヌレート、ビス(アクリロキシエチル)ヒドロキシエチルイソシアヌレート、トリシクロデカンジメタノールジ(メタ)アクリレート、テトラメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、
市販されている化合物として、アロニックスM−305、同M−309、同M−310、同M−320、同M−8030、同M−240、同M−245、同M−6100、同M−6250、同M−6500(以上、東亞合成(株)製)、KAYARAD R−712、同TMPTA、同PEG400DA、同MANDA、同HX−220、同HX−620、同R−604(以上、日本化薬(株)製)、ビスコート#295、同300、同260、同312、同335HP、同360、同GPT、同3PA、同400(以上、大阪有機化学工業(株)製)などが挙げられる。上記架橋剤を使用すると、本発明で得られる二層積層膜を含む転写フィルム(ドライフィルム)は、クラックを生じさせずに巻き取り可能となる。
本発明に用いられるネガ型感放射線性樹脂組成物は放射線ラジカル重合開始剤(F)を含有する。
ベンゾインなどのアシロイン類;
ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテルなどのアシロインエーテル類;
チオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、チオキサントン−4−スルホン酸、ベンゾフェノン、4,4'−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4'−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノンなどのベンゾフェノン類;
アセトフェノン、p−ジメチルアミノアセトフェノン、α,α−ジメトキシ−α−アセトキシベンゾフェノン、α,α−ジメトキシ−α−フェニルアセトフェノン、p−メトキシアセトフェノン、1−[2−メチル−4−メチルチオフェニル]−2−モルフォリノ−1−プロパノン、α,α−ジメトキシ−α−モルホリノ−メチルチオフェニルアセトフェノン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オンなどのアセトフェノン類;
アントラキノン、1,4−ナフトキノンなどのキノン類;
フェナシルクロライド、トリブロモメチルフェニルスルホン、トリス(トリクロロメチル)−s−トリアジンなどのハロゲン化合物;
[1,2'−ビスイミダゾール]−3,3',4,4'−テトラフェニル、[1,2'−ビスイミ
ダゾール]−1,2'−ジクロロフェニル−3,3',4,4'−テトラフェニルなどのビスイ
ミダゾール類;
ジ−tert−ブチルパ−オキサイドなどの過酸化物;
2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドなどのアシルフォスフィンオキサイド類などが挙げられる。
上述した種々の放射線ラジカル重合開始剤の中で好ましい化合物としては、1−[2−メチル−4−メチルチオフェニル]−2−モルフォリノ−1−プロパノン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オン、α,α−ジメトキシ−α−フェニルアセトフェノンなどのアセトフェノン類;
フェナシルクロライド、トリブロモメチルフェニルスルホン、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、
1,2'−ビスイミダゾール類と4,4'−ジエチルアミノベンゾフェノンとメルカプトベンゾチアゾールとの併用、
ルシリンTPO、イルガキュア651などが挙げられる。
本発明に用いられるネガ型感放射線性樹脂組成物は、前述した重合体(D)、架橋剤(E)、感放射線性ラジカル重合開始剤(F)を均一に混合するために、あるいは良好な膜を形成するために、有機溶媒(G)を含有する。有機溶媒(G)としては、上述した有機溶媒(B)と同様のものを用いることができる。これらの有機溶媒(G)は、単独でまたは2種以上を組み合わせて使用することができる。
本発明に係るバンプ形成用二層積層膜は、特性の異なる二層を上層および下層に用いることで、高解像性と易剥離性との両立が可能となる。すなわち下記のような効果が達成される。
(1)下層に適当なアルカリ現像性を付与し、一回の露光/現像操作で一度にパターニングが可能となる。
(2)下層の樹脂組成物が有するフェノール性水酸基が光ラジカルを失活させる効果により、下層と基板の界面での硬化反応を抑制することで二層積層膜の良好な剥離性を保持す
ることが可能となる。
(3)下層の樹脂組成物と上層に用いた樹脂溶液とは、相溶性が低いので、インターミキシングを抑えることで、二層積層膜の良好な剥離性を保持することが可能となる。
(4)上層の樹脂組成物はアルカリ可溶性樹脂成分を含むネガ型感放射線性樹脂組成物であるので、一度の露光/現像操作により効率よく優れたパターン形状を得ることができる。
ピロリドンなどの高極性有機溶剤単独でも剥離が可能となり、しかも架橋反応の進んだ上層部分の剥離片は、これらの高極性有機溶剤に難溶であるため、剥離片を沈降分離あるいは循環濾過により除去しやすいというメリットが生じる。
本発明に係るバンプ形成用二層積層膜は、所定の配線パターンを有する基板上などに、まず下層材用組成物を塗布および乾燥、またはラミネートし、次いで上層材用組成物を塗布および乾燥、またはラミネートすることにより形成することができる。基板上への形成方法としては、材料が液状の場合、ディッピング法、スピンコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法、アプリケーター法、カーテンコーター法などの方法を採用することができる。また材料がフィルム状の場合、ラミネート法、真空ラミネート法などの方法を採用することができる。なお、下層および上層の乾燥条件は、組成物中の各成分の種類、配合割合、塗布膜厚などによって異なるが、通常は70〜140℃で5〜20分間程度であり、好ましくは80〜130℃で2〜10分間程度である。乾燥時間および温度が上記範囲内にあることにより、現像時の密着状態および解像度に優れる。
本発明に係る転写フィルムは、支持フィルム上に上記バンプ形成用二層積層膜を有する。このような転写フィルムは、支持フィルム上に上記の上層材用組成物を塗布して乾燥した後、下層材用組成物を塗布して乾燥することにより作製することができる。上記組成物を塗布する方法としては、例えば、スピンコート法、ロールコート法、スクリーン印刷、アプリケーター法などが挙げられる。また支持フィルムの材料は、転写フィルムの作製および使用に耐えうる強度を有する限り、特に限定されるものではない。
本発明に係るバンプ形成方法は、少なくとも下記の工程を含む配線基板表面の電極パッ
ド上へのバンプの形成方法である。
(a)基板上に前記二層積層膜を形成した後、電極パッドの対応位置に開口パターンを形成する工程、
(b)前記開口パターン内に低融点金属を導入する工程、
(c)加熱処理することで前記低融点金属をリフローしてバンプを形成する工程、
(d)前記二層積層膜を基板から剥離、除去する工程。
本発明に係るバンプ形成方法は、パターンを形成する工程を有する。パターンを形成する工程は(i)下層および上層の形成、(ii)放射線照射、および(iii)現像処理工程からなる。
下層および上層の形成は、上記下層膜および上層膜の形成方法により行うことができる。その際、上記の転写フィルムを用いて、基板上に下層および上層を形成することもできる。
(i)工程を行った後に、放射線を二層積層膜に照射する。これにより、パターンの潜像を形成する。照射方法は以下の通りである。
(ii)工程を行った後に、パターンを現像する。これにより、パターンを形成する。現像方法は以下の通りである。
下層では、上層のうち除去された部分(放射線非照射部)に対応する部分が溶解除去される。この後、残存した積層膜を後露光や加熱をすることによって、さらにレジスト膜を硬化させてもよい。
本発明に係るバンプ形成方法は、低融点金属を導入する工程を有する。低融点金属を導入する方法としては、例えば半田ペーストなどの低融点金属ペーストをスキージを用いて開口部に埋め込む方法、半田ボールを直接搭載する方法、また電解メッキ法などがある。
本発明に係るバンプ形成方法は、上記の開口部に導入した低融点金属を加熱リフローしてバンプを形成する工程を有する。
本発明に係るバンプ形成方法は、前記二層積層膜を基板から剥離、除去する工程を有する。剥離、除去は以下の方法によって行うことができる。
(a)基板上に上記二層積層膜を形成した後、電極パッドの対応位置に開口パターンを形成する工程、
(b)前記開口パターン内に低融点金属を導入する工程、
(d’)前記二層積層膜を基板から剥離、除去する工程。
(c’)加熱処理することで前記低融点金属をリフローしてバンプを形成する工程。
〔バンプ形成方法の実施形態〕
以下、本発明に係るバンプ形成方法の実施形態について図面を参照して説明する。
プウェハーの断面構造を図1(a)に示す。シリコン基板103の表面上に電極パッド101が形成され、電極パッド101の表面が露出した状態で表面は、例えば1μmのパッシベーシ
ョン膜102が覆っている。
Ta,Nb,WNのいずれかを用いて、例えば1μmの膜厚で形成する。この金属拡散防止膜104は単層膜であっても積層膜であってもよい。バリアメタル層105はTi,Ni,Pdなどの金属を数千オングストローム積層する。
スクを介して放射線を照射した後現像して、電極パッド101上のバンプ形成用個所に対応
する位置にバンプ形成用開口部108を形成する。バンプ形成用開口部を形成した後、いわ
ゆるポスト露光、ポストベークすることで上層の架橋反応を進め、機械的強度、耐溶剤性の向上させることができる。
(1)下層が液状、上層が液状レジスト
(2)下層が液状、上層がドライフィルムレジスト
(3)下層がドライフィルム、上層が液状レジスト
(4)下層がドライフィルム、上層がドライフィルムレジスト
(5)下層/上層の二層構造を有するドライフィルム
などの組み合わせが可能である。
、例えば半田ペーストのような低融点金属ペースト110を埋めこむ。
図1(e)および(f)に示されるように、金属ペーストを埋め込んだ半導体ウェハーを窒素雰囲気中で加熱し、金属ペーストをリフローしてバンプ111を形成する。
本実施の形態では、低融点金属ペーストとして半田ペーストを例示したが、Sn,Pb,Ag,Bi,Zn,In,Sb,Cu,Bi,Geなどの金属が混合された混合金属を用いても良好な信頼性が得られる。なお、半田バンプを形成する際に、スキージを用いてバンプ形成用開口部108に埋め込む方法以外にも、低融点金属ボール209を搭載する第二の実施形態(図2)や、半田を電解メッキにより低融点金属膜309を形成する第三の実施形
態(図3)を用いて形成してもよい。なお電解メッキにて低融点金属膜を形成する場合(図3)、金属拡散防止膜および/またはバリアメタルは給電層としても用いられるため、一般に基板全面に形成され、リフロー後にウェットエッチングなどの手段でバンプ下部を除く部分が除去されるのが一般的である。また金属ペーストをリフローした後、フラックス洗浄を行なってもよい。
この図4の層間樹脂絶縁層の下方は、導体回路と層間樹脂絶縁層がそれぞれ一層ずつ形成されているが、交互に複数層形成されているのが通常の形態である。
ジスト406を表面に有する配線基板が、ガラスエポキシ樹脂またはBT(ビスマレイミド
−トリアジン)樹脂からなる基材404上に層間樹脂絶縁層402を介して設けられており、かつバンプ形成用開口408内に低融点金属を導入する工程として半田ペーストに代表される
低融点金属ペースト409をスキージ410により充填する方法が用いられている。
図4(a)に示す。層間樹脂絶縁層402と導体回路403とをガラスエポキシ樹脂またはBT(ビスマレイミド−トリアジン)樹脂からなる基材404上に有する多層積層板である配線
基板の一部にメッキにより形成されたバイアホール405により、上下の導通が確保されて
いる。層間樹脂絶縁層402の上にソルダーレジスト406を塗布し、底部に電極となる開口部を形成する。この開口部の底部には導体回路の一部が露出しており、この上に無電界メッキなどにより電極パッド401を形成する。この上に下層412と上層407とからなる二層積層
膜を形成する。
液状のネガ型感放射線性樹脂組成物、ドライフィルムレジストのいずれかを40μm以上の膜厚で形成し、上層407を形成する。ついでこの積層膜をパターン露光した後、現像す
ることにより半田バンプ形成用開口408を形成する。
(1)下層が液状、上層が液状レジスト
(2)下層が液状、上層がドライフィルムレジスト
(3)下層がドライフィルム、上層が液状レジスト
(4)下層がドライフィルム、上層がドライフィルムレジスト
(5)下層/上層の二層構造を有するドライフィルム
などの組み合わせが可能である。
使用して、例えばハンダペーストのような低融点金属ペースト409を埋め込む。
次いで図4(e)に示されるように、金属ペーストを埋め込んだ半導体ウェハーを窒素雰囲気中で加熱し、金属ペーストをリフローしてバンプを形成する。
上記説明では、低融点金属ペーストとして半田ペーストを例示したが、Sn,Pb,Ag,Bi,Zn,In,Sb,Cu,Bi,Geなどの金属が混合された混合金属を用いても良好な信頼性が得られる。なお、低融点金属バンプ好ましくは半田バンプを形成する際に、スキージを用いて開口部に埋め込む方法以外にも、低融点金属ボール(半田ボール)509を搭載する第五の実施形態(図5)や、半田などの低融点金属を電解メッキにより
低融点金属膜609を形成する第六の実施形態(図6)を用いて形成してもよい。なお電解
メッキの場合は、図6に示すように低融点金属膜を形成した後に2層積層膜を剥離し、リフローすることができる。また低融点金属をリフローした後、フラックス洗浄を行なってもよい。
以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
<重合体(A)の合成>
〔合成例1〕
重合体A−1の合成
N−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシベンジル)アクリルアミド33g、スチレン17g、2−ヒドロキシエチルアクリレート29gおよび2−エチルヘキシルアクリレー
ト21gをプロピレングリコールモノメチルエーテル200gと混合し、15分間窒素ガスによりバブリングした。系内を窒素雰囲気に保ち、攪拌しながら60℃に昇温し、均一の溶液とした。続いて2,2−アゾビスイソブチロニトリル(以下、「AIBN」という。)4gを添加し、昇温して反応温度を70℃で3時間重合した。その後、AIBN2gを追加し、80℃でさらに3時間重合した後、さらに昇温し、100℃で1時間維持した。重合終了後、反応溶液を多量のヘキサンと混合し、生成した重合体を凝固させた。次いで、重合体をテトラヒドロフランに再溶解した後、再度ヘキサンにより凝固させる操作を数回繰り返して未反応モノマーを除去し、減圧下40℃で48時間乾燥し、重合体A−1を得た。
重合体A−2の合成
重合体A−1の2−エチルヘキシルアクリレートをn−ブチルアクリレートに変更した以外はA−1と同様の手順により重合体A−2を得た。
比較用重合体CA−1の合成
ドライアイス/メタノール環流器と温度計の付いたフラスコを窒素置換した後、N−(3,5-ジメチル−4−ヒドロキシベンジル)アクリルアミド65g、スチレン15g、
2−ヒドロキシエチルアクリレート20g、メタノール300gを仕込み攪拌した。引き続いて、AIBN4gを添加し、メタノール還流下(64.5℃)、攪拌を行いながら8時間重合した。重合終了後、室温まで冷却し、重合溶液を大量の水中に投入し、生成した重合体を凝固させた。次いで、重合体をテトラヒドロフランに再溶解した後、再度多量のヘキサンで凝固させる操作を3回繰り返した。この操作で得られた凝固物を40℃で48時間真空乾燥し、重合体A−3を得た。
有機溶媒(B)として以下の化合物を用いた。
B−1:2−ヒドロキシプロピオン酸エチル
B−2:プロピレングリコールモノメチルエーテル
<添加樹脂(C)>
添加樹脂(C)として以下の樹脂を用いた。
C−1:ユニオックスMM−500(ポリエチレングリコールジメチルエーテル:日本油脂株式会社製)
C−2:ソフタノール70(ポリオキシエチレンアルキルエーテル:(株)日本触媒製)
上層用組成物に用いる各成分について説明する。
〔合成例4〕
重合体D−1の合成
フラスコを窒素置換した後、重合開始剤として2,2'−アゾビス(イソ酪酸)ジメチ
ルエステル10.0g、溶媒として2−ヒドロキシプロピオン酸エチルを150g仕込み、重合開始剤が溶解するまで攪拌した。引き続いて、p−イソプロペニルフェノール5.0g、N−(P−ヒドロキシフェニル)メタクリルアミド14g、メタクリル酸12.0g、8−トリシクロ[5.2.1.02.6]デカニル−メタクリレート32g、n−ブチル
メタクリレート37.0gを仕込んだ後、ゆるやかに攪拌を始めた。その後、溶液の温度を80℃に上昇させ、この温度で3時間重合した後、2,2'−アゾビス(イソ酪酸)ジ
メチルエステル1.0gを追添し、さらに80℃で3時間重合し、次いで、110℃に昇温してこの温度で1時間重合を行なった。その後、室温まで放冷し、フラスコ内を空気で置換した。反応生成物を多量のメタノールに滴下して反応物を凝固させた。この凝固物を水洗後、凝固物と同重量のテトラヒドロフランに再溶解し、多量のメタノールで再度凝固させた。この再溶解−凝固操作を計3回行った後、得られた凝固物を40℃で48時間真空乾燥し、重合体D−1を得た。重合体D−1のTgを測定したところ、98℃であった。Tg測定装置:(ティー・エイ・インスツルメント社製 示差走査熱量計)
Tg測定条件:(測定範囲-80℃〜500℃、昇温速度5℃/min.、窒素フロー60ml/min.)
<架橋剤(E)>
架橋剤(E)として以下の化合物を用いた。
E−1:トリメチロールプロパントリメタクリレート(商品名 ライトエステルTMP:共栄社化学(株)、25℃における粘度;40mPa・s。)
E−2:トリメチロールプロパントリアクリレート(商品名 アロニックスM−309:東亜合成(株)、25℃における粘度;100mPa・s。)
E−3:ポリエステルアクリレート(商品名 アロニックスM−8060:東亞合成(株)、25℃での粘度8700mPa・s)
<感放射線性ラジカル重合開始剤(F)>
感放射線性ラジカル重合開始材(F)として以下の化合物を用いた。
F−1:α,α−ジメトキシ−α−フェニルアセトフェノン(商品名 イルガキュア651:チバ・スペシャルティ・ケミカル社製)
F−2:2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド(商品名
ルシリンTPO:BASF社製)
F−3:2,2'−ビス(2,4−ジクロロフェニル)−4,5,4',5'−テトラフェ
ニル−1,2'−ビイミダゾール(黒金化成社製)
<有機溶媒(G)>
有機溶媒(G)として以下の化合物を用いた。
G−1:2−ヒドロキシプロピオン酸エチル
下層用組成物の調整方法について説明する。
表1に示すように、重合体A−1(100部)、有機溶媒B−1(260部)、および界面活性剤NBX−15(0.2部)を攪拌混合し、均一に溶解した。その後、この溶液を孔径3μmのメンブレンフィルター(ADVANTEC社製カプセルカートリッジフィルターCCP−FX−C1B)を用いてろ過し、下層材用組成物L−1を調製した。
表1に従い、組成を変更した以外はL−1と同様にして、下層材用組成物L−2〜L−4を調製した。
表1に従い、組成を変更した以外はL−1と同様にして、比較用下層材用組成物CL−1およびCL−2を調製した。
下層材用組成物を用いて転写フィルムを作成する場合、次の方法にて作成した。厚さ38μmの東レデュポンフィルム株式会社製ピューレックスA54に、オートアプリケーターを用いて乾燥後の膜厚が5μmになるように、下層材用組成物を塗布した後、90℃の対流式オーブンで5分間乾燥した。
<上層材用組成物U−1の調製>
表2に示すように、重合体D−1(100部)、架橋剤E−1(60部)、開始剤F−1(15部)、開始剤F−2(2部)、開始剤F−3(5部)、有機溶媒G−1(130部)、および界面活性剤NBX−15(0.1部)を攪拌混合し、均一に溶解した。その後、この溶液を孔径10μmのメンブレンフィルター(ADVANTEC社製カプセルカートリッジフィルターCCP−3−C1B)を用いてろ過し、上層材用組成物U−1を調製した。
表2に従い、組成を変更した以外はU−1と同様にして、上層材用組成物U−2を調製した。
表2に従い、組成を変更した以外はU−1と同様にして、比較用下層材用組成物CU−1を調製した。
上層材用組成物の転写フィルムを作製する場合、次の方法にて作成した。厚さ38μmの東レデュポンフィルム株式会社製ピューレックスA54に、オートアプリケーターを用いて乾燥後の膜厚が45μmになるように、下層材用組成物を塗布した後、120℃の対流式オーブンで10分間乾燥した。
二層積層膜を有する転写フィルムを作製する場合、次の方法にて作成した。厚さ38μmの東レデュポンフィルム株式会社製ピューレックスA54に、オートアプリケーターを用いて乾燥後の膜厚が45μmになるように、上層材用組成物を塗布した後、120℃の対流式オーブンで10分間乾燥した。ついで、乾燥した塗布膜上に、オートアプリケーターを用いて、乾燥後の二層積層膜の膜厚が50μmになるように、下層材用組成物を塗布した後、90℃の対流式オーブンで5分間乾燥した。
<剥離液の調製>
ジメチルスルホキシド4500gにテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液(25重量%)を300gとイソプロパノールを200g添加した後、攪拌して、剥離液1とした。
4インチシリコンウェハー上に、スパッタリングにより、1000オングストロームの厚みのクロム層を形成し、さらにその上に1000オングストロームの厚みの銅層を形成した。これを評価基板Aとした。
上記評価基板Aのスパッタ面上に、(i)m−クレゾール/p−クレゾール=60/40(モル比)からなるクレゾールノボラック樹脂(ポリスチレン換算重量平均分子量8700)、(ii)ヘキサメトキシメチルメラミン、(iii)架橋微粒子、(iv)スチリル−
ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、および(v)乳酸エチルを含有するソルダーレジスト(JSR(株)製、特願2000−334348号中に記載の実施例1の感光性
絶縁樹脂組成物)を塗布し、90℃の対流式オーブンで10分間乾燥し、厚さ3μmの均一な塗膜を作製した。
露光し、90℃の対流式オーブンで15分間加熱(Post Exposure Bake:以下、「PEB」という。)を行った。その後、2.38重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて、23℃で2〜3分間、パドル現像(圧力;3kgf・cm2)を行い、
さらに、高圧水銀灯を用いて波長350nmにおける露光量が1000mJ/cm2とな
るように露光した。この基板を対流式オーブンに入れ、150℃で2時間、さらに170で2時間加熱して硬化膜を有する基板を得た。これを評価基板Bとした。
150μmピッチで開口径95μmのホールパターン
125μmピッチで開口径80μmのホールパターン
バンプ形成用二層膜の作成方法について説明する。
下層用転写フィルムを基板上に接触させ、下層を転写し、支持フィルムを剥離した。この操作により、ドライフィルム状の下層をラミネートした。
ロール温度:100℃
ロール圧:0.2MPa
搬送速度:0.4m/min.
(ラミネート法によるバンプ形成用上層の作製)
上層用転写フィルムを基板の上の下層に接触させ上層を転写した。この操作により、ドライフィルム状の上層をラミネートした。
ロール温度:100℃
ロール圧:0.2MPa
搬送速度:0.4m/min.
(ラミネート法によるバンプ形成用二層積層膜の作製)
二層積層膜を有する転写フィルムを基板上に接触させ、二層積層膜を一括して転写した。この操作により、基板上に二層積層膜をラミネートした。
ロール温度:100℃
ロール圧:0.2MPa
搬送速度:0.4m/min.
上記材料と剥離液、評価基板を使用して以下の実施例を行った。
作成したドライフィルムを2cm×10cmの短冊状とし、ベースフィルム側長辺方向の両端1cmを合わせた際(塗工面が凸)、塗工面にクラックが発生しない場合を○、発生した場合を×とした。
<ラミネート>
評価基板上に、下層材用組成物L−1を用いて作成した転写フィルムをラミネート法により膜厚5μmの下層を形成した。この下層の上に上層材用組成物U−1を用いて作成した転写フィルムをラミネート法により上層を形成し、膜全体の厚みが50μmの二層積層膜を作製した。
高圧水銀灯〔アライナー(Suss Microtec社製MA-150)〕を用い、パターン付きガラス
マスクを介して波長420nmにおける露光量が1500mJ/cm2となるように露光し
た。露光時にはパターン付きガラスマスクと上層材塗布面間のギャップが20μmになるように調整した。
露光した基板は、1.0%の水酸化ナトリウム水溶液中で振とうさせて現像した。現像時間は150秒を中心に15秒刻みで調整した。現像後、イオン交換水の流水で30秒間洗浄した。
現像後、光学顕微鏡と走査型電子顕微鏡にてパターン形状を確認し、以下の基準で評価した。結果を表4に示す。
パターン形状 〇:
50μm×50μmの開口を有するホールパターンが現像残りなく現像されており、かつパターンの浮き、剥がれなどがみられない現像時間がある。
パターン形状 ×:
50μmx50μmの開口を有するホールパターンに現像残り、あるいはパターンの浮き、剥がれがみられ、現像時間のマージンがない。
評価基板B上に、下層材用組成物L−1を用いて作成した転写フィルムをラミネート法により膜厚5μmの下層を形成した。この下層の上に上層材用組成物U−1を用いて作成した転写フィルムをラミネート法により上層を形成し、膜全体の厚みが50μmの二層積層膜を作製した。
この後、二層積層膜の表面全体にスキージを用いて、半田ペーストを塗布し、凹形状の半田バンプ形成用開口に半田ペーストを完全に充填した。なお、ここで充填した半田ペーストは、千住金属工業(株)製のエコソルダーペーストM705−221BM5−10−11(Sn:Ag:Cu=96.5:3:0.5(重量比))で配合させた主として粒径5〜20μmの半田を含有するもので、その粘度を190Pa・sに調整したものである。次いで、半田ペースト形成用開口に充填した半田ペースト以外の半田ペーストを、スキージを用いて除去することにより、半田ペーストの表面を平坦化した。
その後、上記の工程で印刷した半田ペーストを最高到達温度250℃でリフローした。リフロー後の基板を光学顕微鏡で観察することにより、半田ペーストの印刷性を評価した。
半田ペーストの印刷性 ○:
半田ボールが均一に球状になっており、半田ボールがつながってしまういわゆるブリッジがみられない、レジスト開口部に半田ボールが形成されていない。
半田ぺーストの印刷性 ×:
半田ボール形状が不均一である、半田ボールがつながってしまういわゆるブリッジがみられる、レジスト開口部に半田ボールが形成されていない。
1Lのジメチルスルホキシド(DMSO)を剥離槽中に入れ、60℃に加温した。この剥離槽中に、上記のリフローした基板を20分間、攪拌しながら浸漬した。さらに、別の剥離槽で45℃に加温した1Lの剥離液1中に、上記のDMSOによって剥離処理した基板をさらに20分間攪拌しながら浸漬することで二層積層膜を剥離した。基板はイソプロピルアルコールにてリンスした後に、水洗しエアーガンにて乾燥した。
剥離性 〇:基板面上に剥離残りがまったくみられない。
剥離性 △:基板面上に目視では剥離残りはみられないが、光学顕微鏡による観察で剥離残りが確認された。
剥離性 ×:基板面上に剥離残りが目視で観察される。
〔実施例2〜6〕
実施例1と同様の手順で、表4に示す下層材と上層材の組み合わせについて評価した。結果を表4に示した。
評価基板A,およびB上に、下層材用組成物CL−1からなる転写フィルムおよび、上層材用組成物CU−1からなる転写フィルムを用いてラミネート法により二層の樹脂膜を形成した。以降は、実施例1と同様の手順で実施し、パターンおよびバンプの形成を行い評価した。評価結果は表4に示す。
表4に従い、比較例1と同様にパターンおよびバンプの形成を行い評価した。評価結果は表4に示す。
104:金属拡散防止膜、105:バリアメタル、106:下層材、107:上層材、
108:バンプ形成用開口部、109:スキージ、110:低融点金属ペースト、
111:リフロー後の低融点金属バンプ、
201:電極パッド、202:パッシベーション膜、203:シリコン基板、
204:金属拡散防止膜、205:バリアメタル、206:下層材、207:上層材、
208:バンプ形成用開口部、209:低融点金属ボール、
210:リフロー後の低融点金属バンプ、
301:電極パッド、302:パッシベーション膜、303:シリコン基板、
304:金属拡散防止膜、305:バリアメタル、306:上層材、307:下層材、
308:バンプ形成用開口部、309:電解メッキ後の低融点金属膜、
310:リフロー後の低融点金属バンプ、
401:電極パッド、402:層間樹脂絶縁層、403:導体回路、404:基材、
405:バイアホール、406:ソルダーレジスト、407:上層材、
408:半田バンプ形成用開口、409:低融点金属ペースト、410:スキージ、
411:リフロー後の低融点金属、412:下層材、
509:低融点金属ボール、
609:電解メッキ後の低融点金属膜。
Claims (5)
- (A)下記一般式(1)、下記一般式(2)、および下記一般式(3)で表される構造単位を有し、下記一般式(2)および(3)で表される構造単位の合計が30〜80重量%の範囲である重合体、および(B)有機溶媒を含有するバンプ形成に用いる二層積層膜の下層膜用組成物。
- (I)請求項1に記載のバンプ形成に用いる二層積層膜の下層膜用組成物からなる下層、および
(II)ネガ型感放射線性樹脂組成物からなる上層を有するバンプ形成用二層積層膜。 - 前記上層(II)を形成するネガ型感放射線性樹脂組成物が、(D)カルボキシル基および/またはフェノール性水酸基を有する重合体、(E)架橋剤、(F)感放射線性ラジカル重合開始剤、および(G)有機溶媒を含有する請求項2に記載のバンプ形成用二層積層膜。
- 上記重合体(D)のガラス転移温度(Tg)が40℃以上である請求項3に記載のバンプ形成用二層積層膜。
- 上記架橋剤(E)として、25℃において1000mPa・s未満の粘度を有する架橋剤のみを用いる請求項3または4に記載のバンプ形成用二層積層膜。
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