JP4618149B2 - ハイサイド駆動回路 - Google Patents

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本発明は、スイッチング素子を駆動するオン電圧を生成するチャージポンプ回路を高周波クロックもしくは低周波クロックのいずれか一方で駆動するハイサイド駆動回路に関する。
従来より、半導体素子で構成されるスイッチング素子を駆動する駆動回路において、スイッチング素子の制御電極を充電するチャージポンプ駆動回路が、例えば特許文献1で提案されている。
具体的に、特許文献1では、スイッチング素子と、スイッチング素子のゲートを充電するチャージポンプと、クロック信号を生成してこのクロック信号に応じてチャージポンプを駆動する発振回路と、スイッチング素子のゲート電圧(ゲート−ソース間電圧)を入力する差動アンプと、差動アンプに入力されたゲート電圧に基づいて発振回路を駆動してスイッチング素子のゲートを充電させるコンパレータと、を備えて構成されたチャージポンプ駆動回路が提案されている。
このような構成を有するチャージポンプ駆動回路では、まず、差動アンプにスイッチング素子のゲート電圧を入力してそのゲート電圧をコンパレータに入力する。そして、コンパレータにより、スイッチング素子のゲート電圧がオン電圧を超えた場合、発振回路を停止してスイッチング素子のゲート電圧の充電を停止する。また、スイッチング素子のゲート電圧がオン電圧を下回った場合、発振回路を作動させてスイッチング素子のゲート電圧を充電する。
このように、チャージポンプからスイッチング素子のゲートに供給される電圧を常にモニタすることで、スイッチング素子のゲート電圧がオン電圧を下回ったときだけ、チャージポンプによってスイッチング素子のゲート電圧を充電することができるようになっている。
特開2003−168963号公報
しかしながら、上記従来の技術では、コンパレータでスイッチング素子のゲート電圧を常にモニタするため、チャージポンプから差動アンプおよびコンパレータに入力バイアス電流を供給しなければならない。このため、チャージポンプはスイッチング素子のゲートの充電を停止した後も常に動作していなければならならない。このように、チャージポンプが常に動作することでラジオノイズが発生しやすくなり、このラジオノイズがチャージポンプ駆動回路の周辺の電子機器等に影響を与える可能性がある。
本発明は、上記点に鑑み、スイッチング素子を駆動するためのゲート電圧をチャージポンプにて充電して供給するハイサイド駆動回路において、低ラジオノイズ化を図ることを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は、負荷(60)を駆動するための駆動許可信号が入力されたタイミングで一定時間(T1)をカウントし、一定時間をカウントしている間、第1タイマ出力信号を出力し、一定時間をカウントし終えた後、第2タイマ出力信号を出力するタイマ(20)と、高周波クロックおよび低周波クロックを入力すると共に、タイマから第1タイマ出力信号を入力した場合、高周波クロックを出力し、第2タイマ出力信号を入力した場合、低周波クロックを出力するセレクタ部(10)と、を設け、チャージポンプ回路部(40)において、駆動選択回路(30)を介してセレクタ部から入力される高周波クロックもしくは低周波クロックに応じてスイッチング素子を駆動するためのオン電圧を生成すると共に、生成したオン電圧をスイッチング素子に出力することを特徴とする。
このようにすれば、タイマに駆動許可信号が入力されたタイミングにて、タイマで一定時間T1をカウントする間、高周波クロックでチャージポンプ回路部を駆動してスイッチング素子にオン電圧を印加し、一定時間経過後は、低周波クロックでチャージポンプ回路部を駆動することができる。これにより、スイッチング素子にオン電圧を印加した後、すなわち一定時間後、チャージポンプ回路部を駆動するクロックを高周波クロックから低周波クロックに切り替えることにより、負荷の駆動終了時までスイッチング素子のオンを維持する間、低周波クロックの周波数でチャージポンプ回路部を駆動することができる。このため、チャージポンプ回路部のラジオノイズの発生を抑えることができ、ひいてはチャージポンプ回路部の低ラジオノイズ化を図ることができる。
この場合、スイッチング素子がオンすることで、このスイッチング素子を介して負荷に供給される供給電圧(Vs)を入力する出力電圧モニタ部(80)を備える。そして、上記供給電圧が、負荷の駆動を維持できないと想定される基準電圧(Ref)を下回った場合、この出力電圧モニタ部から出力低下信号を出力する。また、タイマにて、出力電圧モニタ部から出力低下信号を入力している間、第1タイマ出力信号をセレクタ部に入力し、高周波クロックでチャージポンプ回路部を駆動する。
これにより、チャージポンプ回路部からスイッチング素子に印加するオン電圧が低下して負荷の駆動が停止してしまうことを防止できる。
また、過熱検出部(90)にてスイッチング素子の温度を検出し、このスイッチング素子の温度が、スイッチング素子が不具合を起こすと想定される温度を超えた場合、過熱検出部から駆動選択回路に駆動停止信号を出力する。この駆動停止信号を入力した駆動選択回路は、セレクタ部から入力される高周波クロックもしくは低周波クロックのチャージポンプ回路部への出力を停止する。
このようにすれば、スイッチング素子が作動する上で異常な温度になった場合、スイッチング素子の動作を停止することができる。
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
(第1実施形態)
以下、本発明の第1実施形態について図を参照して説明する。本実施形態で示されるハイサイド駆動回路は、例えばHブリッジ回路に用いられるモータやリレー等の負荷を駆動するものとして用いられるものである。
図1は、本発明の第1実施形態に係るハイサイド駆動回路の概略回路図である。この図に示されるように、ハイサイド駆動回路C1は、セレクタ部10と、タイマ20と、駆動選択回路30と、チャージポンプ回路部40と、スイッチング素子50と、を備えて構成されている。
このハイサイド駆動回路C1には、負荷60を駆動するための駆動許可信号と、発振回路等で生成された高周波クロック(CLK)および低周波クロック(CLK)が入力されるようになっている。これら駆動許可信号、高周波CLK、低周波CLKは、それぞれ外部回路で生成されてハイサイド駆動回路C1に入力されるようになっている。
セレクタ部10は、外部回路で生成された高周波CLKおよび低周波CLKを入力すると共に、タイマ20から入力するタイマ出力信号(本発明の第1、第2タイマ出力信号に相当)に基づいて、高周波CLKおよび低周波CLKのうちいずれか一方を駆動選択回路30に出力するものである。本実施形態では、高周波CLKの周波数は例えば1MHzであり、低周波CLKの周波数は例えば20kHzである。
このようなセレクタ部10は、第1AND回路11と、第2AND回路12と、OR回路13とを備えて構成されている。第1、第2AND回路11、12は、入力されるすべての信号がHレベルのとき、Hレベルの信号を出力するロジック回路である。また、OR回路13は、入力される信号のうちHレベルの信号が含まれていたとき、Hレベルの信号を出力するロジック回路である。
具体的に、第1AND回路11は、高周波CLKを入力すると共に、タイマ20からタイマ出力信号を反転して入力し、高周波CLKおよびタイマ出力信号の反転信号が両方ともHレベルの場合、Hレベルの信号を出力する。また、第2AND回路12は、低周波CLKを入力すると共に、タイマからタイマ出力信号を入力し、低周波CLKおよびタイマ出力信号のうち少なくとも一方がHレベルの場合、Hレベルの信号を出力する。
さらに、OR回路13は、第1、第2AND回路11、12から入力される信号のうち、いずれか一方から入力される信号がHレベルである場合、Hレベルの信号を駆動選択回路30に出力する。
タイマ20は、時間をカウントするためのものであり、例えばDフリップフロップ等で構成される。このようなタイマ20は、Hレベルの駆動許可信号の入力のタイミングで時間のカウントを開始する。
また、タイマ20は、駆動許可信号の反転信号を入力すると共に、Hレベルの駆動許可信号を入力したタイミングでタイマセットをして時間をカウントし始め、駆動許可信号の反転信号(Lレベル)をタイマ出力信号(本発明の第1タイマ出力信号に相当)としてセレクタ部10に一定時間(T1)出力する。そして、タイマ20がタイマセットをしてから一定時間をカウントすると、タイマ20はセレクタ部10に出力していた信号の反転信号(Hレベル)をタイマ出力信号(本発明の第2タイマ出力信号に相当)としてセレクタ部10に出力する。
そして、タイマ20は、Lレベルの駆動許可信号が入力されたタイミングでタイマリセットをする。この後、再びHレベルの駆動許可信号が入力されると、その入力のタイミングでタイマセットを行い、時間をカウントするのである。
駆動選択回路30は、AND回路であり、Hレベルの駆動許可信号が入力されている間、セレクタ部10から入力される高周波CLKもしくは低周波CLKをチャージポンプ回路部40に出力するものである。
チャージポンプ回路部40は、コンデンサの充放電を利用して電源電圧よりも高い電圧を発生させるものであり、コンデンサやこのコンデンサを充放電するためのスイッチ等を備えて構成される。このチャージポンプ回路部40は、駆動選択回路30から入力される高周波CLKもしくは低周波CLKに応じてコンデンサを充電し、スイッチング素子50に電圧を出力する。
スイッチング素子50は、負荷60を駆動するためのスイッチとして機能するものである。本実施形態では、スイッチング素子50としてNchパワーMOSトランジスタが採用される。このようなスイッチング素子50は、チャージポンプ回路部40から入力されるゲート電圧に基づいてオンまたはオフする。なお、スイッチング素子のゲート−ソース間には、ゲート−ソース間電圧をクランプするためのツェナーダイオード70が接続されている。
以上が、本実施形態に係るハイサイド駆動回路C1の構成である。このようなハイサイド駆動回路C1は、例えば上記各構成部分がそれぞれ回路として製造され、それぞれが図1に示される回路に組み合わされて構成される。
次に、このハイサイド駆動回路C1の作動について、図2を参照して説明する。図2は、ハイサイド駆動回路C1の作動を説明するためのタイミングチャートである。
まず、ハイサイド駆動回路C1の外部に設けられた発振回路で高周波CLK(例えば1MHz)および低周波CLK(例えば20kHz)が生成される共に、高周波CLKがセレクタ部10の第1AND回路11に入力され、低周波CLKがセレクタ部10の第2AND回路12に入力される。このような状態で負荷60を駆動するための駆動許可信号が外部から駆動選択回路30およびタイマ20に入力される。
具体的に、図2に示されるHレベルの駆動許可信号が駆動選択回路30に入力されると、駆動選択回路30では、Hレベルの駆動許可信号が入力されている間、セレクタ部10から入力される信号をチャージポンプ回路部40に出力することとなる。また、タイマ20では、駆動許可信号に同期してタイマセットがなされて時間がカウントされ始める。
上述のように、タイマ20で時間がカウントされている間、タイマ20からは駆動許可信号の反転信号であるLレベルの信号がタイマ出力信号としてセレクタ部10に出力される。したがって、セレクタ部10の第1AND回路11では、高周波CLKおよびLレベルが反転したHレベルの信号が入力されて高周波CLKがOR回路13に出力される。また、第2AND回路12では、低周波CLKおよびLレベルの信号が入力されるため、Lレベルの信号が出力される。すなわち、第1AND回路11から出力された高周波CLKがOR回路13および駆動選択回路30を介してチャージポンプ回路部40に入力される。
これにより、チャージポンプ回路部40では、高周波CLKに応じてコンデンサが充電されると共に、充電された電圧がスイッチング素子50に出力される。すなわち、図2に示されるように、タイマ20にて時間がカウントされている時間T1の間では、チャージポンプ回路部40は高周波CLKで高速動作し、短時間でコンデンサを充電してスイッチング素子50のゲートを駆動する。
なお、この時間T1は、スイッチング素子50のゲート電圧を十分にオンさせるために必要な時間に設定されており、本実施形態では例えば50μsとされる。
ここで、スイッチング素子50のゲートはハイインピーダンスに保たれており、チャージポンプ回路部40の出力電流は、ゲートの酸化膜容量にのみチャージアップされて保持されている。
そして、タイマ20が一定時間をカウントし終えると、タイマ20ではタイマ20に入力された駆動許可信号の反転信号が反転された信号がタイマ出力信号として出力される。すなわち、タイマ20からはHレベルの信号がセレクタ部10に出力される。したがって、セレクタ部10の第1AND回路11では、高周波CLKおよびHレベルが反転したLレベルの信号が入力され、Lレベルの信号がOR回路13に出力される。また、第2AND回路12では、低周波CLKおよびHレベルの信号が入力されるため、低周波CLKがOR回路13に出力される。したがって、第2AND回路12から出力された低周波CLKがOR回路13および駆動選択回路30を介してチャージポンプ回路部40に入力される。
これにより、チャージポンプ回路部40では、低周波CLKに応じてコンデンサが充電され、充電された電圧がスイッチング素子50に出力される。すなわち、図2に示されるように、タイマ20での時間のカウントが終了した後では、チャージポンプ回路部40は低周波CLKで動作し、スイッチング素子50のゲートの蓄積電荷の自然放電分、またはリーク抵抗による放電分を補うようにスイッチング素子50のゲートを駆動する。
この後、負荷60の駆動を停止させる駆動許可信号がハイサイド駆動回路C1に入力されると、すなわちLレベルの駆動許可信号が駆動選択回路30およびタイマ20に入力されると、チャージポンプ回路部40への低周波CLKの入力が停止される。また、タイマ20では、タイマリセットがなされる。
以上説明したように、本実施形態では、ハイサイド駆動回路C1に駆動許可信号が入力されてからタイマ20で時間T1をカウントする間では、高周波CLKでチャージポンプ回路部40を駆動してスイッチング素子50をオンさせると共に、時間T1経過後は、低周波CLKでチャージポンプ回路部40を駆動することを特徴としている。
これにより、負荷60の駆動をさせる初期の段階では、高周波CLKによってチャージポンプ回路部40を高速動作させることができ、ひいてはスイッチング素子50のゲートを素早くオンさせることができる。また、時間T1後にチャージポンプ回路部40を駆動するクロックを高周波CLKから低周波CLKに切り替えることにより、負荷60の駆動終了時までスイッチング素子50のオンを維持する間は、低周波CLKの周波数でチャージポンプ回路部40を駆動するのでチャージポンプ回路部40のラジオノイズの発生を抑えることができる。このようにして、チャージポンプ回路部40の低ラジオノイズ化を図ることができる。
また、上記ハイサイド駆動回路C1の回路構成において、チャージポンプ回路部40の出力がスイッチング素子50のみに入力されるようになっているため、高インピーダンスを得ることができ、上記のように低周波CLKの周波数でのスイッチング素子50のオン維持を可能とすることができる。すなわち、チャージポンプ回路部40の電力消費を低減させることができ、電力消費によるノイズを低減できる。
そして、チャージポンプ回路部40およびスイッチング素子50で構成される基本構造に対し、タイマ20およびセレクタ部10を設けるだけであるので、小規模な回路を実現することができる。
(第2実施形態)
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、スイッチング素子50のゲート−ソース間の電圧をモニタすることにより、負荷60を駆動する間は常にスイッチング素子50のゲートにオン電圧を供給できるようにしたことが特徴である。
図3は、本発明の第2実施形態に係るハイサイド駆動回路の概略回路図である。この図に示されるハイサイド駆動回路C2は、第1実施形態に示されたハイサイド駆動回路C1に対し、スイッチング素子50のソース側とタイマ20との間に、チャージポンプ回路部40の出力異常を検出するための出力電圧モニタ部80を備えている。
具体的に、出力電圧モニタ部80は、スイッチング素子50がオンすることでスイッチング素子50を介して負荷60に供給される電圧(Vs、本発明の供給電圧)を入力すると共に、この電圧Vsが、負荷60の駆動を維持できないと想定される基準電圧(Ref)を下回った場合、出力低下信号を出力するものであり、コンパレータ81と、AND回路82と、OR回路83と、を備えて構成されている。
コンパレータ81は、比較回路であり、比較結果をAND回路82に出力する。このようなコンパレータ81は、スイッチング素子50のソース電圧Vsと基準電圧Refとを比較し、ソース電圧Vsが基準電圧Refを超えない場合にはHレベルの信号をAND回路82に出力し、ソース電圧Vsが基準電圧Refを超えた場合にはLレベルの信号をAND回路82に出力する。
AND回路82は、上記第1、第2AND回路11、12と同じ機能を有するものである。このAND回路82は、駆動許可信号とコンパレータ81の出力とをそれぞれ入力し、両者がHレベルの場合のみHレベルの信号をOR回路83に出力する。
また、OR回路83は、上記OR回路13と同じ機能を有するものである。このOR回路83は、駆動許可信号の反転信号とAND回路82の出力とをそれぞれ入力し、両者のうちいずれか一方がHレベルの場合、Hレベルの信号をタイマ20に出力する。
したがって、出力電圧モニタ部80は、スイッチング素子50のゲート電圧が低下することに伴って低下するソース電圧Vsが基準電圧Refを下回った場合、タイマ20に出力低下信号(Hレベルの信号)を入力する。
本実施形態では、タイマ20は、第1実施形態で示された機能に加え、出力電圧モニタ部80から出力低下信号(Hレベルの信号)を入力している間、セレクタ部10にLレベルの信号(第1タイマ出力信号)をタイマ出力信号として出力することにより、第1AND回路11を介してセレクタ部10から高周波CLKを出力する機能を有している。
以上のような出力電圧モニタ部80およびタイマ20を備えたハイサイド駆動回路C2の作動について、図4を参照して説明する。図4は、ハイサイド駆動回路C2の作動を説明するためのタイミングチャートである。
まず、負荷60を駆動するためのHレベルの駆動許可信号が駆動選択回路30およびタイマ20に入力される。これにより、タイマ20では時間のカウントが始まり、時間T1が経過するまでタイマ20からLレベルの信号がタイマ出力信号としてセレクタ部10に入力される。これにより、第1実施形態と同様に、セレクタ部10からは高周波CLKが出力され、チャージポンプ回路部40は高周波CLKに応じて駆動される。また、時間T1が経過すると、タイマ20からHレベルの信号がタイマ出力信号として出力され、セレクタ部10から低周波CLKが出力される。これにより、チャージポンプ回路部40は低周波CLKに応じて駆動される。
このようにしてチャージポンプ回路部40が低周波CLKで駆動されている間、図4に示されるように、スイッチング素子50のソース電圧Vsは少しずつ低下していく。これは、低周波CLKによるチャージポンプ回路部40のコンデンサの充電が放電に追いつかなくなり、スイッチング素子50のゲートに供給されるオン電圧が低下していくことに伴うものである。
そして、ソース電圧Vsがコンパレータ81に設定された基準電圧Refを下回ると、コンパレータ81からHレベルの信号が出力され、ひいては出力電圧モニタ部80から出力低下信号(Hレベルの信号)がタイマ20に入力される。これに応じて、タイマ20からセレクタ部10にLレベルの信号がタイマ出力信号として出力され、セレクタ部10から高周波CLKが駆動選択回路30を介してチャージポンプ回路部40に入力される。
これにより、チャージポンプ回路部40では高周波CLKに応じた駆動によってコンデンサの充電速度が早められ、スイッチング素子50のゲートに電圧を供給することができる。この後、スイッチング素子50のゲート電圧が上昇することに伴ってソース電圧Vsも上昇するため、ソース電圧Vsが基準電圧Refを上回る。これにより、コンパレータ81からはLレベルの信号が出力され、出力電圧モニタ部80からタイマ20にLレベルの信号が出力される。
タイマ20では、出力電圧モニタ部80からLレベルの信号が入力されると、一定時間後にHレベルの信号がタイマ出力信号としてセレクタ部10に出力される。これに伴い、セレクタ部10から低周波CLKが駆動選択回路30を介してチャージポンプ回路部40に入力される。こうして、チャージポンプ回路部40では再び低周波CLKに応じた駆動がなされる。
以上のように、出力電圧モニタ部80およびこの出力に応じてセレクタ部10に信号を出力するタイマ20を設け、スイッチング素子50のゲート電圧が低下して負荷60の駆動が停止してしまわないようにすることができる。
(第3実施形態)
本実施形態では、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。本実施形態では、スイッチング素子50の温度を計測することにより、スイッチング素子50が高温になって誤作動等の不具合を起こしてしまうことを防止することが特徴である。
図5は、本発明の第3実施形態に係るハイサイド駆動回路の概略回路図である。この図に示されるハイサイド駆動回路C3は、第1実施形態に示されたハイサイド駆動回路C1に対し、過熱検出部90を備えている。なお、図5では過熱検出部90はスイッチング素子50から離れて描かれているが、実際にはスイッチング素子50の近傍に配置されている。
過熱検出部90は、スイッチング素子50の温度を検出するものであり、例えば感温ダイオード等を備えて構成されている。この過熱検出部90は、スイッチング素子50の温度が、スイッチング素子50が不具合(誤作動等の異常)を起こすと想定される温度を超えた場合、駆動停止信号(Hレベルの信号)を駆動選択回路30に出力する機能を有している。本実施形態では、過熱検出部90から出力された信号は反転してLレベルの信号となって駆動選択回路30に入力されるようになっている。
したがって、ハイサイド駆動回路C3は第1実施形態と同様に作動する上で、駆動選択回路30に過熱検出部90からHレベルの信号が入力されると、駆動選択回路30からはLレベルの信号がチャージポンプ回路部40に入力される。これにより、セレクタ部10からチャージポンプ回路部40への高周波CLKもしくは低周波CLKの供給が停止される。このようにして、スイッチング素子50が異常な温度になった場合では、スイッチング素子50の動作を停止させることができる。
(第4実施形態)
本実施形態では、上記各実施形態とことなる部分についてのみ説明する。本実施形態では、スイッチング素子50と他の構成部分とを一チップ化することにより、出荷時の検査工程において、ゲートの初期故障、信頼性を確保することが特徴である。
例えば図1に示されるハイサイド駆動回路C1を1つのチップに形成した後、検査工程において、スイッチング素子50のゲート−ソース間に流れるリーク電流を測定することにより、低周波CLKでの動作を保証する。
図6は、スイッチング素子50に流れるリーク電流を説明するための図であり、(a)は実使用時の場合、(b)はチップ検査時の場合についてのスイッチング素子50近傍の回路図である。
まず、図6(a)に示されるように、実際にスイッチング素子50が搭載されたチップが使用される際、スイッチング素子50のゲート−ソース間にはツェナーダイオード70が接続されてはいるが、チャージポンプ回路部40から出力電流Icpが出力されると、このゲート−ソース間にリーク電流Ileakが流れる。なお、図6(a)では、リーク電流が流れる様子を、リーク電流Ileakがリーク抵抗Rleak流れる回路図で示してあるが、この抵抗Rleakが実際にあるわけではない。
このリーク電流Ileakは一定値であるが、チャージポンプ回路部40から出力される出力電流Icpはチャージポンプ回路部40を駆動する周波数に応じて変化する。この様子を図7に示す。図7は、周波数とIleak(maxの値)およびIcpとの相関関係を示した図である。この図に示されるように、IcpとIleakとが交わる点Aを下回る周波数では、Ileakの値が周波数に応じて変動する。
したがって、検査段階における多数のチップに対して、周波数に対して点Aがより小さい周波数であるものを選定することにより、チップにおける低周波CLKの規格値を下げることができ、低周波CLKとして用いることができる周波数の範囲を広くすることができる。
実際、上記点Aにおける周波数を選定する方法として、検査工程において、検査工程において、ゲート酸化膜寿命の保証のため、ゲート−ソース間に高電圧を印加し、リーク測定を実施する。具体的に、図6(b)に示されるように、チャージポンプ回路部40の出力電流をオフさせてツェナーダイオード70をオープンにした状態でスイッチング素子50のゲートに印加電圧Vsupを印加し、そのときにゲート−ソース間に流れるリーク規定電流Ilimを測定する。本実施形態では、印加電圧Vsupとして例えば20Vを印加する。そして、上記リーク規定電流Ilimが1μAであった場合、等価的なリーク抵抗Rleakは20MΩ(最小値)となる。
ここで、図6(a)のように実使用の場合では、チャージポンプ回路部40からスイッチング素子50にゲート電圧Vclが入力される。本実施形態では、ゲート電圧Vclは例えば9Vである。したがって、上記のようにリーク抵抗Rleakは20MΩであるので、実使用におけるリーク電流Ileakの最大値は0.45μAとなる。
すなわち、図7において、電流Icpおよび電流Ileakが0.45μAのときの周波数を、実使用における最小周波数とすることができる。つまり、チップにおいて使用できる低周波CLKの周波数を低減することができる。
以上のように、スイッチング素子50を一チップ化することにより、出荷検査において、ゲートの初期故障や信頼性を確保することにより、さらなる低周波CLKの駆動化を可能にすることができる。
(他の実施形態)
上記各実施形態において示された構成は、同等の機能を実現させる他の構成により組み合わされたものであっても構わない。例えば、セレクタ部10は、他のロジック回路で構成されていても構わない。
第3実施形態で示された過熱検出部90を第2実施形態に示されるハイサイド駆動回路C2に備えるようにしても構わない。
本発明の第1実施形態に係るハイサイド駆動回路の概略回路図である。 図1に示されるハイサイド駆動回路の作動を説明するためのタイミングチャートである。 本発明の第2実施形態に係るハイサイド駆動回路の概略回路図である。 図3に示されるハイサイド駆動回路の作動を説明するためのタイミングチャートである。 本発明の第3実施形態に係るハイサイド駆動回路の概略回路図である。 第4実施形態において、スイッチング素子に流れるリーク電流を説明するための回路図であり、(a)は実使用時の場合、(b)はチップ検査時の場合についてそれぞれ示した図である。 第4実施形態において、周波数とIleakおよびIcpとの相関関係を示した図である。
符号の説明
10…セレクタ部、20…タイマ、30…駆動選択回路、40…チャージポンプ回路部、50…スイッチング素子、60…負荷、70…ツェナーダイオード、80…出力電圧モニタ部、90…過熱検出部。

Claims (3)

  1. 入力されるオン電圧に応じてオンまたはオフすることにより、負荷(60)を駆動するスイッチング素子(50)と、
    前記負荷を駆動するための駆動許可信号を入力すると共に、前記駆動許可信号が入力されたタイミングで一定時間(T1)をカウントし、前記一定時間をカウントしている間、第1タイマ出力信号を出力し、前記一定時間をカウントし終えた後、第2タイマ出力信号を出力するタイマ(20)と、
    外部から高周波クロックおよび低周波クロックを入力すると共に、前記タイマから前記第1タイマ出力信号を入力した場合、前記高周波クロックを出力し、前記第2タイマ出力信号を入力した場合、前記低周波クロックを出力するセレクタ部(10)と、
    前記セレクタ部から前記高周波クロックもしくは前記低周波クロックを入力すると共に前記駆動許可信号を入力するようになっており、前記駆動許可信号を入力している間、入力された前記高周波クロックもしくは前記低周波クロックを出力する駆動選択回路(30)と、
    前記駆動選択回路から入力される前記高周波クロックもしくは前記低周波クロックに応じて前記スイッチング素子を駆動するための前記オン電圧を生成すると共に、生成したオン電圧を前記スイッチング素子に出力するチャージポンプ回路部(40)と、を備えたことを特徴とするハイサイド駆動回路。
  2. 前記スイッチング素子がオンすることで前記スイッチング素子を介して前記負荷に供給される供給電圧(Vs)を入力すると共に、この供給電圧が、前記負荷の駆動を維持できないと想定される基準電圧(Ref)を下回った場合、出力低下信号を出力する出力電圧モニタ部(80)を備えており、
    前記タイマは、前記出力電圧モニタ部から前記出力低下信号を入力している間、前記第1タイマ出力信号を前記セレクタ部に入力するようになっていることを特徴とする請求項1に記載のハイサイド駆動回路。
  3. 前記スイッチング素子の温度を検出すると共に、このスイッチング素子の温度が、前記スイッチング素子が不具合を起こすと想定される温度を超えた場合、駆動停止信号を出力する過熱検出部(90)を備えており、
    前記駆動選択回路は、前記過熱検出部から前記駆動停止信号を入力した場合、前記セレクタ部から入力される前記高周波クロックもしくは前記低周波クロックの前記チャージポンプ回路部への出力を停止するようになっていることを特徴とする請求項1または2に記載のハイサイド駆動回路。
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