JP4645158B2 - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
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しかし、このように、射出瞳距離が縮むと、従来の固体撮像装置の構造では画素アレイ部周辺の受光部への入射率が低下して感度シェーディングとなる問題があった。これは、画素アレイ部周辺にある受光部上のオンチップレンズが、斜めからの入射光を直下の受光部に集光させきれず、入射光の一部が受光部から外れて遮光膜上に入射してしまう、いわゆるケラレが発生するためである。このように射出瞳距離が縮まれば、よりシェーディングが悪化する問題があった。
例えば、オンチップ、平板オンチップレンズアレイなどのオンチップレンズアレイに、有効画素中心を中心として微小スケーリング(例えば、0.999倍等)をかけることで、各画素の受光部とそれに対応するオンチップレンズとの水平方向のズレ量を中心から遠ざかるに従って、集光部を対応する受光部より中心方向に漸次大きくずらすようにしたものである。
このようなシェーディング補正を行ったことにより、画素アレイ部の周辺画素の受光部の中心とオンチップレンズの中心が光軸に合うようになり、射出瞳によるセンタリングエラーが補正される。
図示のように、この固体撮像装置では、光電変換部13を形成したシリコン基板10上に遮光層(配線層)12、及び層間絶縁膜14を含む上層膜を介してマイクロレンズ11が配置されている。
マイクロレンズ11は平坦化された層間絶縁膜14の上面に配置され、撮像レンズ15から入射した光を各画素の光電変換部13に導く。そして、上述したスケーリングによってマイクロレンズ11の配置が光電変換部13よりも画素アレイ部の中心方向に縮小しており、撮像レンズ15から各光電変換部13に向かう主光線光軸上に各マイクロレンズ11が配置され、各画素の像高(画素アレイ部の中心から各画素までの距離)に対応する斜め入射光を各光電変換部13に効率的に集光するようになっている。
さらに上述したスケーリングによって、遮光層12の開口部の配置も、各主光線光軸上に配置されるように、画素アレイ部の中心方向にずらして配置されており、各マイクロレンズ11に入射した光が遮光層12で遮られることなく、各光電変換部13に集光される。
また本発明の製造方法は、複数の光電変換部を含む画素アレイ部を形成した基板と、前記基板上に層間絶縁膜を介して配置されるマイクロレンズとを有する固体撮像装置の製造方法であって、層間絶縁膜の上面にマイクロレンズ形成面となる曲面を形成する曲面形成工程と、曲面に沿ってマイクロレンズを形成するマイクロレンズ形成工程とを有する。そして、曲面形成工程では、硬度が小さく、変形量の大きい研磨パッドを用いたCMP法によるディッシングを作用させることにより、層間絶縁膜の上面を凹状または凸状の曲面を形成する。
また、曲面形成工程において、上層膜に含まれる配線層の密度をマイクロレンズ形成面とその他の領域とで変えた状態で上層膜を形成することにより、上層膜の上面に段差を形成し、その後、CMP法による平坦化を行うことによって曲面を形成することにより、工程を増やすことなく、マイクロレンズ形成面を得ることが可能となる。あるいは、フォトリソグラフィ法及びエッチング法によって上層膜の上面に段差を形成し、その後、CMP法による平坦化を行うことによって曲面を形成することにより、配線層の密度設計に拘束されることなく、適正にマイクロレンズ形成面を得ることが可能となる。
この固体撮像装置では、光電変換部23を形成したシリコン基板20上に遮光層(配線層)22、及び層間絶縁膜24を含む上層膜を介してマイクロレンズ21が配置されており、その上部に撮像レンズ25が配置されている。なお、層間絶縁膜24中に形成される遮光層(配線層)22は各光電変換部23の上部では、各光電変換部23に対応した遮光層として形成され、その他の領域では光電変換部への電源供給線や、信号供給線、信号引き出し線等として形成されるものである。
すなわち、画素アレイ部の中心付近のマイクロレンズ21に入射する光の主光線光軸Dの長さと、画素アレイ部の周辺付近のマイクロレンズ21に入射する光の主光線光軸Cの長さとがほぼ同じ長さとなり、画素アレイ部の中心付近のマイクロレンズ21からみた撮像レンズの立体角Fと画素アレイ部の周辺付近のマイクロレンズ21からみた撮像レンズの立体角Cがほぼ同じとなり、画素アレイ部の周辺付近の感度が低くなるという問題を回避できる。
図2〜図4は図1に示すマイクロレンズ形成面24Aの形成工程の2つの例を示す断面図である。なお、図2〜図4は光電変換部23等を形成した基板上に遮光層(配線層)22や層間絶縁膜24が配置された状態を示している。
まず、図2は第1の例を示している。この例では、遮光層(配線層)22の配線密度を、撮像エリア内(すなわち、遮光層22Aとして形成される領域)では小さく、撮像エリアの外周から外側(すなわち、配線層22Bとして形成される領域)では大きくなるように設定している。
これにより、遮光層(配線層)22の上に形成される層間絶縁膜24は遮光層(配線層)22からの高さが、撮像エリアの上部では低く(薄く)、撮像エリアの外周部では高く(厚く)形成され、撮像エリアの外周に沿って段差が生じる。
そこで、この段差を有する層間絶縁膜24の上面をCMP等により平坦化(平滑化)することにより、図3に示すように、凹形状に曲面に形成されたマイクロレンズ形成面24Aを得ることができ、このマイクロレンズ形成面に対して従来の工法によってマイクロレンズを形成する。なお、この場合のCMP工程において、研磨パッドには硬度が小さく、変形量の大きいものを使用することにより、良好なマイクロレンズ形成面24Aを得ることができる。
すなわち、図4に示すように、層間絶縁膜24を形成した後、その上面にフォトレジスト28を積層し、フォトリソグラフィ法を用いて、撮像エリアの上部または撮像エリアの中心部にのみ開口を形成する。そして、ドライエッチング法により、フォトレジスト28をマスクとしたエッチングを行い、層間絶縁膜24を凹形状に加工して撮像エリア内に段差を設ける。
そして、この凹形状面をCMPにより平坦化(平滑化)することにより、図3に示したのと同様の凹形状に曲面形成されたマイクロレンズ形成面24Aを得ることができる。なお、この場合のCMP工程においても研磨パッドには硬度が小さく、変形量の大きいものを使用するものとする。
なお、フォトレジストをマスクとするエッチングは、ドライエッチングに限定されず、ウェットエッチングにより、凹形状を形成しても良い。
この固体撮像装置では、光電変換部33を形成したシリコン基板30上に遮光層(配線層)32、及び層間絶縁膜34を含む上層膜を介してマイクロレンズ31が配置されている。また、この場合の撮像レンズを仮想撮像レンズ36として示している。
上述した実施例1の固体撮像装置では、マイクロレンズを層間絶縁膜の凹んだ上面に沿って形成したが、本実施例2では、逆に層間絶縁膜34の上面(マイクロレンズ形成面34A)を画素アレイ部(撮像エリア)の周辺部から中央部にかけて突出した球面状に形成し、ここにマイクロレンズ31を設けたものである。
このような構成により、画素アレイ部の中心付近のマイクロレンズ31に入射する光の主光線光軸Fの長さと、画素アレイ部の周辺付近のマイクロレンズ31に入射する光の主光線光軸Eの長さがほぼ同じ長さとなり、画素アレイ部の中心付近のマイクロレンズからみた撮像レンズの立体角Fと撮像エリア周辺付近のマイクロレンズからみた撮像レンズの立体角Eがほぼ同じとなり、撮像エリア周辺付近の感度が低くなる問題を回避できる。
まず、図6において、層間絶縁膜34を形成した後、フォトリソグラフィ法を用いて、撮像エリア上部または撮像エリア中心部のみ、フォトレジスト38を形成する。次に、ドライエッチング法によりフォトレジスト38をマスクとしたエッチングを行い、層間絶縁膜34を凸形状に加工し、撮像エリアの外周に沿って段差を設ける。
次に、この凸形状面をCMP等により平坦化(平滑化)することにより、図7に示すような凸形状に曲面形成されたマイクロレンズ形成面34Aを得ることができる。
なお、この場合のCMP工程においても研磨パッドには硬度が小さく、変形量の大きいものを使用するものとする。また、フォトレジストをマスクとするエッチングは、ドライエッチングに限定されず、ウェットエッチングにより、凸形状を形成しても良い。
また、本発明を複眼式固体撮像装置に適応することにより、装置の小型化、特に薄型化が実現されるため、例えば、厚さ3mm 程度の薄型カードサイズカメラや薄型携帯電話へ本固体撮像装置の搭載が実現できる。
また、各光電変換部がフラットな面に形成される場合、その上部に曲面上に配置される各マイクロレンズは、それぞれ対応するマイクロレンズと光電変換部との距離が異なるように配置される。これに対し、各マイクロレンズの焦点が、各対応する光電変換部に設定されるようにするためには、各マイクロレンズの曲率は各画素で異なることが望ましい。
また、上記実施例では、各光電変換部が平坦面に形成された例を説明したが、これに限定されるものではなく、曲面に形成されるものであってもよい。
また、マイクロレンズの曲率(焦点距離)を、各マイクロレンズにて均一になるように設定する場合は、各光電変換部を曲面上に配置されるように形成すればよい。つまり、曲面上に配置される各マイクロレンズと、各対応する光電変換部との距離が均一になるように各光電変換部を曲面上に配置すれば良い。
また、本発明を適用する固体撮像装置としては、CCDイメージセンサやCMOSイメージセンサ等、種々の形態のものに広く適用できるものである。
Claims (11)
- 撮像レンズと、
前記撮像レンズの下方に配置された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に配置され、前記撮像レンズまでの主光線光軸の長さがそれぞれ均一とされたマイクロレンズ群と、
前記層間絶縁膜の下方に配置され、複数の光電変換部を含む画素アレイ部を形成した基板と、
を含む
固体撮像装置。 - 前記マイクロレンズ群が前記層間絶縁膜上に形成した曲面に沿って形成されている請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記層間絶縁膜内には、その開口部が、各マイクロレンズを透る主光線光軸上にそれぞれ配置される遮蔽層が配設される請求項2に記載の固体撮像装置。
- 前記光電変換部とマイクロレンズとの距離が画素アレイ部の中心部から周辺部にかけて徐々に変化している請求項3記載の固体撮像装置。
- 前記光電変換部とマイクロレンズとの距離が画素アレイ部の中心部から周辺部にかけて徐々に伸張している請求項3記載の固体撮像装置。
- 前記光電変換部とマイクロレンズとの距離が画素アレイ部の中心部から周辺部にかけて徐々に短縮している請求項3記載の固体撮像装置。
- 前記光電変換部とマイクロレンズとの距離が画素アレイ部の中心部から周辺部にかけて基板面に対して垂直方向に変化している請求項3記載の固体撮像装置。
- 複数の光電変換部を含む画素アレイ部を形成した基板と、前記基板上に層間絶縁膜を介して配置されるマイクロレンズとを有する固体撮像装置の製造方法であって、
前記層間絶縁膜の上面にマイクロレンズ形成面となる曲面を形成する曲面形成工程と、
前記曲面に沿ってマイクロレンズを形成するマイクロレンズ形成工程と、を有し、
前記曲面形成工程はCMP法によるディッシングを作用させることにより、前記層間絶縁膜の上面を凹状または凸状の曲面を形成する、
固体撮像装置の製造方法。 - 前記曲面形成工程において、CMP用の研磨パッドを硬度が小さく、変形量の大きいものを使用することを特徴とする請求項8記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記曲面形成工程において、前記層間絶縁膜に含まれる配線層の密度をマイクロレンズ形成面とその他の領域とで変えた状態で前記層間絶縁膜を形成することにより、前記層間絶縁膜の上面に段差を形成し、その後、CMP法による平坦化を行うことによって曲面を形成する請求項8記載の固体撮像装置の製造方法。
- 前記曲面形成工程において、フォトリソグラフィ法及びエッチング法によって前記層間絶縁膜の上面に段差を形成し、その後、CMP法による平坦化を行うことによって曲面を形成する請求項8記載の固体撮像装置の製造方法。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0265386A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-06 | Konica Corp | 固体撮像素子 |
JPH06118209A (ja) * | 1992-10-01 | 1994-04-28 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置 |
JP2004140426A (ja) * | 2002-10-15 | 2004-05-13 | Kyocera Corp | 固体撮像装置 |
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