JP4631661B2 - 固体撮像素子 - Google Patents
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
22 p−型エピタキシャル層
23、23a、23b、23c、23d、231〜235 nウェル
24、24’ SiO2によるゲート酸化膜
25 リング状ゲート電極
26 n+型ソース領域
27 ソース近傍p型領域
28 n+型ドレイン領域
29 埋め込みp−型領域
30、44 フォトダイオード
31 転送ゲート電極
32、46 ドレイン電極配線
33、49 リング状ゲート電極配線
34、44 ソース電極配線(出力線)
35、41 転送ゲート電極配線
41 画素敷き詰め領域
42 画素
43 リング状ゲートMOSFET
45 転送ゲートMOSFET
61、62、63、64 高誘電膜
Claims (5)
- 基板上に絶縁膜を挟んで形成されたリング状ゲート電極を持つ信号出力用トランジスタと、前記基板に設けられた光を電荷に変換して蓄積する光電変換領域と、前記光電変換領域に蓄積された前記電荷を前記信号出力用トランジスタへ転送する電荷転送手段とを含む画素が複数2次元配列されており、複数の全画素の前記光電変換領域に被写体からの光を同時に露光し、露光期間に前記光電変換領域に蓄積した前記電荷を、前記電荷転送手段を介して前記信号出力用トランジスタへ全画素一斉に転送した後、各画素の前記信号出力用トランジスタから撮像信号を順次出力するグローバルシャッタ機能を備えた固体撮像素子であって、
前記絶縁膜は、二酸化シリコンによる第1の絶縁膜と、前記二酸化シリコンよりも誘電率の高い高誘電材料による第2の絶縁膜とが、前記基板の全面に積層された構造であることを特徴とする固体撮像素子。 - 基板上に絶縁膜を挟んで形成されたリング状ゲート電極を持つ信号出力用トランジスタと、前記基板に設けられた光を電荷に変換して蓄積する光電変換領域と、前記光電変換領域に蓄積された前記電荷を前記信号出力用トランジスタへ転送する電荷転送手段とを含む画素が複数2次元配列されており、複数の全画素の前記光電変換領域に被写体からの光を同時に露光し、露光期間に前記光電変換領域に蓄積した前記電荷を、前記電荷転送手段を介して前記信号出力用トランジスタへ全画素一斉に転送した後、各画素の前記信号出力用トランジスタから撮像信号を順次出力するグローバルシャッタ機能を備えた固体撮像素子であって、
前記絶縁膜は、二酸化シリコンよりも誘電率の高い高誘電材料により、前記基板の全面に形成された構造であることを特徴とする固体撮像素子。 - 基板上に絶縁膜を挟んで形成されたリング状ゲート電極を持つ信号出力用トランジスタと、前記基板に設けられた光を電荷に変換して蓄積する光電変換領域と、前記光電変換領域に蓄積された前記電荷を前記信号出力用トランジスタへ転送する電荷転送手段とを含む画素が複数2次元配列されており、複数の全画素の前記光電変換領域に被写体からの光を同時に露光し、露光期間に前記光電変換領域に蓄積した前記電荷を、前記電荷転送手段を介して前記信号出力用トランジスタへ全画素一斉に転送した後、各画素の前記信号出力用トランジスタから撮像信号を順次出力するグローバルシャッタ機能を備えた固体撮像素子であって、
前記絶縁膜は、前記リング状ゲート電極の下の前記基板の領域のみにおいて、前記基板全面に設けられた二酸化シリコンによる第1の絶縁膜に、前記二酸化シリコンよりも誘電率の高い高誘電材料による第2の絶縁膜が積層された構造であることを特徴とする固体撮像素子。 - 基板上に絶縁膜を挟んで形成されたリング状ゲート電極を持つ信号出力用トランジスタと、前記基板に設けられた光を電荷に変換して蓄積する光電変換領域と、前記光電変換領域に蓄積された前記電荷を前記信号出力用トランジスタへ転送する電荷転送手段とを含む画素が複数2次元配列されており、複数の全画素の前記光電変換領域に被写体からの光を同時に露光し、露光期間に前記光電変換領域に蓄積した前記電荷を、前記電荷転送手段を介して前記信号出力用トランジスタへ全画素一斉に転送した後、各画素の前記信号出力用トランジスタから撮像信号を順次出力するグローバルシャッタ機能を備えた固体撮像素子であって、
前記絶縁膜は、前記リング状ゲート電極の下の前記基板の領域のみにおいて、二酸化シリコンよりも誘電率の高い高誘電材料により形成されていることを特徴とする固体撮像素子。 - 前記信号出力用トランジスタは、
前記リング状ゲート電極と、前記リング状ゲート電極の中央開口部に対応する前記基板の位置に設けられたソース領域と、前記ソース領域を取り囲み、かつ、前記リング状ゲート電極の外周に達しないように前記基板に設けられたソース近傍領域とからなり、前記ソース近傍領域に入力された電荷の量をしきい値の変化として出力するトランジスタであり、
前記電荷転送手段は、
前記光電変換領域に蓄積された前記電荷を、同じ画素内の対応する前記ソース近傍領域へ全画素一斉に転送する手段であることを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか一項記載の固体撮像素子。
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