JP4632205B2 - 二珪化モリブデン系セラミック発熱体 - Google Patents
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Description
(実施例1及び比較例1,2)
MoSi2粉末及びベントナイトの配合比を調整して、シリカ系酸化物含有量が10vol%の発熱部と35vol%の端子部を作製した(実施例1)。ここで、発熱部の線径を6mmφ、端子部の線径を12mmφとし、発熱部及び端子部ともAr雰囲気中、1400℃で2時間焼成した。発熱部を曲げ加工し、U字形状(端子長さ400mm−発熱部長さ670mm−シャンク幅60mm)とした後、端子部と電気抵抗突合せ接合することにより、図1に示す発熱体を作製した。尚、接合前に、端子部の発熱部との接合面が直径6mmφとなるようにNC加工機でテーパー形状に加工した。得られた発熱体を電気炉に装着し、昇温速度5℃/minで、目標温度(炉内温度)まで昇温させ、その温度で10時間保持した後の変形・発泡等の有無を確認した。(耐熱試験)。ここで、目標温度としては1400℃, 1450℃, 1500℃, 1550℃,1600℃,1650℃,及び1700℃の7水準で評価を行った。また、表面のシリカ保護被膜を除去した端子部材を電気炉中で500℃にて100時間加熱し、加熱処理後のペストの有無を確認した(低温酸化試験)。
実施例1と同様に、MoSi2粉末及びベントナイトの配合比を調整して、シリカ系酸化物含有量が10vol%の発熱部と35vol%の端子部を作製した。ここで、発熱部の線径を6mmφ、端子部の線径を12mmφとし、発熱部はAr雰囲気中、1400℃で2時間焼成した。一方、端子部としては、焼成温度を1450℃、1460℃及び1480℃と変えた3種類の試料を作製した(実施例2,3及び4)。それぞれの端子部の室温における比抵抗及び端子部と発熱部との比抵抗差(発熱部の室温比抵抗に対する端子部の室温比抵抗と発熱部の室温比抵抗との差の比)を表2に示す。尚、発熱部の室温比抵抗は0.29μΩ・mであった。発熱部を実施例1と同様に曲げ加工し、U字形状とした後、焼成温度の異なる各端子部と電気抵抗突合せ接合することにより、図1に示す発熱体を作製した。また、同様の条件で発熱部及び端子部とも線径を6mmφとして作製した発熱体を負荷点間スパン20mm、支持点間スパン40mmで固定し、オートグラフにて0.5mm/minのヘッドスピードで荷重を加え、接合部が破断する時の荷重(接合強度)を測定した。各実施例とも10試料ずつ測定を行い、接合強度の平均値を求めた結果を表2に示す。
実施例1と同様にMoSi2粉末及びベントナイトの配合比を調整して、シリカ系酸化物含有量が10vol%の発熱部と35vol%の端子部を作製した。ここで、発熱部及び端子部をAr雰囲気中、1400℃で2時間焼成した後、端子部については、さらに大気中において1500℃で5時間酸化処理を行った。得られた端子部の室温比抵抗は0.30μΩ・mであり、端子部と発熱部の室温比抵抗差は3.4%であった。発熱部を実施例1と同様に曲げ加工し、U字形状とした後、端子部と電気抵抗突合せ接合することにより、図1に示す発熱体を作製した。
MoSi2粉末及びベントナイトの配合比を調整して、シリカ系酸化物含有量が10vol%の発熱部、15vol%の中間部、及び35vol%の端子部を作製した。Ar雰囲気中、1400℃で2時間焼成した後の各部材の室温比抵抗を表4に示す。ここで、発熱部及び中間部の線径が6mmφ、端子の線径が12mmφになるように作製し、端子部は中間部と接合させるために先端の接合面が6mmφになるようにテーパー加工した。尚、中間部の長さは10mmとした。発熱部を曲げ加工し、U字形状(端子長さ400mm−発熱部長さ670mm−シャンク幅60mm)とした後、中間部と電気抵抗突合せ接合し、さらに、中間部に端子部を電気抵抗突合せ接合することにより、図2に示す発熱体を作製した。得られたU字形発熱体を加熱試験炉に装着し、大気中で1サイクル昇温3時間→炉内温度1600℃で5時間保持→降温3時間のパターン(図3を参照)で100サイクルの通電試験を行った。
10:発熱部
20:端子部
22:接合端面
30:中間部
Claims (4)
- 発熱部および端子部からなる二珪化モリブデン系セラミック発熱体において、前記発熱部のシリカ系酸化物の含有量が5vol以上25vol%以下、前記端子部のシリカ系酸化物の含有量が30vol以上60vol%以下であることを特徴とする二珪化モリブデン系セラミック発熱体。
- 発熱部、端子部、および前記発熱部と前記端子部との間に備えられた中間部からなる二珪化モリブデン系セラミック発熱体において、前記発熱部、前記中間部および前記端子部のシリカ系酸化物の含有量がそれぞれ5vol以上15vol%未満、15vol%以上30vol%未満、および30vol%以上60vol%以下であることを特徴とする二珪化モリブデン系セラミック発熱体。
- 前記発熱部と前記端子部との比抵抗差が、20%以内であることを特徴とする請求項1に記載の二珪化モリブデン系セラミック発熱体。
- 前記発熱部と前記中間部、および前記端子部と前記中間部との比抵抗差が20%以内であることを特徴とする請求項2に記載の二珪化モリブデン系セラミック発熱体。
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