JP4618829B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、記憶回路に対するテスト回路および冗長回路を備え、故障の有無、故障救済の可否に関する情報を供給する機能を備えた半導体集積回路装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
テスト回路および冗長回路を備えた従来の半導体集積回路装置としては、例えば、特開平8−94718号に開示されたものがある。
図10は、特開平8−94718号に開示された従来の半導体集積回路装置におけるRAMテスト用のスキャンフリップフロップ(SFF)を示す回路図であり、図において、100はスキャンフリップフロップ(SFF)、101は複数の記憶素子(複数の記憶手段)を備えたRAMから出力されるデータと予め設定された期待値とを比較し、比較結果を出力する比較回路である。
【0003】
図11は、従来の半導体集積回路装置内のテスト回路付きのRAMを示す回路図であり、図において、111はRAMであり複数の記憶素子から構成されている。このRAM111の出力DO<>は、直列接続された5個のスキャンフリップフロップ(SFF)100に接続されている。この直列接続された5個のスキャンフリップフロップ(SFF)100は、RAM111のテスト用のスキャンパス回路を構成している。
【0004】
図12は、RAM121に冗長回路122を組み合わせた従来の半導体集積回路装置を示す回路図である。このRAM121は、図11に示したRAM111と、直列接続されたスキャンパス回路を構成する5個のスキャンフリップフロップ(SFF)100から構成されるテスト回路付きのRAMである。図12において、123はスキャンフリップフロップ(SFF)100からの出力データSO<i+1>〜SO<i+4>を入力し記憶するレジスタである。テスト回路付きの半導体集積回路装置のRAM121から、4ビットのデータ出力信号SO<i+1>,SO<i+2>,SO<i+3>,SO<i+4>がレジスタ123へ出力される。
【0005】
次に動作について説明する。
まず、図11に示すスキャンパス回路を構成する5個のスキャンフリップフロップ(SFF)100を備えたRAM111に対するテスト動作に関して説明を行う。
【0006】
複数の記憶素子、即ち、複数ビット(複数の記憶手段)を備えた記憶回路としてのRAM111の動作テストを行う前に、制御信号TMおよび制御信号SMについて、TM=0,SM=1と設定し、スキャンフリップフロップ(SFF)100のSIDO端子からデータ値1をシフトインしておく。例えば、図11に示す5ビットのスキャンパス回路の場合、5クロック必要である。その結果、各スキャンフリップフロップ(SFF)100の出力は、SO<i>=1,SO<i+1>=1,SO<i+2>=1,SO<i+3>=1,SO<i+4>=1となる。
【0007】
次に、制御信号がTM=0,SM=1の状態で、全アドレスに対してRAM111のテストを実行する。RAM111に対するテスト用データの書き込み、読み出しを行いながら、期待値EXPおよび比較制御信号CMP(=1で比較)を制御する。
【0008】
RAM111内に故障が発生していれば、RAM111の出力DO<>の値と期待値EXPとが異なるので、比較回路101の出力信号が0となり、クロック信号Tに同期してスキャンフリップフロップ(SFF)100の出力は、値0にリセットされる。例えば、RAM111内のビットに故障があり、その出力DO<i+2>に対応するスキャンフリップフロップ(SFF)<i+2>100で故障が検出されたら、スキャンフリップフロップ(SFF)<i+2>100の出力SO<i+2>=0となる。この場合、他のスキャンフリップフロップ(SFF)100の出力SO<i>,SO<i+1>,SO<i+3>,SO<i+4>は、それぞれデータ値1を維持し出力する。
【0009】
その後、制御信号をTM=0,SM=1の状態のままで、テスト結果を最後のステージのスキャンフリップフロップ(SFF)100の端子SODO<i>からシフトアウトする。
【0010】
次に、冗長回路122を備えたテスト回路付きRAM121の動作について説明する。図12に示す半導体集積回路装置は、図11に示したテスト回路付きのRAM111に冗長回路122を備えたものである。例えば、RAM121の出力DO<i+2>に対応するスキャンフリップフロップ(SFF)<i+2>100でビット故障が発見された場合、スキャンフリップフロップ(SFF)100の出力SO<i+2>は0となる。この場合、他のスキャンフリップフロップ(SFF)100の出力SO<i>,SO<i+1>,SO<i+3>,SO<i+4>は、それぞれデータ値1を出力する。
【0011】
スキャンフリップフロップ(SFF)100から出力されるこれらの出力SO<i+1>〜SO<i+4>をレジスタ123へ取り込むと、レジスタ123の出力G<i+1>〜<i+4>は、それぞれ、1,0,1,1となり、その結果、冗長回路122内の論理ゲート1221,1222,1223の出力は、F<i+3>=1,F<i+2>=0,F<i+1>=0となる。
【0012】
その結果、RAM121の出力値DO<i+4>/Q<i+4>は、冗長回路122の出力値XDO<i+3>となり、同様に、DO<i+3>/QO<i+3>がXDO<i+2>に、DO<i+1>/QO<i+1>がXDO<i+1>に、DO<i>/QO<i>がXDO<i>となり故障ビットに対応する出力値DO<i+2>は使用されない。
【0013】
同様に、冗長回路122への入力値XDI<i+3>は、RAM121の入力値DI<i+4>となり、同様に、XDI<i+2>はDI<i+3>に、XDI<i+1>はDI<i+2>およびDI<i+1>に、XDI<i>はDI<i>になる。
【0014】
上記した冗長回路122内での接続/切替処理により、例えば、出力DO<i+2>に対応する記憶素子にビット故障が発生した場合であっても、RAM121は、4ビット入出力のRAMとして機能する。但し、RAM121のデータ出力DO<>において、2ビット以上のビットに故障が発生した場合、上記の冗長回路122を用いた故障救済処理は適用できない。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体集積回路装置は以上のように構成されているので、故障救済処理を行えるか否かは、SODO<i>からシフトアウトされるテスト結果の中に2つ以上の故障情報(上記の例では、値0)が存在するか否かを、LSIテスタ(図示せず)等の外部テスト装置で判定する必要があり、半導体集積回路装置を構成する複数の記憶素子の故障テストに必要とされる時間が長いといった課題があった。
【0016】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、半導体集積回路装置内の複数の記憶素子に関する故障情報が存在するか否かを、半導体集積回路装置内部で比較判定し、比較判定結果を外部へ出力し、LSIテスタ等の外部テスト装置による故障判定処理や故障救済処理を容易にし、記憶素子の故障の有無、故障救済の可否に関するテストに必要とされる時間を削減可能な半導体集積回路装置を得ることを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体集積回路装置は、記憶回路と第1の検出回路と第2の検出回路とを備えている。記憶回路は、データを記憶する複数の記憶手段と、複数の記憶手段に対して設けられた冗長回路と、複数の記憶手段から出力される出力データと予め設定された期待値群とを比較し、比較結果情報を出力する比較回路と、この比較結果情報を取り込みシリアルにシフトアウトする第1のスキャンパス回路とを有している。第1の検出回路は、記憶回路内の第1のスキャンパス回路からシリアルに出力される比較結果情報を入力し、比較結果情報内に1つ以上の不一致情報が含まれるか否かを検出し、その検出結果を1ビットデータとして保存し、出力するものである。第2の検出回路は、記憶回路内の第1のスキャンパス回路からシリアルに出力される比較結果情報を入力し、比較結果情報内に2つ以上の不一致情報が含まれるか否かを検出し、その検出結果を1ビットデータとして保存し、出力するものである。
【0018】
また好ましくは、不一致情報は第1の論理の信号であり、一致情報は第2の論理の信号である。第1の検出回路は、リセットされたことに応じて第2の論理の信号を出力し、クロック信号に応答して入力信号を保存し、出力する第1のフリップフロップと、第1のスキャンパス回路の出力信号と第1のフリップフロップの出力信号との論理積信号を第1の検出回路の検出結果を示す信号として第1のフリップフロップに与える第1のAND回路とを含む。比較結果情報内に1つ以上の不一致情報が含まれる場合は、第1のフリップフロップの出力信号は第1の論理になる。第2の検出回路は、リセットされたことに応じて第2の論理の信号を出力し、クロック信号に応答して入力信号を保存し、出力する第2のフリップフロップと、第1のスキャンパス回路の出力信号と第1のフリップフロップの出力信号との論理和信号を出力するOR回路と、第2のフリップフロップの出力信号とOR回路の出力信号との論理積信号を第2の検出回路の検出結果を示す信号として第2のフリップフロップに与える第2のAND回路とを含む。比較結果情報内に2つ以上の不一致情報が含まれる場合は、第2のフリップフロップの出力信号は第1の論理になる。
【0019】
また好ましくは、複数の記憶回路と、複数の第1の検出回路と、複数の第2の検出回路とを備え、複数の第1の検出回路の出力を取り込み、シリアルにシフトアウトする第1のスキャンパス回路と、複数の第2の検出回路の出力を取り込み、シリアルにシフトアウトする第2のスキャンパス回路とをさらに備える。
【0020】
また好ましくは、複数の記憶回路と、複数組の第1および第2の検出回路とを備え、それぞれ複数組の第1および第2の検出回路に対応して設けられ、各々が、対応の第1および第2の検出回路の内の選択信号によって選択された検出回路の出力を取り込んで出力する複数のセレクタ回路と、複数のセレクタ回路からの出力を取り込み、シリアルにシフトアウトする第2のスキャンパス回路とをさらに備える。
【0021】
また好ましくは、記憶回路において、複数の記憶手段は、独立にアクセスされるn個(nは2以上の整数である)のデータ出力ポートを有するマルチポート記憶手段を構成し、冗長回路はマルチポート記憶手段に対して設けられており、比較回路およびスキャンパス回路は、n個のデータ出力ポートの内のk個(kは2以上でn以下の整数である)のデータ出力ポートの各々に対して設けられている。そして、第i番目(iは1〜kの自然数である)の比較回路は第i番目のデータ出力ポートの出力データと第i番目の期待値群を比較して比較結果情報を出力し、第i番目のスキャンパス回路は第i番目の比較回路から出力される比較結果情報を取り込んでシリアルにシフトアウトする。不一致情報は第1の論理の信号であり、一致情報は第2の論理の信号である。そして半導体集積回路装置は、さらに第1番目から第k番目までのスキャンパス回路のシリアル出力を入力し、AND演算を行うAND回路を備える。第1の検出回路は、AND回路からの出力内に1つ以上の不一致情報が含まれるか否かを検出し、検出結果を1ビットデータとして保存し、出力する。第2の検出回路は、AND回路からの出力内に2つ以上の不一致情報が含まれるか否かを検出し、その検出結果を1ビットデータとして保存し、出力する。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の一形態を説明する。
実施の形態1.
【0026】
図1は、この発明の実施の形態1による半導体集積回路装置を示す回路図であり、図において、1は冗長回路を備えたテスト回路付きの記憶回路、即ち、Random Access Memory with Test circuit(RAMT)であり、例えば、図12に示した半導体集積回路装置に相当するものである。2はフラグジェネレータ回路(第1の検出回路、第2の検出回路)であり、記憶回路(RAMT)1の出力SODO<i>を入力して、記憶回路(RAMT)1内に2つ以上の故障情報(例えば、値0)が存在するか否かを判定するものである。フラグジェネレータ回路(FG)2において、FF−1,FF−2はフリップフロップである。
【0027】
次に動作について説明する。
(1)まず、SET信号を供給して、フラグジェネレータ回路(FG)2内のフリップフロップFF−1(第1の検出手段),FF−2(第2の検出手段)を値1にリセットする。これにより、フリップフロップFF−1,FF−2の出力FLAG1およびFLAG2は、値1となる。
【0028】
(2)次に、制御信号INHを0に設定してフラグジェネレータ回路(FG)2へ供給する。これにより、フラグジェネレータ回路(FG)2における判定動作がオンの状態になる。この状態で、クロックTをフリップフロップFF−1およびFF−2に供給しながら、記憶回路(RAMT)1の出力SODO<i>からシフトアウトされる記憶回路(RAMT)1でのテスト結果をフラグジェネレータ回路(FG)2へ入力する。
【0029】
(3)次に、制御信号INHを値1に設定してフラグジェネレータ回路(FG)2へ供給する。これにより、フラグジェネレータ回路(FG)2における判定動作が禁止される。
【0030】
上記の(2)の動作において、1つ目の故障情報(0)が検出されたら、信号FLAG1=0および信号FLAG2=1となる。さらに、2つ目の故障情報(0)が検出されたら、信号FLAG1=0および信号FLAG2=0となる。つまり、信号FLAG1は1つ以上の故障情報(0)が検出された場合に値0となり、信号FLAG2は2個以上の故障情報が検出された場合に値0となる。
【0031】
従って、フラグジェネレータ回路(FG)2から出力される信号FLAG2を、例えば、LSIテスタ等の外部テスト装置(図示せず)に入力して判定することにより、記憶回路(RAMT)1の故障ビットに関する故障救済の可否を容易に迅速に判定できる。また同様に、フラグジェネレータ回路(FG)2から出力されるFLAG1をLSIテスタ等の外部テスト装置で判定すれば、故障ビットの有無を容易に判定できる。
【0032】
以上のように、この実施の形態1によれば、冗長回路を備えたテスト回路付きの記憶回路1であるRAMTにフラグジェネレータ回路(FG)2を設けて半導体集積回路装置を構成したので、フラグジェネレータ回路(FG)2から出力される信号FLAG1および信号FLAG2を、例えば、LSIテスタ等の外部テスト装置が入力して故障の有無、故障救済の可否を判定することができ、これにより外部のテスト装置の負荷を軽減し、記憶回路であるRAMT1内の記憶素子のビット故障の有無、故障救済の可否等の故障判定動作を容易に効率良く実行できるという効果がある。
【0033】
実施の形態2.
図2は、この発明の実施の形態2による半導体集積回路装置を示す回路図であり、図において、RAMT1,RAMT2,RAMT3は、それぞれ冗長回路を備えたテスト回路付きの記憶回路(複数の記憶回路)であり、図1に示した記憶回路(RAMT)1に相当するものである。FG−1,FG−2,FG−3のそれぞれは、フラグジェネレータ回路(複数の第1の検出回路、複数の第2の検出回路)であり、図1に示したフラグジェネレータ回路(FG)2に相当するものである。SFF1−1,SFF1−2,SFF1−3はスキャンフリップフロップであり、第1のスキャンパス回路を構成する。SFF2−1,SFF2−2,SFF2−3もまたスキャンフリップフロップであり、第2のスキャンパス回路を構成する。
【0034】
次に動作について説明する。
以下では、テスト機能付きの複数の記憶回路RAMT1,RAMT2,RAMT3が搭載された半導体集積回路装置における故障判定動作について説明する。実施の形態2の半導体集積回路装置では、複数の記憶回路RAMT1,RAMT2,RAMT3からの出力信号SODO<i>をもとにして得られたフラグジェネレータ回路2から出力されたFLAG1の情報をスキャンアウトするための第1のスキャンパス回路を備え、さらに、複数の記憶回路RAMT1,RAMT2,RAMT3の出力信号SODO<i>をもとにして得られたフラグジェネレータ回路2から出力されたFLAG2の情報をスキャンアウトするための第2のスキャンパス回路を備えている。
【0035】
図2に示す実施の形態2の半導体集積回路装置における故障救済の可否の判定は、次のようにして行われる。
まず、第1のスキャンパス回路を構成する各スキャンフリップフロップ(SFF1−1,SFF1−2,SFF1−3)がフラグジェネレータ回路2、即ち、FG−1,FG−2,FG−3の各々から出力される信号FLAG1を入力する。フラグジェネレータ回路(FG)2の動作は実施の形態1のものと同じである。
従って、複数の記憶回路RAMT1,RAMT2,RAMT3の各回路内で1つ以上のビット(記憶素子)の故障が検出された場合、フラグジェネレータ回路2から値“0”の信号FLAG1が出力され、第1のスキャンパス回路へ入力される。そして、第1のスキャンパス回路内の最後段のスキャンフリップフロップSFF1−3から出力される信号SOFLAG1を、LSIテスタ等の外部テスト装置が入力し、故障の有無の判定を行う。
【0036】
同様に、複数の記憶回路RAMT1,RAMT2,RAMT3の各回路内で2つ以上のビット(記憶素子)の故障が検出された場合、フラグジェネレータ回路2から値“0”の信号FLAG2が出力され、第2のスキャンパス回路へ入力される。そして、第2のスキャンパス回路内の最後段のスキャンフリップフロップSFF2−3から出力される信号SOFLAG2を、LSIテスタ等の外部テスト装置が入力し、故障救済の可否の判定を行う。
【0037】
もし、複数の記憶回路RAMT1,RAMT2,RAMT3のいずれかに2つ以上の記憶素子の故障が検出され、即ち、信号FLAG2が0となった場合は故障救済はできないと判断され、この複数の記憶回路を備えた半導体集積回路装置は製造段階で破棄される。
【0038】
以上のように、この実施の形態2によれば、複数の記憶回路であるRAMT1,RAMT2,RAMT3が半導体集積回路装置内に搭載された場合であっても、第1のスキャンパス回路および第2のスキャンパス回路を設け、LSIテスタ等の外部のテスト装置が、第1のスキャンパス回路から出力される信号SOFLAG1を用いて記憶回路の故障の有無を判定し、第2のスキャンパス回路から出力される信号SOFLAG2を用いて故障救済の可否を判定できるので、外部のテスト装置の負荷を軽減して、複数の記憶回路内の記憶素子のビット故障の有無、故障救済の可否等の故障判定動作を容易に効率良く実行できるという効果がある。さらに、複数の記憶回路を搭載した半導体集積回路装置内に第1のスキャンパス回路および第2のスキャンパス回路を設けたことで、記憶回路であるRAM毎に故障情報FLAG1およびFLAG2を半導体集積回路装置の入出力端子に多重化して外部のテスト装置へ出力する必要がなく(例えば、セレクタ等を設け、端子を切替えて使用することなく)、容易に半導体集積回路装置の設計を行えるという効果がある。
【0039】
実施の形態3.
図3は、この発明の実施の形態3による半導体集積回路装置を示す回路図であり、図において、RAMT1,RAMT2,RAMT3は、それぞれ冗長回路を備えたテスト回路付きの記憶回路1であり、それぞれの記憶回路は図2に示したRAMT1,RAMT2,RAMT3に相当するものである。31はフラグジェネレータ回路(第1の検出回路、第2の検出回路)であり、実施の形態3の半導体集積回路装置では3個のフラグジェネレータ回路FG−1,FG−2,FG−3が搭載されている。これらのフラグジェネレータ回路31(FG−1,FG−2,FG−3)のそれぞれは、図2に示したフラグジェネレータ回路2であるFG−1,FG−2,FG−3のそれぞれに相当するものである。
【0040】
32はセレクタ回路であり、3個のセレクタ回路SEL−1,SEL−2,SEL−3から構成されている。セレクタ回路SEL−1,SEL−2,SEL−3のそれぞれは、フラグジェネレータ回路31(FG−1,FG−2,FG−3)のそれぞれに対応して設けられている。これらのセレクタ回路SEL−1,SEL−2,SEL−3は、制御信号SELFLAGの値に基づいて、複数の記憶回路1であるRAMT1,RAMT2,RAMT3のそれぞれから出力される信号FLAG1,FLAG2の値を選択して、選択した信号を出力する。
【0041】
SFF−1,SFF−2,SFF−3はスキャンフリップフロップであり、第3のスキャンパス回路を構成する。この第3のスキャンパス回路は、図2に示した第1のスキャンパス回路に相当するものであり、各セレクタ回路SEL−1,SEL−2,SEL−3から出力した信号、即ち、信号FLAG1,FLAG2のうち、セレクタ回路で選択された信号を入力する。
【0042】
次に動作について説明する。
実施の形態2の半導体集積回路装置では、第1のスキャンパス回路および第2のスキャンパス回路を設け、これら第1のスキャンパス回路および第2のスキャンパス回路を介して得られる信号SOFLAG1およびSOFLAG2の値を元に、記憶回路1内の記憶素子のビット故障の有無、故障救済の可否を判断した。
【0043】
実施の形態3の半導体集積回路装置では、第1のスキャンパス回路および第2のスキャンパス回路の代わりに、第3のスキャンパス回路のみを設け、記憶回路RAMT1,RAMT2,RAMT3からの信号FLAG1,FLAG2のそれぞれを、セレクタ回路32であるSEL−1,SEL−2,SEL−3内のA入力、B入力とする。そして、例えば、LSIテスタ等の外部テスト装置(図示せず)から供給される制御信号SELFLAGに基づいて、セレクタ回路32であるSEL−1,SEL−2,SEL−3が、これらの信号FLAG1,FLAG2のいずれかを選択し、選択した信号を第3のスキャンパス回路へ出力する。そして、第3のスキャンパス回路の出力信号SOFLAGを外部のテスト装置が入力して、記憶回路1の故障の有無、故障救済の可否を判断する。
【0044】
以上のように、この実施の形態3によれば、フラグジェネレータ回路31であるFG−1,FG−2,FG−3の各々に対応して、セレクタ回路32であるSEL−1,SEL−2,SEL−3を設け、制御信号SELFLAGで、セレクタ回路32を切り替え、第3のスキャンパス回路を介して、記憶回路1からの信号FLAG1,FLAG2を外部へ出力するように構成したので、実施の形態1および実施の形態2の効果、即ち、外部のテスト装置の負荷を軽減し、複数の記憶回路1内の記憶素子のビット故障の有無、故障救済の可否等の故障判定動作を容易に効率良く実行でき、また、容易に半導体集積回路装置の設計を行えるという効果に加えて、半導体集積回路装置の面積をさらに削減できるという効果がある。
【0045】
実施の形態4.
図4は、この発明の実施の形態4による半導体集積回路装置を示す回路図であり、図において、RAMT1は1ビットの冗長回路を備えたテスト回路付きの記憶回路であり、図1に示したRAMT1に相当するものである。41は2ビットの冗長回路を備えたテスト回路付きの記憶回路(RAMT21)であり、2ビットの冗長回路に対応した2本のスキャンパスSODO<j>およびSODO<k>を備えている。FG−1,FG−2,FG−3のそれぞれはフラグジェネレータ回路2であり、図2に示したFG−1,FG−2,FG−3に相当するものである。
【0046】
SEL−1,SEL−2,SEL−3のそれぞれは、フラグジェネレータ回路FG−1,FG−2,FG−3に対応して設けられたセレクタ回路32である。これらのセレクタ回路32(SEL−1,SEL−2,SEL−3)は、図3に示した実施の形態3の場合と同様に、制御信号SELFLAGの値に基づいて、各記憶回路RAMT1,RAMT21から出力される信号FLAG1,FLAG2の値を選択し、選択した信号を出力する。
【0047】
SFF1−1,SFF1−2,SFF1−3はスキャンフリップフロップであり、第3のスキャンパス回路を構成する。この第3のスキャンパス回路は、図3に示した実施の形態3の半導体集積回路装置における第3のスキャンパス回路と同じものであり、セレクタ32であるSEL−1,SEL−2,SEL−3のそれぞれで選択され出力した信号を入力する。
【0048】
次に動作について説明する。
例えば、10ビットの出力DO<i>を持つRAMを用いて、8ビットのXDO<i>を持つ故障救済可能なRAMを構成した場合、従来例で示した図11および図12に示す半導体集積回路装置i=j=0のスキャンパスとi=k=5のスキャンパスの2本を仮定することができる。
【0049】
各スキャンパスは5ビットの長さであり、各スキャンパスから出力されるシリアル出力SODO<0>,SODO<5>は、フラグジェネレータ回路2であるFG−2およびFG−3の入力端子DINへ供給される。
【0050】
記憶回路(RAMT)21内のビット出力DO<0>からDO<4>までの故障の有無は、フラグジェネレータ回路FG−2の出力FLAG1を見て判定できる。さらに、記憶回路(RAMT)21内のビット出力DO<5>からDO<9>までの故障の有無は、フラグジェネレータ回路FG−3の出力FLAG1を見て判定できる。
【0051】
また、記憶回路(RAMT)21内のビット出力DO<0>からDO<4>までの故障救済の可否は、フラグジェネレータ回路FG−2の出力FLAG2を見て判定できる。さらに、記憶回路(RAMT)21内のビット出力DO<5>からDO<9>までの故障救済の可否は、フラグジェネレータ回路FG−3の出力FLAG2を見て判定できる。
【0052】
以上のように、この実施の形態4によれば、1つの記憶回路(RAMT)21内に2つのスキャンパス回路を設け、この記憶回路(RAMT)21に対して2つのフラグジェネレータ回路FG−2,FG−3およびセレクタ回路SEL−2,SEL−3とを設けて、故障の有無、故障救済の可否を判定するように構成したので、例えば、LSIテスタ等の外部テスト装置がこれらの信号FLAG1,FLAG2を入力して故障の有無、故障救済の可否を判定することができ、外部のテスト装置の負荷を軽減して、記憶回路内の記憶素子の故障判定動作を容易に効率良く実行できるという効果がある。
【0053】
実施の形態5.
図5は、この発明の実施の形態5による半導体集積回路装置を示す回路図であり、図において、51はマルチポートRAM(マルチポート記憶手段)としての3ポートRAMであり、2つの出力ポートから出力される信号DO1<>,DO2<>に対して2つのスキャンパス回路52,53を備えている。このスキャンパス回路52,53のそれぞれの構成は、図11に示したスキャンフリップフロップ100からなるスキャンパス回路と同じであるので、ここでは説明を省略する。
【0054】
54は、スキャンパス回路52,53から出力される出力信号SODO1<i>とSODO2<i>との間のAND演算を行うAND回路である。2はフラグジェネレータ回路FG(第1の検出手段,第2の検出手段)であり、実施の形態1に示したものと同じものである。
【0055】
図6は、図5に示した3ポートRAM51と、スキャンパス回路52,53に冗長回路を接続した半導体集積回路装置を示す回路図である。図において、60は冗長回路であり、図5に示したテスト回路付き3ポートRAM(マルチポート記憶手段)51に冗長回路60を接続したものである。
【0056】
次に動作について説明する。
図5に示す3ポートRAM51は、独立にアクセスされる2つのデータ出力ポートから信号DO1<>およびDO2<>を出力する。制御信号WE0の値に基づいて、アドレス信号A0で指定されたアドレスに対して、データDIO<>を3ポートRAM51内に書き込む。
【0057】
アドレス信号A1<>で指定されたアドレスに対して、出力DO1<>が、3ポートRAM51からスキャンパス回路52へ出力される。同様に、アドレス信号A2<>で指定されたアドレスに対して、出力DO2<>が、3ポートRAM51からスキャンパス回路53へ出力される。
【0058】
この冗長回路60の半導体集積回路装置では、A0<>,A1<>,A2<>は異なるアドレスを指定できる。図5に示した3ポートRAM51では、2つの出力データポートを介して出力される出力データDO1<>、DO2<>のそれぞれに対して、スキャンパス回路52,53を設けている。
【0059】
スキャンパス回路52,53からの出力信号は、即ち、図11に示したスキャンフリップフロップ100内の信号SODO<i>に対応する出力信号である信号SODO1<i>とSODO2<i>とは、AND回路54でAND演算され、AND演算の結果は、フラグジェネレータ回路(FG)2内へ入力信号DINとして入力される。フラグジェネレータ回路(FG)2の動作は、実施の形態1の場合と同様である。
【0060】
このように、実施の形態5の半導体集積回路装置では、冗長回路60を搭載したテスト回路付きの3ポートRAM51の2つのデータ出力ポートに関して、同時に比較結果のシフトアウトを行い、フラグジェネレータ回路(FG)2において、記憶素子のビット故障の有無、故障救済の可否の検出を行う。
【0061】
従って、AND回路54により、3ポートRAM51のいずれか一方の出力ポートからの出力値DOp<m>(P−1,2)に故障があれば、3ポートRAM51内のビット番号mのデータ系列の故障と判断できるので、冗長回路60での切替処理を実行すれば良い。また、故障の有無の判断は、フラグジェネレータ回路(FG)2から出力される信号FLAG1を用いて判定できる。同様に、故障救済の可否の判断も、フラグジェネレータ回路(FG)2から出力される信号FLAG2を用いて判定可能であり、その動作は実施の形態1〜4の場合と同様である。
【0062】
以上のように、この実施の形態5によれば、マルチポートRAMを搭載した半導体集積回路装置の場合であっても、マルチポートRAMとしての3ポートRAM51内の出力ポートDOA<>、DO2<>のそれぞれに対応して設けられたテスト回路としてのスキャンパス回路52,53、テスト回路からの出力のAND演算を行うAND回路54、およびフラグジェネレータ回路(FG)2を備えるように構成したので、実施の形態1の場合と同様に、フラグジェネレータ回路(FG)2から出力される信号FLAG1および信号FLAG2を、例えば、LSIテスタ等の外部テスト装置が入力して故障の有無、故障救済の可否を判定することができ、これにより外部のテスト装置の負荷を軽減し、記憶回路であるRAMT1内の記憶素子の故障の有無、故障救済の可否等の故障判定動作を容易に効率良く実行できるという効果がある。
【0063】
実施の形態6.
図7は、この発明の実施の形態6による半導体集積回路装置を示す回路図であり、図の(a)において、1は冗長回路を備えたテスト回路付きの記憶回路、即ち、RAMであり、図1に示した記憶回路1に相当するものである。72はカウンタ回路であり、例えば、Linear Feedback Shift Resister(LFSR)である。(a)に示した例では、4ビットのLFSRが示されている。しかしながら、この発明はこれに限定されるものではなく、カウンタ回路としては、バイナリ型のものでもよい。このカウンタ回路72は、記憶回路1であるRAMTから出力されたテスト結果の故障情報である値0をカウントするものであり、3故障救済以上の故障に対しても故障のビット数をカウントすることが可能となる。
【0064】
図7の(a)に示す例では、カウンタ回路(LFSR)72は、直列に接続された4個のフリップフロップ721から構成されている。73は論理回路(LOGIC)であり、カウンタ回路(LFSR)72内の各フリップフロップ721と接続されて、所定の動作を行うものである。
【0065】
図7の(b)および(c)は、カウンタ回路(LFSR)72を構成するフリップフロップ721の内部構成を示す図である。
【0066】
次に動作について説明する。
通常動作においては、制御信号SMが値0となり、カウンタ回路(LFSR)72内のフリップフロップ721と論理回路(LOGIC)73とが接続され、半導体集積回路装置の所望の動作を実施する。そして、制御信号SMが値1となり、記憶回路であるRAMT1がテスト動作状態に入ると、カウンタ回路(LFSR)72は、以下の順序で故障情報のカウントを行う。
【0067】
まず、イネーブル信号ENBを値0に設定して、制御信号SINHを値0にし、制御信号LFSRENを値0に設定する。この状態で、制御信号SICNTからカウンタ回路(LFSR)72の初期値(例えば、全ての値が1)をシフトインする。
【0068】
次に、イネーブル信号ENBを値1に、LFSRENを値1に、INHを値1に設定して、制御信号SINH=SODO<i>とする。これにより、シフトアウトされてくる信号SODO<i>内の値0をカウントする。
この値0とは記憶回路(RAMT)1からの故障情報である。つまり、カウンタ回路(LFSR)72は、信号SODO<i>が値0の時のみシフト動作を行う。
【0069】
最後に、イネーブル信号ENBを値0に設定して、制御信号SINHを値0に設定し、制御信号LFSRENのカウント値を信号SOCNTとして、カウンタ回路(LFSR)72の外部へシフトアウトする。
【0070】
従って、カウンタ回路(LFSR)72から出力される信号SOCNTを、例えば、LSIテスタ等の外部のテスト装置で観測して、記憶回路であるRAMT1の故障の有無、故障救済の可否を判定する。
【0071】
尚、信号SICNTは、記憶回路(RAMT)1から出力される信号SODO<i>に接続しても良いし、信号LFSRENは、信号ENBと接続しても良い。また、カウンタ回路(LFSR)72のビット数、即ちフリップフロップ721の個数は、必要に応じてサイズが大きいものを用いることが可能である。例えば、信号SODO<i>として記憶回路(RAMT)1内からスキャンアウトされる故障情報が8ビットであれば、4ビット以上のLFSRを用いれば良い。尚、図7に示した半導体集積回路装置の構成と図1に示した半導体集積回路装置の構成とを組み合わせても良い。この場合、フラグジェネレータ回路(FG)2とカウンタ回路72とが、1つの記憶回路(RAMT)1に対して設けられた構成となるが、その場合におけるフラグジェネレータ回路(FG)2の動作は、実施の形態1の場合と同じなので、個々ではその説明を省略する。
【0072】
以上のようにこの実施の形態6によれば、半導体集積回路装置内にカウンタ回路72を設けたことで、記憶回路であるRAMT1内の記憶素子内に3個以上の故障が発生した場合であっても、故障のビット数をカウントできる。従って、LSIテスタ等の外部のテスト装置の負荷を軽減でき、さらに、半導体製造ラインでの異常をも判定できるという効果がある。また、記憶回路(RAMT)1に対して設けられたカウンタ回路72に加え、実施の形態1で示したフラグジェネレータ回路(FG)2をさらに設けた場合でも、上記の効果に加えて、記憶素子の故障の有無、冗長回路による故障救済の可否を判定する故障判定動作を容易に効率良く実行できるという効果がある。
【0073】
実施の形態7.
図8は、この発明の実施の形態7による半導体集積回路装置を示す回路図であり、図において、81は記憶素子からなるRAM(複数の記憶手段)であり、図11に示したRAM111に相当するものである。82は直列に接続された5個のスキャンフリップフロップであり、スキャンパス回路を構成する。スキャンパス回路を構成するこれらのスキャンフリップフロップ82は、RAM81から出力されたデータDO<>を入力し、予め設定された期待値と比較し、比較結果をスキャンして、外部へ故障情報SODO<i>として出力するテスト回路である。このテスト回路を構成するスキャンフリップフロップ82は、図10および図11に示したスキャンフリップフロップ100に相当するものである。
【0074】
83は、セレクタ回路(選択手段)であり、スキャンパス回路内の最後の段であるスキャンフリップフロップ82から出力された故障情報SODO<i>を、制御信号LOOPDOに基づいて、スキャンパス回路内でループさせるものである。尚、80は、RAM81、スキャンフリップフロップ(スキャンパス回路)82、セレクタ回路83から構成される半導体集積回路装置としてのテスト回路付き記憶回路である。
【0075】
図9は、図8に示した半導体集積回路装置に冗長回路を備えた場合の半導体集積回路装置を示す回路図であり、図において、80は図8に示すテスト回路付きの記憶回路、90は冗長回路である。冗長回路90の構成は、図12に示した冗長回路122と同じものである。
【0076】
次に動作について説明する。
既に説明したように、この発明の実施の形態1〜6の半導体集積回路装置では、RAMを構成する複数の記憶素子内での故障の有無、冗長回路による故障救済の可否を判定するため、故障情報を外部へスキャンアウトすると、スキャンパス回路内の故障情報は消失していた。従って、故障した記憶素子を救済するため冗長回路へ切替するためには、再テストするか、レジスタを付加して故障情報を転送して保持しておく必要があった。
【0077】
この実施の形態7の半導体集積回路装置では、セレクタ回路83を記憶回路80内に組み込み、制御信号LOOPDOの値に基づいて、直列接続されスキャンパス回路を形成している5個のスキャンフリップフロップ82内に、故障情報をループさせ保持するように構成している。
【0078】
例えば、制御信号LOOPDOを値1に設定し、スキャンフリップフロップ82での5ビットのシフト動作を実行すれば、故障情報SODO<i>はもとの位置、即ち、元のスキャンフリップフロップ82内に戻ることになる。
【0079】
このシフト動作中に、LSIテスタ等の外部のテスト装置(図示せず)が、故障情報SODO<i>を受け取り、故障情報をカウントし、故障の有無や、故障救済の可否を判定する。そして、5ビットのシフト動作の実行後は、故障情報SODO<i>はもとの位置、即ち、元のスキャンフリップフロップ82内に戻り、そこで保持されることになるので、その後の冗長回路90への切替処理では、図9に示すように、各スキャンフリップフロップ82内に保持されている故障情報を、信号SO<>を介して冗長回路90側から利用することが可能なので、再テストを実行することなしで故障情報を得ることができ、冗長切替処理を効率良く実施できる。
【0080】
以上のように、この実施の形態7によれば、セレクタ回路83を記憶回路80内に組み込み、制御信号LOOPDOの値に基づいて、直列接続されスキャンパス回路を形成している5個のスキャンフリップフロップ82内に、故障情報をループさせ保持するように構成したので、半導体集積回路装置をコンピュータ等の製品に組み込んだ後においても、冗長回路90による故障救済を実施できるという効果がある。即ち、1回のテスト動作により、故障救済の可否の判定を行い、判定結果を、セレクタ回路83を介してスキャンパス回路内にループさせ保持させるので、半導体集積回路装置を製品に搭載した後においてもテスト動作を実行する必要がなく、冗長切替処理を効率良く実施できるという効果がある。
【0081】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、冗長回路を備えたテスト回路付きの記憶回路に対して、例えば、フラグジェネレータ回路等の第1の検出回路および第2の検出回路を設けるように構成したので、第1の検出回路および第2の検出回路から出力される信号FLAG1および信号FLAG2を、例えば、LSIテスタ等の外部テスト装置が入力してビット故障の有無、故障救済の可否を判定することができる。従って、外部のテスト装置の負荷を軽減し、記憶回路内の記憶素子のビット故障の有無、故障救済の可否等の故障判定動作を容易に効率良く実行できるという効果がある。また、第1のスキャンパス回路および第2のスキャンパス回路を設けたことで、記憶回路毎に故障情報FLAG1およびFLAG2を半導体集積回路装置の入出力端子に多重化して外部のテスト装置へ出力する必要がなく(例えば、セレクタ等を設け、端子を切替えて使用することなく)、容易に半導体集積回路装置の設計を行えるという効果がある。
【0082】
この発明によれば、フラグジェネレータ回路等の第1の検出回路および第2の検出回路に対応してセレクタ回路を設け、制御信号SELFLAGでセレクタ回路を切り替え、第3のスキャンパス回路を介して、記憶回路からの信号FLAG1,FLAG2を外部へ出力するように構成したので、上記したこの発明の効果に加えて、半導体集積回路装置の面積をさらに削減できるという効果がある。
【0083】
この発明によれば、記憶回路が複数のポートを備えたマルチポートRAMであっても、出力ポートのそれぞれに対応して設けられたテスト回路としてのスキャンパス回路、テスト回路からの出力のAND演算を行うAND回路、およびフラグジェネレータ回路等の第1の検出回路、第2の検出回路を備えるように構成したので、上記した発明の効果と同様に、フラグジェネレータ回路等の第1の検出回路、第2の検出回路から出力される信号FLAG1および信号FLAG2を、例えば、LSIテスタ等の外部テスト装置が入力して故障の有無、故障救済の可否を判定することができ、これにより外部のテスト装置の負荷を軽減し、記憶回路内の記憶素子のビット故障の有無、故障救済の可否等の故障判定動作を容易に効率良く実行できるという効果がある。
【0084】
この発明によれば、記憶回路に対してカウンタ回路を設けるように構成したので、記憶回路内の記憶素子内に3個以上の故障が発生した場合であっても、故障のビット数をカウントでき、LSIテスタ等の外部のテスト装置の負荷を軽減し、さらに、半導体製造ラインでの異常をも判定できるという効果がある。また、記憶回路に対して設けられたカウンタ回路に加え、フラグジェネレータ回路等の第1の検出回路、第2の検出回路をさらに設けた場合でも、上記したこの発明の効果に加え、記憶素子の故障の有無、冗長回路による故障救済の可否を判定する故障判定動作を容易に効率良く実行できるという効果がある。
【0085】
この発明によれば、セレクタ回路等の選択手段を記憶回路内に組み込み、制御信号LOOPDOの値に基づいて、直列接続されスキャンパス回路を形成しているスキャンフリップフロップ内に、故障情報をループさせ保持するように構成したので、半導体集積回路装置をコンピュータ等の製品に組み込んだ後においても、冗長回路による故障救済を実施できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態1による半導体集積回路装置を示す回路図である。
【図2】 この発明の実施の形態2による半導体集積回路装置を示す回路図である。
【図3】 この発明の実施の形態3による半導体集積回路装置を示す回路図である。
【図4】 この発明の実施の形態4による半導体集積回路装置を示す回路図である。
【図5】 この発明の実施の形態5による半導体集積回路装置を示す回路図である。
【図6】 図5に示す半導体集積回路装置と冗長回路との接続関係を示す回路図である。
【図7】 この発明の実施の形態6による半導体集積回路装置を示す回路図である。
【図8】 この発明の実施の形態7による半導体集積回路装置を示す回路図である。
【図9】 図8に示す半導体集積回路装置と冗長回路との接続関係を示す回路図である。
【図10】 従来の半導体集積回路装置におけるRAMテスト用のスキャンフリップフロップを示す回路図である。
【図11】 従来の半導体集積回路装置内のテスト回路付きのRAMを示す回路図である。
【図12】 図11に示したテスト回路付きのRAMに冗長回路を組み込んだ従来の半導体集積回路装置を示す回路図である。
【符号の説明】
1,41,80 記憶回路、2,31 フラグジェネレータ回路(第1の検出回路、第2の検出回路)、32 セレクタ回路、51 3ポートRAM(マルチポート記憶手段)、52,53 スキャンパス回路、60 冗長回路、72 カウンタ回路、81 RAM(複数の記憶手段)、82 スキャンフリップフロップ(スキャンパス回路)、83 セレクタ回路(選択手段)、FF−1 フリップフロップ(第1の検出回路)、FF−2 フリップフロップ(第2の検出回路)、SFF1−1,SFF1−2,SFF1−3 スキャンフリップフロップ(第1のスキャンパス回路)、SFF2−1,SFF2−2,SFF2−3 スキャンフリップフロップ(第2のスキャンパス回路)、SFF−1,SFF−2,SFF−3 スキャンフリップフロップ(第3のスキャンパス回路)。
Claims (5)
- データを記憶する複数の記憶手段と、前記複数の記憶手段に対して設けられた冗長回路と、前記複数の記憶手段から出力される出力データと予め設定された期待値群とを比較し、比較結果情報を出力する比較回路と、前記比較結果情報を取り込みシリアルにシフトアウトする第1のスキャンパス回路とを有する記憶回路と、
前記記憶回路内の前記第1のスキャンパス回路からシリアルに出力される前記比較結果情報を入力し、前記比較結果情報内に1つ以上の不一致情報が含まれるか否かを検出し、その検出結果を1ビットデータとして保存し、出力する第1の検出回路と、
前記第1のスキャンパス回路からシリアルに出力される前記比較結果情報を入力し、前記比較結果情報内に2つ以上の不一致情報が含まれるか否かを検出し、その検出結果を1ビットデータとして保存し、出力する第2の検出回路とを備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記不一致情報は第1の論理の信号であり、一致情報は第2の論理の信号であり、
前記第1の検出回路は、
リセットされたことに応じて第2の論理の信号を出力し、クロック信号に応答して入力信号を保存し、出力する第1のフリップフロップと、
前記第1のスキャンパス回路の出力信号と前記第1のフリップフロップの出力信号との論理積信号を前記第1の検出回路の検出結果を示す信号として前記第1のフリップフロップに与える第1のAND回路とを含み、
前記比較結果情報内に1つ以上の不一致情報が含まれる場合は、前記第1のフリップフロップの出力信号は第1の論理になり、
前記第2の検出回路は、
リセットされたことに応じて第2の論理の信号を出力し、前記クロック信号に応答して入力信号を保存し、出力する第2のフリップフロップと、
前記第1のスキャンパス回路の出力信号と前記第1のフリップフロップの出力信号との論理和信号を出力するOR回路と、
前記第2のフリップフロップの出力信号と前記OR回路の出力信号との論理積信号を前記第2の検出回路の検出結果を示す信号として前記第2のフリップフロップに与える第2のAND回路とを含み、
前記比較結果情報内に2つ以上の不一致情報が含まれる場合は、前記第2のフリップフロップの出力信号は第1の論理になることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。 - 複数の前記記憶回路と、複数の前記第1の検出回路と、複数の前記第2の検出回路とを備え、
複数の前記第1の検出回路の出力を取り込み、シリアルにシフトアウトする第2のスキャンパス回路と、
複数の前記第2の検出回路の出力を取り込み、シリアルにシフトアウトする第3のスキャンパス回路とをさらに備えたことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体集積回路装置。 - 複数の前記記憶回路と、複数組の前記第1および第2の検出回路とを備え、
それぞれ複数組の前記第1および第2の検出回路に対応して設けられ、各々が、対応の前記第1および第2の検出回路の内の選択信号によって選択された検出回路の出力を取り込んで出力する複数のセレクタ回路と、
前記複数のセレクタ回路からの出力を取り込み、シリアルにシフトアウトする第2のスキャンパス回路とをさらに備えたことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体集積回路装置。 - 前記記憶回路において、前記複数の記憶手段は、独立にアクセスされるn個(nは2以上の整数である)のデータ出力ポートを有するマルチポート記憶手段を構成し、前記冗長回路は前記マルチポート記憶手段に対して設けられており、前記比較回路および前記スキャンパス回路は、前記n個のデータ出力ポートの内のk個(kは2以上でn以下の整数である)のデータ出力ポートの各々に対して設けられており、第i番目(iは1〜kの自然数である)の比較回路は第i番目のデータ出力ポートの出力データと第i番目の期待値群を比較して比較結果情報を出力し、第i番目のスキャンパス回路は前記第i番目の比較回路から出力される比較結果情報を取り込んでシリアルにシフトアウトし、
前記不一致情報は第1の論理の信号であり、一致情報は第2の論理の信号であり、
前記半導体集積回路装置は、さらに前記第1番目から第k番目までのスキャンパス回路のシリアル出力を入力し、AND演算を行うAND回路を備え、
前記第1の検出回路は、前記AND回路からの出力内に1つ以上の不一致情報が含まれるか否かを検出し、検出結果を1ビットデータとして保存し、出力し、
前記第2の検出回路は、前記AND回路からの出力内に2つ以上の不一致情報が含まれるか否かを検出し、その検出結果を1ビットデータとして保存し、出力することを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
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JP2001159661A (ja) * | 1999-12-02 | 2001-06-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路 |
JP4274672B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2009-06-10 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
JP2003297100A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JP2009146487A (ja) * | 2007-12-12 | 2009-07-02 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路 |
US9865361B2 (en) * | 2016-04-27 | 2018-01-09 | Invecas, Inc. | Diagnostics for a memory device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09180498A (ja) * | 1995-12-25 | 1997-07-11 | Mitsubishi Electric Corp | 連想メモリ回路のテスト方法及び連想メモリ回路のテスト回路並びに冗長機能付き連想メモリ回路 |
JP2777276B2 (ja) * | 1990-09-20 | 1998-07-16 | 株式会社東芝 | 冗長回路付メモリicの試験装置 |
JPH11110307A (ja) * | 1997-10-06 | 1999-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0387000A (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
US5481671A (en) * | 1992-02-03 | 1996-01-02 | Advantest Corporation | Memory testing device for multiported DRAMs |
US5815512A (en) | 1994-05-26 | 1998-09-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor memory testing device |
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JPH11111000A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Ando Electric Co Ltd | 半導体メモリの故障自己診断装置 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2777276B2 (ja) * | 1990-09-20 | 1998-07-16 | 株式会社東芝 | 冗長回路付メモリicの試験装置 |
JPH09180498A (ja) * | 1995-12-25 | 1997-07-11 | Mitsubishi Electric Corp | 連想メモリ回路のテスト方法及び連想メモリ回路のテスト回路並びに冗長機能付き連想メモリ回路 |
JPH11110307A (ja) * | 1997-10-06 | 1999-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路 |
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