JP4604096B2 - 荷電粒子線装置 - Google Patents
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Description
2 ウェーネルト
3 アノード
4,5 電子銃軸調整用偏向コイル
6a〜c 照射レンズコイル
7 照射系レンズ非点補正用コイル
8,9 照射系軸調整用偏向コイル
10 試料
11 対物レンズコイル
12 対物レンズ非点補正用コイル
13 イメージシフト用偏向コイル
14a,b 結像レンズコイル
15 蛍光板
16 撮像用光電変換素子
17 CCDカメラ
18a〜n 電源
19a〜l DAC
20a,b ADC
21a〜f インターフェース
22a,b マイクロプロセッサ
23a,b 記憶装置
24a〜d コミュニケーションインターフェース
25 演算装置
26 PC
27 モニター
28 アノード可動用入力手段
29 電子線偏向用入力手段
30 電子線量入力手段
31 フィラメント電源
32 バイアス用抵抗
33 高圧発生電源
34 バイアス電源
35 センサー
36 アノード可動機構
37 可動機構電源
38 アノード支持台
39 リニアアクチエーター
40 ウォームギア
41 モータ
42 ロータリーエンコーダ
43 エアーシリンダー
44a,b パイプ
45 キーボード
46 マウス
47a,b バス
48a,b 増幅器
Claims (11)
- 荷電粒子を放出する荷電粒子源を備えたカソードと、放出された荷電粒子に電界を加えるアノードと、
アノードを通過した荷電粒子線の軌道を偏向させる荷電粒子線偏向器と、荷電粒子が照射された試料からの荷電粒子線を検出する荷電粒子線検出器と、を備え、
前記カソードに印加される電圧の大きさに対応して予め設定された前記アノードの移動量で前記カソードと前記アノードとの間の距離が変更される距離変更機構と、
記憶装置に予め記憶されている前記アノードの位置ごとに調整した前記荷電粒子線偏向器のデータを呼出し、前記変更された距離において前記荷電粒子線偏向器のデータに基づき前記荷電粒子線を偏向させて走査された前記試料から検出される荷電粒子線量が所望の大きさになる前記荷電粒子線偏向器の条件を検出し、前記条件に基づいて所定のアノード位置になるまで前記アノードの移動と検出される前記荷電粒子線量がつねに最大になるように前記荷電粒子線偏向器の偏向を繰返し制御する偏向量制御機構とを備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 電子を放出する電子源を備えたカソードと、放出された電子に電界を加えるアノードと、アノードを通過した電子線の軌道を偏向させる電子線偏向器と、電子が照射された試料からの電子線を検出する電子線検出器と、を備え、
前記カソードに印加する設定電圧の変更に対応して予め設定された前記アノードの移動量で前記カソードと前記アノードとの間の距離が変更される距離変更機構と、
記憶装置に予め記憶されている前記アノードの位置ごとに調整した前記電子線偏向器のデータを呼出し、前記変更された距離において前記電子線偏向器のデータに基づき前記電子線を偏向させて走査された前記試料から検出される電子線量が所望の大きさになる前記電子線偏向器の偏向量を検出し、前記偏向量に基づいて所定のアノード位置になるまで前記アノードの移動と検出される前記電子線量がつねに最大になるように前記電子線偏向器の偏向を繰返し制御するとともに、前記電子線の軸ずれの修正量を記憶する偏向量制御機構とを備え、前記修正量に基づいて試料の測定をおこなうことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1において、前記距離変更機構はアノード位置を変更するアノード位置変更機構を備え、アノード位置に対応した荷電粒子線偏向器の条件データを格納する記憶部と、前記記憶部より格納したデータを呼出す読出し手段と呼出されたデータを荷電粒子線偏向器へ出力する出力手段を有し、
前記偏向量制御機構は、前記呼出されたデータを基に電子線偏向器の出力を変更して前記条件を検出し、前記検出した条件を記憶部に格納することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1において、前記距離変更機構はアノード位置を変更するアノード位置変更機構を備え、アノード位置を任意の位置に移動させるための入力手段を設け、
該入力手段からの信号に応じてアノード位置を可動できるように構成したことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1において、前記カソードに印加する電圧を設定する入力手段を有し、前記設定された電圧の大きさに対応して前記アノード位置が変更されることを特徴とする荷電粒子線装置。
- 請求項1において、
前記荷電粒子源と前記アノードとの間に設置されるウェーネルトと、荷電粒子線源から放出される荷電粒子線量を設定する入力手段を有し、
前記設定された荷電粒子線量に対応して、前記アノード位置と、前記ウェーネルトに印加する電圧或は前記荷電粒子線源に印加する電圧また前記両電圧と制御することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1において、前記荷電粒子線源から放出される荷電粒子線量を検出する手段を設け、
該検出された荷電粒子線量に応じてアノード位置を変更し、放出される電子線量を制御できるように構成したことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1において、荷電粒子線検出器からの検出情報に基づき荷電粒子線像を形成する像形成手段を有し、撮像した画像強度に応じてアノード位置を変更し、放出される荷電粒子線量を制御できるように構成したことを特徴とする荷電粒子線装置。
- 請求項1において、前記荷電粒子線は電子線であることを特徴とする荷電粒子線装置。
- 荷電粒子を放出する荷電粒子源を備えたカソードと、放出された荷電粒子に電界を加えるアノードとアノードを通過した荷電粒子線の軌道を偏向させる荷電粒子線偏向器と、荷電粒子が照射された試料からの荷電粒子線を検出する荷電粒子線検出器と、を備えた荷電粒子線装置の運転方法であって、
前記カソードに印加される電圧の大きさに対応して予め設定された前記アノードの移動量で前記カソードと前記アノードとの間の距離を変更し、
記憶装置に予め記憶されている前記アノードの位置ごとに調整した前記荷電粒子線偏向器のデータを呼出し、前記変更した距離において前記荷電粒子線偏向器のデータに基づき前記荷電粒子線を偏向させて前記試料を走査して、前記試料から検出される荷電粒子線量が所望の大きさになる前記荷電粒子線偏向器の条件を検出し、前記条件に基づいて所定のアノード位置になるまで前記アノードの移動と検出される前記荷電粒子線量がつねに最大になるように前記荷電粒子線偏向器の偏向を繰返し制御することを特徴とする荷電粒子線装置の運転方法。 - 電子を放出する電子源を備えたカソードと、放出された電子に電界を加えるアノードと、アノードを通過した電子線の軌道を偏向させる電子線偏向器と、電子が照射された試料からの電子線を検出する電子線検出器と、を備えた荷電粒子線装置の運転方法であって、
前記カソードに印加する設定電圧の変更に対応して予め設定された前記アノードの移動量で前記カソードと前記アノードとの間の距離を変更し、
記憶装置に予め記憶されている前記アノードの位置ごとに調整した前記電子線偏向器のデータを呼出し、前記変更した距離において前記電子線偏向器のデータに基づき前記電子線を偏向させて前記試料を走査して、前記試料から検出される電子線量が所望の大きさになる前記電子線偏向器の偏向量を検出し、前記偏向量に基づいて所定のアノード位置になるまで前記アノードの移動と検出される前記電子線量がつねに最大になるように前記電子線偏向器の偏向を繰返し制御するとともに、前記電子線の軸ずれを修正して、試料の測定をおこなうことを特徴とする荷電粒子線装置の運転方法。
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