JP4633173B2 - 太陽電池モジュールの製造方法 - Google Patents
太陽電池モジュールの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4633173B2 JP4633173B2 JP2009020314A JP2009020314A JP4633173B2 JP 4633173 B2 JP4633173 B2 JP 4633173B2 JP 2009020314 A JP2009020314 A JP 2009020314A JP 2009020314 A JP2009020314 A JP 2009020314A JP 4633173 B2 JP4633173 B2 JP 4633173B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode layer
- conductive
- solar cell
- bus bar
- back electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 75
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 75
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 16
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 10
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005491 wire drawing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
- H01L31/02013—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising output lead wires elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
- H01L31/0201—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising specially adapted module bus-bar structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
本発明の製造方法によって製造される太陽電池モジュールの一例として、ここでは薄膜太陽電池を例に挙げて説明する。
[実施例1]
次に、上記構成の薄膜太陽電池の実施例1に係る製造方法を、太陽電池ストリングの形成工程、接着剤塗布工程、バスバー配置工程、接着工程、配線及びラミネート工程に分けて、図2ないし図6を参照して説明する。
まず、ガラス基板等の透光性絶縁基板11上に、透明導電膜12として、例えばSnO2(酸化錫)を熱CVD法等で形成する。次に、YAGレーザの基本波等を用いて透明導電膜12のパターニングを行なう。次に、レーザ光をガラス基板面から入射させることにより、透明導電膜12を短冊状に分離して、分離ライン15を形成した後、純水で超音波洗浄し、光電変換層13を形成する。光電変換層13としては、例えば、a−Si:Hp層、a−Si:Hi層からなる上部(受光面側)セル、μc−Si:Hp層、μc−Si:Hn層からなる下部セルを成膜する。
塗布工程では、上記構成の太陽電池ストリング10の裏面電極層14上に所定の間隔を存して導電性接着剤18を塗布する。
バスバー配置工程では、リールに予め巻回されている複数本の導電性線材をテンションをかけながら所定の間隔を存して裏面電極層の長手方向に沿って引き出す工程を実施する。
接着工程では、引き出した複数本の導電性線材にテンションをかけた状態で、裏面電極層上に塗布されている導電性接着剤に押し当てて接着する工程を実施する。
次に、上記構成の太陽電池ストリング10上に、接着用のEVAシート31を配置し、そのEVAシート31上に、絶縁膜(以下、「絶縁フィルム」という。)41で被覆されたフラットケーブルからなる正極リード線42と負極リード線43とを、互いの先端部を対向させた状態で一直線状に(若しくは幅方向にずらせた平行状態に)配置する。そして、正極リード線42の一端部を、一方のバスバー(正極集電部)21aの中央位置に接続し、他端部を、太陽電池ストリング10のほぼ中央部に位置し、かつ太陽電池ストリング10の面に対して所定角度(図5では垂直方向)に折り曲げて出力リード部42aとする。同様に、負極リード線43の一端部を、他方のバスバー(負極集電部)21bの中央位置に接続し、他端部を、太陽電池ストリング10のほぼ中央部に位置し、かつ太陽電池ストリング10の面に対して所定角度(図5では垂直方向)に折り曲げて出力リード部43aとする。
次に、上記構成の薄膜太陽電池の実施例2に係る製造方法を、太陽電池ストリングの形成工程、接着剤塗布工程、バスバー配置工程、接着工程、配線及びラミネート工程に分けて説明する。ただし、太陽電池ストリングの形成工程、接着剤塗布工程、配線及びラミネート工程は上記実施例1の場合と同じであるので説明を省略し、ここでは、図7を参照してバスバー配置工程及び接着工程のみを説明する。
バスバー配置工程では、リールに予め巻回されている1本の導電性線材をテンションをかけながら裏面電極層の一端部側から長手方向に沿って一方向に引き出し、裏面電極層の他端部まで引き出すと、他端部側で折り返して長手方向に沿って他方向に引き回し、裏面電極層の一端部まで引き出すと、一端部側で再び折り返して長手方向に沿って一方向に引き出す動作を順次繰り返す工程を実施する。
接着工程では、バスバー配置工程においてつづら折り状に引き出された1本の導電性線材にテンションをかけた状態で、裏面電極層上に塗布されている導電性接着剤に押し当てて接着する工程を実施する。
11 透光性絶縁基板
12 透明導電膜(第1電極層)
13 光電変換層
14 裏面電極層(第2電極層)
15,17 分離ライン
16 コンタクトライン
18(18a) 導電性接着部材(導電性接着剤)
21 バスバー
21a 導電性線材
31 EVAシート
41 絶縁膜(絶縁フィルム)
42 正極リード線
42a,43a 出力リード部
43 負極リード線
44 封止絶縁フィルム
44a,45a 開口部
45 バックフィルム(裏面保護シート)
51,61 リール
52,53 引き出し方向規制ピン(または規制ローラ)
54,64 チャック部材
55 繰り出し機構部
63a 第1ピン
63b 第2ピン
63c 第3ピン
63d 第4ピン
Claims (2)
- 基板上に形成された第1電極層、光電変換層及び第2電極層からなる太陽電池素子の前記第1電極層または前記第2電極層上にバスバーを配置する配置工程と、導電性接着部材により前記バスバーを前記第1電極層または前記第2電極層に接着する接着工程とを備えた太陽電池モジュールの製造方法において、
前記バスバーが前記第1電極層または前記第2電極層の長手方向と直交する方向に並べて配置される複数本の導電性線材によって形成され、
前記配置工程は、
リールに予め巻回されている複数本の導電性線材を、所定の間隔を存して第1電極層または第2電極層の長手方向に沿って、一方の端部から他方の端部までテンションをかけながらそれぞれ引き出すことにより、前記長手方向と直交する方向に複数の導電性線材が並んだ状態にする工程を含むことを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。 - 基板上に形成された第1電極層、光電変換層及び第2電極層からなる太陽電池素子の前記第1電極層または前記第2電極層上にバスバーを配置する配置工程と、導電性接着部材により前記バスバーを前記第1電極層または前記第2電極層に接着する接着工程とを備えた太陽電池モジュールの製造方法において、
前記バスバーが前記第1電極層または前記第2電極層の長手方向と直交する方向に並べて配置される複数本の導電性線材によって形成され、
前記配置工程は、
リールに予め巻回されている1本の導電性線材をテンションをかけながら前記裏面電極層の一端部側から長手方向に沿って一方向に引き出し、前記裏面電極層の他端部まで引き出すと、前記他端部側で折り返して前記長手方向に沿って他方向に引き回し、前記裏面電極層の一端部まで引き出すと、前記一端部側で再び折り返して前記長手方向に沿って一方向に引き出す動作を順次繰り返すことにより、前記長手方向と直交する方向に複数の導電性線材が並んだ状態にする工程を含むことを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009020314A JP4633173B2 (ja) | 2009-01-30 | 2009-01-30 | 太陽電池モジュールの製造方法 |
US13/146,578 US20110284070A1 (en) | 2009-01-30 | 2010-01-26 | Solar cell module and manufacturing method thereof |
EP10735790.7A EP2393121A4 (en) | 2009-01-30 | 2010-01-26 | SOLAR CELL MODULE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
PCT/JP2010/050945 WO2010087322A1 (ja) | 2009-01-30 | 2010-01-26 | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009020314A JP4633173B2 (ja) | 2009-01-30 | 2009-01-30 | 太陽電池モジュールの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010177557A JP2010177557A (ja) | 2010-08-12 |
JP4633173B2 true JP4633173B2 (ja) | 2011-02-16 |
Family
ID=42395583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009020314A Expired - Fee Related JP4633173B2 (ja) | 2009-01-30 | 2009-01-30 | 太陽電池モジュールの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110284070A1 (ja) |
EP (1) | EP2393121A4 (ja) |
JP (1) | JP4633173B2 (ja) |
WO (1) | WO2010087322A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120204932A1 (en) * | 2009-11-05 | 2012-08-16 | Mitsubishi Electric Corporation | Thin-film solar battery module and method for manufacturing the same |
JP5209017B2 (ja) | 2010-09-30 | 2013-06-12 | シャープ株式会社 | 薄膜太陽電池および薄膜太陽電池の製造方法 |
KR20120097450A (ko) * | 2011-02-22 | 2012-09-04 | 엘지전자 주식회사 | 박막 태양 전지 모듈 |
TWI451580B (zh) * | 2011-09-26 | 2014-09-01 | Ind Tech Res Inst | 薄膜太陽能電池之製法 |
SG11201404758YA (en) * | 2012-02-10 | 2014-09-26 | Lockheed Corp | Photovoltaic cells having electrical contacts formed from metal nanoparticles and methods for production thereof |
JP5958701B2 (ja) * | 2012-07-17 | 2016-08-02 | デクセリアルズ株式会社 | 配線材、太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法 |
WO2014124675A1 (de) * | 2013-02-14 | 2014-08-21 | Universität Konstanz | Busbarlose rückkontaktsolarzelle, deren herstellungsverfahren und solarmodul mit solchen solarzellen |
KR20150045309A (ko) * | 2013-10-18 | 2015-04-28 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 모듈 |
JP2015090915A (ja) * | 2013-11-06 | 2015-05-11 | 東レエンジニアリング株式会社 | 太陽電池モジュール |
US9899546B2 (en) | 2014-12-05 | 2018-02-20 | Tesla, Inc. | Photovoltaic cells with electrodes adapted to house conductive paste |
US9991412B2 (en) | 2014-12-05 | 2018-06-05 | Solarcity Corporation | Systems for precision application of conductive adhesive paste on photovoltaic structures |
CN109920878B (zh) * | 2019-02-28 | 2021-05-07 | 苏州携创新能源科技有限公司 | 一种柔性光伏组件制造方法 |
CN110246909B (zh) * | 2019-07-23 | 2024-01-30 | 绵阳皓华光电科技有限公司 | 一种低成本柔性内联式太阳能电池封装结构和方法 |
TWI770647B (zh) * | 2020-10-23 | 2022-07-11 | 友達光電股份有限公司 | 太陽能模組 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001085711A (ja) * | 1999-09-17 | 2001-03-30 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜太陽電池モジュール及びその製造方法 |
JP2001135846A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-05-18 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池 |
JP2002094096A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-03-29 | Canon Inc | 光起電力素子用集電電極の製造方法 |
JP2002314104A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
JP2005175100A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 太陽電池の製造方法および集電電極形成装置 |
JP2005353767A (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法 |
JP2008147657A (ja) * | 2006-12-06 | 2008-06-26 | Schott Solar Gmbh | 光起電モジュール |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4283591A (en) * | 1980-05-22 | 1981-08-11 | Ses, Incorporated | Photovoltaic cell |
US5151377A (en) * | 1991-03-07 | 1992-09-29 | Mobil Solar Energy Corporation | Method for forming contacts |
JP4101606B2 (ja) * | 2002-10-16 | 2008-06-18 | 三菱重工業株式会社 | 薄膜太陽電池モジュール |
JP2006310798A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-11-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
JP5149537B2 (ja) * | 2007-05-15 | 2013-02-20 | 日立電線株式会社 | 線材矯正装置および太陽電池の組立て装置 |
JP2009020314A (ja) | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Ricoh Co Ltd | 画像形成装置及び位置ずれ検出部材 |
US8062920B2 (en) * | 2009-07-24 | 2011-11-22 | Ovshinsky Innovation, Llc | Method of manufacturing a photovoltaic device |
-
2009
- 2009-01-30 JP JP2009020314A patent/JP4633173B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-01-26 US US13/146,578 patent/US20110284070A1/en not_active Abandoned
- 2010-01-26 EP EP10735790.7A patent/EP2393121A4/en not_active Withdrawn
- 2010-01-26 WO PCT/JP2010/050945 patent/WO2010087322A1/ja active Application Filing
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001085711A (ja) * | 1999-09-17 | 2001-03-30 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜太陽電池モジュール及びその製造方法 |
JP2001135846A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-05-18 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池 |
JP2002094096A (ja) * | 2000-09-18 | 2002-03-29 | Canon Inc | 光起電力素子用集電電極の製造方法 |
JP2002314104A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池およびその製造方法 |
JP2005175100A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 太陽電池の製造方法および集電電極形成装置 |
JP2005353767A (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法 |
JP2008147657A (ja) * | 2006-12-06 | 2008-06-26 | Schott Solar Gmbh | 光起電モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2010087322A1 (ja) | 2010-08-05 |
EP2393121A4 (en) | 2013-07-10 |
EP2393121A1 (en) | 2011-12-07 |
US20110284070A1 (en) | 2011-11-24 |
JP2010177557A (ja) | 2010-08-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4633173B2 (ja) | 太陽電池モジュールの製造方法 | |
JP3352252B2 (ja) | 太陽電池素子群並びに太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
KR101498741B1 (ko) | 태양 전지 모듈 및 태양 전지 모듈의 제조 방법 | |
JP5025135B2 (ja) | 光起電力モジュール | |
JP4988065B2 (ja) | 配線シート、配線シート付き太陽電池セル、太陽電池モジュールおよび配線シートロール | |
JP3323573B2 (ja) | 太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
JP5279334B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
JP2013225712A (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
JPH11186572A (ja) | 光起電力素子モジュール | |
JP2005123445A (ja) | 光起電力素子および光起電力素子の製造方法 | |
JP5676944B2 (ja) | 太陽電池モジュール、太陽電池モジュールの製造方法 | |
JP2010016246A (ja) | 太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
JP5174226B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
JP2009238959A (ja) | 圧着装置及び太陽電池モジュールの製造方法 | |
JPH08330615A (ja) | 直列型太陽電池およびその製造方法 | |
TW200939495A (en) | Solar cell module | |
WO2010090277A1 (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
JP5889738B2 (ja) | 太陽電池モジュール及びその製造方法 | |
JP5381809B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
JP4745420B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP2006041351A (ja) | 光起電力素子の製造方法 | |
JP2006041349A (ja) | 光起電力素子およびその製造方法 | |
JPH1051018A (ja) | 太陽電池モジュール | |
JP2011044751A (ja) | 太陽電池モジュール | |
JP2005150570A (ja) | 光起電力素子及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100527 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101019 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101116 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131126 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |