JP4616884B2 - 液浸式露光用液体、液浸式露光用液体の精製方法および液浸式露光方法 - Google Patents
液浸式露光用液体、液浸式露光用液体の精製方法および液浸式露光方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4616884B2 JP4616884B2 JP2007514767A JP2007514767A JP4616884B2 JP 4616884 B2 JP4616884 B2 JP 4616884B2 JP 2007514767 A JP2007514767 A JP 2007514767A JP 2007514767 A JP2007514767 A JP 2007514767A JP 4616884 B2 JP4616884 B2 JP 4616884B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- adsorbent
- immersion
- immersion exposure
- exposure liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Extraction Or Liquid Replacement (AREA)
Description
この方法は、露光時に、レンズと基板の間の少なくとも一部分に、空気や窒素ガスなどの気体よりも高屈折率の液体を介在させるものである。この液体の屈折率をnとすれば、液体中での露光光の波長は、空気や窒素ガスのみの従来のドライ露光法と比べて1/nになり、同じ露光波長の光源を用いても、入射角度をより大きくできて解像度を向上させることが可能で、DOFもより拡大できる。
また、より簡便な方法として、シリカゲルを用いて有機溶媒類を精製し、スペクトル測定用の溶媒とする方法は、過去にも例がある(非特許文献3)。
(1)ビシクロヘキシルを含む液浸式露光用液体をバッチ法により第1の吸着剤に接触させる工程と、
前記第1の吸着剤に接触させる前記工程の後、前記第1の吸着剤に接触させたビシクロヘキシルを含む液浸式露光用液体をカラムクロマトグラフィーにより第2の吸着剤に接触させる工程と、
を含み、
前記第1の吸着剤が活性炭であり、前記第2の吸着剤がシリカゲルまたはアルミナであり、
ビシクロヘキシルを99.5重量%以上含み、193nmの波長光に対する透過率が99%/mm以上の液浸式露光用液体を得る液浸式露光用液体の精製方法、
(2)(1)に記載の精製方法において、前記第1の吸着剤に接触させたビシクロヘキシルを含む液浸式露光用液体を第3の吸着剤に接触させる工程をさらに含み、ビシクロヘキシルを含む前記液浸式露光用液体を第1、第3および第2の吸着剤の順にそれぞれ接触させる液浸式露光用液体の精製方法、
(3)(2)に記載の精製方法において、前記第2の吸着剤がシリカゲルであり、前記第3の吸着剤がアルミナである液浸式露光用液体の精製方法、
(4)(2)または(3)に記載の精製方法において、ビシクロヘキシルを含む液浸式露光用液体をカラムクロマトグラフィーにより前記第3の吸着剤に接触させる液浸式露光用液体の精製方法、
(5)(2)乃至(4)いずれか1項に記載の精製方法において、ビシクロヘキシルを含む液浸式露光用液体を前記第2、第3の吸着剤に接触させるそれぞれの工程を第3の吸着剤に接触させる前記工程および第2の吸着剤に接触させる前記工程の順に複数回繰り返す液浸式露光用液体の精製方法、
(6)(1)乃至(4)いずれか1項に記載の精製方法において、前記ビシクロヘキシルを含む液浸式露光用液体を前記第2の吸着剤に接触させた後に第n(nは4以上の整数)の吸着剤に接触させる工程をさらに含む液浸式露光用液体の精製方法、
(7)(1)乃至(6)いずれか1項に記載の精製方法により得られた液浸式露光用液体を、基板上の感光性材料と露光用レンズで挟まれた空間に満たし、前記液浸式露光用液体を介して前記感光性材料を露光する液浸式露光方法、
(8)(1)乃至(6)いずれか1項に記載の精製方法により得られた液浸式露光用液体を脱気した後、基板上の感光性材料と露光用レンズで挟まれた空間に供給するステップと、
前記液浸式露光用液体を介して前記感光性材料を露光するステップと、
感光性材料を露光する前記ステップの後、前記液浸式露光用液体を回収するステップと、
回収した前記液浸式露光用液体を、少なくとも一種の吸着剤に接触させるステップと、を含み、
前記空間と前記吸着剤との間で前記液浸式露光用液体を循環させる液浸式露光方法、
(9)(1)乃至(6)いずれか1項に記載の精製方法により、液浸式露光用液体を得るステップと、
前記液浸式露光用液体を、脱気したのち基板上の感光性材料と露光用レンズで挟まれた空間に供給するステップと、
前記液浸式露光用液体を介して前記感光性材料を露光するステップと、
感光性材料を露光する前記ステップの後、前記液浸式露光用液体を回収するステップと、
回収した前記液浸式露光用液体を、再度前記第1および第2の吸着剤に接触させるステップと、
を含み、
前記空間と前記第1および第2の吸着剤との間で前記液浸式露光用液体を循環させる液浸式露光方法、
(10)(1)乃至(6)いずれか1項に記載の精製方法により得られた、ビシクロヘキシルを99.5重量%以上含む液浸式露光用液体、および
(11)(10)に記載の液浸式露光用液体を用いる液浸式露光方法
である。
以下、複数の吸着剤を用いた液浸式露光用液体の精製方法をさらに具体的に説明する。
吸着剤の具体的な組み合わせとしては、第1の吸着剤を活性炭とし、第2の吸着剤をシリカゲルまたはアルミナとする組み合わせが挙げられる。こうすることにより、飽和炭化水素化合物の純度および透過率をさらに確実に高めることができる。
さらに、四種以上の吸着剤に接触させる場合にも、三種以下の吸着剤を用いる場合と同様に、所定の吸着剤を適宜組み合わせることができる。
図1に示した露光装置においては、露光用の光源101からの出射光が、マスク102、投影光学系103、投影レンズ104および液浸液体105を経由して基板106の表面に照射される。マスク102は、光源101と投影光学系103との間に配置される。マスク102の像が、基板106上に投影され、露光される。
液浸液体105の供給系においては、液浸液体105を収容する液体蓄積槽113、液体蓄積槽113中の液浸液体105を下流側に供給する液送装置115、液浸液体105中の不純物を除去する液体精製装置109、および液浸液体105を脱気する脱気装置110が接続されている。液体蓄積槽113と液送装置115との間、および液送装置115と液体精製装置109との間は、液体循環配管114により接続されている。
基板制御部122は、基板106の位置を制御し、たとえば第1基板ステージ107および第2基板ステージ108の動作を制御する。
また、光学系制御部123は、光源101、投影光学系103等の光学系の動作を制御する。
測定部126は、たとえば液浸液体105の純度を測定する。また、測定部126が、液体の193nmにおける光透過率を測定してもよい。測定部126は、たとえば、液体精製装置109と脱気装置110との間の所定の位置に配置される。
記憶部127には、測定部126で測定される測定値の閾値(下限値)のデータが格納され、たとえば液浸液体105の純度、透過率または屈折率の閾値のデータが格納される。
なお、二種以上の吸着剤を用いた精製により飽和炭化水素化合物の純度および光透過率をさらに確実に向上させる観点では、液体蓄積槽113中の飽和炭化水素化合物の原料純度として60重量%以上が好ましく、より好ましくは80重量%以上、さらには95重量%以上が好ましい。
シリカゲル:和光純薬社製、ワコーゲルC−200
アルミナ:ICN社製、Alumina A、 Super−I
活性炭:Norit社製、RO、ペレット
トランス−デカヒドロナフタレン10重量部に1重量部の活性炭を加えて、室温で24時間撹拌した後、1重量部のシリカゲルを用いてろ過することにより、純度99.9重量%以上となり、193nmでの透過率97%/mm、屈折率1.64の高屈折率液体を得た。
シス-デカヒドロナフタレン10重量部に1重量部の活性炭を加えて、室温で24時間撹拌した後、1重量部のシリカゲルを用いてろ過することにより、純度99.9重量%以上となり、193nmでの透過率90%/mm、屈折率1.65の高屈折率液体を得た。
シクロオクタン10重量部に1重量部の活性炭を加えて、室温で24時間撹拌した後、1重量部のシリカゲルを用いてろ過することにより、純度99.9重量%以上となり、193nmでの透過率92%/mm、屈折率は1.61を得た。
2,3,10−トリメチルドデカン10重量部に1重量部の活性炭を加えて、室温で24時間撹拌した後、1重量部のシリカゲルを用いてろ過することにより、純度99.9重量%以上となり、193nmでの透過率91%/mm、屈折率1.60の高屈折率液体を得た。
n−ヘプタン10重量部に1重量部の活性炭を加えて、室温で24時間撹拌した後、1重量部のシリカゲルを用いてろ過することにより、純度99.9重量%以上となり、193nmでの透過率90%/mm、屈折率は1.52を得た。
シクロヘキサン10重量部に1重量部の活性炭を加えて、室温で24時間撹拌した後、1重量部のシリカゲルを用いてろ過することにより、純度99.9重量%以上となり、193nmでの透過率90%/mm、屈折率1.56を得た。
市販のビシクロヘキシル(アルドリッチ社製:透過率0%/mm)10重量部に1重量部の活性炭を加えて、室温で24時間撹拌した後、前段として0.5重量部のアルミナと後段として2重量部のシリカゲルを用いたカラムで3回吸着ろ過することにより、純度99.9重量%以上となり、193nmでの透過率99.2%/mm、屈折率1.64の高屈折率液体を得た。
市販のトランス−デカヒドロナフタレン(東京化成社製:透過率0%/mm)10重量部に1重量部の活性炭を加えて、室温で24時間撹拌した後、前段として0.5重量部のアルミナと後段として2重量部のシリカゲルを用いたカラムで3回吸着ろ過することにより、純度99.9重量%以上となり、193nmでの透過率98.2%/mm、屈折率1.64の高屈折率液体を得た。
実施例7で精製したビシクロヘキシル(透過率99.2%/mm)を、窒素下石英セルに入れて密栓し、シミュレーションとして、通常の露光条件である10mJ付近より二桁以上大きいエネルギー条件で、ArFエキシマレーザー(浜松ホトニクス社製L5837)を照射した(エネルギー総量6,000mJ、)。このサンプルの透過率を測定すると、96.7%/mmに低下した。これら10重量部に対して1重量部のシリカゲルを用いたカラムで吸着ろ過することにより、193nmでの透過率が99%/mm以上に回復した。
市販の純度99重量%トランス−デカヒドロナフタレン(東京化成製)では、193nmでの透過率が0%/mmであり、屈折率の測定はできなかった。
市販のトランス−デカヒドロナフタレン(透過率0.8%/mm)10重量部を、1重量部のシリカゲルを用いて吸着ろ過することにより、純度99.9重量%以上、屈折率1.64となったが、193nmでの透過率は65.1%/mmであった。
市販のトランス−デカヒドロナフタレン(透過率0.8%/mm)10重量部を、1重量部のアルミナを用いて吸着ろ過することにより、純度99.9重量%以上、屈折率1.64となったが、193nmでの透過率は71.5%/mmであった。
市販のトランス−デカヒドロナフタレン(透過率0.8%/mm)10重量部を、1重量部の活性炭を用いて吸着ろ過することにより、純度99重量%以上となり、193nmでの透過率69.8%/mm、屈折率1.64の高屈折率液体であった。
これに対し、実施例1〜8においては、複数の吸着剤に液体を接触させることにより、純度の向上によって、透過率を顕著に向上させることができた。
また、実施例9より、複数の吸着剤に接触させて精製した液体を露光後再精製する場合には、一種類の吸着剤に接触させた場合にも、透過率を向上させることができた。
Claims (11)
- ビシクロヘキシルを含む液浸式露光用液体をバッチ法により第1の吸着剤に接触させる工程と、
前記第1の吸着剤に接触させる前記工程の後、前記第1の吸着剤に接触させたビシクロヘキシルを含む液浸式露光用液体をカラムクロマトグラフィーにより第2の吸着剤に接触させる工程と、
を含み、
前記第1の吸着剤が活性炭であり、前記第2の吸着剤がシリカゲルまたはアルミナであり、
ビシクロヘキシルを99.5重量%以上含み、193nmの波長光に対する透過率が99%/mm以上の液浸式露光用液体を得る液浸式露光用液体の精製方法。 - 請求項1に記載の精製方法において、前記第1の吸着剤に接触させたビシクロヘキシルを含む液浸式露光用液体を第3の吸着剤に接触させる工程をさらに含み、ビシクロヘキシルを含む前記液浸式露光用液体を第1、第3および第2の吸着剤の順にそれぞれ接触させる液浸式露光用液体の精製方法。
- 請求項2に記載の精製方法において、前記第2の吸着剤がシリカゲルであり、前記第3の吸着剤がアルミナである液浸式露光用液体の精製方法。
- 請求項2または3に記載の精製方法において、ビシクロヘキシルを含む液浸式露光用液体をカラムクロマトグラフィーにより前記第3の吸着剤に接触させる液浸式露光用液体の精製方法。
- 請求項2乃至4いずれか1項に記載の精製方法において、ビシクロヘキシルを含む液浸式露光用液体を前記第2、第3の吸着剤に接触させるそれぞれの工程を第3の吸着剤に接触させる前記工程および第2の吸着剤に接触させる前記工程の順に複数回繰り返す液浸式露光用液体の精製方法。
- 請求項1乃至4いずれか1項に記載の精製方法において、前記ビシクロヘキシルを含む液浸式露光用液体を前記第2の吸着剤に接触させた後に第n(nは4以上の整数)の吸着剤に接触させる工程をさらに含む液浸式露光用液体の精製方法。
- 請求項1乃至6いずれか1項に記載の精製方法により得られた液浸式露光用液体を、基板上の感光性材料と露光用レンズで挟まれた空間に満たし、前記液浸式露光用液体を介して前記感光性材料を露光する液浸式露光方法。
- 請求項1乃至6いずれか1項に記載の精製方法により得られた液浸式露光用液体を脱気した後、基板上の感光性材料と露光用レンズで挟まれた空間に供給するステップと、
前記液浸式露光用液体を介して前記感光性材料を露光するステップと、
感光性材料を露光する前記ステップの後、前記液浸式露光用液体を回収するステップと、
回収した前記液浸式露光用液体を、少なくとも一種の吸着剤に接触させるステップと、を含み、
前記空間と前記吸着剤との間で前記液浸式露光用液体を循環させる液浸式露光方法。 - 請求項1乃至6いずれか1項に記載の精製方法により、液浸式露光用液体を得るステップと、
前記液浸式露光用液体を、脱気したのち基板上の感光性材料と露光用レンズで挟まれた空間に供給するステップと、
前記液浸式露光用液体を介して前記感光性材料を露光するステップと、
感光性材料を露光する前記ステップの後、前記液浸式露光用液体を回収するステップと、
回収した前記液浸式露光用液体を、再度前記第1および第2の吸着剤に接触させるステップと、
を含み、
前記空間と前記第1および第2の吸着剤との間で前記液浸式露光用液体を循環させる液浸式露光方法。 - 請求項1乃至6いずれか1項に記載の精製方法により得られた、ビシクロヘキシルを99.5重量%以上含む液浸式露光用液体。
- 請求項10に記載の液浸式露光用液体を用いる液浸式露光方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005128504 | 2005-04-26 | ||
JP2005128504 | 2005-04-26 | ||
PCT/JP2006/308722 WO2006115268A1 (ja) | 2005-04-26 | 2006-04-26 | 液浸式露光用液体、液浸式露光用液体の精製方法および液浸式露光方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2006115268A1 JPWO2006115268A1 (ja) | 2008-12-18 |
JP4616884B2 true JP4616884B2 (ja) | 2011-01-19 |
Family
ID=37214881
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007514767A Expired - Fee Related JP4616884B2 (ja) | 2005-04-26 | 2006-04-26 | 液浸式露光用液体、液浸式露光用液体の精製方法および液浸式露光方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090273768A1 (ja) |
JP (1) | JP4616884B2 (ja) |
KR (1) | KR100921040B1 (ja) |
TW (1) | TWI313485B (ja) |
WO (1) | WO2006115268A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4934043B2 (ja) * | 2005-08-29 | 2012-05-16 | 三井化学株式会社 | 液浸式ArFレーザー露光用液体および液浸式ArFレーザー露光方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI245163B (en) | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2006332206A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7826030B2 (en) * | 2006-09-07 | 2010-11-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7932019B2 (en) | 2006-11-13 | 2011-04-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Gettering members, methods of forming the same, and methods of performing immersion lithography using the same |
KR100883636B1 (ko) | 2006-11-13 | 2009-02-16 | 삼성전자주식회사 | 게더링 부재, 상기 게더링 부재의 형성방법 및 상기 게더링부재를 사용해서 이머젼 리써그래피 공정을 수행하는 방법 |
JP2009182328A (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-13 | Asml Holding Nv | 液浸リソグラフィ装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005079238A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Nikon Corp | 液浸用溶液及び液浸露光機システム |
JP2005101498A (ja) * | 2003-03-04 | 2005-04-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 液浸露光プロセス用浸漬液および該浸漬液を用いたレジストパターン形成方法 |
JP2005136374A (ja) * | 2003-10-06 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法 |
WO2005114711A1 (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-01 | Jsr Corporation | 液浸露光用液体および液浸露光方法 |
JP2005340397A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 液浸露光プロセス用浸漬液および該浸漬液を用いたレジストパターン形成方法 |
WO2006080250A1 (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-03 | Jsr Corporation | 液浸型露光システム、液浸型露光用液体のリサイクル方法及び供給方法 |
JP2006210542A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Jsr Corp | 液浸露光用液体の製造方法およびリサイクル方法 |
JP2008502154A (ja) * | 2004-06-01 | 2008-01-24 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 紫外線透過性アルカンと、これを真空用途および深紫外線用途に利用する方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6205813B1 (en) * | 1999-07-01 | 2001-03-27 | Praxair Technology, Inc. | Cryogenic rectification system for producing fuel and high purity methane |
US20050161644A1 (en) * | 2004-01-23 | 2005-07-28 | Peng Zhang | Immersion lithography fluids |
US20060223053A1 (en) * | 2004-11-09 | 2006-10-05 | Roper D K | Direct measurement of sorption on three-dimensional surfaces such as resins, membranes or other preformed materials using lateral dispersion to estimate rapid sorption kinetics or high binding capacities |
JP2006261607A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Canon Inc | 液浸露光装置、液浸露光方法及びデバイス製造方法。 |
US20090130604A1 (en) * | 2005-08-29 | 2009-05-21 | Mitsui Chemicals, Inc. | Solution for immersion exposure and immersion exposure method |
-
2006
- 2006-04-26 US US11/919,245 patent/US20090273768A1/en not_active Abandoned
- 2006-04-26 KR KR1020077027326A patent/KR100921040B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-04-26 TW TW095114854A patent/TWI313485B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-04-26 WO PCT/JP2006/308722 patent/WO2006115268A1/ja active Application Filing
- 2006-04-26 JP JP2007514767A patent/JP4616884B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005101498A (ja) * | 2003-03-04 | 2005-04-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 液浸露光プロセス用浸漬液および該浸漬液を用いたレジストパターン形成方法 |
JP2005079238A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-24 | Nikon Corp | 液浸用溶液及び液浸露光機システム |
JP2005136374A (ja) * | 2003-10-06 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法 |
WO2005114711A1 (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-01 | Jsr Corporation | 液浸露光用液体および液浸露光方法 |
JP2005340397A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 液浸露光プロセス用浸漬液および該浸漬液を用いたレジストパターン形成方法 |
JP2008502154A (ja) * | 2004-06-01 | 2008-01-24 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 紫外線透過性アルカンと、これを真空用途および深紫外線用途に利用する方法 |
WO2006080250A1 (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-03 | Jsr Corporation | 液浸型露光システム、液浸型露光用液体のリサイクル方法及び供給方法 |
JP2006210542A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Jsr Corp | 液浸露光用液体の製造方法およびリサイクル方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4934043B2 (ja) * | 2005-08-29 | 2012-05-16 | 三井化学株式会社 | 液浸式ArFレーザー露光用液体および液浸式ArFレーザー露光方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20080014976A (ko) | 2008-02-15 |
TW200644080A (en) | 2006-12-16 |
JPWO2006115268A1 (ja) | 2008-12-18 |
US20090273768A1 (en) | 2009-11-05 |
KR100921040B1 (ko) | 2009-10-08 |
WO2006115268A1 (ja) | 2006-11-02 |
TWI313485B (en) | 2009-08-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4616884B2 (ja) | 液浸式露光用液体、液浸式露光用液体の精製方法および液浸式露光方法 | |
JP3969457B2 (ja) | 液浸露光用液体および液浸露光方法 | |
WO2006080250A1 (ja) | 液浸型露光システム、液浸型露光用液体のリサイクル方法及び供給方法 | |
EP1803036A2 (en) | Projection exposure apparatus for microlithography | |
JP2006222186A (ja) | 液浸露光用液体およびその製造方法 | |
JP4934043B2 (ja) | 液浸式ArFレーザー露光用液体および液浸式ArFレーザー露光方法 | |
JP4687334B2 (ja) | 液浸露光用液体および液浸露光方法 | |
JP4830303B2 (ja) | 液浸露光用液体の製造方法およびリサイクル方法 | |
JP2007081099A (ja) | 液浸露光用液体および液浸露光方法 | |
JP2006210782A (ja) | 液浸露光用液体および液浸露光方法 | |
JP2006173295A (ja) | 液浸型露光装置及び液浸型露光方法 | |
US20070156003A1 (en) | Method for producing saturated hydrocarbon compound | |
JP2008263106A (ja) | 液浸型露光用液体のリサイクル方法 | |
JP2009215265A (ja) | ビシクロヘキシルの製造方法 | |
JP2007182436A (ja) | 飽和炭化水素化合物の製造方法 | |
JP2009023967A (ja) | 脂環式飽和炭化水素化合物の製造方法 | |
JP2007067011A (ja) | 液浸露光用液体および液浸露光方法 | |
JP2009209051A (ja) | ビシクロヘキシルの製造方法 | |
JP2008098334A (ja) | 液浸露光用液体およびその製造方法 | |
JP2009013120A (ja) | ビシクロヘキシルの製造方法 | |
JP2007317854A (ja) | 液浸露光プロセス用液体および該液体を用いたレジストパターン形成方法 | |
JP2008047705A (ja) | 液浸露光用液体および液浸露光方法 | |
JP2009018996A (ja) | 1,1’−ビシクロヘキシルの製造方法 | |
JP2007258664A (ja) | 液浸露光用液体および液浸露光方法 | |
JP2008306072A (ja) | 液浸露光用液体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100622 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100820 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101019 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101022 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131029 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |