JP4625775B2 - イオン注入装置 - Google Patents
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- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 78
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 29
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 67
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 150000001793 charged compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/05—Arrangements for energy or mass analysis
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/083—Beam forming
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
- H01J2237/31703—Dosimetry
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Description
この単結晶質フィルムを製造する方法では、大量の水素イオン若しくは希ガスイオンを注入する必要があるため、通常はその注入装置として大電流イオン注入装置が用いられている。
以下、この大電流イオン注入装置の第1乃至第4の従来例について、図7乃至図12を用いて説明する。
通常の大電流イオン注入装置としては、10〜20枚程度の基板を、機械的に回転するディスクに固定して、これに質量分離したイオンビームを照射する、バッチ式大電流イオン注入装置が主流である。
この従来のバッチ式大電流イオン注入装置について、図7を用いて説明する。
図7は、第1の従来例のバッチ式大電流イオン注入装置の概略構成を示す平面図である。
なお、以下、「質量分離のための扇形電磁石」を「質量分離器」という場合がある。
基板ホルダー108の回転軸109を紙面左右方向にゆっくりと移動させることにより、イオンビームBは基板110に均一に照射される。
しかし、第1の従来例のバッチ式大電流イオン注入装置のような構成では、基板が大きくなるに従って装置も大型化さざるを得ないという問題がある。
半導体基板やフラットパネルディスプレー基板が大型化するのに伴い、イオン注入装置が大型化してしまうという問題を克服するために、一枚ずつの基板に質量分離したイオンビームを照射する、枚葉式大電流イオン注入装置も近年、用いられつつあり、今後、単結晶質フィルムを製造する工程に用いられる可能性もある。
この第2の従来例の枚葉式大電流イオン注入装置について、図8を用いて説明する。
図8は、第2の従来例の枚葉式大電流イオン注入装置の概略構成を示す平面図である。
ここで、前方とは、イオンビームBの進行方向を意味するものとする。
なお、本従来例では、基板110は機械的に紙面垂直方向に駆動される。
また、以下、「平行化電磁石」を「平行化装置」という場合がある。
しかし、第2の従来例の枚葉式大電流イオン注入装置の構成では、基板に照射されるイオンビームの密度分布を制御できないという問題を備えている。
この第3の従来例の枚葉式大電流イオン注入装置について、図9を用いて説明する。
図9は、第3の従来例の枚葉式大電流イオン注入装置の概略構成を示す平面図である。
この密度制御電磁石136の機能により、基板110に照射されるイオンビームBの密度分布を制御する原理について、図10及び図11を用いて補足説明する。
図10は、イオンビームBの密度分布を制御する原理を説明するための平面図で、イオンビームの密度が紙面上方で高い場合である。
図11は、イオンビームBの密度分布を制御する原理を説明するための平面図で、密度制御電磁石136により、密度分布が均一になるように調整した場合である。
この場合は、図11のように、密度制御電磁石136により補正磁場Hを発生させれば、基板110上に照射されるイオンビームBの密度が均一になるように制御することが可能になる。
ところで、上述した第3の従来例の枚葉式大電流イオン注入装置は、第2の従来例の枚葉式大電流イオン注入装置の基板に照射されるイオンビームの密度分布を制御できないという問題を解決したが、この構成では図11から分かるように、イオンビームBの密度を補正すると、必然的にイオンビームBの平行性が失われるという問題を備えている。
この第4の構成の大電流イオン注入装置について、図12を用いて説明する。
図12は、第4の従来例の枚葉式大電流イオン注入装置の概略構成を示す平面図である。
この構成では、質量分離スリット144から出射されるイオンビームBは発散状態にあるので、磁気四重極レンズなどの収束レンズ145を設ける必要がある。
この場合、走査器147での走査波形を調整することにより、密度分布の精密な制御が可能である。
従って、第4の従来例の枚葉式大電流イオン注入装置従来の構成では、収束レンズの設置スペースを確保しなければならず、装置が長くなってしまうという問題がある。
(1)請求項1に記載したように構成すると、イオンビームを走査する構造なので、基板に入射するイオンビームの平行性を損なうことなく、イオンビームの基板上での密度分布を制御できる。
(2)また、質量分離器を通過するだけで平行ビームが得られるため、四重極レンズなどの調整用レンズが不要なので、装置を小型とすることができる。
先ず、本発明のイオン注入装置の第1の実施の形態について、図1及び図2を用いて説明する。
図1は、本発明のイオン注入装置の第1の実施の形態の概略構成を示す平面図である。
図2は、本発明のイオン注入装置の第1の実施の形態において、イオンビームの充分な質量分解能が得られる原理を説明する平面図である。
図1に示すように、本実施の形態のイオン注入装置10の基本構成は、イオン源12、イオンビームBの質量分離器としての第1の扇形電磁石14、走査器16、イオンビームBの平行化装置としての第2の扇形電磁石18である。
即ち、扇形電磁石を通過する際の軌道の相違により、イオンビームBの中心軌道から外側を進行するイオンは、扇形電磁石に大きく偏向され、一方、イオンビームBの中心軌道から内側を進行するイオンは、扇形電磁石に小さく偏向され、結果、共に中心軌道方向に収束され、光学レンズが光を収束するのと同様の作用がある。
また、斜め磁場の影響により、偏向面に垂直な面でもレンズ作用が生じる。
そこで、図1に示すように、偏向面に関して、第1の扇形電磁石14の入り口側焦点をF1、第2の扇形電磁石16の入り口側焦点をF2とする。
これにより、第2の扇形電磁石18を通過したイオンビームBは、走査器16での走査角度に依存せずに一定の角度になる。
更に、基板20は、図示は省略するが機械的に紙面垂直方向に駆動されるものとする。
例えば、図7のような通常の構成のイオン注入装置100では、高い質量分解能を得るために、イオン源102の位置は質量分離のための第1の扇形電磁石104の入り口側焦点よりも遠方に配置され、第1の扇形電磁石104の前方にイオン源102の実像が結像されている。
しかし、本実施の形態のイオン注入装置10ではこれとは異なり、イオン源12を、第1の扇形電磁石14の入り口焦点F1近傍に配置することにより、第1の扇形電磁石14を出たイオンビームBはほぼ平行となる。
このため図12のような通常の構成のイオン注入装置140では、一旦、質量分離スリット144に結像されたイオンビームBを再び収束させるための四重極レンズなどの凸レンズ作用を持つ光学素子145が必要である。
従って、この光学素子の設置スペース分と、イオン源12と第1の扇形電磁石14の入り口焦点F1との距離分の小型化が可能となる。
そこで、以下、本実施の形態のイオン注入装置10では、基板20に注入するイオン種を絞ることにより、イオンビームBの充分な質量分解能が得られることを図2を用いて説明する。
水素イオンの場合は、二原子分子イオンH2+を、単原子イオンH+と三原子分子イオンH3+とから分離できれば良く、希ガス、例えばヘリウムHeの場合、2価イオンHe2+と二分子エキシマーイオンHe2+を分離できればよいので、本実施の形態のイオン注入装置10のようにイオン源12を結像させなくても充分な質量分離が可能である。
具体例として、第1の扇形電磁石14の偏向角Φを90゜、斜め入射角αを45゜、斜め出射角βを20゜とすると、ほぼ偏向面での入り口側焦点D1と、偏向面に垂直な面内での入り口側焦点D2を一致させることができる。
なお、偏向面での入り口側焦点D1と、偏向面に垂直な面内での入り口側焦点D2を一致させる方法については、後述する第2の実施の形態で説明する。
通過させるイオンをH2+とすると、旋回半径Rの差が最も小さいH3+でも、第1の扇形電磁石14からの距離L2が300mmの位置で、軸からのずれδXは140mmとなる。
通常のビーム幅Wはせいぜい60mm程度なので、この構成で充分にイオンビームBの質量分離をすることができる。
一方、本実施の形態のイオン注入装置10の構成では、単結晶質フィルム製造に充分なイオンビームBの質量分解能を維持しながら、イオン源12から基板20までのイオンビームBの通過する距離を3m程度と約半分に短くすることができる。
次に、本発明のイオン注入装置の第2の実施の形態について、図3乃至図6を用いて説明する。
図3及び図4は、一般の扇形電磁石において、偏向面の入り口側焦点にイオン源を設置した場合のイオンビームBの軌道を説明するための図で、図3は、偏向面における説明図、図4は偏向面に直交する面における説明図である。
図5及び図6は、本発明のイオン注入装置の第2の実施の形態において、偏向面とこの偏向面に直交する面の2面において、入り口側焦点を一致させた場合のイオンビームBの軌道を説明するための図で、図5は、偏向面における説明図、図6は偏向面に直交する面における説明図である。
このため、偏向面の入り口側焦点D1にイオン源32を配置しても、扇形電磁石34を通過後のイオンビームBは図4のように偏向面と垂直の面では、平行ビームとはならない。
しかし、後述するように、2つの面での入り口側焦点D1、D2を一致させることにより、扇形電磁石24を通過後のイオンビームBは、図5及び図6に示すように、双方向共に完全に平行になる。
偏向面とこの偏向面に直交する面の2つの面での入り口側焦点D1、D2の位置は、旋回半径R、偏向角Φ、斜め入射角α、斜め出射角β、の四つにより決定される。
2つの面での入り口側焦点が一致する条件を偏向角Φが90゜の場合について、いくつかの組み合わせを表1に示した。
この表1に沿って、斜め入射角α、斜め出射角βを調整することにより、2つの面での入り口側焦点D1、D2を一致させることが可能となる。
なお、この条件は、旋回半径Rには依存しない。
12:イオン源
14:第1の扇形電磁石(質量分離器)
16:走査器
18:第2の扇形電磁石(平行化装置)
20:基板
B:イオンビーム(イオン)
F1:第1の扇形電磁石の入り口側焦点
F2:第2の扇形電磁石の入り口側焦点
D1:第1の扇形電磁石の偏向面の入り口側焦点
D2:第1の扇形電磁石の偏向面に直交する面での入り口側焦点
Claims (3)
- イオン源から水素イオン若しくは希ガスイオンを引き出し、質量分離器により所望のイオンを選定し、前記イオンを走査器により走査し、平行化装置により前記イオンを平行化して、基板に注入することにより、単結晶質フィルムを製造する単結晶質フィルム製造用のイオン注入装置において、
前記質量分離器の入り口側焦点に、前記イオン源を配置すると共に、イオン源を結像させなくても十分な質量分離が可能であることを利用したことを特徴とするイオン注入装置。 - 前記質量分離器として、第1の扇形電磁石を用い、前記平行化装置として第2の扇形電磁石を用いるようにしたことを特徴とする請求項1記載のイオン注入装置。
- 前記イオン源の引き出し部の開口を円形とし、前記質量分離器での偏向面とそれに垂直な面での入り口側焦点を一致させるようにしたことを特徴とする請求項1又は2に記載のイオン注入装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006041408A JP4625775B2 (ja) | 2006-02-17 | 2006-02-17 | イオン注入装置 |
PCT/JP2007/052778 WO2007094432A1 (ja) | 2006-02-17 | 2007-02-15 | イオン注入装置 |
CNA2007800056217A CN101385113A (zh) | 2006-02-17 | 2007-02-15 | 离子注入装置 |
KR1020087020076A KR101024662B1 (ko) | 2006-02-17 | 2007-02-15 | 이온 주입장치 |
US12/279,653 US7847271B2 (en) | 2006-02-17 | 2007-02-15 | Ion implanting apparatus |
TW096105640A TWI423295B (zh) | 2006-02-17 | 2007-02-15 | 離子注入裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006041408A JP4625775B2 (ja) | 2006-02-17 | 2006-02-17 | イオン注入装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007220550A JP2007220550A (ja) | 2007-08-30 |
JP4625775B2 true JP4625775B2 (ja) | 2011-02-02 |
Family
ID=38371609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006041408A Expired - Fee Related JP4625775B2 (ja) | 2006-02-17 | 2006-02-17 | イオン注入装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7847271B2 (ja) |
JP (1) | JP4625775B2 (ja) |
KR (1) | KR101024662B1 (ja) |
CN (1) | CN101385113A (ja) |
TW (1) | TWI423295B (ja) |
WO (1) | WO2007094432A1 (ja) |
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-
2006
- 2006-02-17 JP JP2006041408A patent/JP4625775B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-02-15 US US12/279,653 patent/US7847271B2/en active Active
- 2007-02-15 WO PCT/JP2007/052778 patent/WO2007094432A1/ja active Application Filing
- 2007-02-15 CN CNA2007800056217A patent/CN101385113A/zh active Pending
- 2007-02-15 TW TW096105640A patent/TWI423295B/zh active
- 2007-02-15 KR KR1020087020076A patent/KR101024662B1/ko active IP Right Grant
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JP2003208869A (ja) * | 2000-12-06 | 2003-07-25 | Ulvac Japan Ltd | イオン注入装置およびイオン注入方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200739653A (en) | 2007-10-16 |
KR101024662B1 (ko) | 2011-03-25 |
CN101385113A (zh) | 2009-03-11 |
WO2007094432A1 (ja) | 2007-08-23 |
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US20090072164A1 (en) | 2009-03-19 |
JP2007220550A (ja) | 2007-08-30 |
US7847271B2 (en) | 2010-12-07 |
KR20080092964A (ko) | 2008-10-16 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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