JP4602507B2 - フリップチップ用パッケージ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、フリップチップ用パッケージ及びその製造方法に関し、更に詳しくは、密着性が良好であると共に、環境中で酸化による運搬・保管中のチップ付け性の劣化を長期間防止することができるフリップチップ用パッケージ及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、半導体集積回路チップの実装方式として、フリップチップ法が広く採用されている。フリップチップ法とは、図1に示すように、フリップチップ用パッケージPの電極用パッド1と、集積回路チップ5の電極用パッド4とが一致するようにして重ね、次いで加熱することにより、予め集積回路チップ5の電極用パッド4やフリップチップ用パッケージPの電極用パッド1に設けておいたはんだ3を溶融させてはんだ付けを行って、電極用パッド間の電気的接続を行うものである。
【0003】
かかるフリップチップ法において使用するフリップチップ用パッケージは、通常は、セラミック等により形成されたシートと、該シート上に設けられた電極用パッドと、から構成されている。そして、上記電極用パッドは、モリブデン、タングステン等の高融点金属粉末を主体とするメタライズペーストを印刷し、同時焼成することにより設けられている下地メタライズ層と、該下地メタライズ層の表面に公知のメッキ法により設けられているNiメッキ層と、を有している。
【0004】
そして、ニッケル−ホウ素(以下、「Ni−B」という。)メッキは、はんだとの濡れ性がよく、はんだと接触した場合でも容易にはんだが濡れるので好ましいことから、従来よりフリップチップ用パッケージPのNiメッキ層12を構成するメッキとして利用されている。例えば、特開平9−283878号公報には、Ni−Bメッキ後、金(Au)メッキを施工して350℃以上に加熱することにより、NiをAu層に拡散させてAu−Ni層を形成して密着強度を向上させる技術が開示されている。また、特開平11−163042号公報には、Ni−Bメッキの厚みを2.5〜8μmとすることにより、フリップチップ接続におけるはんだ中のボイドの発生を低減し、密着強度を向上させる技術が開示されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、Ni−Bメッキを行って焼結することによりNiメッキ層を形成する際、形成条件によっては、Ni−Bメッキの粒成長が抑えられてNi−Bメッキの粒径が小さくなり、焼付後にNi−Bメッキの表面積が大きくなるため酸化し易くなるという問題点がある。その結果、輸送・保管状況によっては、輸送・保管中にNi−Bメッキの環境中での酸化が進行し、フリップチップ用パッケージのチップ付け性が低下するという問題点がある。また、上記のように密着強度を向上させるために、Ni−Bメッキ後、Auメッキを施工してAu−Ni層を形成する場合、環境中で酸化されたNi−BメッキはAuとの密着性が低下するので、焼結によりAuが凝集(Au凝集)し、Ni−Bメッキの露出が多くなる結果、環境中で酸化が進行し、フリップチップ用パッケージのチップ付け性が低下するという問題点がある。これに対し、Ni−Bメッキに関する上記先行文献において、Ni−Bメッキの粒径、Ni−Bメッキ層の形成条件とNi−Bメッキの環境中での酸化、チップ付け性等との関係については触れられていない。
【0006】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、密着性が良好であると共に、環境中で酸化による運搬・保管中のチップ付け性の劣化を長期間防止することができるフリップチップ用パッケージ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明者は上記実情に鑑みてフリップチップ用パッケージ及びその製造方法について検討した結果、フリップチップ用パッケージ上の電極用パッドの表面にNi−Bメッキを行い、次いで焼結温度を810〜840℃として焼結を行って、Ni−Bメッキ層を構成するNi−Bメッキの平均粒径を1〜1.5μmとすることにより、上記目的を達成できることを見出して本発明を完成するに至った。
【0008】
本第1発明のフリップチップ用パッケージは、下地メタライズ層と、該下地メタライズ層の表面に設けられたNiメッキ層と、を有する電極用パッドを備えるフリップチップ用パッケージにおいて、上記Niメッキ層の少なくとも最表面はNi−Bメッキで構成されており、且つ該Ni−Bメッキの平均粒径が1〜1.5μmであることを特徴とする。
【0009】
本第1発明のフリップチップ用パッケージにおける「Ni−Bメッキの平均粒径」とは、Ni−Bメッキ表面を走査型顕微鏡(SEM)で観察し、図3に示す方法により求められるものである。即ち、図3に示すSEM写真において、ラインA〜D上のNi−Bメッキ粒子の数の合計と、ラインA〜Dの長さ(mm)の合計を求め、これを以下に示す式に代入して計算するものである。この平均粒径は1μm〜1.5μmであり、好ましくは1.2〜1.5μm、最も好ましくは1.3〜1.5μmである。この平均粒径が1μm未満では、Ni−Bメッキ層の表面積が大きくなる結果、輸送・保管の際に環境中でNi−Bメッキ層の酸化が進行し、チップ付け性が低下してしまうので好ましくない。
【0010】
平均粒径(μm)=A×104/(B×写真倍率)
A:ラインA〜Dの長さ(mm)の合計
B:ラインA〜D上に位置する粒子の数
【0011】
また、本第1発明のフリップチップ用パッケージにおけるNi−Bメッキの粒径は、平均粒径が上記範囲にある限り特に限定はないが、本第2発明に示すように、粒成長を抑えて最大粒径を6μm以下とすると、粒界(Ni粒の境界)にボイドが発生することを抑制することができる。これにより、Niメッキ層のはんだ濡れ性が低下することを防止して、環境中で酸化による運搬・保管中のチップ付け性の劣化を長期間防止することができるので好ましい。
【0012】
本第1発明の上記「Niメッキ層」は、通常、その全体がNi−Bメッキにより形成されていることが好ましいが、少なくともNiメッキ層の最表面がNi−Bメッキで形成されていればよい。即ち、Niメッキ層の下層をNiや、あるいはNi−PメッキやNi−Coメッキ等のNi合金メッキにより形成した後、最表層をNi−Bメッキにより形成することもできる。また、本第1発明の上記「Niメッキ層」の厚さについては特に限定はないが、通常2.5〜8μm、好ましくは3〜7μm、更に好ましくは3.2〜6μm、最も好ましくは3.6〜6μmである。この厚さが2.5μm未満では、下地メタライズ層が部分的に露出してNiメッキ層にピンホールが生じ、はんだが濡れにくくなる場合があるので好ましくない。
【0013】
また、上記Niメッキ層の上には、何も設けないようにしてもよいが、本第3発明に示すように、上記Ni−Bメッキ層の上に、置換Auメッキ等によりAuメッキ層を形成することもできる。このようなAuメッキ層とは、Auのみで構成されるものだけでなく、Au−Niメッキ層のように、Auと他の金属との合金によるメッキ層も含む。上記Auメッキ層は、例えばAu−Ni層の場合、Auメッキ層形成後に熱処理等を施して、AuとNiの相互拡散を促す等の方法により形成することができる。このようなAuメッキ層を設けることにより、下層のNi−Bメッキ層の酸化を更に防止して、チップ付け性を向上及び安定化させることができると共に、ボイド発生を低減し、密着強度を高めることができるので好ましい。Auメッキ層をNi−Bメッキ層の上に設ける場合、その厚さは通常0.01〜0.5μm、好ましくは0.01〜0.3μm、更に好ましくは0.01〜0.2μm、最も好ましくは0.03〜0.1μmである。厚さが0.01μm未満では、下層のNi−Bメッキ層の酸化防止効果が十分に発揮し得ない場合があるので好ましくなく、0.5μmを超えると、Pb−Snはんだに含まれるSnとの間で脆いAu−Sn金属間化合物を生成し、接合強度が劣化する場合があるので好ましくない。
【0014】
本第4発明のフリップチップ用パッケージの製造方法は、フリップチップ用パッケージ上に設けられた下地メタライズ層の表面にNi−Bメッキを行い、次いで最大焼結温度を810〜840℃として焼結を行い、焼結後の上記ニッケル−ホウ素メッキの平均粒径を1〜1.5μmとすることを特徴とする。本第4発明のフリップチップ用パッケージの製造方法において、下地メタライズ層の表面にNi−Bメッキを行う方法については特に限定はなく、金属層からなる電極用パッド群の表面に直接Ni−Bメッキを行うだけでなく、下地メタライズ層の表面に、Niや、あるいはNi−Pメッキ、Ni−Coメッキ等のNi合金メッキによりNiメッキ層の下層を形成した後、Niメッキ層の最表層にNi−Bメッキを行う場合も含む。
【0015】
本第4発明のフリップチップ用パッケージの製造方法において、Ni−Bメッキ後の最大焼結温度は、通常810〜840℃、好ましくは820〜840℃、更に好ましくは825〜840℃、最も好ましくは830〜840℃である。焼結温度が810℃未満であると、Ni−Bメッキが粒成長せず、焼結後にNi−Bメッキの表面積が大きくなる結果、輸送・保管の際に環境中でNi−Bメッキ層の酸化が進行し、フリップチップ用パッケージのチップ付け性が低下し、また、続いてAuメッキ層を形成する場合、Auメッキの密着が悪くなるので好ましくない。一方、840℃を超えると、粒成長が過多となる結果、粒界にボイドが発生することにより、はんだ濡れ性が劣化することから好ましくない。
【0016】
本第4発明のフリップチップ用パッケージの製造方法において、焼結により形成されたNiメッキ層を構成するNi−Bメッキの粒径については、平均粒径を1μm以上とするので、Niメッキ層の酸化を防止し、密着性が良好であると共に、運搬・保管中のチップ付け性の劣化を長期間防止することができる。また、本第5発明に示すように、Ni−Bメッキの最大粒径を6μm以下とすると、粒界にボイドが発生することによるはんだ濡れ性の低下を抑制することができるので好ましい。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について、実施例及び比較例を挙げて具体的に説明する。
(1)本実施例のフリップチップ用パッケージの構成及び製造
以下の試験に用いる本実施例及び比較例のフリップチップ用パッケージの構成を、以下の図2に示す。
本実施例のフリップチップ用パッケージPは、アルミナ(Al2O3)を主成分とする30mm×30mm×1mmtの大きさであるシート2と、該シート2上に設けられた電極用パッド1と、から構成されている。そして、上記電極用パッド1は、上記シート2上に設けられ、モリブデンを主成分とするφ0.1mmの大きさである下地メタライズ層11と、該下地メタライズ層11の外表面を覆うように設けられ、全体がNi−Bメッキで形成されている厚さ3.2〜7.0μmのNiメッキ層12と、該Niメッキ層12の外表面覆うように設けられた厚さ0.05μmのAuメッキ層13と、からなる。
【0018】
本実施例及び比較例のフリップチップ用パッケージPは、次の方法により製造した。上記シート2上に、下地メタライズ層11を構成するモリブデン等の高融点金属粉末を主体とするメタライズペーストをスクリーン印刷により印刷し、該シート2と共に1500℃で同時焼成して下地メタライズ層11を形成した。次いで、無電解メッキ法により、該下地メタライズ層11の表面にNi−Bメッキを施し、その後、以下の表1に示す焼結温度により焼結を行ってNiメッキ層12を形成した。更に、無電解メッキ法により、該Niメッキ層12の表面にAuメッキ層13を形成して、本実施例及び比較例のフリップチップ用パッケージPを製造した。
【0019】
(2)本実施例のフリップチップ用パッケージの性能評価
焼結温度として、表1に示す各最大焼結温度で焼結したフリップチップ用パッケージを実施例1〜3及び比較例1〜3とした。そして、これら実施例1〜3及び比較例1〜3の各フリップチップ用パッケージのNiメッキ層12の表面状態を、走査型電子顕微鏡(SEM)により観察してAu凝集の有無を調べた。その観察結果を図4〜8に示した。図4〜8において、(a)はNi焼結後の表面状態のSEM写真であり、(b)はAuベーキング後の表面状態のSEM写真である。
【0020】
また、実施例1〜3及び比較例1〜3のNi−Bメッキ層42のNi−Bメッキの平均粒径(μm)を図3に示す方法により求めた。更に、上記図4〜図8のSEM写真中のNi−Bメッキの粒子のうち、大きい方から10個の粒径を測定することにより、Ni−Bメッキの最大粒径(μm)を求めた。更に、ダミーチップをはんだ付け後、引張試験を行うことによりプレーナーモード発生率(%)を求めた。これらの結果を以下の表1にまとめた。尚、表1の「Au凝集」及び「ボイド発生」の項において、「○」はAu凝集やボイド発生が認められなかったことを意味し、「×」はAu凝集やボイド発生が認められたことを意味する。また、比較例3では、Niメッキ層にボイドが発生したため、プレーナーモード発生率(%)の試験を行うことができなかった。
【0021】
【表1】
【0022】
(4)実施例の効果
表1、図7及び図8より、最大焼結温度が791℃の比較例1及び805℃の比較例2では、Ni−Bメッキの最大粒径が1.5〜2.0μmと小さいことから、粒界にボイドの発生は認められなかったが、Ni−Bメッキの平均粒径が0.81、0.92μmといずれも小さいことから、Ni−Bメッキ層が環境中で酸化が進行することにより、焼結後にAu凝集が発生していることがSEM観察により判った。また、プレーナモードとは、引っ張り試験後にはんだが電極パッド1との界面近傍で破壊したモードを指し、はんだの濡れ性不良に起因するボイドが電極パッド1との界面付近に多数存在することが、このモードの発生の原因と考えられるが、このプレーナーモード発生率もそれぞれ90%、85%と高い値を示している。これらの結果より、最大焼結温度が低い比較例1及び2の各フリップチップ用パッケージの場合、Ni−Bメッキ層が環境中で酸化することにより、はんだ濡れ性が低下してチップ付け性が劣化するおそれがあることが判る。また、最大焼結温度が845℃の比較例3では、Ni−Bメッキの平均粒径が1.60μmと大きい反面、Ni−Bメッキの最大粒径が6.5μmと大きいことから、粒界にボイドの発生は認められた。この結果より、最大焼結温度が高い比較例3のフリップチップ用パッケージの場合でも、ボイドの発生により、はんだ濡れ性が低下してチップ付け性が劣化するおそれがあることが判る。
【0023】
これに対し、表1及び図4〜図6から判るように、最大焼結温度が815℃〜835℃である実施例1〜3では、Ni−Bメッキの平均粒径が1.12〜1.50μmと、比較例1及び2よりも大きく、また、Ni−Bメッキの最大粒径が3.0〜6.0μmと、比較例3より小さい値となっている。これにより、焼結後のNi−Bメッキ層をSEM観察してもAu凝集が認められず、粒界にボイドの発生も認められなかった。また、プレーナーモードの発生も認められなかった。これらの結果より、実施例1〜3の各フリップチップ用パッケージは比較例1〜3と比較して、環境中での酸化を抑制し、チップ付け性の劣化を長期間防止することができる安定性に優れたフリップチップ用パッケージであることが判る。
【0024】
尚、本発明においては、前記具体的実施例に示すものに限られず、目的、用途に応じて本発明の範囲内で種々変更した実施例とすることができる。
【0025】
【発明の効果】
本第1発明のフリップチップ用パッケージによれば、Ni−Bメッキ層を構成するNi−Bメッキの平均粒径を1〜1.5μmとすることにより、焼付後のNi−Bメッキの酸化を抑制し、後続作業するAuメッキとの密着性を高めることができる。これにより、密着性が良好とすることができると共に、運搬・保管中のチップ付け性の劣化を長期間防止することができる。また、本第2発明に示すように、Ni−Bメッキの最大粒径を6μm以下とすることにより、粒界にボイドが発生することを抑制し、Niメッキ層のはんだ濡れ性が低下することを防止することができる。更に、本第3発明に示すように、Niメッキ層上にAuメッキ層を形成することにより、チップ付け性を向上及び安定化させることができると共に、ボイド発生を低減し、密着強度を高めることができるので好ましい。更に、本第4発明乃至第5発明のフリップチップ用パッケージの製造方法によれば、Ni−Bメッキ後の最大焼結温度を810〜840℃とすることにより、上記のように優れた特性を有するフリップチップ用パッケージを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】フリップチップ法の工程(▲1▼及び▲2▼)を示す断面模式図である。
【図2】本実施例のフリップチップ用パッケージの拡大断面図である。
【図3】本発明のNi−Bメッキの平均粒径の求め方の説明図である。
【図4】実施例1のフリップチップ用パッケージのNiメッキ層のSEM写真((a)Ni焼結後、(b)Auベーキング後)である。
【図5】実施例2のフリップチップ用パッケージのNiメッキ層のSEM写真((a)Ni焼結後、(b)Auベーキング後)である。
【図6】実施例3のフリップチップ用パッケージのNiメッキ層のSEM写真((a)Ni焼結後、(b)Auベーキング後)である。
【図7】比較例1のフリップチップ用パッケージのNiメッキ層のSEM写真((a)Ni焼結後、(b)Auベーキング後)である。
【図8】比較例2のフリップチップ用パッケージのNiメッキ層のSEM写真((a)Ni焼結後、(b)Auベーキング後)である。
【符号の説明】
P;フリップチップ用パッケージ、1;フリップチップ用パッケージの電極用パッド、11;下地メタライズ層、12;Niメッキ層、13;Auメッキ層、2;シート、3;はんだ、4;集積回路チップの電極用パッド、5;集積回路チップ。
Claims (5)
- 下地メタライズ層と、該下地メタライズ層の表面に設けられたニッケルメッキ層と、を有する電極用パッドを備えるフリップチップ用パッケージにおいて、上記ニッケルメッキ層の少なくとも最表面はニッケル−ホウ素メッキで構成されており、且つ該ニッケル−ホウ素メッキの平均粒径が1〜1.5μmであることを特徴とするフリップチップ用パッケージ。
- 上記ニッケル−ホウ素メッキの最大粒径が6μm以下である請求項1記載のフリップチップ用パッケージ。
- 上記ニッケルメッキ層上に金メッキ層を有する請求項1又は2に記載のフリップチップ用パッケージ。
- フリップチップ用パッケージ上に設けられた下地メタライズ層の表面にニッケル−ホウ素メッキを行い、次いで最大焼結温度を810〜840℃として焼結を行うフリップチップ用パッケージの製造方法であって、
焼結後の上記ニッケル−ホウ素メッキの平均粒径を1〜1.5μmとすることを特徴とするフリップチップ用パッケージの製造方法。 - 焼結後の上記ニッケル−ホウ素メッキの最大粒径を6μm以下とする請求項4に記載のフリップチップ用パッケージの製造方法。
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