JP4603168B2 - 単結晶を製造するための装置 - Google Patents
単結晶を製造するための装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4603168B2 JP4603168B2 JP2000606812A JP2000606812A JP4603168B2 JP 4603168 B2 JP4603168 B2 JP 4603168B2 JP 2000606812 A JP2000606812 A JP 2000606812A JP 2000606812 A JP2000606812 A JP 2000606812A JP 4603168 B2 JP4603168 B2 JP 4603168B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- single crystal
- furnace
- temperature
- designed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/003—Heating or cooling of the melt or the crystallised material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/42—Gallium arsenide
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1068—Seed pulling including heating or cooling details [e.g., shield configuration]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1076—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1076—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone
- Y10T117/1088—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone including heating or cooling details
Description
この発明は単結晶を製造するための装置に関する。この発明は特に、たとえばガリウム砒素の単結晶など、たとえばIII−V材料などのさまざまな材料の単結晶を製造するための装置に関する。
【0002】
たとえばガリウム砒素単結晶など、たとえばIII−V材料などのさまざまな材料の単結晶を製造するためによく知られる装置は一般的に複数の温度ゾーンファーネスを含み、それらはDE−OS−38 39 97号ならびに米国特許US4,086,424号、US4,423,516号およびUS4,518,351号などに記載される。
【0003】
これらの複数の温度ゾーンファーネスは金属熱導体のみではなく、炭素を含む加熱導体からなっていてもよい。いわゆる複数ゾーン管ファーネスは、結晶生長に適した温度フィールドの可変性の構造およびそのファーネスの回転軸に沿った変位を可能にする。
【0004】
しかし、この種の装置は軸方向だけでなく放射状の熱流によって特徴付けられ、これは生長速度を変化させて、好ましくない相間溶融結晶の形成に導くおそれがある。
【0005】
加えて、マルチゾーンまたは複数の温度ゾーンファーネスはさまざまな熱構造部材で構成されており、これはメンテナンス作業のための解体および組立にかなりの費用を必要とする。ゾーンの数が増加すると自動化の量が増加し、それによってマルチゾーンファーネスの故障発生度も増加する。
【0006】
特に、たとえば2″、3″、100mm、125mm、150mm、200mm、およびそれ以上などの大きい直径の単結晶を製造するためには、結晶中の放射状の熱流が等温線に、すなわちそれぞれ垂直または軸方向の相間溶融単結晶に影響するという問題がある。
【0007】
請求項1の特徴に従った装置は、ジャーナル・オブ・クリスタル・グロウス、NL、ノースホランド・パブリッシング社、アムステルダム、166巻、1/4号、1996年9月1日、566−571頁からよく知られる。
この発明の課題は、熱制御がほぼ排他的に軸方向であるような、たとえばガリウム砒素など、特にさまざまなIII−V材料の単結晶を製造するための装置を提供することである。
【0008】
この課題は請求項1に記載の装置によって解決される。
従属請求項においてさらなる発展形が示される。
【0009】
この装置は、一様な軸方向の熱流が保証され、かつ事実上熱が放射状の方向に全く流出できない、すなわち上側および下側の加熱プレートならびに中間部分において放射状に一様な温度が得られるという利点を有する。
【0010】
その他の構成要素および便宜は、図1による設計例の説明に見ることができる。
【0011】
単結晶を製造するための装置は円筒形のファーネス1を有し、それはフロアヒータ2として下側の加熱プレートと、カバーヒータ3として上側の加熱プレートとを有する。この高温の熱伝導プレート(たとえばCFC)は円形の断面を有する。フロアヒータ2およびカバーヒータ3の直径は製造される結晶の直径の1.5から2倍以上であり、それによって特に電流供給の非軸対称の影響によって起こされるシステム中での放射状の熱流がなくなる。フロアヒータ2とカバーヒータ3との間隔は、その間に結晶生長のための坩堝4を置けるように寸法取りされる。
【0012】
図示されない制御器具が企図され、それによってフロアヒータ2およびカバーヒータ3を始動できることにより、カバーヒータ3をほぼ処理される材料の溶融温度において保ち、フロアヒータ2をそれより少し低い温度に保つことができる。加えてコントローラは、フロアヒータ2の温度がカバーヒータの温度に比べて生長プロセスにおいて継続的に減少可能であるよう設計され、それによって坩堝4中の原材料の溶融物は底部から頂部へと継続的に硬化できる。
【0013】
加えて円筒形のファーネス1は、たとえばファーネスの円筒形の境界壁に形成されるジャケットヒータ5を有する。そこには企図された制御器具があり、これはジャケットヒータ5を坩堝中の原材料の溶融点に近い温度に保ち得るように設定される。
【0014】
放射状の方向における熱の流れを防ぐために、ファーネス1は断熱性の材料で作られる軸対称の断熱材6を付加的に有する。断熱材6は、頂部および底部が開いた同軸の円筒形の内部を有する先細になった本体の形を有する。したがって断熱材6の外壁7は先端を切った円錐のような形であり、内壁8は円筒のような形である。断熱材6は、先細になった端部8がフロアヒータ2の方向にあり、かつ先細になった端部と反対側の端部がカバーヒータ3の方向にあるような態様でファーネス中に配置される。断熱材の内側の直径は、そこに挿入される坩堝4の直径よりも大きい。この断熱材はグラファイトでできていることが好ましい。この熱伝導プロファイル6の、中空の先端を切った円錐形によって、主ヒータを通じた温度の方位角の補償に寄与する熱伝導プロファイルとジャケットヒータ5との間の自由放射空間9ができる。
【0015】
前述のファーネス1における断熱材6の設計および配置は、坩堝4中の原材料の溶融物とジャケットヒータ5との間の放射状の方向をカバーヒータ3からフロアヒータ2に移動する断熱を減少させる。
【0016】
動作上の目的のために、結晶核を含有する坩堝4がファーネスの中に置かれる。次いで三酸化二ホウ酸B2O3および多結晶ガリウム砒素が加えられる。次いでジャケットヒータ5を始動させて、反応空間を加熱して作業温度にし、かつ固体の供給材料を溶融させるために十分な温度にする。加えられた多結晶ガリウム砒素は溶融してガリウム砒素溶融物10を形成し、また溶融したB2O3でできた被覆溶融物11に覆われることによってガリウム砒素と坩堝の壁との接触が防がれる。
【0017】
生長プロセスは以下のように行なわれる。カバーヒータ3は約1300℃の温度にされ、フロアヒータ2は約1200℃の温度にされる。カバーヒータ3とフロアヒータ2との間に温度勾配が形成され、これは事実上2つの無限に平行な水平プレートの間に見られる温度勾配である。次にフロアヒータの温度を継続的に減少させることによって、坩堝4中の溶融物11を底部から頂部へと均一に結晶化させる。カバーヒータ3の温度に対するフロアヒータ2の温度を制御および/または調節することによって、2つのヒータの間の溶融等温線の垂直位置を移動させることが可能であり、したがって結晶化を制御できる。システム全体のエネルギレベルが減少するため、ジャケットヒータを通じて補償される放射状の損失を減少させることを確実にするために、プロセス時間においてジャケットヒータをわずかに訂正して理想的な軸方向の温度を維持することが必要である。
【0018】
ジャケットヒータ5は全体の熱損失を補償し、放射状の熱流を防ぐ働きをする。断熱材6を通じて、カバーヒータ3の領域における放射状の方向の高レベルの断熱が達成され、フロアヒータ2の領域における放射状の方向のより低いレベルの断熱が達成される。このことは、結晶化プロセスにおけるファーネスの回転軸に平行な軸方向の熱流を保証する。
【0019】
結晶化プロセスおよびその後における反応容器中の等温線の形成は、この態様においてあらゆる形で可能である。目標にされる等温線の形は、カバーヒータ3およびフロアヒータ2の間の反応空間の高さ全体にわたる厳密に軸方向の熱流を通じて置き換えられてもよい。
【0020】
この発明に従った装置は、2″、3″、100mm、125mm、150mm、200mm、およびそれ以上の直径を有するたとえばガリウム砒素など、大きい直径を有する異なるIII−V材料の単結晶の製造を可能にする。
【0021】
製造される単結晶に依存して、たとえばその材料または直径に関して、断熱材6は中空の円筒として設計されてもよい。そのねらいは単に、厳密に軸方向の熱流を保証し、かつ放射状の方向への熱の流出を防ぐことである。この態様で、時間単位当りの一定の速度の結晶生長を得るという目標に到達できる。
【0022】
変更形においては、熱伝導円筒6は先細になった円錐の形ではなく、所望の軸方向の等温線コースが達成されるように成形される。ここではあらゆる特定の形が考えられ、所望の等温線コースによって算出される。材料の形および材料のタイプを通じて、あらゆるタイプの所望の熱流を設計できる。この態様で、時間単位当り一定の速度の結晶生長を得るという目標に到達できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 垂直に延在する回転軸Mを有する、この発明に従った装置の概略的な断面図である。
Claims (13)
- 製造される単結晶の原材料の溶融物からの生長によって単結晶を製造するための装置であって、
原材料の溶融物内に温度勾配を生じさせるための加熱器具(1)を有し、前記加熱器具(1)は回転軸(M)を有する軸対称のファーネス(1)を有し、前記ファーネスは異なる温度に制御可能な本質的に水平なフロアヒータ(2)と本質的に水平なカバーヒータ(3)とを有し、さらにファーネス(1)の回転軸(M)に垂直な放射状の方向における熱流を予め設定した速度に制限できる態様で設定される断熱装置が企図され、前記断熱装置(6)はその断熱効果をカバーヒータ(3)からフロアヒータ(2)に向けて減少させるよう設計されることを特徴とする、装置。 - ファーネスは円筒形に設計され、フロアヒータ(2)の温度をカバーヒータの温度に比べて減少できるよう設計されるコントローラを有することを特徴とする、請求項1に記載の装置。
- 頂部と底部とが開いた共軸の円筒形の中空空間を有する先細になった円錐体として設計され、かつ先細になった端部がフロアヒータ(2)に向けられる態様でファーネス(1)中に置かれる断熱装置(6)を特徴とする、請求項1または2に記載の装置。
- ファーネス(1)はジャケットヒータ(5)を有することを特徴とする、請求項1から3のいずれかに記載の装置。
- 断熱装置(6)が軸対称の形を有することを特徴とする、請求項1から4のいずれかに記載の装置。
- 第1のヒータ(2)および第2のヒータ(3)の間の本質的に一様かつ一定の温度勾配とともに、製造される単結晶の放射状の断面にわたって本質的に一様の温度を生じ得るように上記ヒータの加熱面を設定することを特徴とする、請求項1から5のいずれかに記載の装置。
- 製造される単結晶の断面領域の少なくとも1.5倍である各ヒータ(2、3)の表面の大きさが設定されることを特徴とする、請求項6に記載の装置。
- 第1の水平なヒータ(2)の温度を第2の水平なヒータ(3)に対して継続的に低くできるよう設計されるコントローラを特徴とする、請求項2から7のいずれかに記載の装置。
- 前記ヒータの間隔は製造される単結晶の長さよりも大きいことを特徴とする、請求項1から8のいずれかに記載の装置。
- グラファイトで作られた断熱装置を特徴とする、請求項1から9のいずれかに記載の装置。
- 第1のヒータ(2)と第2のヒータ(3)との間に置かれた、製造される単結晶の原材料の溶融物を受取るための坩堝(4)が与えられることを特徴とする、請求項1から10のいずれかに記載の装置。
- 前記装置はIII−V複合半導体から単結晶を製造するための装置であることを特徴とする、請求項1から11のいずれかに記載の装置。
- 前記装置はガリウム砒素から単結晶を製造するための装置であることを特徴とする、請求項1から12のいずれかに記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19912484.1 | 1999-03-19 | ||
DE19912484A DE19912484A1 (de) | 1999-03-19 | 1999-03-19 | Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen |
PCT/EP2000/002349 WO2000056954A1 (de) | 1999-03-19 | 2000-03-16 | Vorrichtung zur herstellung von einkristallen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002540051A JP2002540051A (ja) | 2002-11-26 |
JP4603168B2 true JP4603168B2 (ja) | 2010-12-22 |
Family
ID=7901693
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000606812A Expired - Lifetime JP4603168B2 (ja) | 1999-03-19 | 2000-03-16 | 単結晶を製造するための装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6712904B1 (ja) |
EP (1) | EP1147248B1 (ja) |
JP (1) | JP4603168B2 (ja) |
DE (2) | DE19912484A1 (ja) |
WO (1) | WO2000056954A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10010484A1 (de) | 2000-03-03 | 2001-09-13 | Schott Glas | Verfahren und Vorrichtung zur Züchtung von großvolumigen orientierten Einkristallen |
DE102005037393B4 (de) * | 2005-08-08 | 2010-10-28 | Schott Ag | Verfahren sowie Vorrichtung zur Züchtung von grossvolumigen Einkristallen unter Ausbildung einer konvexen Phasengrenzfläche während des Kristallisationsprozesses |
JP2007261846A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Sumco Techxiv株式会社 | 無欠陥のシリコン単結晶を製造する方法 |
DE102006017621B4 (de) * | 2006-04-12 | 2008-12-24 | Schott Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von multikristallinem Silizium |
DE102007026298A1 (de) * | 2007-06-06 | 2008-12-11 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Anordnung und Verfahren zur Herstellung eines Kristalls aus der Schmelze eines Rohmaterials sowie Einkristall |
JP2009149452A (ja) * | 2007-12-18 | 2009-07-09 | Hitachi Cable Ltd | 半導体結晶成長方法 |
JP5526666B2 (ja) | 2009-09-08 | 2014-06-18 | 国立大学法人信州大学 | サファイア単結晶の製造装置 |
US9352389B2 (en) | 2011-09-16 | 2016-05-31 | Silicor Materials, Inc. | Directional solidification system and method |
TWI643983B (zh) | 2013-03-14 | 2018-12-11 | 美商希利柯爾材料股份有限公司 | 定向凝固系統及方法 |
US10633759B2 (en) * | 2013-09-30 | 2020-04-28 | Gtat Corporation | Technique for controlling temperature uniformity in crystal growth apparatus |
EP3604633B1 (en) * | 2017-09-21 | 2024-02-21 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semi-insulating gallium arsenide crystal substrate |
JP6900967B2 (ja) * | 2017-09-21 | 2021-07-14 | 住友電気工業株式会社 | 半絶縁性ヒ化ガリウム結晶基板 |
DE102017217022A1 (de) | 2017-09-26 | 2019-03-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung von Kristallmaterialien |
CN111534857A (zh) * | 2020-07-01 | 2020-08-14 | 山东圆坤电子科技有限公司 | 一种产生大温度梯度的炉子 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2281718A (en) * | 1938-08-05 | 1942-05-05 | John T Scully | Method of casting metal ingots and apparatus therefor |
US3204301A (en) * | 1960-10-24 | 1965-09-07 | M C Flemings Jr | Casting process and apparatus for obtaining unidirectional solidification |
US4086424A (en) * | 1977-03-31 | 1978-04-25 | Mellen Sr Robert H | Dynamic gradient furnace and method |
US4423516A (en) | 1982-03-22 | 1983-12-27 | Mellen Sr Robert H | Dynamic gradient furnace with controlled heat dissipation |
US4518351A (en) * | 1982-03-22 | 1985-05-21 | Mellen Sr Robert H | Method of providing a dynamic temperature gradient |
DE3220285A1 (de) * | 1982-05-28 | 1983-12-01 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum herstellen polykristalliner, fuer nachfolgendes zonenschmelzen geeigneter siliciumstaebe |
DE3323896A1 (de) | 1983-07-02 | 1985-01-17 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Verfahren und vorrichtung zum gerichteten erstarren von schmelzen |
US4824519A (en) * | 1987-10-22 | 1989-04-25 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for single crystal pulling downwardly from the lower surface of a floating melt |
US5116456A (en) * | 1988-04-18 | 1992-05-26 | Solon Technologies, Inc. | Apparatus and method for growth of large single crystals in plate/slab form |
DE3839970A1 (de) | 1988-11-26 | 1990-05-31 | Linn Elektronik Gmbh | Ofen mit einem dynamischen temperaturgradienten |
JP3006147B2 (ja) * | 1991-05-23 | 2000-02-07 | 株式会社ニコン | 大口径の蛍石単結晶の製造装置 |
JP3042097B2 (ja) * | 1991-11-18 | 2000-05-15 | 住友電気工業株式会社 | 単結晶の育成装置及び育成方法 |
JP3533812B2 (ja) * | 1996-02-14 | 2004-05-31 | 信越半導体株式会社 | チョクラルスキー法による結晶製造装置、結晶製造方法、およびこの方法から製造される結晶 |
JP3567662B2 (ja) * | 1997-01-17 | 2004-09-22 | 日立電線株式会社 | 単結晶成長方法及びその装置 |
JP3520957B2 (ja) * | 1997-06-23 | 2004-04-19 | シャープ株式会社 | 多結晶半導体インゴットの製造方法および装置 |
JP3988217B2 (ja) * | 1997-09-09 | 2007-10-10 | 株式会社ニコン | 大口径蛍石の製造装置および製造方法 |
JPH11310496A (ja) * | 1998-02-25 | 1999-11-09 | Mitsubishi Materials Corp | 一方向凝固組織を有するシリコンインゴットの製造方法およびその製造装置 |
-
1999
- 1999-03-19 DE DE19912484A patent/DE19912484A1/de not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-03-16 EP EP00922527A patent/EP1147248B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-16 WO PCT/EP2000/002349 patent/WO2000056954A1/de active IP Right Grant
- 2000-03-16 US US09/937,107 patent/US6712904B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-16 JP JP2000606812A patent/JP4603168B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-16 DE DE50000523T patent/DE50000523D1/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1147248A1 (de) | 2001-10-24 |
US6712904B1 (en) | 2004-03-30 |
JP2002540051A (ja) | 2002-11-26 |
EP1147248B1 (de) | 2002-09-18 |
WO2000056954A1 (de) | 2000-09-28 |
DE50000523D1 (de) | 2002-10-24 |
DE19912484A1 (de) | 2000-09-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4603168B2 (ja) | 単結晶を製造するための装置 | |
SU1433420A3 (ru) | Холодный тигель | |
CN202380122U (zh) | 硅熔体连续加注的直拉硅单晶生长炉 | |
CN102418140A (zh) | 硅熔体连续加注的直拉硅单晶生长炉及其方法 | |
KR101657018B1 (ko) | SiC 단결정의 제조 장치 및 SiC 단결정의 제조 방법 | |
US5394825A (en) | Method and apparatus for growing shaped crystals | |
CN1847468A (zh) | 大直径单晶的制备方法和装置 | |
CN102517624A (zh) | 一种多段控温晶体生长炉 | |
JPH02199028A (ja) | 材料の溶融方法および装置 | |
KR20110094025A (ko) | 단결정 제조용 상부히터, 단결정 제조장치 및 단결정 제조방법 | |
CN111041558B (zh) | 一种稀土倍半氧化物激光晶体生长方法 | |
US7326297B2 (en) | Device for the production of crystal rods having a defined cross-section and column-shaped polycrystallization structure by means of floating-zone continuous crystallization | |
DE10239104B4 (de) | Kristallzüchtungsofen, nämlich Vertical-Bridgman- oder Vertical-Gradient-Freeze-Kristallzüchtungsofen mit einem Mantelheizer und Verfahren zur Regelung der Heizleistung des Mantelheizers | |
JP2010024123A (ja) | シリコン融液の供給装置およびこれを備えたシリコン単結晶の育成装置 | |
US7077905B2 (en) | Apparatus for pulling a single crystal | |
CN114481329B (zh) | 全向多段加热控制的碲锌镉晶体生长炉及晶体生长方法 | |
US20110100978A1 (en) | Apparatus for shaping melts comprising inorganic oxides or minerals with an improved heating device | |
KR100428699B1 (ko) | 수직-수평 온도구배를 갖는 대형 결정 육성장치 및 그육성방법 | |
US3508900A (en) | Quartz melting and tube forming furnace | |
JPS6046073B2 (ja) | 半導体単結晶の製造方法 | |
KR20220093353A (ko) | n형 도펀트로 도핑된 실리콘 단결정의 제조 방법 및 제조 장치 | |
JP2000007496A (ja) | シリコン単結晶の引上げ装置及びその引上げ方法 | |
GB2475303A (en) | A method and apparatus for melting material | |
JP2007031235A (ja) | 単結晶製造装置 | |
RU2689944C1 (ru) | Способ и устройство для производства непрерывного минерального волокна |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20040518 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20040521 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040525 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061107 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100401 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100427 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100708 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100907 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101001 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131008 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4603168 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |