SU1433420A3 - Холодный тигель - Google Patents
Холодный тигель Download PDFInfo
- Publication number
- SU1433420A3 SU1433420A3 SU843741047A SU3741047A SU1433420A3 SU 1433420 A3 SU1433420 A3 SU 1433420A3 SU 843741047 A SU843741047 A SU 843741047A SU 3741047 A SU3741047 A SU 3741047A SU 1433420 A3 SU1433420 A3 SU 1433420A3
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- crucible
- melt
- container
- wall
- induction coil
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
- C30B15/305—Stirring of the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
- C30B15/18—Heating of the melt or the crystallised materials using direct resistance heating in addition to other methods of heating, e.g. using Peltier heat
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/28—Complex oxides with formula A3Me5O12 wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1032—Seed pulling
- Y10T117/1052—Seed pulling including a sectioned crucible [e.g., double crucible, baffle]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к холодному тиглю дл плавки и кристаллиза- ции неорганических соедин-ений методом гарнисажа и обеспечивает увеличение размеров монокристаллов. Тигель выполнен в форме металлических охлаждаемых изнутри трубок, образующих его стенки. Тигель имеет охлажденное дно из диэлектрического материала, на котором установлен электропроводный элемент, инертный к расплаву. Внутри тигл соосно с ним установлен кон-, тейнер в форме полого цилинд а с дном в виде обратного конуса, который имеет отверстие. Снаружи вокруг стенок тигл и под его дном расположены независимые индукционные катушки . В тигле выращены кристаллы ,. диаметром 40 мм и длиной 60 мм, а также кристаллы NaCl диаметром 18 мм и длиной 190 мм. 2з.п. ф-лы, 3 ил. с S СО
Description
Изобретение относитс к холодному (иглю дл плавки и кристаллизации неорганических соединений методом Г арнисажной плавки.
Цель изобретени - увеличение раз- меров монокристаллов.
На фиг. 1 показан тигель, общий , п разрезе; на фиг. 2 - установленный в тигле контейнер с отверсти- liM в дне, разрез; на фиг„ 3 - то же, с отверсти ми в боковых стенках :л дне. .
Тигель выполнен из металлических грубок с двойными стенками предпочти- рельно медных, по поторым течет ох пажденна среда (вода) и которые изогнуты под пр мым углом и установлены по кругу. Нарзгжные трубки 1 ; мек1Т зазор 0,3 мм и запа ны с ниж- лего конца. Поверхность трубок 1 должна быть защищена от воздействи |окислени . Медные трубки защищают лри помощи сло роди , имеющего тол- цину А/ 6 мкм. Дно 2 тигл , -через которое протекает охлаждающа среда, образовано плитой 3 из диэлектричес кого материала, инертного по отношению к расплаву, например из кварца 1Плита 3 крепитс с помощью элементов i4 Из теплостойкой систематической :смолы и кольца 5, выполненного из 1 иэлектрического материала, например |оксида алюмини . Этим обеспечиваетс |устойчивость стенки тигл , состо щей из трубок 1. Электропроводный элемент б, инертный по отношейию к расплаву, например, выполненный из ириди , ус тановлен на плите 3 с помощью опор 7. Стенка тигл , образованна трубками 1, окружает трубку, изготовленную из теплостойкого материа ла, например кварца (не поз азано), и коль цевую индукционную катушку 8, котора присоединена к генератору высо- кой частоты (не показан) ,, рабоча частота которого равна 1-7 МГц. Под дном тигл предусмотрена втора индукционна катушка 9, через которую энерги с частотой ниже, чем та, ко- тора подаетс к содержимому тигл через первую индукционную катушку 8, может быть введена в содержимое тигл . Дополнительна индукционна катушка 9 подсоединена к генератору (не показан)J который имеет рабо- чую частоту в диапазоне 7-10 генератора могут включатьс независимо один от другого. Блок 10 выполнен из теплостойкого материала, нгпример оксидной керамики, и предназначен дл снижени тепловых потерь „ Контейнер 11, выполненный из islaтepиaлa, инертного по отношению к расплаву, например ириди , установ- . лен внутри тигл и имеет дно в виде обратного конуса 12. Через стержень
13контейнер соединен с механизмом
14вертикгл ьного перемещени . Детектор 15 присоединен совместно с одним из стержней 13 к электрической цепи и предназначен дл определени вы- „соты расплава в тигле. Детектор 15 также вьтолнен их материала, инертного по отношению к расплаву, например ириди .
Конус 12 контейнера имеет центральное отверстие 16. В данном при- круглое о-Гверстие имеет диаметр 8 1Ф1, внутренний диаметр контейнера 76 мм, высота цилиндрической стенки 20 мм, а толщина стенки 2 мм.
Конус соединен со стенкой контейнера 11 таким образом, что образуетс выступанща на 2-3 мм кромка 17,Стрелками на фиг. 2 и 3 показано направление конвекционных токов в расплаве в зависимости от расположени отверстий в контейнере. ,.
Устройство работает следующим образом.
Тигель заполн ют исходным порошко граната, например, NdjGajO. Генераторы , возбуждающие индукционные катушки 8 и.9, включают одновременно. Предпочтительно, чтобы энерги пода валась сначала в элемент 6 через индукционную катушку 9 и нагревала его до температуры выше точки плавлени материала граната - 1550 с. После образовани достаточного объема расплава в нижней части тигл энергию подают через индукционную катушку 8 до полного расплавлени материала. Б течение процесса элемент 6 выполн ет функцию независимого управл емого подогрева. На внутренних стенка тигл и его дне образуетс спекшийс слой - гарнисаж. Толщиной этого сло можно управл ть с помощью обеих индукционных катушек 8 и 9. Таким образом стабилизируетс процесс плавки ни в одном из экспериментов не был достигнут критический объем расплава Элемент 6 может иметь форму диска, сплошного или с отверсти ми в виде . дырок, прорезей.
В процессе нагрева контейнер 11 находитс над содержимым в тигле. После расплавлени контейнер опускают при помощи механизма 1А так, чтобы верхний край контейнера выступал на 2-5 мм от поверхности расплава. Контейнер наполн ют расплавом через отверсти в дне и стенках. Контейнер предназначен дл регулировани ради- ального распределени температуры с минимальной температурой в центре поверхности расплава.
Дл выращивани затравочный кристалл контактирует с поверхностью расплава после периода стабилизации в течение 15 мин. Затем кристалл выт гивают при его вращении. При медленном понижении мощности генератора , соединенного-с индукционной катушкой 8, диаметр растущего кристалла увеличивают до желаемого конечного диаметра. Мощность генератора регулируют так, чтобы кристалл продолжал свой рост при постоЯННОМ диаметре и посто нной высоте расплава. Изменение уровн расплава передаетс детектором 15, сигнал которого управл ет механизмом 14.
После окончани роста .кристалл отдел ют от остатков расплава быстрым подн тием. Контейнер 11 затем вынимают из расплава и кристалл охлаждают до комнатной температуры за счет понижени мощности генераторов, соединенных с индукционными катушками 8 и 9. Вьфащивание кристалла NdijGa O, ведут из загрузки 6 кг на затравку Ncl GasOi , вращаемую со скоростью 14 , при скорости выт гивани 4 мм/ч. Получают монокристаллы Nd.GajO,. диаметром 40 мм и длиной 60 мм с малыми напр жени ми.
Способ можно измен ть так, что уровень расплава сохран етс посто нным за счет подачи неплав щегос материала в пространство между стенкой тигл и контейнером 11 из дополнительного устройства, управл емого детектором 15.
Аналогично выращивают кристаллы NaCl со скоростью вращени 20 мин и скоростным выт гиванием 18 км/ч. Получают монокристаллы диаметром 55 мм и длиной 190 мм.
Фо мула изобретени
Claims (3)
1.Холодный тигель дл плавки и кристаллизации неорганических соединений , выполненный в форме металлических охлаждаемых изнутри трубок, образующих стенки тигл , вокруг которых расположена индукционна катушка , и имеющий охлаждаемое дно из диэлектрического материала, отличающийс тем, что, с целью увеличени размеров монокристаллов, тигель снабжен установленным внутри него соосно контейнером с отверстием имеющим объем не более 25% от общего объема тигл , электропроводным элементом , инертным к расплаву, уста новленным над дном тигл и дополнительной независимой индукционной катушкой, расположенной под дном тигл .
2.Тигель по п. 1, о т л и ч а- ю щ и и с тем, что контейнер выполнен в форме полого цилиндра, стенка которого параллельна стенке тигл с дном в виде обратного конуса.
3.Тигель по п. 1 или 2, о т л и- чающийс тем, что отверсти в контейнере выполнены в стенке цилиндра и/или в конусе.
I
о OCJOQ I
/
Фи1.1
У//////////////////Л
/3
фиг. 3
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3316547A DE3316547C2 (de) | 1983-05-06 | 1983-05-06 | Kalter Tiegel für das Erschmelzen nichtmetallischer anorganischer Verbindungen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1433420A3 true SU1433420A3 (ru) | 1988-10-23 |
Family
ID=6198297
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU843741047A SU1433420A3 (ru) | 1983-05-06 | 1984-05-03 | Холодный тигель |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4609425A (ru) |
EP (1) | EP0124938B1 (ru) |
JP (1) | JPS602876A (ru) |
AT (1) | ATE31433T1 (ru) |
CA (1) | CA1234531A (ru) |
DE (2) | DE3316547C2 (ru) |
SU (1) | SU1433420A3 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2619458C1 (ru) * | 2016-02-20 | 2017-05-16 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский государственный национальный исследовательский университет" | Холодный тигель |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6259594A (ja) * | 1985-09-11 | 1987-03-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 結晶の引上げ方法 |
JPS62128999A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-11 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 2重るつぼを用いた単結晶引上方法及び2重るつぼ |
JPS6379790A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-09 | Toshiba Corp | 結晶引上げ装置 |
JPS63144192A (ja) * | 1986-12-08 | 1988-06-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単結晶の製造装置 |
US4911893A (en) * | 1987-06-11 | 1990-03-27 | Amoco Corporation | Floating recycle pan for ebullated bed reactors |
GB8718643D0 (en) * | 1987-08-06 | 1987-09-09 | Atomic Energy Authority Uk | Single crystal pulling |
US5057487A (en) * | 1987-10-29 | 1991-10-15 | Texas Instruments Incorporated | Crystal growth method for Y-Ba-Cu-O compounds |
JPH01192789A (ja) * | 1988-01-27 | 1989-08-02 | Toshiba Corp | 結晶引上げ装置及び結晶引上げ方法 |
JP2755588B2 (ja) * | 1988-02-22 | 1998-05-20 | 株式会社東芝 | 結晶引上げ方法 |
JPH02107587A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-19 | Mitsubishi Metal Corp | 半導体単結晶育成装置 |
JP2813592B2 (ja) * | 1989-09-29 | 1998-10-22 | 住友シチックス株式会社 | 単結晶製造方法 |
JP2686460B2 (ja) * | 1990-03-12 | 1997-12-08 | 住友シチックス株式会社 | 単結晶製造方法 |
US5260037A (en) * | 1990-03-12 | 1993-11-09 | Osaka Titanium Co., Ltd. | Apparatus for producing silicon single crystal |
US5252175A (en) * | 1990-06-29 | 1993-10-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Capillary pressure relief for magnetic Kyropoulos growth of semiconductor crystals |
US5132091A (en) * | 1990-12-17 | 1992-07-21 | General Electric Company | Apparatus and method employing focussed radiative heater for control of solidification interface shape in a crystal growth process |
US5292487A (en) * | 1991-04-16 | 1994-03-08 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Czochralski method using a member for intercepting radiation from raw material molten solution and apparatus therefor |
JPH05105579A (ja) * | 1991-05-07 | 1993-04-27 | Chichibu Cement Co Ltd | 結晶育成方法 |
JP3077273B2 (ja) * | 1991-07-30 | 2000-08-14 | 三菱マテリアル株式会社 | 単結晶引上装置 |
US5333844A (en) * | 1992-09-25 | 1994-08-02 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Non-graphite crucible for high temperature applications |
US5482257A (en) * | 1992-09-25 | 1996-01-09 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Non-graphite crucible for high temperature applications |
JP2888079B2 (ja) * | 1993-02-04 | 1999-05-10 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶引上げ用ルツボ |
US5360599A (en) * | 1993-06-21 | 1994-11-01 | General Electric Company | Crucible support heater for the control of melt flow pattern in a crystal growth process |
GB9412629D0 (en) * | 1994-06-23 | 1994-08-10 | Secr Defence | Improvements in crystal growth |
DE19939772C1 (de) | 1999-08-21 | 2001-05-03 | Schott Glas | Skulltiegel für das Erschmelzen oder das Läutern von Gläsern |
DE10041759A1 (de) * | 2000-08-25 | 2002-03-28 | Schott Glas | Vorrichtung zum Homogenisieren einer Glasschmelze |
US8016942B2 (en) * | 2004-12-22 | 2011-09-13 | Tokuyama Corporation | Process for producing metal fluoride single crystal |
FR3044748B1 (fr) | 2015-12-03 | 2019-07-19 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Four a creuset froid a chauffage par deux inducteurs electromagnetiques, utilisation du four pour la fusion d'un melange de metal(ux) et d'oxyde(s) representatif d'un corium |
CN106679419A (zh) * | 2017-01-25 | 2017-05-17 | 苏州振湖电炉有限公司 | 变频感应化铝炉 |
CN107084620B (zh) * | 2017-04-09 | 2019-09-17 | 王红 | 一种大型金属或非金属烧结坩埚 |
CN107084621B (zh) * | 2017-04-09 | 2019-09-17 | 王红 | 一种带有屏蔽炉体的金属或非金属烧结坩埚 |
FR3100421B1 (fr) * | 2019-08-30 | 2021-09-10 | Commissariat Energie Atomique | Four à induction comprenant un circuit résonant additionnel |
CN112513343A (zh) * | 2019-11-05 | 2021-03-16 | 南京同溧晶体材料研究院有限公司 | 一种稀土离子倍半氧化物晶体的冷坩埚生长方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE976672C (de) * | 1953-02-15 | 1964-03-12 | Siemens Ag | Verfahren und Einrichtung zum tiegellosen Schmelzen von stabfoermigen Koerpern |
US3025191A (en) * | 1953-07-13 | 1962-03-13 | Raytheon Co | Crystal-growing apparatus and methods |
US2686212A (en) * | 1953-08-03 | 1954-08-10 | Gen Electric | Electric heating apparatus |
NL126067C (ru) * | 1956-11-28 | |||
GB1271493A (en) * | 1968-05-09 | 1972-04-19 | Stanelco Thermatron Ltd | Improved treatment process |
US3637439A (en) * | 1968-11-13 | 1972-01-25 | Metallurgie Hoboken | Process and apparatus for pulling single crystals of germanium |
BE756590A (fr) * | 1969-09-24 | 1971-03-24 | Siemens Ag | Procede et dispositif pour tirer un corps cristallin a partir de matieres a fondre chauffees a la temperature de fusion |
IT939745B (it) * | 1970-07-28 | 1973-02-10 | Procedimento ed apparecchio per la crescita di cristalli e cristallo ottenuto con il procedimento e l ap parecchio | |
US3824302A (en) * | 1971-01-28 | 1974-07-16 | U Alexandrov | Method of growing monocrystals of ruby from a molten charge |
DE2245250A1 (de) * | 1972-09-15 | 1974-03-21 | Philips Patentverwaltung | Vorrichtung zum ziehen von kristallen, vorzugsweise einkristallen aus der schmelze |
US4049384A (en) * | 1975-04-14 | 1977-09-20 | Arthur D. Little, Inc. | Cold crucible system |
US4036595A (en) * | 1975-11-06 | 1977-07-19 | Siltec Corporation | Continuous crystal growing furnace |
SU661966A1 (ru) * | 1976-11-23 | 1980-04-05 | Всесоюзный Научно-Исследовательский Институт Монокристаллов И Особо Чистых Химических Веществ "Вниимонокристалл" | Устройство дл выт гивани монокристаллов из расплава |
US4246064A (en) * | 1979-07-02 | 1981-01-20 | Western Electric Company, Inc. | Double crucible crystal growing process |
-
1983
- 1983-05-06 DE DE3316547A patent/DE3316547C2/de not_active Expired
-
1984
- 1984-05-02 CA CA000453391A patent/CA1234531A/en not_active Expired
- 1984-05-02 US US06/606,020 patent/US4609425A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-05-02 JP JP59087924A patent/JPS602876A/ja active Granted
- 1984-05-03 EP EP84200625A patent/EP0124938B1/de not_active Expired
- 1984-05-03 AT AT84200625T patent/ATE31433T1/de not_active IP Right Cessation
- 1984-05-03 DE DE8484200625T patent/DE3468130D1/de not_active Expired
- 1984-05-03 SU SU843741047A patent/SU1433420A3/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Патент GB N 1354697, кл. В 01 J 17/18, опублик. 19-70. Александров В.И. и др. Новый метод получени тугоплавких монокристаллов и плавленых керамических материалов. - Вестник АН СССР, 1973, т. 12, с. 29-30, 33-39. * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2619458C1 (ru) * | 2016-02-20 | 2017-05-16 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский государственный национальный исследовательский университет" | Холодный тигель |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS602876A (ja) | 1985-01-09 |
DE3316547A1 (de) | 1984-11-08 |
EP0124938A3 (en) | 1985-11-27 |
EP0124938A2 (de) | 1984-11-14 |
CA1234531A (en) | 1988-03-29 |
ATE31433T1 (de) | 1988-01-15 |
DE3316547C2 (de) | 1985-05-30 |
EP0124938B1 (de) | 1987-12-16 |
US4609425A (en) | 1986-09-02 |
DE3468130D1 (en) | 1988-01-28 |
JPH0416702B2 (ru) | 1992-03-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
SU1433420A3 (ru) | Холодный тигель | |
JP4146123B2 (ja) | ガラスまたはガラスセラミックを溶解または精製するためのスカルポット | |
EP0068021B1 (en) | The method and apparatus for forming and growing a single crystal of a semiconductor compound | |
US2979386A (en) | Crystal growing apparatus | |
JPH01153589A (ja) | シリコン単結晶の製造装置 | |
KR0165750B1 (ko) | 단결정 성장용 수직로 | |
KR20030093268A (ko) | 결정 인상기용 열 차폐 어셈블리 | |
US6849121B1 (en) | Growth of uniform crystals | |
US5217565A (en) | Contactless heater floating zone refining and crystal growth | |
KR20110094025A (ko) | 단결정 제조용 상부히터, 단결정 제조장치 및 단결정 제조방법 | |
KR100204522B1 (ko) | 단결정 성장방법 및 그 장치 | |
GB2279585A (en) | Crystallising molten materials | |
US6712904B1 (en) | Device for producing single crystals | |
WO1991002832A1 (en) | Method for directional solidification of single crystals | |
US6355910B1 (en) | Heating element for heating crucibles and arrangement of heating elements | |
US5766346A (en) | Apparatus for producing silicon single crystal | |
JP2010070404A (ja) | シリコン融液形成装置 | |
KR100297575B1 (ko) | 단결정제조방법및그인발장치 | |
US3039071A (en) | Electrical resistance-type heater | |
JPH09169590A (ja) | 晶出炉 | |
US7862656B2 (en) | Apparatus and method for growing a crystal and heating an annular channel circumscribing the crystal | |
RU2785892C1 (ru) | Устройство для выращивания монокристаллов арсенида галлия методом чохральского | |
JPH02172885A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JPS6395196A (ja) | 単結晶の育成方法 | |
JPH0412085A (ja) | シリコン単結晶の製造装置 |