JP4600131B2 - 対物レンズ及び光ピックアップ装置 - Google Patents

Description

本発明は、光情報記録媒体に対向配置された状態で波長３５０〜４５０ｎｍ中の特定波長の単色光から構成された光束を前記光情報記録媒体に集光する対物レンズ及びこれを備える光ピックアップ装置に関するものである。

近年では、望遠鏡レンズや顕微鏡レンズ等として用いられる大型の光学素子からＣＤ（Compact Disc）やＤＶＤ（Digital Video Disc）等の光ピックアップレンズとして用いられる小型の光学素子まで、大小様々な光学素子が製造・販売されている。特に、ＢＤ（Blu-ray Disc）やＨＤ ＤＶＤ（High Definition DVD）といった規格の提案に伴い、ＢＤ、ＨＤ ＤＶＤ、ＤＶＤ、ＣＤ等の光情報記録媒体への情報の記録や当該光情報記録媒体中の情報の再生に際し使用可能な光ピックアップレンズ（対物レンズ）の開発が盛んにおこなわれている。

上記対物レンズを含めた光学素子には、通常、その用途に応じた機能性の膜が成膜されており、光が照射されたときには、当該光学素子はその機能性の膜と照射光の波長域とに応じた固有の特性を示すようになっている。

例えば、特許文献１には、光の反射防止を目的とした反射防止膜が成膜され、紫外線領域の光を透過光の対象とした光学素子が開示されている。この光学素子は、合成石英基板（１１）の直上にフッ化ネオジムから構成された高屈折率物質（１２）が成膜され、その高屈折率物質の直上にフッ化アルミニウムから構成された低屈折率物質（１３）が成膜されたものであり、特許文献１では当該光学素子が紫外線領域の光に対し十分な反射防止機能を有する旨を実証している（段落番号００１６〜００１９，図１及び図２参照）。
特開平８−１７９１０３号公報

確かに、紫外線領域の光はその波長が短波長であって非常に大きな光エネルギーを有するから、特許文献１に記載のように、屈折率が互いに異なる物質を基材上に成膜するという技術は反射防止機能の観点から非常に有用である。しかしながら、基材として樹脂製の基材を適用した対物レンズにおいては、波長３５０〜４５０ｎｍの光（青色光）に対し十分な光量を確保することも重要であり、光情報記録媒体に対向する面に塵、埃等が付着すると、その塵、埃等の付着面積に比例して光の透過量が低下し、長期間の使用に際し光情報記録媒体への情報の記録や光情報記録媒体中の情報の再生をおこなうのに十分な光量を確保することができない。

また、波長３５０〜４５０ｎｍの光（青色光）を少なくとも利用する光ピックアップ装置用の対物レンズとしては、像高特性を劣化せず、諸収差も良好に補正しつつ、そのような波長３５０〜４５０ｎｍの光を使用するにも係わらず、光利用効率が高く、長期にわたり安定した光学性能で良好な集光スポットを維持し得ることが重要である。このことは、対物レンズの形状設計のみならず、単玉構成や２枚玉構成といった対物レンズの構成や、対物レンズのレンズ基体の素材などの要素を加味し、適切に選択や各種バランス配分を図ることが場合によっては必要となる。

本発明の目的は、長期間の使用に際し光情報記録媒体への情報の記録や光情報記録媒体中の情報の再生をおこなうのに十分な光量を容易に確保することである。
本発明の他の目的は、波長３５０〜４５０ｎｍの光（青色光）を少なくとも利用する光ピックアップ装置或いは当該光ピックアップ装置用の対物レンズとして、長期間の使用に際し光情報記録媒体への情報の記録や光情報記録媒体中の情報の再生をおこなうのに十分な光量及び諸特性を容易に確保することである。

上記課題を解決するため請求項１に記載の発明は、
波長３５０〜４５０ｎｍ中の特定波長の光束を出射する光源を有する光ピックアップ装置に設けられ、光情報記録媒体に対向配置された状態で、前記光源から出射された光束を前記光情報記録媒体に集光する対物レンズであって、
脂環式構造を有する重合体を含有する樹脂から構成された基材を備え、
前記基材には、前記光源から出射された光束の光路上で前記光源から最も近い第１の面と前記光源から最も遠い第２の面とに、光の反射を防止する反射防止膜がそれぞれ成膜され、
前記第２の面に成膜された前記反射防止膜上には、フッ素を含有するフッ素系有機化合物又はシリコンを含有するシリコン系有機化合物からなる撥水性の撥水膜が成膜されており、
前記第２の面が前記第１の面より耐磨耗性に優れていることを特徴としている。

ここでいう「耐磨耗性」とは、MIL規格の「MIL-C-675C」のトピック中、「4.5.1 Cleaning.」にしたがう処理をおこない、その後「4.5.3.1 Physical.」にしたがう試験をおこなった結果導き出される性質のことであり、「第２の面が第１の面より耐磨耗性に優れている」とは、第２の面及び第１の面の両面に対し同じ条件で「4.5.1 Cleaning.」にしたがう処理をおこない、その後当該両面に対し同じ条件で「4.5.3.1 Physical.」にしたがう試験をおこない、それら第２の面と第１の面との各試験結果を比較した場合に、第２の面の試験結果が第１の面の試験結果より優れているという意味である。

請求項２に記載の発明は、
請求項１に記載の対物レンズにおいて、
波長３５０〜４５０ｎｍ中の光に対する前記第２の面の最小反射率が、波長３５０〜４５０ｎｍ中の光に対する前記第１の面の最小反射率以上であることを特徴としている。

請求項３に記載の発明は、
請求項１又は２に記載の対物レンズにおいて、
前記第２の面に成膜された前記反射防止膜が酸化シリコンから構成され、
前記第２の面に成膜された前記反射防止膜の膜厚ｄ（ｎｍ）が下記式（３１）の条件を満たすことを特徴としている。
ｄ＝７４×（２ｍ＋１）±２０ ・・・ （３１）
（上記式（３１）中、ｍは０〜６の整数である。）

請求項４に記載の発明は、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の対物レンズにおいて、
前記基材を構成する樹脂が、
重量平均分子量（Ｍｗ）が１，０００〜１，０００，０００である重合体全繰り返し単位中に、下記式（１）で表される脂環式構造を有する繰り返し単位（ａ）と、下記式（２）及び／又は下記式（３）で表される鎖状構造の繰り返し単位（ｂ）とを、合計含有量が９０重量％以上になるように含有し、さらに繰り返し単位（ｂ）の含有量が１重量％以上１０重量％未満である脂環式炭化水素系共重合体を含有することを特徴としている。

（式（１）中、Ｘは脂環式炭化水素基であり、式（１）、式（２）及び式（３）中、Ｒ１〜Ｒ１３はそれぞれ独立に、水素原子、鎖状炭化水素基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、シアノ基、アミド基、イミド基、シリル基及び極性基（ハロゲン原子、アルコキシ基、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、シアノ基、アミド基、イミド基又はシリル基）で置換された鎖状炭化水素基である。式（３）中、「・・・・・・・・・」は炭素−炭素飽和結合又は不飽和結合である。）

特に、請求項４に記載の発明において、上記脂環式炭化水素系共重合体は、上記繰り返し単位（ａ）の連鎖が下記関係式（Ｚ）を満たすものであることが好ましい。
Ａ≦０．３×Ｂ ・・・ （Ｚ）
（関係式（Ｚ）中、Ａ＝（脂環式構造を有する繰り返し単位の連鎖の重量平均分子量）であり、Ｂ＝（脂環式炭化水素系共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）×（脂環式構造を有する繰り返し単位数／脂環式炭化水素系共重合体を構成する全繰り返し単位数）である。）

請求項５に記載の発明は、
請求項４に記載の対物レンズにおいて、
前記基材を構成する樹脂が、
下記式（１１）で表される繰り返し単位〔１〕を含有する重合体ブロック〔Ａ〕と、下記式（１１）で表される繰り返し単位〔１〕並びに下記式（１２）で表される繰り返し単位〔２〕又は／及び下記式（１３）で表される繰り返し単位〔３〕を含有する重合体ブロック〔Ｂ〕とを有するブロック重合体を含有することを特徴としている。

（式（１１）中、Ｒ¹は水素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基であり、Ｒ²−Ｒ¹²はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、ヒドロキシル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基又はハロゲン基である。）

（式（１２）中、Ｒ¹³は水素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基である。）

（式（１３）中、Ｒ¹⁴及びＲ¹⁵はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基である。）

特に、請求項５に記載の発明において、上記ブロック重合体は、前記重合体ブロック〔Ａ〕中の繰り返し単位〔１〕のモル分率ａ（モル％）と、前記重合体ブロック〔Ｂ〕中の繰り返し単位〔１〕のモル分率ｂ（モル％）との関係がａ＞ｂであることが好ましい。

請求項６に記載の発明は、
請求項１〜３のいずれか一項に記載の対物レンズにおいて、
前記基材を構成する樹脂が、
ノルボルネン系開環重合体水素添加物を含有することを特徴としている。

特に、請求項６に記載の発明において、上記ノルボルネン系開環重合体水素添加物は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーの紫外分光検出器及び示差屈折計でそれぞれ検出されるピーク面積から算出される飽和結合率が９９．９２〜９９．９９％であることが好ましい。

請求項７に記載の発明は、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の対物レンズにおいて、
前記基材が、
前記光源側に配置される第１の成形品と、
前記光情報記録媒体側に配置される第２の成形品と、
を有し、
前記第２の成形品が正の近軸パワーを有し、かつ、下記式（４１），（４２）の両条件を満たすことを特徴としている。
｜Ｐ１／Ｐ２｜≦０．２ ・・・ （４１）
０．８≦ｄ₂／ｆ₂≦１．８ ・・・ （４２）
（上記式（４１）中、Ｐ１：第１の成形品の近軸パワー、Ｐ２：第２の成形品の近軸パワーである。上記式（４２）中、ｄ₂：第２の成形品の光軸上の厚さ、ｆ₂：波長４０５ｎｍの光に対する第２の成形品の焦点距離である。）

請求項８に記載の発明は、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の対物レンズにおいて、
前記基材が、
前記光源側に配置される第１の成形品と、
前記光情報記録媒体側に配置される第２の成形品と、
を有し、
前記第１の成形品及び前記第２の成形品がともに正の近軸パワーを有し、かつ、下記式（５１），（５２）の両条件を満たすことを特徴としている。
０．８≦ＮＡ ・・・ （５１）
０．２≦β≦０．５ ・・・ （５２）
（上記式（５１）中、ＮＡ：第２の成形品の像側開口数である。上記式（５２）中、β：第２の成形品のレンズ倍率である。）

請求項９に記載の発明は、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の対物レンズにおいて、
前記基材が、単一の成形品で構成され、下記式（６０）の条件を満たすことを特徴としている。
０．８≦ｄ／ｆ≦１．８ ・・・ （６０）
（上記式（６０）中、ｄ：光軸上の厚さ、ｆ：波長４０５ｎｍの光に対する焦点距離である。）

請求項１０に記載の発明の光ピックアップ装置は、
請求項１〜９のいずれか一項に記載の対物レンズと、
前記対物レンズに向けて波長３５０〜４５０ｎｍ中の特定波長の光束を出射する光源と、
を備えることを特徴としている。

請求項１に記載の発明では、基材における第２の面は、光源から出射された光束の光路上で当該光源から最も遠い面であり、光情報記録媒体に対向する面に相当する。そして請求項１に記載の発明では、当該第２の面が第１の面より耐磨耗性に優れているから、光情報記録媒体に対向する面に付着した塵、埃等を除去するための操作（綿棒で払拭する操作等）をおこなっても、その面に成膜された反射防止膜には剥離・ひび割れ等が発生しにくい。そのため、長期間の使用に際し光情報記録媒体への情報の記録や光情報記録媒体中の情報の再生をおこなうのに十分な光量を容易に確保することができる。

請求項２に記載の発明では、第２の面の最小反射率が第１の面の最小反射率以上であるから、光の透過率を向上させることができる。

請求項３〜９に記載の発明では、請求項１，２と同様の効果を奏する。

請求項１０に記載の発明では、請求項１〜９のいずれか一項に記載の対物レンズを備えるため、長期間の使用に際し光情報記録媒体への情報の記録や光情報記録媒体中の情報の再生をおこなうのに十分な光量を容易に確保することができる。

以下、図面を参照しながら本発明を実施するための最良の形態について説明する。ただし、発明の範囲は図示例に限定されない。

図１は光ピックアップ装置１の概略構成を示す断面図である。
図１に示す通り、光ピックアップ装置１は光源としての３種類の半導体レーザ発振器ＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３を有している。半導体レーザ発振器ＬＤ１は、ＢＤ（又はＡＯＤ）１０用として波長３５０〜４５０ｎｍ中の特定波長（例えば４０５ｎｍ，４０７ｎｍ）の光束を出射するようになっている。半導体レーザ発振器ＬＤ２は、ＤＶＤ２０用として波長６２０〜６８０ｎｍ中の特定波長の光束を出射するようになっている。半導体レーザＬＤ３は、ＣＤ３０用として７５０〜８１０ｎｍ中の特定波長の光束を出射するようになっている。

半導体レーザ発振器ＬＤ１から出射される光（青色光）の光軸方向には、図１中下方から上方に向けてシェイバＳＨ１、スプリッタＢＳ１、コリメータＣＬ、スプリッタＢＳ４，ＢＳ５、対物レンズ１５が順に並んで配されており、対物レンズ１５と対向する位置に光情報記録媒体としてのＢＤ１０、ＤＶＤ２０又はＣＤ３０が配されるようになっている。スプリッタＢＳ１の図１中右方にはシリンドリカルレンズＬ１１、凹レンズＬ１２及び光検出器ＰＤ１が順に並んで配されている。

半導体レーザ発振器ＬＤ２から出射される光（赤色光）の光軸方向には、図１中左方から右方に向けてスプリッタＢＳ２，ＢＳ４が順に並んで配されている。スプリッタＢＳ２の図１中下方にはシリンドリカルレンズＬ２１、凹レンズＬ２２及び光検出器ＰＤ２が順に並んで配されている。

半導体レーザ発振器ＬＤ３から出射される光の光軸方向には、図１中右方から左方に向けてスプリッタＢＳ３，ＢＳ５が順に並んで配されている。スプリッタＢＳ３の図１中下方にはシリンドリカルレンズＬ３１、凹レンズＬ３２及び光検出器ＰＤ３が順に並んで配されている。

本発明に係る対物レンズ１５は、光情報記録媒体としてのＢＤ１０、ＤＶＤ２０又はＣＤ３０に対向配置されるものであり、各半導体レーザ発振器ＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３から出射された光をＢＤ１０、ＤＶＤ２０又はＣＤ３０に集光する機能を有している。対物レンズ１５には２次元アクチュエータ２が配されており、当該２次元アクチュエータ２の作動により、対物レンズ１５は図１中上下方向に移動自在とされている。

光ピックアップ装置１における動作・作用を簡単に説明すると、ＢＤ１０への情報の記録時やＢＤ１０中の情報の再生時には、始めに半導体レーザ発振器ＬＤ１が光を出射する。その光は、図１中実線で示す光線Ｌ１となって、シェイバＳＨ１を透過して整形され、スプリッタＢＳ１を透過してコリメータＣＬで平行光にされ、各スプリッタＢＳ４，ＢＳ５及び対物レンズ１５を透過してＢＤ１０の記録面１０ａ上に集光スポットを形成する。

集光スポットを形成した光は、ＢＤ１０の記録面１０ａで情報ピットにより変調されて当該記録面１０ａで反射し、その反射光は、対物レンズ１５、スプリッタＢＳ５及びコリメータＣＬを透過してスプリッタＢＳ１で反射し、シリンドリカルレンズＬ１１を透過して非点収差が与えられ、凹レンズＬ１２を透過して光検出器ＰＤ１で受光される。これにより、ＢＤ１０への情報の記録やＢＤ１０中の情報の再生がおこなわれる。

ＤＶＤ２０への情報の記録時やＤＶＤ２０中の情報の再生時には、半導体レーザ発振器ＬＤ２が光を出射する。その光は図１中１点鎖線で示す光線Ｌ２となって、スプリッタＢＳ２を透過してスプリッタＢＳ４で反射し、スプリッタＢＳ５及び対物レンズ１５を透過してＤＶＤ２０の記録面２０ａ上に集光スポットを形成する。

集光スポットを形成した光は、ＤＶＤ２０の記録面２０ａで情報ピットにより変調されて当該記録面２０ａで反射し、その反射光は、対物レンズ１５及びスプリッタＢＳ５を透過して各スプリッタＢＳ４，ＢＳ２で反射し、シリンドリカルレンズＬ２１を透過して非点収差が与えられ、凹レンズＬ２２を透過して光検出器ＰＤ２で受光される。これにより、ＤＶＤ２０への情報の記録やＤＶＤ２０中の情報の再生がおこなわれる。

ＣＤ３０への情報の記録時やＣＤ３０中の情報の再生時には、半導体レーザ発振器ＬＤ３が光を出射する。その光は図１中点線で示す光線Ｌ３となって、スプリッタＢＳ３を通過してスプリッタＢＳ５で反射し、対物レンズ１５を透過してＣＤ３０の記録面３０ａ上に集光スポットを形成する。

集光スポットを形成した光は、ＣＤ３０の記録面３０ａで情報ピットにより変調されて当該記録面３０ａで反射し、その反射光は、対物レンズ１５を透過して各スプリッタＢＳ５，ＢＳ３で反射し、シリンドリカルレンズＬ３１を透過して非点収差が与えられ、凹レンズＬ３２を透過して光検出器ＰＤ３で受光される。これにより、ＣＤ３０への情報の記録やＣＤ３０中の情報の再生がおこなわれる。

なお、光ピックアップ装置１は、ＢＤ１０、ＤＶＤ２０又はＣＤ３０への情報の記録時やＢＤ１０、ＤＶＤ２０又はＣＤ３０中の情報の再生時には、各光検出器ＰＤ１，ＰＤ２，ＰＤ３上でのスポットの形状変化、位置変化による光量変化を検出して合焦検出やトラック検出をおこなうようになっている。そして当該光ピックアップ装置１は、各光検出器ＰＤ１，ＰＤ２，ＰＤ３の検出結果に基づいて、２次元アクチュエータ２が半導体レーザ発振器ＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３からの光をＢＤ１０、ＤＶＤ２０又はＣＤ３０の記録面１０ａ，２０ａ，３０ａ上に結像するように対物レンズ１５を移動させるとともに、半導体レーザ発振器ＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３からの光を各記録面１０ａ，２０ａ，３０ａの所定のトラックに結像させるように対物レンズ１５を移動させるようになっている。

図２は対物レンズ１５の概略構成を示す断面図である。
図２に示す通り、対物レンズ１５は、各半導体レーザ発振器ＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３から出射された光を透過光の対象とする光学素子であって、樹脂製の基材４０を有している。基材４０は、脂環式構造を有する重合体を含有する樹脂を所定形状に成形した２つの成形品４１，４２から構成されている。基材４０は、各成形品４１，４２が端部同士で互いに接着されたものであり、各成形品４１，４２の間に中空部４９が形成されている。

第１の成形品としての成形品４１は各半導体レーザ発振器ＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３側に配置されており、第２の成形品としての成形品４２はＢＤ１０、ＤＶＤ２０又はＣＤ３０側に配置されている。詳しくは、成形品４１の表面４１ａが半導体レーザＬＤ１に対向し、成形品４２の表面４２ａがＢＤ１０、ＤＶＤ２０又はＣＤ３０に対向し、成形品４１の裏面４１ｂと成形品４２の４２ｂとが互いに対向している。

成形品４１の表面４１ａ及び裏面４１ｂはともに非球面とされており、図２中拡大図に示す通り、輪帯状の回折構造を有している。ただし、図２中拡大図では、成形品４１の表面４１ａだけを図示している。成形品４２の表面４２ａ及び裏面４２ｂもともに非球面とされている。

基材４０において、成形品４１の表面４１ａは、各半導体レーザ発振器ＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３から出射された光の光路上で各半導体レーザ発振器ＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３から最も近い面となっており、成形品４２の表面４２ａは各半導体レーザ発振器ＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３から出射された光の光路上で各半導体レーザ発振器ＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３から最も遠い面となっている。そのため、各半導体レーザ発振器ＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３から出射された光は、基材４０を透過する際に、第１の面としての表面４１ａから入射して成形品４１中を透過して裏面４１ｂから出射し、さらに中空部４９を介し、裏面４２ｂから入射して成形品４２中を透過して第２の面としての表面４２ａから出射し、ＢＤ１０、ＤＶＤ２０又はＣＤ３０の各記録面１０ａ，２０ａ，３０ａに入射するようになっている。

一方、ＢＤ１０、ＤＶＤ２０又はＣＤ３０の各記録面１０ａ，２０ａ，３０ａで反射した光は、成形品４２の表面４２ａに入射して当該成形品４２中を透過して裏面４２ｂから出射し、さらに中空部４９を介し、成形品４１の裏面４１ｂに入射して当該成形品４１中を透過して表面４１ａから出射するようになっている。

なお、成形品４２は正の近軸パワーを有しており、各成形品４１，４２は下記式（４１），（４２）の両条件を満たすように成形されている。

｜Ｐ１／Ｐ２｜≦０．２ … （４１）
０．８≦ｄ₂／ｆ₂≦１．８ … （４２）
上記式（４１）中、Ｐ１：成形品４１の近軸パワー、Ｐ２：成形品４２の近軸パワーである。上記式（４２）中、ｄ₂：成形品４２の光軸上の厚さ、ｆ₂：波長４０５ｎｍの光に対する成形品４２の焦点距離である。

上記式（４１）、（４２）の両条件を満たす場合には，ＢＤ１０、ＤＶＤ２０又はＣＤ３０を含む少なくとも３種類の光情報記録媒体に対し情報の記録及び／又は再生を行う際に共用して用いられる対物レンズとして、像高特性が劣化せず、諸収差も良好に補正することが容易にでき、高性能で光利用効率が高い光ピックアップ装置用の対物レンズ１５とすることができる。

特に、上記式（４１）の条件に関し、この条件を満たすことにより、成形品４１の近軸パワーＰ１が小さくなり、光学面の曲率を小さくできるので、色収差や光情報記録媒体の透明基板厚の差に起因する球面収差などの諸収差を良好に補正するために、光路差や回折光を生じさせる段差を持たせた輪帯構造をその片面又は両面に設けることが容易にできるうえ、その輪帯状の回折構造のピッチを大きくすることできる。そのため、高精度な輪帯状の回折構造を形成することが容易にでき、また、各成形品４１，４２の製造誤差に起因する光利用効率の低下や輪帯状の回折構造の段差部分による影の影響を小さくできて、光利用効率が高い対物レンズ１５とすることができる。また、成形品４１の近軸パワーＰ１が小さくなり、光学面の曲率を小さくできることにより、対物レンズ１５と光情報記録媒体としてのＢＤ１０、ＤＶＤ２０又はＣＤ３０との距離（作動距離ＷＤ）を大きく確保することができる。

また、上記式（４２）の条件に関し、ｄ₂／ｆ₂が０．８以上であれば、成形品４２の中心厚（軸上厚）が小さくなり過ぎず、像高特性が劣化せず、光学面のシフト感度が大きくならない。他方、ｄ₂／ｆ₂が１．８以下であれば、成形品４２の中心厚が大きくなり過ぎず、像高特性が劣化せず、偏心感度が良好になり、球面収差やコマ収差も良好に補正することができる。尚、この効果は、上記式（４１）の条件との関係より、成形品４１及び成形品４２から構成された対物レンズ１５全体として、同様の効果を奏するものである。

ここで、基材４０を構成する成形品４２の表面４２ａ上には、光の反射を防止する反射防止膜４６が成膜されている。その膜の構成を図２の拡大図に示す。
図２の拡大図に示す通り、反射防止膜４６は、第１，第２，第３の膜４３，４４，４５の３層の膜から構成されている。第１の膜４３は成形品４２の表面４２ａ上に直に成膜されており、第２の膜４４は第１の膜４３上に直に成膜されており、第３の膜４５は第２の膜４４上に直に成膜されている。

第１の膜４３は、波長４０５ｎｍの光に対する屈折率が１．７未満の低屈折率材料又は中屈折率材料から構成された膜である。本明細書でいう「低屈折率材料」とは、波長４０５ｎｍの光に対する屈折率が１．５５以下の材料であって、酸化シリコン、フッ化マグネシウム、フッ化アルミニウム、フッ化イットリウムのいずれかの単体又はこれら化合物の２種以上の混合物である。本明細書でいう「中屈折率材料」とは、波長４０５ｎｍの光に対する屈折率が１．７未満で１．５５を上回る材料であって、フッ化鉛、フッ化セリウム、フッ化ネオジウム、フッ化ランタン、酸化アルミニウムのいずれかの単体又はこれら化合物の２種以上の混合物である。

第１の膜４３は、低屈折率材料のみから構成された単層で構成されてもよいし、中屈折率材料からのみ構成された単層で構成されてもよいし、低屈折材料と中屈折材料とを混合した単層で構成されてもよいし、これら各単層を任意に積層した２以上の層で構成されてもよい。

第２の膜４４は、波長４０５ｎｍの光に対する屈折率が１．７以上の高屈折率材料から構成された膜である。本明細書でいう「高屈折率材料」とは、波長４０５ｎｍの光に対する屈折率が１．７以上の材料であって、酸化ハフニウム、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム、酸化ランタン、ランタンアルミネート、チタン酸ランタン、チタン酸プラセオジウム、酸化タンタル、酸化チタンのいずれかの単体又はこれら化合物の２種以上の混合物である。

第３の膜４５は、波長４０５ｎｍの光に対する屈折率が１．５５以下の低屈折率材料又は低／中屈折率材料から構成された膜である。本明細書でいう「低／中屈折率材料」とは、波長４０５ｎｍの光に対する屈折率が１．５５以下の材料であって、酸化シリコンと酸化アルミニウムとの混合物である。すなわち、第３の膜４５は、波長４０５ｎｍの光に対する屈折率が１．５５以下の低屈折率材料又は低／中屈折率材料で構成されたものであるから、具体的には、波長４０５ｎｍの光に対する屈折率が１．５５以下で、かつ、酸化シリコン、フッ化マグネシウム、フッ化アルミニウム、フッ化イットリウムのいずれかの単体若しくはこれら化合物の２種以上の混合物又は酸化シリコンと酸化アルミニウムとの混合物から構成された膜である。

なお、反射防止膜４６は、第１の膜４３からのみ構成されてもよく、必ずしも第２，第３の膜４４，４５を具備しなくてもよい。この場合、第１の膜４３からのみ構成された反射防止膜４６は膜厚ｄ（ｎｍ）が下記式（３１）の条件を満たすようになっている。ただし、下記式（３１）中、ｍは０〜６の正の整数である。
ｄ＝７４×（２ｍ＋１）±２０ … （３１）

また、本実施形態では、反射防止膜４６として第１，第２，第３の膜４３，４４，４５の３層の膜を成膜した３層構造の例を示したが、第３の膜４５上に第２の膜４４と同様の膜を成膜して４層構造としてもよいし、第３の膜４５上に第２の膜４４と同様の膜と第３の膜４５と同様の膜とを交互に成膜して５層以上の層構造としてもよく、これら層構造を含めた成形品４２の表面４２ａ上の反射防止膜４６の膜構成は、成形品４１の表面４１ａにも適用されており、その他に、成形品４１の裏面４１ｂに適用されてもよいし、成形品４２の裏面４２ｂに適用されてもよい。

成形品４２の表面４２ａ上に成膜された反射防止膜４６上には撥水膜４７が成膜されている。撥水膜４７はフッ素又はシリコンを含有する材料から構成されており、撥水性を具備している。撥水膜４７は、具体的には、フッ素系有機化合物やシリコン系有機化合物から構成されるのがよく、その膜厚は通常７ｎｍ以下とするのがよい。撥水膜４７をフッ素系有機化合物で構成する場合には、例えば、蒸着材料をＷＲ１（メルク（株）製商品名）としたパーフルオロアルキルシランの薄膜を真空蒸着で形成したり、フッ素系塗布液Ｌ−１８２５６０（住友スリーエム（株）製商品名）の塗布処理で形成したりするのがよい。他方、撥水膜４７をシリコン系有機化合物で構成する場合には、ジメチルジエトキシシラン（ＤＭＤＥＳ）の薄膜を大気圧プラズマ法で形成するのがよい（特開平２００３−１６１８１７号公報参照）。

上記構成を具備する対物レンズ１５においては、成形品４２の表面４２ａが成形品４１の表面４１ａより耐磨耗性に優れている。
ここでいう「耐磨耗性」とは、MIL規格の「MIL-C-675C」のトピック中、「4.5.1 Cleaning.」にしたがう処理をおこない、その後「4.5.3.1 Physical.」にしたがう試験をおこなった結果導き出される性質のことであり、「成形品４２の表面４２ａが成形品４１の表面４１ａより耐磨耗性に優れている」とは、表面４２ａ及び表面４１ａの両面に対し同じ条件で「4.5.1 Cleaning.」にしたがう処理をおこない、その後当該両面に対し同じ条件で「4.5.3.1 Physical.」にしたがう試験をおこない、それら表面４２ａと表面４１ａとの各試験結果を比較した場合に、表面４２ａの試験結果が表面４１ａの試験結果より優れているという意味である。

また対物レンズ１５においては、波長３５０〜４５０ｎｍ中の光に対する成形品４２の表面４２ａの最小反射率が、同光（波長３５０〜４５０ｎｍ中の光）に対する成形品４１の表面４１ａの最小反射率以上となっており、対物レンズ１５における光の透過率が向上している。

次に、基材４０（成形品４１，４２）を構成する「脂環式構造を有する重合体を含有する樹脂」について詳細に説明する。

「脂環式構造を有する重合体を含有する樹脂」は、重量平均分子量（Ｍｗ）が１，０００〜１，０００，０００である重合体全繰り返し単位中に、下記式（１）で表される脂環式構造を有する繰り返し単位（ａ）と、下記式（２）及び／又は下記式（３）で表される鎖状構造の繰り返し単位（ｂ）とを、合計含有量が９０重量％以上になるように含有し、さらに繰り返し単位（ｂ）の含有量が１重量％以上１０重量％未満であり、繰り返し単位（ａ）の連鎖が下記関係式（Ｚ）を満たす脂環式炭化水素系共重合体を含有することが好ましい。
Ａ≦０．３×Ｂ … （Ｚ）
関係式（Ｚ）中、Ａ＝（脂環式構造を有する繰り返し単位の連鎖の重量平均分子量）であり、Ｂ＝（脂環式炭化水素系共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）×（脂環式構造を有する繰り返し単位数／脂環式炭化水素系共重合体を構成する全繰り返し単位数）である。

式（１）、式（２）及び式（３）中のＲ１〜Ｒ１３は、それぞれ独立に、水素原子、鎖状炭化水素基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、シアノ基、アミド基、イミド基、シリル基、及び極性基（ハロゲン原子、アルコキシ基、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、シアノ基、アミド基、イミド基、又はシリル基）で置換された鎖状炭化水素基等を表す。その中でも水素原子又は炭素原子数１〜６個の鎖状炭化水素基の場合が、耐熱性、低吸水性に優れるので好ましい。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子を挙げることができる。極性基で置換された鎖状炭化水素基としては、例えば炭素原子数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６のハロゲン化アルキル基が挙げられる。鎖状炭化水素基としては、例えば炭素原子数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６のアルキル基；炭素原子数２〜２０、好ましくは２〜１０、より好ましくは２〜６のアルケニル基が挙げられる。

式（１）中のＸは脂環式炭化水素基を表し、それを構成する炭素数は、通常４個〜２０個、好ましくは４個〜１０個、より好ましくは５個〜７個である。脂環式構造を構成する炭素数をこの範囲にすることで複屈折を低減することができる。また脂環式構造は単環構造に限らず、例えばノルボルナン環やジシクロヘキサン環などの多環構造のものでもよい。

脂環式炭化水素基は、炭素−炭素不飽和結合を有してもよいが、その含有量は、全炭素−炭素結合の１０％以下、好ましくは５％以下、より好ましくは３％以下である。脂環式炭化水素基の炭素−炭素不飽和結合をこの範囲とすることで、透明性、耐熱性が向上する。また、脂環式炭化水素基を構成する炭素には、水素原子、炭化水素基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、シアノ基、アミド基、イミド基、シリル基、及び極性基（ハロゲン原子、アルコキシ基、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、シアノ基、アミド基、イミド基、又はシリル基）で置換された鎖状炭化水素基等が結合していてもよく、中でも水素原子又は炭素原子数１〜６個の鎖状炭化水素基が耐熱性、低吸水性の点で好ましい。

また、式（３）中の「………」は、主鎖中の炭素−炭素飽和、又は炭素−炭素不飽和結合を示すが、透明性、耐熱性を強く要求される場合、不飽和結合の含有率は、主鎖を構成する全炭素−炭素間結合の、通常１０％以下、好ましくは５％以下、より好ましくは３％以下である。

式（１）で表される繰り返し単位の中でも、下記式（４）で表される繰り返し単位が、耐熱性、低吸水性の点で優れている。

式（２）で表される繰り返し単位の中でも、下記式（５）で表される繰り返し単位が、耐熱性、低吸水性の点で優れている。

式（３）で表される繰り返し単位の中でも、下記式（６）で表される繰り返し単位が、耐熱性、低吸水性の点で優れている。

式（４）、式（５）及び式（６）中の、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、Ｒｅ、Ｒｆ、Ｒｇ、Ｒｈ、Ｒｉ、Ｒｊ、Ｒｋ、Ｒｌ、Ｒｍ、Ｒｎはそれぞれ独立に水素原子または低級鎖状炭化水素基を示し、水素原子または炭素数１〜６の低級アルキル基が、耐熱性、低吸水性の点で優れている。

式（２）及び式（３）で表される鎖状構造の繰り返し単位の中では、式（３）で表される鎖状構造の繰り返し単位の方が、得られる炭化水素系重合体の強度特性に優れている。

本発明においては、炭化水素共重合体中の、式（１）で表される脂環式構造を有する繰り返し単位（ａ）と、式（２）及び／又は式（３）で表される鎖状構造の繰り返し単位（ｂ）との合計含有量は、重量基準で、通常９０％以上、好ましくは９５％以上、より好ましくは９７％以上である。合計含有量を上記範囲にすることで、低複屈折性、耐熱性、低吸水性、機械強度が高度にバランスされる。

脂環式炭化水素系共重合体における鎖状構造の繰り返し単位（ｂ）の含有量は使用目的に応じて適宜選択されるが、通常、重量基準で１％以上１０％未満、好ましくは１％以上８％以下、より好ましくは２％以上６％以下の範囲である。繰り返し単位（ｂ）の含有量が上記範囲にあると、低複屈折性、耐熱性、低吸水性が高度にバランスされる。

また、繰り返し単位（ａ）の連鎖長は、脂環式炭化水素系共重合体の分子鎖長に対して十分に短く、具体的には、Ａ＝（脂環式構造を有する繰り返し単位連鎖の重量平均分子量）、Ｂ＝（脂環式炭化水素系共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）×（脂環式構造を有する繰り返し単位数／脂環式炭化水素系共重合体を構成する全繰り返し単位数））とした時、ＡがＢの３０％以下であり、好ましくは２０％以下、より好ましくは１５％以下、特に好ましくは１０％以下の範囲である。Ａがこの範囲外では、低複屈折性に劣る。

さらに、繰り返し単位（ａ）の連鎖長が特定の分布を有しているもの好ましい。具体的には、Ａ＝（脂環式構造を有する繰り返し単位連鎖の重量平均分子量）、Ｃ＝（脂環式構造を有する繰り返し単位連鎖の数平均分子量）としたとき、Ａ／Ｃが、好ましくは１．３以上、より好ましくは１．３〜８、最も好ましくは１．７〜６の範囲である。Ａ／Ｃが過度に小さいとブロック程度が増加し、過度に大きいとランダムの程度が増加して、いずれの場合にも低複屈折性に劣る。

本発明の脂環式炭化水素系共重合体の分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（以下、ＧＰＣ）により測定されるポリスチレン（またはポリイソプレン）換算重量平均分子量（Ｍｗ）で、１，０００〜１，０００，０００、好ましくは５，０００〜５００，０００、より好ましくは１０，０００〜３００，０００、最も好ましくは５０，０００〜２５０，０００の範囲である。脂環式炭化水素系共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）が過度に小さいと成形物の強度特性に劣り、逆に過度に大きいと成形物の複屈折が大きくなる。

かかる共重合体の分子量分布は、使用目的に応じて適宜選択できるが、ＧＰＣにより測定されるポリスチレン（またはポリイソプレン）換算の重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）で、通常２．５以下、好ましくは２．３以下、より好ましくは２以下の範囲である。Ｍｗ／Ｍｎがこの範囲にあると、機械強度と耐熱性が高度にバランスされる。

共重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）は、使用目的に応じて適宜選択されればよいが、通常５０〜２５０℃、好ましくは７０〜２００℃、より好ましくは９０〜１８０℃である。

次に、上記「脂環式構造を有する重合体」の製造方法について説明する。

脂環式炭化水素系共重合体の製造方法は、（１）芳香族ビニル系化合物と共重合可能なその他のモノマーとを共重合し、主鎖及び芳香環の炭素−炭素不飽和結合を水素化する方法、（２）脂環式ビニル系化合物と共重合可能なその他のモノマーとを共重合し、必要に応じて水素化する方法等が挙げられる。

上記の方法で本発明の脂環式炭化水素系共重合体を製造する場合には、芳香族ビニル系化合物及び／又は脂環式ビニル系化合物（ａ’）と共重合可能なその他のモノマー（ｂ’）との共重合体で、共重合体中の化合物（ａ’）由来の繰り返し単位が、Ｄ＝（芳香族ビニル系化合物及び／又は脂環式ビニル系化合物由来の繰り返し単位連鎖の重量平均分子量）、Ｅ＝（炭化水素系共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）×（芳香族ビニル系化合物及び／又は脂環式ビニル系化合物由来の繰り返し単位数／炭化水素系共重合体を構成する全繰り返し単位数））、とした時、ＤがＥの３０％以下、好ましくは２０％以下、より好ましくは１５％以下、最も好ましくは１０％以下である連鎖構造を有する共重合体の、主鎖、及び芳香環やシクロアルケン環等の不飽和環の炭素−炭素不飽和結合を水素化する方法により効率的に得ることができる。 Ｄが上記範囲外では、得られる脂環式炭化水素系共重合体の低複屈折性が劣る。

本発明では（１）の方法がより効率的に脂環式炭化水素系共重合体を得ることができるので好ましい。

上記水素化前の共重合体は、さらに、Ｆ＝（芳香族ビニル系化合物及び／又は脂環式ビニル系化合物由来の繰り返し単位の連鎖の数平均分子量）、としたときの、Ｄ／Ｆが一定の範囲であるのが好ましい。具体的には、Ｄ／Ｆが、好ましくは１．３以上、より好ましくは１．３以上、８以下、最も好ましくは１．７以上、６以下の範囲である。Ｄ／Ｆがこの範囲外では、得られる脂環式炭化水素系共重合体の低複屈折性が劣る。

上記化合物（ａ’）由来の繰り返し単位の連鎖の重量平均分子量および数平均分子量は、例えば、文献Ｍａｃｒｏｍｏｒｅｃｕｌｅｓ １９８３， １６，１９２５−１９２８記載の、芳香族ビニル系共重合体の主鎖中不飽和二重結合をオゾン付加した後還元分解し、取り出した芳香族ビニル連鎖の分子量を測定する方法等により確認できる。

水素化前の共重合体の分子量は、ＧＰＣにより測定されるポリスチレン（またはポリイソプレン）換算重量平均分子量（Ｍｗ）で、１，０００〜１，０００，０００、好ましくは５，０００〜５００，０００、より好ましくは１０，０００〜３００，０００の範囲である。共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）が過度に小さいと、それから得られる脂環式炭化水素系共重合体の成形物の強度特性に劣り、逆に過度に大きいと水素化反応性に劣る。

上記（１）の方法において使用する芳香族ビニル系化合物の具体例としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、α−エチルスチレン、α−プロピルスチレン、α−イソプロピルスチレン、α−ｔ−ブチルスチレン、２−メチルスチレン、３−メチルスチレン、４−メチルスチレン、２，４−ジイソプロピルスチレン、２，４−ジメチルスチレン、４−ｔ−ブチルスチレン、５−ｔ−ブチル−２−メチルスチレン、モノクロロスチレン、ジクロロスチレン、モノフルオロスチレン、４−フェニルスチレン等が挙げられ、スチレン、２−メチルスチレン、３−メチルスチレン、４−メチルスチレン等が好ましい。

上記（２）の方法において使用する脂環式ビニル系化合物の具体例としては、例えば、シクロブチルエチレン、シクロペンチルエチレン、シクロヘキシルエチレン、シクロヘプチルエチレン、シクロオクチルエチレン、ノルボルニルエチレン、ジシクロヘキシルエチレン、α−メチルシクロヘキシルエチレン、α−ｔ−ブチルシクロヘキシルエチレン、シクロペンテニルエチレン、シクロヘキセニルエチレン、シクロヘプテニルエチレン、シクロオクテニルエチレン、シクロデケニルエチレン、ノルボルネニルエチレン、α−メチルシクロヘキセニルエチレン、及びα−ｔ−ブチルシクロヘキセニルエチレン等が挙げられ、これらの中でも、シクロヘキシルエチレン、α−メチルシクロヘキシルエチレンが好ましい。

これらの芳香族ビニル系化合物及び脂環式ビニル系化合物は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。

共重合可能なその他のモノマーとしては、格別な限定はないが、鎖状ビニル化合物及び鎖状共役ジエン化合物等が用いられ、鎖状共役ジエンを用いた場合、製造過程における操作性に優れ、また得られる脂環式炭化水素系共重合体の強度特性に優れる。

鎖状ビニル化合物の具体例としては、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、４−メチル−１−ペンテン等の鎖状オレフィンモノマー；１−シアノエチレン（アクリロニトリル）、１−シアノ−１−メチルエチレン（メタアクリロニトリル）、１−シアノ−１−クロロエチレン（α−クロロアクリロニトリル）等のニトリル系モノマー；１−（メトキシカルボニル）−１−メチルエチレン（メタアクリル酸メチルエステル）、１−（エトキシカルボニル）−１−メチルエチレン（メタアクリル酸エチルエステル）、１−（プロポキシカルボニル）−１−メチルエチレン（メタアクリル酸プロピルエステル）、１−（ブトキシカルボニル）−１−メチルエチレン（メタアクリル酸ブチルエステル）、１−メトキシカルボニルエチレン（アクリル酸メチルエステル）、１−エトキシカルボニルエチレン（アクリル酸エチルエステル）、１−プロポキシカルボニルエチレン（アクリル酸プロピルエステル）、１−ブトキシカルボニルエチレン（アクリル酸ブチルエステル）などの（メタ）アクリル酸エステル系モノマー、１−カルボキシエチレン（アクリル酸）、１−カルボキシ−１−メチルエチレン（メタクリル酸）、無水マレイン酸などの不飽和脂肪酸系モノマー等が挙げられ、中でも、鎖状オレフィンモノマーが好ましく、エチレン、プロピレン、１−ブテンが最も好ましい。

鎖状共役ジエンは、例えば、１，３−ブタジエン、イソプレン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、１，３−ペンタジエン、及び１，３−ヘキサジエン等が挙げられる。これら鎖状ビニル化合物及び鎖状共役ジエンの中でも鎖状共役ジエンが好ましく、ブタジエン、イソプレンが特に好ましい。これらの鎖状ビニル化合物及び鎖状共役ジエンは、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。

これらの鎖状ビニル系化合物は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。

化合物（ａ’）を重合する方法は、格別制限はないが、一括重合法（バッチ法）、モノマー逐次添加法（モノマー全使用量の内の一部を用いて重合を開始した後、残りのモノマーを逐次添加して重合を進めていく方法）等が挙げられ、特にモノマー逐次添加法を用いると、好ましい連鎖構造を有する炭化水素系共重合体が得られる。水素化前の共重合体は、前述のＤの値がより小さい程、及び／又は、Ｄ／Ｆが大きな値を示す程、よりランダムな連鎖構造を有する。共重合体がどの程度のランダム性を有しているかは、芳香族ビニル系化合物の重合速度と共重合可能なその他のモノマーの重合速度との速度比で決まり、この速度比が小さい程、よりランダムな連鎖構造を有していることになる。

前記モノマー逐次添加法によれば、均一に混合された混合モノマーが重合系内に逐次的に添加されるため、バッチ法とは異なり、ポリマーの重合による成長過程においてモノマーの重合選択性をより下げることができるので、得られる共重合体がよりランダムな連鎖構造になる。また、重合系内での重合反応熱の蓄積が小さくてすむので重合温度を低く安定に保つことがでる。

モノマー逐次添加法の場合、まずモノマーの全使用量のうち、通常０．０１重量％〜６０重量％、好ましくは０．０２重量％〜２０重量％、より好ましくは０．０５重量％〜１０重量％のモノマーを初期モノマーとして予め重合反応器内に存在させた状態で開始剤を添加して重合を開始する。初期モノマー量をこのような範囲にすると、重合開始後の初期反応において発生する反応熱除去を容易にすることができ、得られる共重合体をよりランダムな連鎖構造にすることができる。

上記初期モノマーの重合転化率を７０％以上、好ましくは８０％以上、より好ましくは９０％以上になるまで反応を継続すると、得られる共重合体の連鎖構造がよりランダムになる。その後、前記モノマーの残部を継続的に添加するが、添加の速度は重合系内のモノマーの消費速度を考慮して決定される。

通常は、初期モノマーの重合添加率が９０％に達するまでの所要時間をＴ、初期モノマーの全使用モノマーに対する比率（％）をＩとしたとき、関係式［（１００−Ｉ）×Ｔ／Ｉ］で与えられる時間の０．５〜３倍、好ましくは０．８〜２倍、より好ましくは１〜１．５倍となる範囲内で残部モノマーの添加が終了するように決定される。具体的には通常０．１〜３０時間、好ましくは０．５時間〜５時間、より好ましくは１時間〜３時間の範囲となるように、初期モノマー量と残りモノマーの添加速度を決定する。また、モノマー添加終了直後の全モノマー重合転化率は、通常８０％以上、好ましくは８５％以上、より好ましくは９０％以上である。モノマー添加終了直後の全モノマー重合転化率を上記の範囲とすると、得られる共重合体の連鎖構造がよりランダムになる。

重合反応は、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等、特別な制約はないが、重合操作、後工程での水素化反応の容易さ、及び最終的に得られる炭化水素系共重合体の機械的強度を考えると、アニオン重合法が好ましい。

ラジカル重合の場合は、開始剤の存在下、通常０〜２００℃、好ましくは２０〜１５０℃で、塊状重合、溶液重合、懸濁重合、乳化重合等の方法を用いることができるが、特に樹脂中への不純物等の混入等を防止する必要のある場合は、塊状重合、懸濁重合が望ましい。ラジカル開始剤としては、過酸化ベンゾイル、過酸化ラウロイル、ｔ−ブチル−パーオキシ−２−エチルヘキサノエート等の有機過酸化物、アゾイソブチロニトリル、４，４−アゾビス−４−シアノペンタン酸、アゾジベンゾイル等のアゾ化合物、過硫酸カリウム、過硫酸アンモニウムに代表される水溶性触媒やレドックス開始剤などが使用可能である。

アニオン重合の場合には、開始剤の存在下、通常０〜２００℃、好ましくは２０〜１００℃、特に好ましくは２０〜８０℃の温度範囲において、塊状重合、溶液重合、スラリー重合等の方法を用いることができるが、反応熱の除去を考慮すると、溶液重合が好ましい。この場合、重合体及びその水素化物を溶解できる不活性溶媒を用いる。溶液反応で用いる不活性溶媒は、例えばｎ−ブタン、ｎ−ペンタン、ｉｓｏ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｉｓｏ−オクタン等の脂肪族炭化水素類；シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロペンタン、メチルシクロヘキサン、デカリン等の脂環式炭化水素類；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類等が挙げられ、中でも脂肪族炭化水素類や脂環式炭化水素類を用いると、水素化反応にも不活性な溶媒としてそのまま使用することができる。これらの溶媒は、それぞれ単独で、或いは２種類以上を組み合わせて使用でき、通常、全使用モノマー１００重量部に対して２００〜１０，０００重量部となるような割合で用いられる。

上記アニオン重合の開始剤としては、例えば、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム、ヘキシルリチウム、フェニルリチウムなどのモノ有機リチウム、ジリチオメタン、１，４−ジオブタン、１，４−ジリチオー２−エチルシクロヘキサン等の多官能性有機リチウム化合物などが使用可能である。

重合反応においては、また、重合促進剤や、ランダマイザー（或る１成分の連鎖が長くなるのを防止する機能を有する添加剤）などを使用できる。アニオン重合の場合には、例えばルイス塩基化合物をランダマイザーとして使用できる。ルイス塩基化合物の具体例としては、例えば、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジフェニルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルフェニルエーテル等のエーテル化合物；テトラメチルエチレンジアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ピリジン等の第３級アミン化合物；カリウム−ｔ−アミルオキシド、カリウム−ｔ−ブチルオキシド等のアルカリ金属アルコキシド化合物；トリフェニルホスフィン等のホスフィン化合物が挙げられる。これらのルイス塩基化合物は、それぞれ単独で、或いは２種類以上を組み合わせて使用できる。

上記のラジカル重合やアニオン重合により得られた重合体は、例えばスチームストリッピング法、直接脱溶媒法、アルコール凝固法等の公知の方法で回収できる。また、重合時に、水素化反応で不活性な溶媒を用いた場合には、重合溶液から重合体を回収せず、そのまま水素添加工程に使用することができる。

（不飽和結合の水素化方法）
水素化前の共重合体の芳香環やシクロアルケン環などの不飽和環の炭素−炭素二重結合や主鎖の不飽和結合等の水素化反応を行う場合は、反応方法、反応形態に特別な制限はなく、公知の方法にしたがって行えばよいが、水素化率を高くでき、且つ水素化反応と同時に起こる重合体鎖切断反応の少ない水素化方法が好ましく、例えば、有機溶媒中、ニッケル、コバルト、鉄、チタン、ロジウム、パラジウム、白金、ルテニウム、及びレニウムから選ばれる少なくとも１つの金属を含む触媒を用いて行う方法が挙げられる。水素化触媒は、不均一触媒、均一触媒のいずれも使用可能である。

不均一系触媒は、金属または金属化合物のままで、又は適当な担体に担持して用いることができる。担体としては、例えば、活性炭、シリカ、アルミナ、炭化カルシウム、チタニア、マグネシア、ジルコニア、ケイソウ土、炭化珪素等が挙げられ、触媒の担持量は、通常０．０１〜８０重量％、好ましくは０．０５〜６０重量％の範囲である。均一系触媒は、ニッケル、コバルト、チタンまたは鉄化合物と有機金属化合物（例えば、有機アルミニウム化合物、有機リチウム化合物）とを組み合わせた触媒、またはロジウム、パラジウム、白金、ルテニウム、レニウム等の有機金属錯体触媒を用いることができる。ニッケル、コバルト、チタンまたは鉄化合物としては、例えば、各種金属のアセチルアセトン塩、ナフテン塩、シクロペンタジエニル化合物、シクロペンタジエニルジクロロ化合物等が用いられる。有機アルミニウム化合物としては、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム等のアルキルアルミニウム、ジエチルアルミニウムクロリド、エチルアルミニウムジクロリド等のハロゲン化アルミニウム、ジイソブチルアルミニウムハイドライド等の水素化アルキルアルミニウム等が好適に用いられる。

有機金属錯体触媒の例としては、上記各金属のγ−ジクロロ−π−ベンゼン錯体、ジクロロ−トリス（トリフェニルホスフィン）錯体、ヒドリド−クロロ−トリフェニルホスフィン）錯体等の金属錯体が使用される。これらの水素化触媒は、それぞれ単独で、或いは２種類以上組み合わせて使用することができ、その使用量は、重合体に対して、重量基準にて、通常、０．０１〜１００部、好ましくは０．０５〜５０部、より好ましくは０．１〜３０部である。

水素化反応は、通常１０〜２５０℃であるが、水素化率を高くでき、且つ、水素化反応と同時に起こる重合体鎖切断反応を小さくできるという理由から、好ましくは５０〜２００℃、より好ましくは８０〜１８０℃である。また水素圧力は、通常０．１ＭＰａ〜３０ＭＰａであるが、上記理由に加え、操作性の観点から、好ましくは１ＭＰａ〜２０ＭＰａ、より好ましくは２ＭＰａ〜１０ＭＰａである。

このようにして得られた、水素化物の水素化率は、¹Ｈ−ＮＭＲによる測定において、主鎖の炭素−炭素不飽和結合、芳香環の炭素−炭素二重結合、不飽和環の炭素−炭素二重結合のいずれも、通常９０％以上、好ましくは９５％以上、より好ましくは９７％以上である。水素化率が低いと、得られる共重合体の低複屈折性、熱安定性等が低下する。

水素化反応終了後に水素化物を回収する方法は特に限定されていない。通常、濾過、遠心分離等の方法により水素化触媒残渣を除去した後、水素化物の溶液から溶媒を直接乾燥により除去する方法、水素化物の溶液を水素化物にとっての貧溶媒中に注ぎ、水素化物を凝固させる方法を用いることができる。

なお、上記「脂環式構造を有する重合体を含有する樹脂」には酸化防止剤が含有されてもよい。

酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤などが挙げられ、これらの中でもフェノール系酸化防止剤、特にアルキル置換フェノール系酸化防止剤が好ましい。これらの酸化防止剤を配合することにより、透明性、低吸水性を低下させることなく、成形時の酸化劣化等による成形物の着色や強度低下を防止できる。

フェノール系酸化防止剤としては、従来公知のものが使用でき、例えば、２−ｔ−ブチル−６−（３−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−メチルフェニルアクリレート、２，４−ジ−ｔ−アミル−６−（１−（３，５−ジ−ｔ−アミル−２−ヒドロキシフェニル）エチル）フェニルアクリレートなどの特開昭６３−１７９９５３号公報や特開平１−１６８６４３号公報に記載されるアクリレート系化合物；オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、２，２’−メチレン−ビス（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、１，１，３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、テトラキス（メチレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニルプロピオネート）メタン［すなわち、ペンタエリスリメチル−テトラキス（３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニルプロピオネート）］、トリエチレングリコール ビス（３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオネート）などのアルキル置換フェノール系化合物；６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルアニリノ）−２，４−ビスオクチルチオ−１，３，５−トリアジン、４−ビスオクチルチオ−１，３，５−トリアジン、２−オクチルチオ−４，６−ビス−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−オキシアニリノ）−１，３，５−トリアジンなどのトリアジン基含有フェノール系化合物；などが挙げられる。

リン系酸化防止剤としては、一般の樹脂工業で通常使用される物であれば格別な限定はなく、例えば、トリフェニルホスファイト、ジフェニルイソデシルホスファイト、フェニルジイソデシルホスファイト、トリス（ノニルフェニル）ホスファイト、トリス（ジノニルフェニル）ホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、１０−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−ホスファフェナントレン−１０−オキサイドなどのモノホスファイト系化合物；４，４’−ブチリデン−ビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェニル−ジ−トリデシルホスファイト）、４，４’イソプロピリデン−ビス（フェニル−ジ−アルキル（Ｃ１２〜Ｃ１５）ホスファイト）などのジホスファイト系化合物などが挙げられる。これらの中でも、モノホスファイト系化合物が好ましく、トリス（ノニルフェニル）ホスファイト、トリス（ジノニルフェニル）ホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイトなどが特に好ましい。

イオウ系酸化防止剤としては、例えば、ジラウリル３，３−チオジプロピオネート、ジミリスチル３，３’−チオジプロピピオネート、ジステアリル ３，３−チオジプロピオネート、ラウリルステアリル３，３−チオジプロピオネート、ペンタエリスリトール−テトラキス−（β−ラウリル−チオ−プロピオネート、３，９−ビス（２−ドデシルチオエチル）−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５，５］ウンデカンなどが挙げられる。

これらの酸化防止剤は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができ、その配合量は、本発明の目的を損なわれない範囲で適宜選択されるが、脂環式炭化水素系共重合体１００重量部に対して通常０．００１〜５重量部、好ましくは０．０１〜１重量部である。

また、上記「脂環式構造を有する重合体を含有する樹脂」には、前記脂環式炭化水素系共重合体と、（１）軟質重合体、（２）アルコール性化合物、（３）有機または無機フィラーからなる群から選ばれる少なくとも１種類の配合剤が含有されてもよい。これらの配合剤を配合することにより、透明性、低吸水性、機械的強度などの諸特性を低下させることなく、長時間の高温高湿度環境下での白濁を防止できる。

これらの中でも、（１）軟質重合体、及び（２）アルコール性化合物が、高温高湿度環境下における白濁防止効果、得られる樹脂組成物の透明性に優れる。

（１）軟質重合体本発明に用いる軟質重合体は、通常３０℃以下のＴｇを有する重合体であり、Ｔｇが複数存在する場合には、少なくとも最も低いＴｇが３０℃以下であればよい。

これらの軟質重合体の具体例としては、例えば、液状ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ−１−ブテン、エチレン・α−オレフィン共重合体、プロピレン・α−オレフィン共重合体、エチレン・プロピレン・ジエン共重合体（ＥＰＤＭ）、エチレン・プロピレン・スチレン共重合体などのオレフィン系軟質重合体；ポリイソブチレン、イソブチレン・イソプレンゴム、イソブチレン・スチレン共重合体などのイソブチレン系軟質重合体；ポリブタジエン、ポリイソプレン、ブタジエン・スチレンランダム共重合体、イソプレン・スチレンランダム共重合体、アクリロニトリル・ブタジエン共重合体、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合体、ブタジエン・スチレン・ブロック共重合体、スチレン・ブタジエン・スチレン・ブロック共重合体、イソプレン・スチレン・ブロック共重合体、スチレン・イソプレン・スチレン・ブロック共重合体などのジエン系軟質重合体；

ジメチルポリシロキサン、ジフェニルポリシロキサン、ジヒドロキシポリシロキサン、などのケイ素含有軟質重合体； ポリブチルアクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリヒドロキシエチルメタクリレート、ポリアクリルアミド、ポリアクリロニトリル、ブチルアクリレート・スチレン共重合体などのα，β−不飽和酸からなる軟質重合体； ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリステアリン酸ビニル、酢酸ビニル・スチレン共重合体などの不飽和アルコールおよびアミンまたはそのアシル誘導体またはアセタールからなる軟質重合体； ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、エピクロルヒドリンゴム、などのエポキシ系軟質軟質重合体；フッ化ビニリデン系ゴム、四フッ化エチレン−プロピレンゴム、などのフッ素系軟質重合体；天然ゴム、ポリペプチド、蛋白質、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、塩化ビニル系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系熱可塑性エラストマーなどのその他の軟質重合体などが挙げられる。これらの軟質重合体は、架橋構造を有したものであってもよく、また、変性反応により官能基を導入したものでもよい。

上記軟質重合体の中でもジエン系軟質重合体が好ましく、特に該軟質重合体の炭素−炭素不飽和結合を水素化した水素化物が、ゴム弾性、機械強度、柔軟性、分散性の点で優れる。

（２）アルコール性化合物また、アルコール性化合物は、分子内に少なくとも１つの非フェノール性水酸基を有する化合物で、好適には、少なくても１つの水酸基と少なくとも１つのエーテル結合又はエステル結合を有する。このような化合物の具体例としては、例えば２価以上の多価アルコール、より好ましくは３価以上の多価アルコール、さらに好ましくは３〜８個の水酸基を有する多価アルコールの水酸基の１つがエーテル化またはエステル化されたアルコール性エーテル化合物やアルコール性エステル化合物が挙げられる。

２価以上の多価アルコールとしては、例えば、ポリエチレングリコール、グリセロール、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジグリセロール、トリグリセロール、ジペンタエリスリトール、１，６，７−トリヒドロキシ−２，２−ジ（ヒドロキシメチル）−４−オキソヘプタン、ソルビトール、２−メチル−１，６，７−トリヒドロキシ−２−ヒドロキシメチル−４−オキソヘプタン、１，５，６−トリヒドロキシ−３−オキソヘキサンペンタエリスリトール、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートなどが挙げられるが、特に３価以上の多価アルコール、さらには３〜８個の水酸基を有する多価アルコールが好ましい。またアルコール性エステル化合物を得る場合には、α、β−ジオールを含むアルコール性エステル化合物が合成可能なグリセロール、ジグリセロール、トリグリセロールなどが好ましい。

このようなアルコール性化合物として、例えば、グリセリンモノステアレート、グリセリンモノラウレート、グリセリンモノベヘネート、ジグリセリンモノステアレート、グリセリンジステアレート、グリセリンジラウレート、ペンタエリスリトールモノステアレート、ペンタエリスリトールモノラウレート、ペンタエリスリトールモノベヘレート、ペンタエリスリトールジステアレート、ペンタエリスリトールジラウレート、ペンタエリスリトールトリステアレート、ジペンタエリスリトールジステアレートなどの多価アルコール性エステル化物；３−（オクチルオキシ）−１，２−プロパンジオール、３−（デシルオキシ）−１，２−プロパンジオール、３−（ラウリルオキシ）−１，２−プロパンジオール、３−（４−ノニルフェニルオキシ）−１，２−プロパンジオール、１，６−ジヒドロオキシ−２，２−ジ（ヒドロキシメチル）−７−（４−ノニルフェニルオキシ）−４−オキソヘプタン、ｐ−ノニルフェニルエーテルとホルムアルデヒドの縮合体とグリシドールの反応により得られるアルコール性エーテル化合物、 ｐ−オクチルフェニルエーテルとホルムアルデヒドの縮合体とグリシドールの反応により得られるアルコール性エーテル化合物、 ｐ−オクチルフェニルエーテルとジシクロペンタジエンの縮合体とグリシドールの反応により得られるアルコール性エーテル化合物などが挙げられる。これらの多価アルコール性化合物は単独でまたは２種以上を組み合わせて使用される。これらの多価アルコール性化合物の分子量は特に限定されないが、通常５００〜２０００、好ましくは８００〜１５００のものが、透明性の低下も少ない。

（３）有機または無機フィラー有機フィラーとしては、通常の有機重合体粒子または架橋有機重合体粒子を用いることができ、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレンなどのポリオレフィン； ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのハロゲン含有ビニル重合体；ポリアリレート、ポリメタクリレートなどのα，β−不飽和酸から誘導された重合体； ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニルなどの不飽和アルコールから誘導された重合体； ポリエチレンオキシド、またはビスグリシジルエーテルからから誘導された重合体； ポリフェニレンオキシド、 ポリカーボネート、 ポリスルフォンなどの芳香族縮合系重合体； ポリウレタン；ポリアミド；ポリエステル；アルデヒド・フェノール系樹脂；天然高分子化合物 などの粒子または架橋粒子を挙げることができる。

無機フィラーとしては、例えば、フッ化リチウム、硼砂（硼酸ナトリウム含水塩）などの１族元素化合物；炭酸マグネシウム、燐酸マグネシウム、炭酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、炭酸バリウムなどの２族元素化合物； 二酸化チタン（チタニア）、一酸化チタンなどの４族元素化合物；二酸化モリブデン、三酸化モリブデンの６族元素化合物；塩化マンガン、酢酸マンガンなどの７族元素化合物；塩化コバルト、酢酸コバルトなどの８〜１０族元素化合物；沃化第一銅などの１１族元素化合物；酸化亜鉛、酢酸亜鉛などの１２族元素化合物；酸化アルミニウム（アルミナ）、フッ化アルミニウム、アルミノシリケート（珪酸アルミナ、カオリン、カオリナイト）などの１３族元素化合物；酸化珪素（シリカ、シリカゲル）、石墨、カーボン、グラファイト、ガラスなどの１４族元素化合物；カーナル石、カイナイト、雲母（マイカ、キンウンモ）、バイロース鉱などの天然鉱物の粒子が挙げられる。

上記（１）〜（３）の化合物の配合量は脂環式炭化水素系共重合体と配合される化合物の組み合わせによって決まるが、一般に、配合量が多すぎれば、組成物のガラス転移温度や透明性が大きく低下し、光学材料として使用するのに不適である。また配合量が少なすぎれば、高温高湿下において成形物の白濁を生じる場合がある。配合量としては、脂環式炭化水素系共重合体１００重量部に対して、通常０．０１〜１０重量部、好ましくは０．０２〜５重量部、特に好ましくは０．０５〜２重量部の割合で配合する。配合量が少なすぎる場合には高温高湿度環境下における白濁防止効果が得られず、配合量が多すぎる場合は成形品の耐熱性、透明性が低下する。

なお、上記「脂環式構造を有する重合体を含有する樹脂」には、必要に応じて、その他の配合剤として、紫外線吸収剤、耐光安定剤、近赤外線吸収剤、染料や顔料などの着色剤、滑剤、可塑剤、帯電防止剤、蛍光増白剤などを配合することができ、これらは単独で、あるいは２種以上混合して用いることができ、その配合量は本発明の目的を損ねない範囲で適宜選択される。

紫外線吸収剤としては、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−２’−ベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−５−スルホベンゾフェノントリヒドレート、２−ヒドロキシ−４−ｎ−オクトキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、４−ドデシロキシ−２−ヒドロキシベンゾフェノン、ビス（５−ベンゾイル−４−ヒドロキシ−２−メトキシフェニル）メタンなどのベンゾフェノン系紫外線吸収剤；２−（２’−ヒドロキシ−５’−メチル−フェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４−メチル−６−（３，４，５，６−テトラヒドロフタルイミディルメチル）フェノール、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４−６−ビス（１−メチル−１−フェニルエチル）フェノール、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−第三−ブチル−フェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’−第三−ブチル−５’−メチル−フェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−５’−第三オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−第三−アミルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−〔２’−ヒドロキシ−３’−（３’’，４’’，５’’，６’’−テトラヒドロフタルイミドメチル）−５’−メチルフェニル〕ベンゾトリアゾール、２，２’−メチレンビス〔４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール〕などのベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤などが挙げられる。これらの中でも、２−（２’−ヒドロキシ−５’−メチル−フェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４−メチル−６−（３，４，５，６−テトラヒドロフタルイミディルメチル）フェノール、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４−６−ビス（１−メチル−１−フェニルエチル）フェノールなどが耐熱性、低揮発性などの観点から好ましい。

耐光安定剤としては、ベンゾフェノン系耐光安定剤、ベンゾトリアゾール系耐光安定剤、ヒンダードアミン系耐光安定剤などが挙げられるが、本発明においては、レンズの透明性、耐着色性等の観点から、ヒンダードアミン系耐光安定剤を用いるのが好ましい。ヒンダードアミン系耐光安定剤（以下「ＨＡＬＳ」と記す。）の中でも、ＴＨＦを溶媒として用いたＧＰＣにより測定したポリスチレン換算のＭｎが１０００〜１００００であるものが好ましく、２０００〜５０００であるものがより好ましく、２８００〜３８００であるものが特に好ましい。Ｍｎが小さすぎると、該ＨＡＬＳをブロック共重合体に加熱溶融混練して配合する際に、揮発のため所定量を配合できなかったり、射出成形等の加熱溶融成形時に発泡やシルバーストリークが生じるなど加工安定性が低下する。また、ランプを点灯させた状態でレンズを長時間使用する場合に、レンズから揮発性成分がガスとなって発生する。逆にＭｎが大き過ぎると、ブロック共重合体への分散性が低下して、レンズの透明性が低下し、耐光性改良の効果が低減する。したがって、本発明においては、ＨＡＬＳのＭｎを上記範囲とすることにより加工安定性、低ガス発生性、透明性に優れたレンズが得られる。

このようなＨＡＬＳの具体例としては、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’’−テトラキス−〔４，６−ビス− ｛ブチル−（Ｎ−メチル−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−４−イル）アミノ｝−トリアジン−２−イル〕−４，７−ジアザデカン−１，１０−ジアミン、ジブチルアミンと１，３，５−トリアジンとＮ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）ブチルアミンとの重縮合物、ポリ〔｛（１，１，３，３−テトラメチルブチル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジイル｝[（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ]ヘキサメチレン[（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ]〕、１，６−ヘキサンジアミン−Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）とモルフォリン−２，４，６−トリクロロ−１，３，５−トリアジンとの重縮合物、ポリ〔（６−モルフォリノ−ｓ−トリアジン−２，４−ジイル）（２，２，６，６，−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ〕−ヘキサメチレン〔（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ〕〕などの、ピペリジン環がトリアジン骨格を介して複数結合した高分子量ＨＡＬＳ；コハク酸ジメチルと４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジンエタノールとの重合物、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸と１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジノールと３，９−ビス（２−ヒドロキシ−１，１−ジメチルエチル）−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５，５］ウンデカンとの混合エステル化物などの、ピペリジン環がエステル結合を介して結合した高分子量ＨＡＬＳなどが挙げられる。

これらの中でも、ジブチルアミンと１，３，５−トリアジンとＮ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）ブチルアミンとの重縮合物、ポリ〔｛（１，１，３，３−テトラメチルブチル）アミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジイル｝[（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ]ヘキサメチレン[（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）イミノ]〕、コハク酸ジメチルと４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチル−１−ピペリジンエタノールとの重合物などのＭｎが２，０００〜５，０００のものが好ましい。

本発明に係るブロック共重合体に対する上記紫外線吸収剤およびＨＡＬＳの配合量は、重合体１００重量部に対して、好ましくは０．０１〜２０重量部、より好ましくは０．０２〜１５重量部、特に好ましくは０．０５〜１０重量部である。添加量が少なすぎると耐光性の改良効果が十分に得られず、屋外で長時間使用する場合等に着色が生じる。一方、ＨＡＬＳの配合量が多すぎると、その一部がガスとなって発生したり、ブロック共重合体への分散性が低下して、レンズの透明性が低下する。

また、上記「脂環式構造を有する重合体を含有する樹脂」の組成物は、上記各成分を適宜混合することにより得ることができる。混合方法としては、炭化水素系重合体に各成分が十分に分散される方法であれば特に限定されなず、例えばミキサー、二軸混錬機、ロール、ブラベンダー、押出機などで樹脂を溶融状態で混練する方法、適当な溶剤に溶解して分散させ凝固する方法などが挙げられる。二軸混練機を用いる場合、混錬後に通常は溶融状態で棒状に押し出し、ストランドカッターで適当な長さに切り、ペレット化した成形材料として用いられることが多い。

更に詳しくは「脂環式構造を有する重合体を含有する樹脂」は、下記式（１１）で表される繰り返し単位〔１〕を含有する重合体ブロック〔Ａ〕と、下記式（１１）で表される繰り返し単位〔１〕並びに下記式（１２）で表される繰り返し単位〔２〕又は／及び下記式（１３）で表される繰り返し単位〔３〕を含有する重合体ブロック〔Ｂ〕とを有し、前記重合体ブロック〔Ａ〕中の繰り返し単位〔１〕のモル分率ａ（モル％）と、前記重合体ブロック〔Ｂ〕中の繰り返し単位〔１〕のモル分率ｂ（モル％）との関係がａ＞ｂであるブロック重合体を含有することが好ましい。

式（１１）中、Ｒ¹は水素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基であり、Ｒ²−Ｒ¹²はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、ヒドロキシル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基又はハロゲン基である。

式（１２）中、Ｒ¹³は水素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基である。

式（１３）中、Ｒ¹⁴及びＲ¹⁵はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基である。

上記式（１１）で表される繰り返し単位〔１〕の好ましい構造は、Ｒ¹が水素またはメチル基で、Ｒ²−Ｒ¹²がすべて水素のものである。重合体ブロック〔Ａ〕中の繰り返し単位〔１〕の含有量が上記範囲にあると、透明性および機械的強度に優れる。重合体ブロック〔Ａ〕における、前記繰り返し単位〔１〕以外の残部は、鎖状共役ジエンや鎖状ビニル化合物由来の繰り返し単位を水素化したものである。

重合体ブロック〔Ｂ〕は、前記繰り返し単位〔１〕ならびに下記式（１２）で表される繰り返し単位〔２〕または／および下記式（１３）で表される繰り返し単位〔３〕を含有する。重合体ブロック〔Ｂ〕中の繰り返し単位〔１〕の含有量は、好ましくは４０〜９５モル％、より好ましくは５０〜９０モル％である。繰り返し単位〔１〕の含有量が上記範囲にあると、透明性および機械的強度に優れる。ブロック〔Ｂ〕中の繰り返し単位〔２〕のモル分率をｍ２（モル％）および、繰り返し単位〔３〕のモル分率をｍ３（モル％）としたときに、２×ｍ２＋ｍ３が、好ましくは２モル％以上、より好ましくは５〜６０モル％、最も好ましくは１０〜５０モル％である。

上記式（１２）で表される繰り返し単位〔２〕の好ましい構造は、Ｒ¹³が水素またはメチル基のものである。

上記式（１３）で表される繰り返し単位〔３〕の好ましい構造は、Ｒ¹⁴が水素で、Ｒ¹⁵がメチル基またはエチル基のものである。

重合体ブロック〔Ｂ〕中の、前記繰り返し単位〔２〕または繰り返し単位〔３〕の含有量が少なすぎると、機械的強度が低下する。したがって、繰り返し単位〔２〕および繰り返し単位〔３〕の含有量が上記範囲にあると、透明性および機械的強度に優れる。重合体ブロック〔Ｂ〕は、さらに、下記式（Ｘ）で表される繰り返し単位〔Ｘ〕を含有していてもよい。繰り返し単位〔Ｘ〕の含有量は、本発明のブロック共重合体の特性を損なわない範囲の量であり、好ましくはブロック共重合体全体に対し、３０モル％以下、より好ましくは２０モル％以下である。

式（Ｘ）中、Ｒ²⁵は水素原子、または炭素数１〜２０のアルキル基を表し、Ｒ²⁶はニトリル基、アルコキシカルボニル基、ホルミル基、ヒドロキシカルボニル基、もしくはハロゲン基を表し、Ｒ²⁷は水素原子を表す。または、Ｒ²⁶とＲ²⁷とは相互に結合して、酸無水物基、もしくはイミド基を形成してもよい。

また、本発明に用いるブロック共重合体は、重合体ブロック〔Ａ〕中の繰り返し単位〔１〕のモル分率をａ、重合体ブロック〔Ｂ〕中の繰り返し単位〔１〕のモル分率をｂとした場合に、ａ＞ｂの関係がある。これにより、透明性、および機械的強度に優れる。

さらに、本発明に用いるブロック共重合体は、ブロック〔Ａ〕を構成する全繰り返し単位のモル数をｍａ、ブロック〔Ｂ〕を構成する全繰り返し単位のモル数をｍｂとした場合に、その比（ｍａ：ｍｂ）が、好ましくは５：９５〜９５：５、より好ましくは３０：７０〜９５：５、特に好ましくは４０：６０〜９０：１０である。（ｍａ：ｍｂ）が上記範囲にある場合に、機械的強度および耐熱性に優れる。

本発明に用いるブロック共重合体の分子量は、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を溶媒とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（以下「ＧＰＣ」と記す。）により測定されるポリスチレン（またはポリイソプレン）換算重量平均分子量（以下「Ｍｗ」と記す。）で、好ましくは１０，０００〜３００，０００、より好ましくは１５，０００〜２５０，０００、特に好ましくは２０，０００〜２００，０００の範囲である。ブロック共重合体のＭｗが上記範囲にあると、機械的強度、耐熱性、成形性のバランスに優れる。

ブロック共重合体の分子量分布は、使用目的に応じて適宜選択できるが、ＧＰＣにより測定されるポリスチレン（またはポリイソプレン）換算のＭｗと数平均分子量（以下「Ｍｎ」と記す。）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）で、好ましくは５以下、より好ましくは４以下、特に好ましくは３以下の範囲である。Ｍｗ／Ｍｎがこの範囲にあると、機械的強度や耐熱性に優れる。

ブロック共重合体のガラス転移温度（以下「Ｔｇ」と記す。）は、使用目的に応じて適宜選択されればよいが、示差走査型熱量計（以下「ＤＳＣ」と記す。）による、高温側の測定値で、好ましくは７０〜２００℃、より好ましくは８０〜１８０℃、特に好ましくは９０〜１６０℃である。

本発明に用いる上記ブロック共重合体は、重合体ブロック〔Ａ〕および重合体ブロック〔Ｂ〕を有し、（〔Ａ〕−〔Ｂ〕）型のジブロック共重合体であっても、（〔Ａ〕−〔Ｂ〕−〔Ａ〕）型や（〔Ｂ〕−〔Ａ〕−〔Ｂ〕）型のトリブロック共重合体であっても、重合体ブロック〔Ａ〕と重合体ブロック〔Ｂ〕とが、交互に合計４個以上つながったブロック共重合体であってもよい。また、これらのブロックがラジアル型に結合したブロック共重合体であってもよい。

本発明に用いるブロック共重合体は、以下の方法により得ることができる。その方法としては、芳香族ビニル化合物または／および環に不飽和結合を有する脂環族ビニル化合物を含有するモノマー混合物、および、ビニル系モノマー（芳香族ビニル化合物および脂環族ビニル化合物を除く。）を含有するモノマー混合物を重合して、芳香族ビニル化合物または／および脂環族ビニル化合物由来の繰り返し単位を含有する重合体ブロック、および、ビニル系モノマー由来の繰り返し単位を含有する重合体ブロックを有するブロック共重合体を得る。そして該ブロック共重合体の芳香環または／および脂肪族環を水素化する方法や、飽和脂環族ビニル化合物を含有するモノマー混合物、および、ビニル系モノマー（芳香族ビニル化合物および脂環族ビニル化合物を除く。）を含有するモノマー混合物を重合して、脂環族ビニル化合物由来の繰り返し単位を含有する重合体ブロック、および、ビニル系モノマー由来の繰り返し単位を含有する重合体ブロックを有するブロック共重合体を得る方法などが挙げられる。中でも、本発明に用いるブロック共重合体としてより好ましいものは、例えば、以下の方法により得ることができる。

（１）第一の方法としては、まず、芳香族ビニル化合物または／および環に不飽和結合を有する脂環族ビニル化合物を５０モル％以上含有するモノマー混合物〔ａ’〕を重合して、芳香族ビニル化合物または／および環に不飽和結合を有する脂環族ビニル化合物由来の繰り返し単位を含有する重合体ブロック〔Ａ’〕を得る。ビニル系モノマー（芳香族ビニル化合物および脂環族ビニル化合物を除く。）を２モル％以上含有し、且つ、芳香族ビニル化合物または／および環に不飽和結合を有する脂環族ビニル化合物をモノマー混合物〔ａ’〕中の割合よりも少ない割合の量で含有するモノマー混合物〔ｂ’〕を重合して、芳香族ビニル化合物または／および前記脂環族ビニル化合物由来の繰り返し単位とビニル系モノマー由来の繰り返し単位を含有する重合体ブロック〔Ｂ’〕を得る。これらの工程を少なくとも経て、前記重合体ブロック〔Ａ’〕および重合体ブロック〔Ｂ’〕を有するブロック共重合体を得た後、該ブロック共重合体の芳香環または／および脂肪族環を水素化する。

（２）第二の方法としては、まず、飽和脂環族ビニル化合物を５０モル％以上含有するモノマー混合物〔ａ〕を重合して、飽和脂環族ビニル化合物由来の繰り返し単位を含有する重合体ブロック〔Ａ〕を得る。ビニル系モノマー（芳香族ビニル化合物および脂環族ビニル化合物を除く）を２モル％以上含有し、且つ、飽和脂環族ビニル化合物をモノマー混合物〔ａ〕中の割合よりも少ない割合の量で含有するモノマー混合物〔ｂ〕を重合して、飽和脂環族ビニル化合物由来の繰り返し単位とビニル系モノマー由来の繰り返し単位を含有する重合体ブロック〔Ｂ〕を得る。これらの工程を少なくとも経て、前記重合体ブロック〔Ａ〕および重合体ブロック〔Ｂ〕を有するブロック共重合体を得る。

上記方法の中で、モノマーの入手容易性、重合収率、重合体ブロック〔Ｂ’〕への繰り返し単位〔１〕の導入のし易さ等の観点から、上記（１）の方法がより好ましい。

上記（１）の方法における芳香族ビニル化合物の具体例としては、スチレン、α−メチルスチレン、α−エチルスチレン、α−プロピルスチレン、α−イソプロピルスチレン、α−ｔ−ブチルスチレン、２−メチルスチレン、３−メチルスチレン、４−メチルスチレン、２，４−ジイソプロピルスチレン、２，４−ジメチルスチレン、４−ｔ−ブチルスチレン、５−ｔ−ブチル−２−メチルスチレン、モノクロロスチレン、ジクロロスチレン、モノフルオロスチレン、４−フェニルスチレン等や、これらにヒドロキシル基、アルコキシ基などの置換基を有するもの等が挙げられる。中でもスチレン、２−メチルスチレン、３−メチルスチレン、４−メチルスチレン等が好ましい。

上記（１）方法における不飽和脂環族ビニル系化合物の具体例としては、シクロヘキセニルエチレン、α−メチルシクロヘキセニルエチレン、およびα−ｔ−ブチルシクロヘキセニルエチレン等や、これらにハロゲン基、アルコキシ基、またはヒドロキシル基等の置換基を有するもの等が挙げられる。

これらの芳香族ビニル化合物および脂環族ビニル系化合物は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることもできるが、本発明においては、モノマー混合物〔ａ’〕および〔ｂ’〕のいずれにも、芳香族ビニル化合物を用いるのが好ましく、中でも、スチレンまたはα−メチルスチレンを用いるのがより好ましい。

上記方法で使用するビニル系モノマーには、鎖状ビニル化合物および鎖状共役ジエン化合物が含まれる。

鎖状ビニル化合物の具体例としては、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、４−メチル−１−ペンテン等の鎖状オレフィンモノマー等が挙げられ、中でも、鎖状オレフィンモノマーが好ましく、エチレン、プロピレン、１−ブテンが最も好ましい。

鎖状共役ジエンは、例えば、１，３−ブタジエン、イソプレン、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン、１，３−ペンタジエン、および１，３−ヘキサジエン等が挙げられる。これら鎖状ビニル化合物および鎖状共役ジエンの中でも鎖状共役ジエンが好ましく、ブタジエン、イソプレンが特に好ましい。これらの鎖状ビニル化合物および鎖状共役ジエンは、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。

上記のモノマーを含有するモノマー混合物を重合する場合、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等のいずれの方法で重合反応を行ってもよいが、アニオン重合によるのが好ましく、不活性溶媒の存在下にリビングアニオン重合を行うのが最も好ましい。

アニオン重合は、重合開始剤の存在下、通常０〜２００℃、好ましくは２０〜１００℃、特に好ましくは２０〜８０℃の温度範囲において行う。開始剤としては、例えば、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム、ヘキシルリチウム、フェニルリチウムなどのモノ有機リチウム、ジリチオメタン、１，４−ジオブタン、１，４−ジリチオー２−エチルシクロヘキサン等の多官能性有機リチウム化合物などが使用可能である。

使用する不活性溶媒としては、例えば、ｎ−ブタン、ｎ−ペンタン、イソペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、イソオクタン等の脂肪族炭化水素類；シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロペンタン、メチルシクロヘキサン、デカリン等の脂環式炭化水素類；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素類等が挙げられ、中でも脂肪族炭化水素類や脂環式炭化水素類を用いると、水素化反応にも不活性な溶媒としてそのまま使用することができる。これらの溶媒は、それぞれ単独で、或いは２種類以上を組み合わせて使用でき、通常、全使用モノマー１００重量部に対して２００〜１０，０００重量部となるような割合で用いられる。

それぞれの重合体ブロックを重合する際には、各ブロック内で、或る１成分の連鎖が長くなるのを防止するために、重合促進剤やランダマイザーなどを使用することができる。特に重合反応をアニオン重合により行う場合には、ルイス塩基化合物などをランダマイザーとして使用できる。ルイス塩基化合物の具体例としては、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジフェニルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルフェニルエーテル等のエーテル化合物；テトラメチルエチレンジアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ピリジン等の第３級アミン化合物；カリウム−ｔ−アミルオキシド、カリウム−ｔ−ブチルオキシド等のアルカリ金属アルコキシド化合物；トリフェニルホスフィン等のホスフィン化合物が挙げられる。これらのルイス塩基化合物は、それぞれ単独で、或いは２種類以上を組み合わせて使用することができる。

リビングアニオン重合によりブロック共重合体を得る方法は、従来公知の、逐次付加重合反応法およびカップリング法などが挙げられるが、本発明においては、逐次付加重合反応法を用いるのが好ましい。

逐次付加重合反応法により、重合体ブロック〔Ａ’〕および重合体ブロック〔Ｂ’〕を有する上記ブロック共重合体を得る場合には、重合体ブロック〔Ａ’〕を得る工程と、重合体ブロック〔Ｂ’〕を得る工程は、順次連続して行われる。具体的には、不活性溶媒中で、上記リビングアニオン重合触媒存在下、モノマー混合物〔ａ’〕を重合して重合体ブロック〔Ａ’〕を得、引き続きその反応系にモノマー混合物〔ｂ’〕を添加して重合を続け、重合体ブロック〔Ａ’〕とつながった重合体ブロック〔Ｂ’〕を得る。さらに所望に応じて、再びモノマー混合物〔ａ’〕を添加して重合し、重合体ブロック〔Ａ’〕をつなげてトリブロック体とし、さらには再びモノマー混合物〔ｂ’〕を添加して重合し、重合体ブロック〔Ｂ’〕をつなげたテトラブロック体を得る。

得られたブロック共重合体は、例えばスチームストリッピング法、直接脱溶媒法、アルコール凝固法等の公知の方法によって回収する。重合反応において、水素化反応で不活性な溶媒を用いた場合には、重合溶液そのままを水素化反応工程にも使用することができるので、重合溶液からブロック共重合体を回収しなくてもよい。

上記（１）の方法において得られる、重合体ブロック〔Ａ’〕および重合体ブロック〔Ｂ’〕を有するブロック共重合体（以下「水素化前ブロック共重合体」という。）のうち下記の構造の繰り返し単位を有するものが好ましい。

好ましい水素化前ブロック共重合体を構成する重合体ブロック〔Ａ’〕は、下記式（１４）で表される繰り返し単位〔４〕を５０モル％以上含有する重合体ブロックである。

式（１４）中、Ｒ¹⁶は水素原子、または炭素数１〜２０のアルキル基を表し、Ｒ¹⁷−Ｒ²¹は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、ヒドロキシル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基またはハロゲン基である。尚、上記〔Ｒ¹⁷−Ｒ²¹〕は、Ｒ¹⁷、Ｒ¹⁸、・・およびＲ²¹を表す。

また、好ましい重合体ブロック〔Ｂ’〕は、前記繰り返し単位〔４〕を必ず含み、下記式（１５）で表される繰り返し単位〔５〕および下記式（１６）で表される繰り返し単位〔６〕のいずれかを少なくとも１つ含む重合体ブロックである。また、重合体ブロック〔Ａ’〕中の繰り返し単位〔４〕のモル分率をａ’、ブロック〔Ｂ’〕中の繰り返し単位〔４〕のモル分率をｂ’とした場合、ａ’＞ｂ’である。

式（１５）中、Ｒ²²は水素原子、または炭素数１〜２０のアルキル基を表す。

式（１６）中、Ｒ²³は水素原子、または炭素数１〜２０のアルキル基を表し、Ｒ²⁴は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基またはアルケニル基を表す。

さらに、ブロック〔Ｂ’〕中には、下記式（Ｙ）で示される繰り返し単位〔Ｙ〕を含有していてもよい。

式（Ｙ）中、Ｒ²⁸は水素原子、または炭素数１〜２０のアルキル基を表し、Ｒ²⁹はニトリル基、アルコキシカルボニル基、ホルミル基、ヒドロキシカルボニル基、またはハロゲン基を表し、Ｒ³⁰は水素原子を表す。または、Ｒ²⁹とＲ³⁰とは相互に結合して、酸無水物基、またはイミド基を形成してもよい。

さらに、好ましい水素化前ブロック共重合体は、ブロック〔Ａ’〕を構成する全繰り返し単位のモル数をｍａ’、ブロック〔Ｂ’〕を構成する全繰り返し単位のモル数をｍｂ’とした場合に、その比（ｍａ’：ｍｂ’）が、５：９５〜９５：５、より好ましくは３０：７０〜９５：５、特に好ましくは４０：６０〜９０：１０である。（ｍａ’：ｍｂ’）が上記範囲にある場合に、機械的強度や耐熱性に優れる。

好ましい水素化前ブロック共重合体の分子量は、ＴＨＦを溶媒としてＧＰＣにより測定されるポリスチレン（またはポリイソプレン）換算Ｍｗで、１２，０００〜４００，０００、より好ましくは１９，０００〜３５０，０００、特に好ましくは２５，０００〜３００，０００の範囲である。ブロック共重合体のＭｗが過度に小さいと、機械的強度が低下し、過度に大きいと、水素添加率が低下する。

好ましい水素化前のブロック共重合体の分子量分布は、使用目的に応じて適宜選択できるが、ＧＰＣにより測定されるポリスチレン（またはポリイソプレン）換算のＭｗとＭｎとの比（Ｍｗ／Ｍｎ）で、５以下、より好ましくは４以下、特に好ましくは３以下の範囲である。Ｍｗ／Ｍｎがこの範囲にあると、水素添加率が向上する。

好ましい水素化前のブロック共重合体のＴｇは、使用目的に応じて適宜選択されればよいが、ＤＳＣによる高温側の測定値で、７０〜１５０℃、より好ましくは８０〜１４０℃、特に好ましくは９０〜１３０℃である。

上記の、水素化前のブロック共重合体の、芳香環やシクロアルケン環などの不飽和環の炭素−炭素不飽和結合、および主鎖や側鎖の不飽和結合等を水素化する方法および反応形態に特別な制限はなく、公知の方法にしたがって行えばよいが、水素化率を高くでき、重合体鎖切断反応の少ない水素化方法が好ましく、例えば、有機溶媒中、ニッケル、コバルト、鉄、チタン、ロジウム、パラジウム、白金、ルテニウム、およびレニウムから選ばれる少なくとも１つの金属を含む触媒を用いて行う方法が挙げられる。水素化触媒は、不均一系触媒、均一系触媒のいずれも使用可能である。

不均一系触媒は、金属または金属化合物のままで、または適当な担体に担持して用いることができる。担体としては、例えば、活性炭、シリカ、アルミナ、炭化カルシウム、チタニア、マグネシア、ジルコニア、ケイソウ土、炭化珪素等が挙げられ、触媒の担持量は、好ましくは０．０１〜８０重量％、より好ましくは０．０５〜６０重量％の範囲である。均一系触媒は、ニッケル、コバルト、チタンまたは鉄化合物と有機金属化合物（例えば、有機アルミニウム化合物、有機リチウム化合物）とを組み合わせた触媒、またはロジウム、パラジウム、白金、ルテニウム、レニウム等の有機金属錯体触媒を用いることができる。ニッケル、コバルト、チタンまたは鉄化合物としては、例えば、各種金属のアセチルアセトン塩、ナフテン酸塩、シクロペンタジエニル化合物、シクロペンタジエニルジクロロ化合物等が用いられる。有機アルミニウム化合物としては、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム等のアルキルアルミニウム、ジエチルアルミニウムクロリド、エチルアルミニウムジクロリド等のハロゲン化アルミニウム、ジイソブチルアルミニウムハイドライド等の水素化アルキルアルミニウム等が好適に用いられる。

有機金属錯体触媒の例としては、上記各金属のγ−ジクロロ−π−ベンゼン錯体、ジクロロ−トリス（トリフェニルホスフィン）錯体、ヒドリド−クロロ−トリフェニルホスフィン錯体等の金属錯体が使用される。これらの水素化触媒は、それぞれ単独で、或いは２種類以上組み合わせて使用することができ、その使用量は、重合体１００重量部に対して、好ましくは０．０１〜１００重量部、より好ましくは０．０５〜５０重量部、特に好ましくは０．１〜３０重量部である。

水素化反応は、通常１０〜２５０℃であるが、水素化率を高くでき、且つ、重合体鎖切断反応を小さくできるという理由から、好ましくは５０〜２００℃、より好ましくは８０〜１８０℃である。また水素圧力は、好ましくは０．１ＭＰａ〜３０ＭＰａであるが、上記理由に加え、操作性の観点から、より好ましくは１ＭＰａ〜２０ＭＰａ、特に好ましくは２ＭＰａ〜１０ＭＰａである。

このようにして得られた、ブロック共重合体の水素化率は、¹Ｈ−ＮＭＲによる測定において、主鎖および側鎖の炭素−炭素不飽和結合、芳香環やシクロアルケン環の炭素−炭素不飽和結合のいずれも、好ましくは９０％以上、より好ましくは９５％以上、特に好ましくは９７％以上である。水素化率が低いと、得られる共重合体の低複屈折性、熱安定性等が低下する。

水素化反応終了後、ブロック共重合体は、例えば濾過、遠心分離等の方法により反応溶液から水素化触媒を除去した後、溶媒を直接乾燥により除去する方法、反応溶液を、ブロック共重合体にとっての貧溶媒中に注ぎ、凝固させる方法等によって回収できる。

また、本発明に係るブロック重合体に、最も低いガラス転移温度が３０℃以下である軟質重合体を配合することにより、透明性、耐熱性、機械的強度などの諸特性を低下させることなく、長時間の高温高湿度環境下での白濁を防止できる。

上記軟質重合体の具体例としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−α−オレフィン共重合体、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体（ＥＰＤＭ）などのオレフィン系軟質重合体；ポリイソブチレン、イソブチレン−イソプレンゴム、イソブチレン−スチレン共重合体などのイソブチレン系軟質重合体；ポリブタジエン、ポリイソプレン、ブタジエン−スチレンランダム共重合体、イソプレン−スチレンランダム共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ブタジエン−スチレン・ブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレン・ブロック共重合体、イソプレン−スチレン・ブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレン・ブロック共重合体などのジエン系軟質重合体；ジメチルポリシロキサン、ジフェニルポリシロキサンなどのケイ素含有軟質重合体；ポリブチルアクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリヒドロキシエチルメタクリレートなどのアクリル系軟質重合体；ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、エピクロルヒドリンゴムなどのエポキシ系軟質重合体；フッ化ビニリデン系ゴム、四フッ化エチレン−プロピレンゴムなどのフッ素系軟質重合体；天然ゴム、ポリペプチド、蛋白質、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、塩化ビニル系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系熱可塑性エラストマーなどのその他の軟質重合体などが挙げられる。これらの軟質重合体は、架橋構造を有したものであってもよく、また、変性反応により官能基を導入したものでもよい。

上記軟質重合体の中でもジエン系軟質重合体が好ましく、特に該軟質重合体の炭素−炭素不飽和結合を水素化した水素化物が、ゴム弾性、機械的強度、柔軟性、および分散性の点で優れる。軟質重合体の配合量は、化合物の種類に応じて異なるが、一般に、配合量が多すぎれば、ブロック共重合体のガラス転移温度や透明性が大きく低下し、レンズとして使用することができない。また配合量が少なすぎれば、高温高湿下において成形物の白濁を生じる場合がある。配合量は、ブロック共重合体１００重量部に対して、好ましくは０．０１〜１０重量部、より好ましくは０．０２〜５重量部、特に好ましくは０．０５〜２重量部である。

本発明で用いるブロック共重合体に上記配合剤を配合してブロック共重合体組成物を形成する方法は、例えば、ミキサー、二軸混錬機、ロール、ブラベンダー、押出機などでブロック共重合体を溶融状態にして配合剤と混練する方法、適当な溶剤に溶解して分散させ凝固する方法などが挙げられる。二軸混練機を用いる場合、混錬後に通常は溶融状態でストランド状に押し出し、ペレタイザーにてペレット状にカットして用いられることが多い。

なお、以上の樹脂以外に、「脂環式構造を有する重合体を含有する樹脂」は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）の紫外分光検出器及び示差屈折計で検出されるピーク面積から算出される飽和結合率が９９．９２〜９９．９９％のノルボルネン系開環重合体水素添加物を含有するものであってもよい。

飽和結合率とは、下記のごとくゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）の紫外分光検出器及び示差屈折計でそれぞれ検出されるピーク面積Ｓ₁及びＳ₂から算出される開環重合体水素添加物中の全炭素−炭素結合中の炭素−炭素飽和結合の割合に相当する計算値である。飽和結合率は、ノルボルネン系開環重合体水素添加物の分子量を、シクロヘキサンを溶媒とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定したときに、紫外分光検出器で検出されるピーク面積をＳ₁、示差屈折計で検出されるピーク面積をＳ₂としたときに、次の式、飽和結合率（％）＝１００＋ｋ×（Ｓ₁／Ｓ₂）で算出した値である。ここでＳ₁の値は、通常、重合体中に存在する炭素−炭素二重結合の割合が小さくなるほど小さくなる。また、「１００−飽和結合率」が炭素−炭素不飽和結合の比率となる。完全に水素添加されれば、飽和結合率は１００％である。

上記式中のｋは、以下の手順で算出される。
（１）¹Ｈ−ＮＭＲにより複数の重合体サンプルの水素添加率を測定する。
（２）溶媒をシクロヘキサンとして重合体の濃度が約０．５重量％になるようにサンプル溶液を調製する。
（３）上記（２）で得られるサンプル溶液の分子量を、シクロヘキサンを溶媒とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、ＧＰＣの紫外分光検出器で検出されるピーク面積（Ｓ₁）と示差屈折計で検出されるピーク面積（Ｓ₂）から（Ｓ₁／Ｓ₂）を算出する。
（４）縦軸に¹Ｈ−ＮＭＲにより算出された水素添加率、横軸にＳ₁／Ｓ₂をプロットし、最小二乗法から算出される傾きをｋとする。ｋは、通常負の値となる。ここで¹Ｈ−ＮＭＲによる水素添加率は、水素添加前後の重合体の¹Ｈ−ＮＭＲスペクトル中のピークの面積の積分値から算出する。

飽和結合率は、以下の手順により算出される。
（１）ノルボルネン系開環重合体水素添加物のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）測定用の溶液を調製する。溶媒はシクロヘキサンとし、溶液中の前記水素添加物の濃度を０．５重量％とする。
（２）上記（１）で調製した溶液の分子量を、シクロヘキサンを溶媒とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、ＧＰＣの紫外分光検出器で検出されるピーク面積（Ｓ₁）と示差屈折計で検出されるピーク面積（Ｓ₂）からピーク面積比（Ｓ₁／Ｓ₂）を算出する。
（３）上記（２）で算出されたピーク面積比（Ｓ₁／Ｓ₂）と算出したｋとから、下記の式により飽和結合率を算出する。
飽和結合率（％）＝１００＋ｋ×（Ｓ₁／Ｓ₂）

ノルボルネン系開環重合体水素添加物は、下記一般式（２１）で表されるノルボルネン系単量体由来の繰り返し単位を５０〜１００重量％、好ましくは７０〜１００重量％、より好ましくは９０〜１００％有するものである。

（一般式（２１）中、Ｒ¹〜Ｒ⁴はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０の炭化水素基又はハロゲン原子、ケイ素原子、酸素原子もしくは窒素原子を含む基を示し、Ｒ¹とＲ⁴が結合して環を形成してもよい。ｐは０、１または２である。ｑは０または１である。）

ノルボルネン系開環重合体水素添加物は、ノルボルネン系単量体と開環重合触媒とを添加して開環重合を行い、該単量体添加終了後も該触媒を添加して開環重合を終了してノルボルネン系開環重合体を得、次いで水素添加触媒の存在下で水素添加することにより得られるものである。

ノルボルネン系開環重合体水素添加物を構成するノルボルネン系単量体は、ノルボルネン類、ノルボルネン環以外に環構造を有するノルボルネン誘導体、テトラシクロドデセン類やヘキサシクロヘプタデセン類等のノルボルネン環を有する多環の環状オレフィン類であり、下記一般式（２２）で代表されるものである。また、これらの単量体は、アルキル基やアルケニル基、アルキリデン基などの炭化水素基；窒素原子、酸素原子、ケイ素原子、リン原子、又は硫黄原子を含む基；ノルボルネン環の二重結合以外の二重結合；をさらに有してもよい。

（一般式（２２）中、Ｒ¹〜Ｒ⁴、ｐ及びｑは上記一般式（２１）と同じである。）

ノルボルネン類は、一般式（２２）のｐ及びｑが０であるノルボルネン系単量体である。具体例としては、ノルボルネン、５−メチルノルボルネン、５−エチルノルボルネン、５−ブチルノルボルネン、５−ヘキシルノルボルネン、５−デシルノルボルネン、５−シクロヘキシルノルボルネン、５−シクロペンチルノルボルネンなどの無置換又はアルキル基を有するノルボルネン類；５−エチリデンノルボルネン、５−ビニルノルボルネン、５−プロペニルノルボルネン、５−シクロヘキセニルノルボルネン、５−シクロペンテニルノルボルネンなどのアルケニル基を有するノルボルネン類；５−フェニルノルボルネンなどの芳香環を有するノルボルネン類；

５−メトキシカルボニルノルボルネン、５−エトキシカルボニルノルボルネン、５−メチル−５−メトキシカルボニルノルボルネン、５−メチル−５−エトキシカルボニルノルボルネン、ノルボルネニル−２−メチルプロピオネイト、ノルボルネニル−２−メチルオクタネイト、ノルボルネン−５，６−ジカルボン酸無水物、５−ヒドロキシメチルノルボルネン、５，６−ジ（ヒドロキシメチル）ノルボルネン、５，５−ジ（ヒドロキシメチル）ノルボルネン、５−ヒドロキシ−ｉ−プロピルノルボルネン、５，６−ジカルボキシノルボルネン、５−メトキシカルボニル−６−カルボキシノルボルネン、などの酸素原子を含む基を有するノルボルネン類；５−シアノノルボルネン、ノルボルネン−５，６−ジカルボン酸イミドなどの窒素原子を含む基を有するノルボルネン類；などが挙げられる。

ノルボルネン環以外に環構造を有するノルボルネン誘導体は、一般式（２２）のｐが０、ｑが０又は１で、Ｒ¹とＲ⁴が結合してノルボルネン環、５員環以外に環構造を有するノルボルネン系単量体である。具体的には、ｐが０で、ｑが１であるジシクロペンタジエン類、ｐが０で、ｑが１で、さらに芳香環を有するノルボルネン誘導体を挙げることができる。ジシクロペンタジエン類の具体例としては、５員環部分に二重結合を有するトリシクロ［４．３．０．１^2,5 ］デカ−３,７−ジエン（慣用名：ジシクロペンタジエン）、５員環部分の二重結合を飽和させたトリシクロ［４．３．１^2,5．０］デカ−３−エン、トリシクロ［４．４．１^2,5．０］ウンダ−３−エンなどを挙げることができる。ｐが０で、ｑが１で、さらに芳香環を有するノルボルネン誘導体の具体例としては、テトラシクロ［６．５．１^2,5．０^1,6．０^8,13］トリデカ−３，８，１０，１２−テトラエン（１，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレンともいう）などを挙げることができる。

テトラシクロドデセン類は、一般式（２２）のｐが１、ｑが０であるノルボルネン系単量体である。具体例としては、テトラシクロドデセン、８−メチルテトラシクロドデセン、８−エチルテトラシクロドデセン、８−シクロヘキシルテトラシクロドデセン、８−シクロペンチルテトラシクロドデセンなどの無置換又はアルキル基を有するテトラシクロドデセン類；８−メチリデンテトラシクロドデセン、８−エチリデンテトラシクロドデセン、８−ビニルテトラシクロドデセン、８−プロペニルテトラシクロドデセン、８−シクロヘキセニルテトラシクロドデセン、８−シクロペンテニルテトラシクロドデセンなどの環外に二重結合を有するテトラシクロドデセン類；８−フェニルテトラシクロドデセンなどの芳香環を有するテトラシクロドデセン類；８−メトキシカルボニルテトラシクロドデセン、８−メチル−８−メトキシカルボニルテトラシクロドデセン、８−ヒドロキシメチルテトラシクロドデセン、８−カルボキシテトラシクロドデセン、テトラシクロドデセン−８，９−ジカルボン酸、テトラシクロドデセン−８，９−ジカルボン酸無水物などの酸素原子を含む基を有するテトラシクロドデセン類；

８−シアノテトラシクロドデセン、テトラシクロドデセン−８，９−ジカルボン酸イミドなどの窒素原子を含む基を有するテトラシクロドデセン類；８−クロロテトラシクロドデセンなどのハロゲン原子を含む基を有するテトラシクロドデセン類；８−トリメトキシシリルテトラシクロドデセンなどのケイ素原子を含む基を有するテトラシクロドデセン類；などが挙げられる。

ヘキサシクロヘプタデセン類は、一般式（２２）のｐが２で、ｑが０であるノルボルネン系単量体である。具体例としては、ヘキサシクロヘプタデセン、１２−メチルヘキサシクロヘプタデセン、１２−エチルヘキサシクロヘプタデセン、１２−シクロヘキシルヘキサシクロヘプタデセン、１２−シクロペンチルヘキサシクロヘプタデセンなどの無置換又はアルキル基を有するヘキサシクロヘプタデセン類；１２−メチリデンヘキサシクロヘプタデセン、１２−エチリデンヘキサシクロヘプタデセン、１２−ビニルヘキサシクロヘプタデセン、１２−プロペニルヘキサシクロヘプタデセン、１２−シクロヘキセニルヘキサシクロヘプタデセン、１２−シクロペンテニルヘキサシクロヘプタデセンなどの環外に二重結合を有するヘキサシクロヘプタデセン類；１２−フェニルヘキサシクロヘプタデセンなどの芳香環を有するヘキサシクロヘプタデセン類；

１２−メトキシカルボニルヘキサシクロヘプタデセン、１２−メチル−１２−メトキシカルボニルヘキサシクロヘプタデセン、１２−ヒドロキシメチルヘキサシクロヘプタデセン、１２−カルボキシヘキサシクロヘプタデセン、ヘキサシクロヘプタデセン１２，１３−ジカルボン酸、ヘキサシクロヘプタデセン１２，１３−ジカルボン酸無水物などの酸素原子を含む基を有するヘキサシクロヘプタデセン類；１２−シアノヘキサシクロヘプタデセン、ヘキサシクロヘプタデセン１２，１３−ジカルボン酸イミドなどの窒素原子を含む基を有するヘキサシクロヘプタデセン類；１２−クロロヘキサシクロヘプタデセンなどのハロゲン原子を含む基を有するヘキサシクロヘプタデセン類；１２−トリメトキシシリルヘキサシクロヘプタデセンなどのケイ素原子を含む基を有するヘキサシクロヘプタデセン類などが挙げられる。上記のノルボルネン系単量体は、それぞれ単独であるいは２種以上組み合わせて用いることができる。

ノルボルネン系開環重合体水素添加物は、ノルボルネン系単量体と共重合可能な単量体由来の繰り返し単位を含んでもよい。ノルボルネン系単量体と共重合可能なその他の単量体としては、格別制限はないが、例えば、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、３，４−ジメチルシクロペンテン、３−メチルシクロヘキセン、２−（２−メチルブチル）−１−シクロヘキセン、シクロオクテン、３ａ，５，６，７ａ−テトラヒドロ−４，７−メタノ−１Ｈ−インデンなどのシクロオレフィン ；１，４−ヘキサジエン、４−メチル−１，４−ヘキサジエン、５−メチル−１，４−ヘキサジエン、１，７−オクタジエンなどの非共役ジエン；などが挙げられる。

これらのノルボルネン系単量体と共重合可能なその他の単量体由来の繰り返し単位は、通常０〜５０重量％、好ましくは０〜３０重量％、より好ましくは０〜１０重量％である。

ノルボルネン系開環重合体水素添加物のシクロヘキサンを溶媒とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定されたポリイソプレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常１０，０００〜１００，０００、好ましくは１３，０００〜７０，０００、より好ましくは１４，０００〜６０，０００、特に好ましくは１５，０００〜５０，０００である。また、重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）との比（Ｍｗ／Ｍｎ）として表される分子量分布（ＭＷＤ）は、通常、１．５〜５．０、好ましくは、１．７〜４．０、より好ましくは１．８〜３．０である。

ノルボルネン開環重合体水素添加物は、シクロヘキサンを溶媒とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定されたポリイソプレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）が７５，０００以上である成分の割合が少ないほうが好ましい。具体的には、全重合体中の１５重量％以下、好ましくは１０重量％以下である。

ノルボルネン開環重合体水素添加物のガラス転移温度（Ｔｇ）は、使用目的に応じて適宜選択されるが、通常３０〜３００℃、好ましくは６０〜２５０℃、より好ましくは８０〜２００℃の範囲である。ガラス転移温度が過度に低いと得られる成形体の耐熱性、耐光性が低下し、過度に高いと成形加工性が悪くなる。

ノルボルネン開環重合体水素添加物の製造方法は、ノルボルネン系単量体と開環重合触媒（初期添加触媒）とを添加して開環重合を行い、該単量体添加終了後も該触媒を添加して（追加添加触媒）開環重合を終了してノルボルネン系開環重合体を得、次いで水素添加触媒の存在下で水素添加することを含む。

この製造方法が適用できるノルボルネン系単量体としては、水素添加物を構成するノルボルネン系単量体を挙げることができる。ノルボルネン系単量体の割合は、通常５０〜１００重量％、好ましくは７０〜１００重量％、より好ましくは９０〜１００重量％、特に好ましくは１００重量％である。上記範囲にノルボルネン系単量体の割合を設定することで、得られる成形体の機械的強度が向上する。

また、ノルボルネン開環重合体水素添加物の製造方法においては、上記ノルボルネン系単量体を共重合可能な単量体を使用してもよい。ノルボルネン系単量体と共重合可能なその他の単量体としては、格別制限はないが、例えば、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、３，４−ジメチルシクロペンテン、３−メチルシクロヘキセン、２−（２−メチルブチル）−１−シクロヘキセン、シクロオクテン、３ａ，５，６，７ａ−テトラヒドロ−４，７−メタノ−１Ｈ−インデンなどのシクロオレフィン ；１，４−ヘキサジエン、４−メチル−１，４−ヘキサジエン、５−メチル−１，４−ヘキサジエン、１，７−オクタジエンなどの非共役ジエン；などが挙げられる。これらのノルボルネン系単量体と共重合可能なその他の単量体の割合は、通常０〜５０重量％、好ましくは０〜３０重量％、より好ましくは０〜１０重量％である。

ノルボルネン開環重合体水素添加物の製造方法において、重合反応は、溶媒を用いても、用いなくても可能であるが、用いる場合にはノルボルネン系単量体とその開環重合体を十分に溶解できるものであれば、特に限定されない。中でも不活性有機溶媒中で重合を行うことが望ましい。

不活性有機溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素；ｎ−ペンタン、ヘキサン、ヘプタンなどの脂肪族炭化水素；シクロペンタン、シクロヘキサンなどの脂環族炭化水素；スチレンジクロリド、ジクロルエタン、ジクロルエチレン、テトラクロルエタン、クロルベンゼン、ジクロルベンゼン、トリクロルベンゼンなどのハロゲン化炭化水素；などが挙げられる。この中でも、好ましくはｎ−ペンタン、ヘキサン、ヘプタンなどの脂肪族炭化水素；シクロペンタン、シクロヘキサンなどの脂環族炭化水素；またはこれらのハロゲン化物が挙げられる。これらの溶剤は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができ、その使用量はノルボルネン系単量体１００重量部あたり、通常１０〜１０００重量部、好ましくは５０〜７００重量部、より好ましくは１００〜５００重量部の範囲である。

ノルボルネン開環重合体水素添加物の製造方法は、ノルボルネン系単量体と開環重合触媒（初期添加触媒）とを添加して開環重合を行うことを含む。

この製造方法において、ノルボルネン系単量体と開環重合触媒とを混合して添加してもよく、それぞれ別個に添加してもよいが、ノルボルネン系単量体の一部と不活性有機溶媒と助触媒とを反応容器内に仕込んだ後、ノルボルネン系単量体の残部と開環重合触媒とを添加して開環重合を行うことが好ましい。このときのノルボルネン系単量体の仕込み量は、ノルボルネン開環重合体水素添加物の製造方法に使用するノルボルネン系単量体全量に対して、５０重量％以下、好ましくは４０重量％以下である。

ノルボルネン開環重合体水素添加物の製造方法に適用できる助触媒は、開環重合触媒の助触媒として用いられているものが挙げられる。具体的には、有機アルミニウム化合物や有機錫化合物が挙げられ、好ましくは有機アルミニウム化合物である。

有機アルミニウム化合物の具体例としては、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリ−ｎ−プロピルアルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウムなどのトリアルキルアルミニウムや、ジエチルアルミニウムモノクロリド、エチルアルミニウムジクロリドなどのアルキルハライドアルミニウムなどが挙げられるが、好ましくはトリエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、ジエチルアルミニウムクロリドなどが挙げられる。

これらの助触媒は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。助触媒の添加量は、ノルボルネン系単量体に対して、０．００５〜１０モル％、好ましくは０．０２〜５モル％である。助触媒を上記範囲で用いることにより、ゲルや高分子量成分の発生が少なく、かつ重合活性が高く分子量の制御が行いやすくなる。

ノルボルネン開環重合体水素添加物の製造方法では、開環重合反応には、ノルボルネン系単量体、開環重合触媒及び助触媒のほかに、分子量調節剤や反応調整剤を添加することができる。

分子量調節剤としては、通常、鎖状モノオレフィンや鎖状共役ジエン類が用いられる。具体的には、１−ブテン、２−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−ドデセン、１、４−ヘキサジエンなどが挙げられる。分子量調節剤の使用量は、重合条件により適宜選択されるが、ノルボルネン系単量体に対して、通常０．２〜１０モル％、好ましくは０．４〜７モル％、より好ましくは０．５〜４モル％である。

反応調整剤としては、アルコール、アミン等の活性水素含有極性化合物；エーテル、エステル、ケトン、ニトリル等の活性水素を含有しない極性化合物；から選ばれる少なくとも１種の極性化合物を用いることができる。活性水素含有極性化合物は、ゲルの発生を防ぎ、特定分子量の重合体を得るのに有効であり、なかでもアルコールが好ましい。また活性水素を含有しない極性化合物は、機械的強度の低下の原因となる重合体中の低分子量成分の生成を抑制するのに有効であり、中でもエーテル、エステル、ケトンが好ましく、特にケトンがより好ましい。

アルコールとしては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブタノール、ｔ−ブタノール、ペンタノール、イソペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノールなどの飽和アルコールや、フェノール、ベンジルアルコールなどの不飽和アルコール等が挙げられるが、好ましくはプロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブタノールである。

エステルとしては、例えば、ぎ酸メチル、ぎ酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸プロピル、安息香酸イソプロピルなどが挙げられ、これらの中でも酢酸メチルや酢酸エチルが好ましい。

エーテルとしては、例えば、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテルやトリエチレングリコールジブチルエーテルなどが挙げられ、これらの中でもジイソプロピルエーテル、ジエチルエーテルが好ましい。

ケトンとしては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルフェニルケトン、ジフェニルケトンなどが挙げられ、これらの中でもアセトンやメチルエチルケトンが好ましい。

反応調整剤は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることが出来る。特に、ノルボルネン開環重合体水素添加物においては、活性水素含有の極性化合物と活性水素を有さない極性化合物を組み合わせるのが好ましく、特にアルコールとケトン、アルコールとニトリル、アルコールとエーテル及びアルコールとエステルの組み合わせが好ましい。反応調整剤の使用量は、ノルボルネン系単量体に対して、通常０．００１〜１０モル％、好ましくは０．０１〜５モル％の範囲である。

開環重合の温度条件は、通常−２０〜１００℃、好ましくは０〜１００℃、より好ましくは１０〜８０℃、最も好ましくは１０〜５０℃の範囲で行う。温度が低すぎると反応速度が低下し、高すぎると反応の制御が困難になり、またエネルギーコストが高くなる。すなわち、温度条件を−２０〜１００℃の範囲に調整することで、反応の制御が容易で、エネルギーコストを低く抑えることができると共に、適切な反応速度で重合を進行させることができる。

開環重合の圧力条件は、通常０〜５ＭＰａ、好ましくは常圧〜１ＭＰａ 、より好ましくは常圧〜０．５ＭＰａである。

開環重合は、得られる重合体の酸化による劣化、着色などを防止するために、窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で行われることもある。

ノルボルネン開環重合体水素添加物の製造方法に適用できる開環重合触媒は、特公昭４１−２０１１１号公報、特開昭４６−１４９１０号公報、特公昭５７−１７８８３号公報、特公昭５７−６１０４４号公報、特開昭５４−８６６００号公報、特開昭５８−１２７７２８号公報、特開平１−２４０５１７号公報などに開示されているような公知のノルボルネン系単量体の開環重合触媒である。具体的には、周期表第４〜１０族の遷移金属の化合物であり、これらの遷移金属のハロゲン化物、オキシハロゲン化物、アルコキシハロゲン化物、アルコキシド、カルボン酸塩、（オキシ）アセチルアセトネート、カルボニル錯体などが挙げられる。

具体例としては、ＴｉＣｌ₄、ＴｉＢｒ₄、ＶＯＣｌ₃、ＶＯＢｒ₃、ＷＢｒ₄、ＷＢｒ₆、ＷＣｌ₂、ＷＣｌ₄、ＷＣｌ₅、ＷＣｌ₆、ＷＦ₄、ＷＩ₂、ＷＯＢｒ₄、ＷＯＣｌ₄、ＷＯＦ₄、ＭｏＢｒ₂、ＭｏＢｒ₃、ＭｏＢｒ₄、ＭｏＣｌ₄、ＭｏＣｌ₅、ＭｏＦ₄、ＭｏＯＣｌ₄、ＭｏＯＦ₄、ＷＯ₂、Ｈ₂ＷＯ₄、ＮａＷＯ₄、Ｋ₂ＷＯ₄、（ＮＨ₄）₂ＷＯ₄、ＣａＷＯ₄、ＣｕＷＯ₄、ＭｇＷＯ₄、（ＣＯ）₅ＷＣ（ＯＣＨ₃）（ＣＨ₃）、（ＣＯ）₅ＷＣ（ＯＣ₂Ｈ₅）（ＣＨ₃）、（ＣＯ）₅ＷＣ（ＯＣ₂Ｈ₅）（Ｃ₄Ｈ₅）、（ＣＯ）₅ＭｏＣ（ＯＣ₂Ｈ₅）（ＣＨ₃）、（ＣＯ）₅Ｍｏ＝Ｃ（Ｃ₂Ｈ₅）、（Ｎ（Ｃ₂Ｈ₅）₂）、トリデシルアンモニウムモリブデン酸塩、トリデシルアンモニウムタングステン酸塩等が挙げられる。

上記開環重合触媒の中でも実用上、重合活性などの点から、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、またはＶの化合物が好ましく、特にこれらのハロゲン化物、オキシハロゲン化物、またはアルコキシハロゲン化物が好ましい。

開環重合触媒の添加量は、ノルボルネン系単量体に対して通常０．００１〜５モル％、好ましくは０．００５〜２．５モル％、さらに好ましくは０．０１〜１モル％である。

ノルボルネン開環重合体水素添加物の製造方法において、ノルボルネン系単量体と開環重合触媒とを添加して開環重合を行い、該単量体添加終了後も該触媒を添加（追加添加触媒）する。開環重合触媒を追加添加する時期としては、例えば、ノルボルネン系単量体添加終了直後や該単量体添加終了後時間が経過した後などが挙げられる。また開環重合触媒を追加添加する方法としては、例えば、一度に開環重合触媒を添加する方法、継続して開環重合触媒を添加する方法、又は断続的に開環重合触媒を添加する方法などが挙げられるが、継続して添加する方法が好ましい。

ノルボルネン開環重合体水素添加物の製造方法において、ノルボルネン系単量体添加終了時の重合転化率は、好ましくは９０〜９９％、さらに好ましくは９３〜９７％であり、追加添加触媒量は、ノルボルネン系単量体に対して、好ましくは０．００００５モル％以上、さらに好ましくは０．００２５モル％以上である。

ノルボルネン開環重合体水素添加物の製造方法において、反応系内を攪拌して開環重合を行うことが好ましい。反応系内を攪拌しながら開環重合を行うことにより、重合反応熱による急激な温度上昇を好適に抑制することが可能となる。

ノルボルネン開環重合体水素添加物の製造方法において、目的に応じた分子量あるいは転化率まで重合を進行させてから、開環重合反応を終了する。その後、重合反応液のゲル化等を防ぐために開環重合触媒を不活性化させて、さらにその後、必要に応じて不活性化させた開環重合触媒を除去する。

開環重合触媒を不活性化する方法としては、たとえば、触媒不活性化剤を重合反応液に加える方法などが挙げられる。

触媒不活性化剤としては、水、アルコール類、カルボン酸類、フェノール類などのヒドロキシル基を有する化合物を好ましく例示できる。

アルコール類としては、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、３−メチル−１−ブタノール、２−エチル−１−ヘキサノール、２−プロペン−１−オール、１，２−エタンジオール、１，２−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、グリセリン、ペンタエリスリトール、２−エトキシエタノール、２，２−ジクロロ−１−エタノール、２−ブロモ−１−エタノール、２−フェニル−１−エタノールなどの脂肪族、脂環族、芳香族のモノ、ジまたはポリアルコール類などが挙げられる。

カルボン酸類としては、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、アクリル酸、シュウ酸、マレイン酸、プロパントリカルボン酸、酒石酸、クエン酸、シクロペンタンカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、安息香酸、フタル酸、ピロメリット酸などの脂肪族、脂環族、芳香族のモノ、ジまたはポリカルボン酸類などが挙げられる。

フェノール類としては、フェノール、クレゾール、キシレノールなどが挙げられる。これらの触媒不活性化剤は、単独または２種以上混合して使用することができる。

これらのヒドロキシル基を有する化合物のうち、水または水溶性の化合物（たとえば、炭素数４以下の化合物）は、重合体溶液に対する溶解性が低く、重合体中に残存しにくいので、好ましい。中でも、水または低級アルコール類が好ましいが、特に水とアルコール類を同時に使用すると、水を単独で使用する場合に比して、触媒不活性化効率が良好であり、またアルコールを単独で用いる場合に比して、触媒残査の析出が容易になるので好ましい。水とアルコールの好ましい使用比率は、水１重量部に対してアルコール類が０．１〜５重量部、特に０．２〜２重量％である。

触媒不活性化剤の量は、重合触媒を不活性化させるのに十分な量であればよく、重合触媒の不活性化に必要な化学量論量に対し、好ましくは１〜２０モル当量、より好ましくは２〜１０モル当量の範囲である。例えば、開環重合触媒として六塩化タングステン１モルとトリエチルアルミニウム１．５モルを用い、触媒不活性化剤としてメタノールを用いた場合、化学量論上は、メタノールは六塩化タングステン１モルに対して６モル、トリエチルアルミニウム１モルに対して３モルが必要となるので、開環重合触媒を不活性化するのに必要なメタノールの化学量論量は１０．５モルとなる。

さらに、重合体溶液に触媒不活性化剤を添加した結果、重合触媒が析出する場合、析出する不溶解成分の凝集核または凝集助剤として、活性白土、タルク、けいそう土、ベントナイト、合成ゼオライト、シリカゲル粉末、アルミナ粉末などを添加してもよい。添加量の範囲は任意だが、好ましくは開環重合触媒の重量の約０．１〜１０倍である。

触媒不活性化剤の添加は、−５０℃〜１００℃の任意の温度、好ましくは０〜８０℃、０〜０．５ＭＰａの任意の圧力、好ましくは常圧〜０．５ＭＰａで行い、その条件下で、０．５〜１０時間、好ましくは１〜３時間攪拌する。

ノルボルネン開環重合体水素添加物の製造方法において、開環重合触媒に遷移金属ハロゲン化物を使用する場合は、重合触媒不活性化剤の添加によりハロゲン化水素が発生し、水素添加触媒が被毒され易いため、目的に応じた分子量あるいは転化率まで重合が進行した後、重合触媒不活性化剤の添加前に、予め酸捕捉剤を添加しておくことが好ましい。さらに、重合触媒不活性化剤の添加後であって水素添加反応開始前に、追加で酸捕捉剤を添加することが好ましい。

酸捕捉剤としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、などの金属水酸化物； 酸化カルシウム、酸化マグネシウム、などの金属酸化物； アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、鉄、などの金属； 炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、ハイドロタルサイト（Ｍｇ₆Ａｌ₂(ＯＨ)₁₆ＣＯ₃・４Ｈ₂Ｏ）、酢酸ナトリウム、酢酸マグネシウムなどの塩類； エチレンオキサイド、プロピレンオキサイド、ブチレンオキサイド、ブチルグリシジルエーテル、フェニルグリシジルエーテル、シクロヘキセンオキサイド、４-ビニルシクロヘキセンオキサイド、スチレンオキサイド、などのエポキシ化合物； などが挙げられる。

酸捕捉効果のある塩類としては、アルカリ性を示す塩類であり、強酸と弱アルカリの塩が好ましい。これらの酸捕捉剤の中で、重合触媒不活性化剤の添加前に用いる酸捕捉剤としては、エポキシ化合物と塩類、およびそれらの組み合わせが、酸捕捉効果が優れ好ましい。水素添加時に追加で加える酸捕捉剤としては、塩類が好ましい。水素添加反応時の温度条件で、反応器の腐食を効果的に抑えることができる。

酸捕捉剤の量は、用いた開環重合触媒の加水分解により発生しうるハロゲン化水素の最大量、すなわち化学量論量に対し０．５当量以上、好ましくは１〜１００当量、さらに好ましくは２〜１０当量である。

酸捕捉剤の添加は、−５０℃〜１００℃の任意の温度、好ましくは０℃〜８０℃、０〜５ＭＰａの任意の圧力、好ましくは常圧〜０．５ＭＰａでおこなう。引き続く重合触媒不活性化剤の添加および反応は前述と同様である。

酸捕捉剤を添加した場合は、開環重合触媒を水素添加工程の前に除去せず、重合触媒残渣が共存した状態でも水素添加触媒の活性を維持するという効果もあり、好ましい。

ノルボルネン開環重合体水素添加物の製造方法において、上記開環重合反応終了後に、水素添加触媒を添加して水素添加反応を行う。水素添加触媒としては、オレフィン化合物や芳香族化合物の水素添加に際して一般に使用されるものであれば格別な制限はなく、通常、不均一系触媒や均一系触媒が用いられる。

不均一系触媒としては、例えば、ニッケル、パラジウム、白金、又はこれらの金属を用いてカーボン、シリカ、ケイソウ土、アルミナ、酸化チタン等の担体に担持させた固体触媒：ニッケル／シリカ、ニッケル／ケイソウ土、ニッケル／アルミナ、パラジウム／カーボン、パラジウム／シリカ、パラジウム／ケイソウ土、パラジウム／アルミナなどの組み合わせからなる触媒が挙げられる。

均一系触媒としては、例えば、遷移金属化合物とアルキルアルミ金属化合物又はアルキルリチウムの組み合わせからなる触媒、例えば、酢酸コバルト／トリエチルアルミニウム、酢酸コバルト／トリイソブチルアルミニウム、酢酸ニッケル／トリエチルアルミニウム、酢酸ニッケル／トリイソブチルアルミニウム、ニッケルアセチルアセトナート／トリエチルアルミニウム、ニッケルアセチルアセトナート／トリイソブチルアルミニウイム、チタノセンクロリド／ｎ−ブチルリチウム、ジルコノセンクロリド／ｎ−ブチルリチウムなどの組み合わせからなる触媒が挙げられる。

水素添加反応は、それぞれ単独で又は２種以上組み合わせて用いることができる。水素化触媒の使用量は、ノルボルネン系開環重合体１００重量部あたり、通常０．０１〜１００重量部、好ましくは０．１〜５０重量部、より好ましくは１〜３０重量部の範囲である。水素添加反応は、通常０．１ＭＰａ〜３０ＭＰａ、好ましくは１ＭＰａ〜２０ＭＰａ、より好ましくは２ＭＰａ〜１０ＭＰａの水素圧下、０〜２５０℃の温度範囲、１〜２０時間の反応時間で行われる。

ノルボルネン開環重合体水素添加物の製造方法において、ノルボルネン系開環重合体水素添加物は以下の手順にて回収される。水素添加触媒として不均一系触媒を用いた場合、上記水素添加反応後に、ろ過して水素添加触媒を除去し、続いて凝固乾燥法、又は薄膜乾燥機等を用いた直接乾燥法にて得ることができる。ノルボルネン系開環重合体水素添加物は、通常、パウダー状又はペレット状で得ることができる。一方、水素添加触媒として均一系触媒を用いた場合は、水素添加反応後に、アルコールや水を添加して触媒を失活させ、溶剤に不溶化させた後に濾過を行い触媒を除去する。

ノルボルネン系開環重合体水素添加物には、必要に応じて、その他のポリマー、各種配合剤、有機または無機の充填剤などの添加剤を単独で、あるいは２種以上添加しても良い。

その他のポリマーとしては、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ＳＢＳ、ＳＩＳ、ＳＥＢＳなどのエラストマー；ポリスチレン、ポリ（メタ）アクリレート、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエーテル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホンなどの樹脂；などを配合することができる。また、これらのその他のポリマーはそれぞれ単独で、あるいは２種以上混合して用いることができる。

配合剤としては、熱可塑性樹脂材料で通常用いられているものであれば格別な制限はなく、例えば、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、近赤外線吸収剤、染料や顔料などの着色剤、滑剤、可塑剤、帯電防止剤、蛍光増白剤、難燃剤、アンチブロッキング剤、レベリング剤などの配合剤が挙げられる。

中でも、酸化防止剤を加えることが好ましく、そのような酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤などが挙げられるが、これらの中でも、フェノール系酸化防止剤が好ましく、アルキル置換フェノール系酸化防止剤が特に好ましい。これらの酸化防止剤を配合することにより、透明性、低吸水性等を低下させることなく、成形時の酸化劣化等による成形物の着色や強度低下を防止できる。

有機または無機の充填剤としては、例えば、シリカ、ケイ藻土、アルミナ、酸化チタン、酸化マグネシウム、軽石粉、軽石バルーン、塩基性炭酸マグネシウム、ドワマイト、酸化カルシウム、炭酸カルシウム、硫酸カルシウム、チタン酸カリウム、硫酸バリウム、亜硫酸カルシウム、タルク、クレー、マイカ、アスベストなどの鉱物； ガラス繊維、ボロン繊維、炭化ケイ素繊維、ポリエチレン繊維、ポリプロピレン繊維、ポリエステル繊維、ポリアミド繊維などの繊維；ガラスフレーク、ガラスビーズ、ケイ酸カルシウム、モンモリロナイト、ベントナイト、グラファイト、アルミニウム粉、硫化モリブデンなどである。

これらの充填剤は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて添加することができる。充填剤の配合割合は、本発明の目的を損ねない範囲で、それぞれの機能及び使用目的に応じて適宜定めることができる。

ノルボルネン系開環重合体水素添加物に上記添加剤を配合する方法は、例えばミキサー、二軸混錬機、ロール、ブラベンダー、押出機などでノルボルネン系開環重合体水素添加物を溶融状態にして配合剤と混練する方法、適当な溶剤に溶解して分散させ凝固する方法などが挙げられる。二軸混練機を用いる場合、混錬後に通常は溶融状態でストランド状に押し出し、ペレタイザーにてペレット状にカットして用いられることが多い。

ノルボルネン系開環重合体水素添加物は、成形体に成形して、各種用途に使用することができる。成形方法としては格別な限定はないが、低複屈折性、機械強度、寸法精度等に優れた成形物を得るためには、溶融成形法を用いるのが好ましい。溶融成形法としては、射出成形法、押し出し成形法、プレス成形法、ブロー成形法等が挙げられるが、低複屈折性、寸法安定性などの観点から、射出成形法が好ましい。

成形条件は、使用目的や成形方法により適宜選択されるが、射出成形法による場合は、ノルボルネン系開環重合体水素添加物の樹脂温度が、通常１５０〜４００℃、好ましくは２００〜３５０℃、より好ましくは２３０〜３３０℃の範囲で適宜選択される。樹脂温度が過度に低いと流動性が悪化し、成形品にヒケやひずみを生じ、樹脂温度が過度に高いと樹脂の熱分解によるシルバーストリークが発生したり、成形物が黄変するなどの成形不良が発生したりするおそれがある。成形体は、球状、棒状、板状、円柱状、筒状、繊維状、フィルムまたはシート形状など種々の形態で使用することができる。

ノルボルネン開環重合体水素添加物の成形体は、平板状に成形した時の黄色度差ΔＹＩが０．５以下であることが好ましい。ここで黄色度差ΔＹＩは、ブランクを空気として、常温（２５℃）で、色差計を用いて前記成形体の黄色度指数ＹＩを測定し、空気の黄色度指数ＹＩとの差とする。ΔＹＩは、着色が少ないほど小さい値となる。

次に、対物レンズ１５の製造方法について説明する。

始めに、上記で説明した「脂環式構造を有する重合体を含有する樹脂」を周知の射出成形技術に供して２つの成形品４１，４２を作製する。各成形品４１，４２を作製したら、成形品４１の表面４１ａ上には反射防止膜４６を成膜し、成形品４２の表面４２ａ上には反射防止膜４６及び撥水膜４７を成膜する。

反射防止膜４６及び撥水膜４７の成膜は、周知の蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、ゾルゲル法等を適用した処理によりおこなう。透明度の高い反射防止膜４６及び撥水膜４７を成膜することができれば、反射防止膜４６及び撥水膜４７の成膜方法は特には限定しない。また、反射防止膜４６において光の吸収量を極めて少なくするためには、成膜処理時に導入する酸素ガスの導入量と成膜速度とを適宜調整し、酸素ガスが不足した状態で膜の形成がおこなわれないようにする必要がある。

成膜処理の一例として、反射防止膜４６及び撥水膜４７の成膜を、蒸着法を適用した処理によりおこなう場合には、各成形品４１，４２を真空容器内に設置し、その後、真空容器内にガスを導入するときは、酸素ガス、アルゴンガス、四フッ化窒素ガス、窒素ガス等を真空容器内に導入しながら当該真空容器内の真空度を０．５×１０^-2〜３×１０^-2Ｐａに保ち、他方、ガスを導入しないときは、真空容器内の真空度を０．７×１０^-2Ｐａに保つ。

この状態において、成形品４１に反射防止膜４６を成膜する場合には、電子銃加熱蒸着源を用いて、低屈折率材料又は中屈折率材料を溶融・蒸発させ、成形品４１の表面４１ａ上に第１の膜４３を形成する。低屈折率材料及び中屈折率材料の混合物から構成される第１の膜４３を形成するときには、低屈折率材料用の蒸着源と中屈折率材料用の蒸着源とを別個に真空容器内に配し、両蒸着源を同時に用いて多元蒸着をおこなえばよい。このとき、低屈折率材料と中屈折率材料との混合比を変えることで、４０５ｎｍの光に対する第１の膜４３の屈折率を１．４５から１．７未満の範囲内で適宜調整することができる。

第１の膜４３を成膜したら、当該第１の膜４３を形成したときと同様に、電子銃加熱蒸着源を用いて高屈折率材料を溶融・蒸発させ、第１の膜４３上に第２の膜４４を形成する。第２の膜４４を成膜したら、当該第２の膜４４を形成したときと同様に、電子銃加熱蒸着源を用いて低屈折率材料又は低／中屈折率材料を溶融・蒸発させ、第２の膜４４上に第３の膜４５を形成する。成形品４２に反射防止膜４６を成膜する場合にも、上記と同様におこなう。

各成形品４１，４２に反射防止膜４６を成膜したら、さらに成形品４２に対してのみ、電子銃加熱蒸着源を用いて、フッ素を含有する所定の材料を溶融・蒸発させ、反射防止膜４６上に撥水膜４７を形成する。

成形品４１の表面４１ａ上に反射防止膜４６を成膜し、成形品４２の表面４２ａ上に反射防止膜４６及び撥水膜４７を成膜したら、成形品４１と成形品４２とを端部同士で接着し、対物レンズ１５の製造が終了する。

なお、成形品４１，４２の各表面４１ａ，４２ａに成膜した反射防止膜４６の成膜に関し、第３の膜４５上に、さらに第２，第３の膜４４，４５と同様の膜を成膜する場合には、上記で説明した第２，第３の膜４４，４５の成膜方法にしたがう処理を適宜おこなえばよく、各表面４１ａ，４２ａ以外の他の面（裏面４１ｂ，４２ｂ）に、反射防止膜４６を成膜する場合（第３の膜４５上に、さらに第２，第３の膜４４，４５と同様の膜を成膜する場合を含む。）にも、上記で説明した第１，第２，第３の膜４３，４４，４５の成膜方法にしたがう処理を適宜おこなえばよい。そして各成形品４１，４２の成膜処理を終えたら、成形品４１と成形品４２とを端部同士で接着すればよい。

以上の実施形態では、成形品４２の表面４２ａが、光情報記録媒体としてのＢＤ１０、ＤＶＤ２０又はＣＤ３０に対向する面となって、成形品４１の表面４１ａより耐磨耗性に優れているから、成形品４２の表面４２ａに付着した塵、埃等を除去するための操作（綿棒で払拭する操作等）をおこなっても、その面に成膜された反射防止膜４６及び撥水膜４７には剥離・ひび割れ等が発生しにくい。そのため、光ピックアップ装置１及び対物レンズ１５は、長期間の使用に際し光情報記録媒体への情報の記録や光情報記録媒体中の情報の再生をおこなうのに十分な光量を容易に確保することができる。

なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において種々の改良及び設計の変更をおこなってもよい。

例えば、本発明に係る対物レンズ１５に適用した膜構成や基材４０の樹脂組成等は、光ピックアップ装置１を構成するその他のレンズ等に適用されてもよいし、光ピックアップ装置１以外の用途に使用される光学素子に適用されてもよく、終局的には、波長３５０〜４５０ｎｍ中の特定波長の光を集光するための光学素子であればその全てに好適に適用することができる。

また、成形品４２の表面４２ａ上の膜構成で説明すると、当該膜構成では、成形品４２の表面４２ａと第１の膜４３との間に、膜の付着性を向上させるための下地層を介在させてもよいし、図２中の撥水膜４７のような最も外側に配置される膜（大気に接触する膜）上に、汚れ防止等のための防汚層を設けてもよいし、静電気による塵、埃等の付着を防止するための帯電防止層を設けてもよく、帯電防止層は第１，第２，第３の膜４３，４４，４５及び撥水膜４７の各膜の間の任意の境界面や最外表面に設けられてもよい。

「下地層」は、例えばシランカップリング処理層から構成されるのがよい。
「防汚層」は、フッ素系有機化合物やシリコン系有機化合物から構成されるのがよく、その膜厚は通常７ｎｍ以下とするのがよい。「防汚層」をフッ素系有機化合物で構成する場合には、例えば、蒸着材料をＷＲ１（メルク（株）製商品名）としたパーフルオロアルキルシランの薄膜を真空蒸着で形成したり、フッ素系塗布液Ｌ−１８２５６０（住友スリーエム（株）製商品名）の塗布処理で形成したりするのがよい。他方、「防汚層」をシリコン系有機化合物で構成する場合には、ジメチルジエトキシシラン（ＤＭＤＥＳ）の薄膜を大気圧プラズマ法で形成するのがよい（特開平２００３−１６１８１７号公報参照）。
「帯電防止層」は、透明導電性の薄膜から構成するのがよく、その膜厚は通常１０ｎｍ以下とするのがよい。「帯電防止層」は、具体的に、真空蒸着法やスパッタリング法により酸化スズ、酸化インジウム、酸化亜鉛のいずれかの単体又はこれら化合物の２種以上の混合物で形成されるのがよい。

また、対物レンズ１５に代えて、図３に示す対物レンズ１００を適用してもよい。図３は対物レンズ１００の概略構成を示す断面図である。

図２に示す対物レンズ１５は、波長３５０〜４５０ｎｍ，波長６２０〜６８０ｎｍ，波長７５０〜８１０ｎｍの各光を集光可能な互換性レンズであったのに対し、図３に示す対物レンズ１００は、主に、波長３５０〜４５０ｎｍの青色光を集光可能な青色光専用レンズとして好適に用いられるものである。そのため、図３に示す対物レンズ１００が光ピックアップ装置１に適用された場合には、３種類の半導体レーザ発振器ＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３のうち半導体レーザ発振器ＬＤ１が光を出射するようになっており、図３に示す対物レンズ１００は、当該半導体レーザ発振器ＬＤ１から出射された光をＢＤ１０の記録面１０ａ上に集光スポットを形成するようになっている。

対物レンズ１００の構成について詳しく説明すると、図３に示す通り、対物レンズ１００は樹脂製の基材５０を有しており、基材５０は２つの成形品５１，５２から構成されている。基材５０は、各成形品５１，５２が上記成形品４１，４２と同様の樹脂から構成され、かつ、各成形品５１，５２が端部同士で互いに接着されて各成形品５１，５２の間に中空部５９が形成された構成を有しており、これらの点で上記基材４０と同様の構成を有している。

第１の成形品としての成形品５１は半導体レーザ発振器ＬＤ１側に配置されており、第２の成形品としての成形品５２はＢＤ１０側に配置されている。詳しくは、成形品５１の表面５１ａが半導体レーザ発振器ＬＤ１に対向し、成形品５２の表面５２ａがＢＤ１０に対向し、成形品５１の裏面５１ｂと成形品５２の裏面５２ｂとが互いに対向している。

対物レンズ１００において、成形品５１の表面５１ａは、半導体レーザ発振器ＬＤ１から出射された光の光路上で半導体レーザ発振器ＬＤ１から最も近い面となっており、他方、成形品５２の表面５２ａは半導体レーザ発振器ＬＤ１から出射された光の光路上で半導体レーザ発振器ＬＤ１から最も遠い面となっている。そのため、半導体レーザ発振器ＬＤ１から出射された光は、基材５０を透過する際に、第１の面としての表面５１ａから入射して成形品５１中を透過して裏面５１ｂから出射し、さらに中空部５９を介し、裏面５２ｂから入射して成形品５２中を透過して第２の面としての表面５２ａから出射し、ＢＤ１０の記録面１０ａに入射するようになっている。

成形品５１は表面５１ａ及び裏面５１ｂがともに非球面とされており、成形品５２は裏面５２ｂが非球面とされている。成形品５２の表面５２ａは平坦面とされている。

成形品５１の表面５１ａには、成形品４２の表面４２ａ上に適用した反射防止膜４６の膜構成が適用されており、成形品５２の表面５２ａには、成形品４２の表面４２ａ上に適用した反射防止膜４６及び撥水膜４７の膜構成が適用されている。成形品４２の表面４２ａ上に適用した反射防止膜４６の膜構成は、上記対物レンズ１５と同様に、成形品５１，５２の各裏面５１ａ，５２ｂに適用されてもよい。

ここで、上記構成を具備する対物レンズ１００においては、成形品５２の表面５２ａが成形品５１の表面５１ａより耐磨耗性に優れている。ここでいう「耐磨耗性」の定義や「成形品５２の表面５２ａが成形品５１の表面５１ａより耐磨耗性に優れている」の意味は、対物レンズ１５の説明でおこなったものと同義である。

また、対物レンズ１００においては、波長３５０〜４５０ｎｍ中の光に対する成形品５２の表面５２ａの最小反射率が、同光（波長３５０〜４５０ｎｍ中の光）に対する成形品５１の表面５１ａの最小反射率以上となっており、対物レンズ１００における光の透過率が向上している。

さらに、対物レンズ１００においては、各成形品５１，５２がともに正の近軸パワーを有しており、特に成形品５２が下記式（５１），（５２）の両条件を満たすように成形されている。

０．８≦ＮＡ … （５１）
０．２≦β≦０．５ … （５２）
上記式（５１）中、ＮＡ：成形品５２の像側開口数である。上記式（５２）中、β：成形品５２のレンズ倍率である。

上記式（５１）の条件を満たす場合には、半導体レーザ発振器ＬＤ１から出射される光のうち、特に波長４０５ｎｍ前後の単色光で構成された光束から、ＢＤ１０の記録面１０ａ上に良好なスポット径を有する集光スポットを形成することができる。

上記式（５２）の条件に関し、成形品５２のレンズ倍率βが０．２以上であれば、温度変化による波面収差の変化が小さくなり、対物レンズ１００を使用可能な温度範囲を広範にすることができる。他方、成形品５２のレンズ倍率βが０．５以下であれば、成形品５２の表面５２ａとＢＤ１０の表面との光軸上の距離が小さくなりすぎないので、対物レンズ１００とＢＤ１０との衝突の可能性を低減することができる。

なお、対物レンズ１００の製造方法、すなわち成形品５１，５２の作製や各成形品５１，５２への成膜処理等は、各成形品５１，５２の大きさや形状等の設計事項が各成形品４１，４２のそれと異なるだけで、上記対物レンズ１５の製造方法と同様である。

さらに上記対物レンズ１５に代えて図４に示す対物レンズ２００を適用してもよい。図４は対物レンズ２００の概略構成を示す断面図である。

図２に示す対物レンズ１５は、上記の通り、波長３５０〜４５０ｎｍ，波長６２０〜６８０ｎｍ，波長７５０〜８１０ｎｍの各光を集光可能な互換性レンズであったのに対し、図４に示す対物レンズ２００は、図３に示す対物レンズ１００と同様に、主に、波長３５０〜４５０ｎｍの青色光を集光可能な青色光専用レンズとして好適に用いられるものである。そのため、図４に示す対物レンズ２００が光ピックアップ装置１に適用された場合には、３種類の半導体レーザ発振器ＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３のうち半導体レーザ発振器ＬＤ１が光を出射するようになっており、図４に示す対物レンズ２００は、半導体レーザ発振器ＬＤ１出射された光をＢＤ１０の記録面１０ａ上に集光スポットを形成するようになっている。

対物レンズ２００の構成について詳しく説明すると、図４に示す通り、対物レンズ２００は、上記成形品４１，４２と同様の樹脂から構成された基材６０を有している。基材６０は１つの成形品から構成されている。対物レンズ２００は、基材６０が上記成形品４１，４２と同様の樹脂から構成されている点で上記各対物レンズ１５，１００と同様の構成を有しており、基材６０が１つの成形品から構成されている点で上記対物レンズ１５，１００とは異なる構成を有している。

基材６０は、表面６０ａが半導体レーザ発振器ＬＤ１に対向し、裏面６０ｂがＢＤ１０に対向している。対物レンズ２００において、基材６０の表面６０ａは、半導体レーザ発振器ＬＤ１から出射される光の光路上で半導体レーザ発振器ＬＤ１から最も近い面となっており、基材６０の裏面６０ｂは、半導体レーザ発振器ＬＤ１から出射される光の光路上で半導体レーザ発振器ＬＤ１から最も遠い面となっている。そのため、半導体レーザ発振器ＬＤ１から出射された光は、基材６０を透過する際に、第１の面としての表面６０ａから入射して基材６０中を透過し、第２の面としての裏面６０ｂから出射し、ＢＤ１０の記録面１０ａに入射するようになっている。基材６０は、表面６０ａ及び裏面６０ｂがともに非球面とされている。

基材６０の表面には、成形品４２の表面４２ａ上に適用した反射防止膜４６の膜構成が適用されており、基材６０の裏面６０ｂには、成形品４２の表面４２ａ上に適用した反射防止膜４６及び撥水膜４７の膜構成が適用されている。

ここで、上記構成を具備する対物レンズ２００において、基材６０は裏面６０ｂが表面６０ａより耐磨耗性に優れている。ここでいう「耐磨耗性」の定義や「裏面６０ｂが表面６０ａより耐磨耗性に優れている」の意味は、対物レンズ１５の説明でおこなったものと同義である。

また対物レンズ２００においては、波長３５０〜４５０ｎｍ中の光に対する基材６０の裏面６０ｂの最小反射率が、同光（波長３５０〜４５０ｎｍ中の光）に対する基材６０の表面６０ａの最小反射率以上となっており、対物レンズ２００における光の透過率が向上している。

さらに、対物レンズ２００においては、基材６０が下記式（６０）の条件を満たすように成形されている。
０．８≦ｄ／ｆ≦１．８ … （６０）
上記式（６０）中、ｄ：光軸上の厚さ、ｆ：波長４０５ｎｍの光に対する焦点距離である。

上記式（６０）の条件は、良好な像高特性を得るための条件である。上記式（６０）の条件に関し、ｄ／ｆが０．８以上であれば、基材６０の中心厚が小さくなりすぎず、像高特性が劣化せず、さらに面のシフト感度が大きくならない。他方、ｄ／ｆが１．８以下であれば、基材６０の中心厚が大きくなりすぎず、像高特性が劣化せず、偏心感度が良好になり、球面収差やコマ収差も良好に補正することができる。

なお、対物レンズ２００の製造方法、すなわち基材６０の作製や基材６０への成膜処理等は、基材６０の大きさや形状等の設計事項が各成形品４１，４２のそれと異なるだけで、上記対物レンズ１５の製造方法と同様である。

本実施例では、対物レンズを想定した１０種類の試料を作製し、その作製した各試料１〜１０の特性、性質等を測定・評価した。

（１）試料１〜１０の作製
（１−１）基材の作製
始めに、基材を構成する「脂環式構造を有する重合体を含有する樹脂」として、下記（１−１−１），（１−１−２）の製造方法にしたがい任意の樹脂を１種製造した。ただし、下記（１−１−１），（１−１−２）中、「部」及び「％」は、特に断りのない限り重量基準である。

（１−１−１）重合体の製造方法
十分に乾燥し窒素置換した、攪拌装置を備えたステンレス鋼製重合器に、脱水シクロヘキサン３２０部、スチレン６０部、およびジブチルエーテル０．３８部を仕込み、６０℃で攪拌しながらｎ−ブチルリチウム溶液（１５％含有ヘキサン溶液）０．３６部を添加して重合反応を開始する。１時間重合反応を行った後、反応溶液中に、スチレン８部とイソプレン１２部とからなる混合モノマー２０部を添加し、さらに１時間重合反応を行った後、反応溶液にイソプロピルアルコール０．２部を添加して反応を停止させる。このとき得られるブロック共重合体のＭｗは１０２，１００、Ｍｗ／Ｍｎは１．１１。

次いで、上記重合反応溶液４００部を、攪拌装置を備えた耐圧反応器に移送し、水素化触媒として、シリカ−アルミナ担持型ニッケル触媒（日揮化学工業社製；Ｅ２２Ｕ、ニッケル担持量６０％）１０部を添加して混合する。反応器内部を水素ガスで置換し、さらに溶液を攪拌しながら水素を供給し、温度を高く１６０℃に設定し、圧力４．５ＭＰａにて８時間反応することにより、芳香環まで水素化を行う。水素化反応終了後、反応溶液をろ過して水素化触媒を除去した後、シクロヘキサン８００部を加えて希釈し、該反応溶液を３５００部のイソプロパノール（クラス１０００のクリーンルームで、孔径１μｍのフィルターにてろ過したもの）中に注いでブロック共重合体を析出させ、ろ過により分離回収し、８０℃にて４８時間減圧乾燥させる。こうして得られるブロック共重合体は、スチレン由来の繰り返し単位を含有するブロック（以下「Ｓｔ」という。）、およびスチレンとイソプレン由来の繰り返し単位を含有するブロック（以下「Ｓｔ／Ｉｐ」という。）とからなる２元ブロック共重合体であり、それぞれのブロックのモル比は、Ｓｔ：Ｓｔ／Ｉｐ＝６９：３１（Ｓｔ：Ｉｐ＝１０：２１）である。該ブロック共重合体のＭｗは８５，１００、Ｍｗ／Ｍｎは１．１７、主鎖および芳香環の水素化率は９９．９％、Ｔｇは１２６．５℃。

（１−１−２）樹脂の製造
以上の重合体の製造により得られたブロック共重合体１００部に対し、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン・ブロック共重合体（クラレ社製、セプトン２００２）０．１部、および酸化防止剤としてテトラキス−〔メチレン−３−（３’，５’−ジ−第三−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕メタン（チバスペシャリティ・ケミカルズ社製、イルガノックス１０１０）０．１部、およびベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤として、２−（２’−ヒドロキシ−５’−メチル−フェニル）ベンゾトリアゾール（チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製、ＴＩＮＵＶＩＮ Ｐ）を０．１部、さらにＨＡＬＳとして、ジブチルアミンと１，３，５−トリアジン・Ｎ，Ｎ’−ビス（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）−１，６−ヘキサメチレンジアミンとＮ−（２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジル）ブチルアミンとの重縮合物〔ＨＡＬＳ（Ａ）、Ｍｎ＝３，０００〕０．１部をそれぞれ添加し、２軸混練機（東芝機械社製、ＴＥＭ−３５Ｂ、スクリュー径３７ｍｍ、Ｌ／Ｄ＝３２、スクリュー回転数１５０ｒｐｍ、樹脂温度２４０℃、フィードレート１０ｋｇ／時間）で混練し、ストランド状に押し出し、これを水冷してペレタイザーで切断し、ペレット化する。そのペレットを、空気を流通させた熱風乾燥器を用いて７０℃で２時間乾燥して水分を除去し、乾燥後のペレットを射出成形して所望の基材が得られる。

（１−２）基材Ａの作製
上記実施例の（１−１−１），（１−１−２）の項目に記載の製造方法にしたがいながら、図２の基材４０に対応する基材を作製してこれを基材Ａとした。基材Ａのレンズ特性を表１に示す。基材Ａのレンズ特性に関し、光源の設計基準波長を４０５ｎｍとし、図２の成形品４２に相当する成形品の像側開口数を「ＮＡ」とし、図２の成形品４１に相当する成形品の近軸パワーを「Ｐ１」とし、図２の成形品４２に相当する成形品の近軸パワーを「Ｐ２」とし、図２の成形品４２に相当する成形品の光軸上の厚さを「ｄ₂」とし、波長４０５ｎｍの光に対する成形品（図２の成形品４２に相当する成形品）の焦点距離を「ｆ₂」としたとき、ＮＡ＝０．８５であり、Ｐ１＝０であり、｜Ｐ１／Ｐ２｜＝０であり、ｄ₂／ｆ₂＝１．３１であり、ｆ₂＝２．２ｍｍであった。

表１中、上から１段目の表の記載に関し、「光学素子Ａ」は図２の成形品４１に相当するものであり、「光学素子Ｂ」は図２の成形品４２に相当するものであり、「Ｓ１」は図２の表面４１ａに相当する面であり、「Ｓ２」は図２の裏面４１ｂに相当する面であり、「Ｓ３」は図２の裏面４２ｂに相当する面であり、「Ｓ４」は図２の表面４２ａに相当する面であり、「ｒ（ｍｍ）」は近軸曲率半径であり、「ｄ（ｍｍ）」は光軸上の厚さであり、「Ｎ₇₈₀」は波長７８０ｎｍの光に対する屈折率であり、「Ｎ₆₅₀」は波長６５０ｎｍの光に対する屈折率であり、「Ｎ₄₀₅」は波長４０５ｎｍの光に対する屈折率であり、「ν_d」はアッベ数である。

表１中、上から２段目の表の記載に関し、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の各面は、下記式（１０１）で表される非球面形状に形成されている。

上記式（１０１）中、「Ｘ」は光軸方向の軸（光の進行方向を正とする。）であり、「ｈ」は光軸と垂直方向の軸（光軸からの高さ）であり、「ｒ」は近軸曲率半径であり、「κ」は円錐係数であり、「Ａ」は非球面係数である。

表１中、上から３段目の表の記載に関し、Ｓ１，Ｓ２の各面は、下記式（１０２）で表される光路差関数Φ_b（ｍｍ）にしたがう回折構造を有している。

上記式（１０２）中、「ｂ」は回折面係数である。

（１−３）基材Ｂの作製
上記実施例１の（１−１−１），（１−１−２）の項目の記載にしたがいながら、図３の基材５０に対応する基材を作製してこれを基材Ｂとした。基材Ｂのレンズ特性を表２に示す。基材Ｂのレンズ特性に関し、光源の設計基準波長を４０５ｎｍとし、図３の成形品５２に相当する成形品の像側開口数を「ＮＡ」とし、波長４０５ｎｍの光に対する成形品（図３の成形品５２に相当する成形品）の焦点距離を「ｆ」とし、図３の成形品５２に相当する成形品のレンズ倍率を「β」としたとき、ＮＡ＝０．８５であり、ｆ＝１．７６ｍｍであり、β＝０．３６８であった。

表２中、「対物レンズ」は当該基材Ｂに相当するものであり、「面番号１」，「第１面」は図３の表面５１ａに相当するものであり、「面番号２」，「第２面」は図３の裏面５１ｂに相当する面であり、「面番号３」，「第３面」は図３の裏面５２ｂに相当する面であり、「面番号４」は図３の表面５２ａに相当する面であり、「ｒ（ｍｍ）」は近軸曲率半径であり、「ｄ（ｍｍ）」は光軸上の厚さであり、「Ｎ」は波長４０５ｎｍの光に対する屈折率であり、「ν_d」はアッベ数である。

表２中、下段の表の記載に関し、第１面，第２面，第３面の各面は、上記式（１０１）で表される非球面形状に形成されている。

（１−４）基材Ｃの作製
上記実施例１の（１−１−１），（１−１−２）の項目に記載の製造方法にしたがいながら、図４の基材６０に対応する基材を作製してこれを基材Ｃとした。基材Ｃのレンズ特性を表３に示す。基材Ｃのレンズ特性に関し、光源の設計基準波長を４０５ｎｍとし、像側開口数を「ＮＡ」とし、焦点距離を「ｆ」とし、光軸上の厚さを「ｄ」としたとき、ＮＡ＝０．８５であり、ｆ＝１．７６５ｍｍであり、ｄ／ｆ＝１．４７であった。

表３中、「１＊」，「第１面」は図４の表面６０ａに相当するものであり、「２＊」，「第２面」は図４の裏面６０ｂに相当する面であり、「ｒ（ｍｍ）」は近軸曲率半径であり、「ｄ（ｍｍ）」は光軸上の厚さであり、「ｎ」は波長４０５ｎｍの光に対する屈折率であり、「ν_d」はアッベ数である。

表３の記載に関し、第１面，第２面の各面は、上記式（１０１）で表される非球面形状に形成されている。

（１−５）試料１〜１０の作製
上記で作製した基材Ａ，Ｂ，Ｃのいずれかの基材を選択し、その選択した基材Ａ，Ｂ，Ｃに対し周知の真空蒸着技術を用いて１層又は２層以上の反射防止膜を成膜し、その選択した基材Ａ，Ｂ，Ｃのうちのいくつかには、周知の真空蒸着技術を用いて撥水膜も成膜した。基材Ａ，Ｂ，Ｃ上に成膜した膜の複数種の成膜パターンを表４〜表６に示す。ただし、表４〜表６中、「１層目」の膜は基材Ａ，Ｂ，Ｃ上に直に成膜した膜であり、「ｍ層目（ｍは２以上の正の整数）」の膜は（ｍ−１）層目の膜上に成膜した膜であり、「サブスタンスＭ３」，「サブスタンスＬ５」はそれぞれメルク（株）製の蒸着材料商品名であり、「撥水膜」はサブスタンスＷＲ１（メルク（株）製の蒸着材料商品名，物質名：パーフルオロアルキルシラン（Ｃ₁₇Ｆ₁₇Ｈ₁₉Ｏ₃Ｓｉ））から構成されたものである。

表４〜表６中、「ｎ₁〜₇」は波長４０５ｎｍの光に対する屈折率であり、「ｄ₁〜₇」は膜厚である。屈折率は、ガラス基材上に各成膜パターンにしたがう膜を成膜してエリプソメータで測定したものである。膜厚は、基材Ａ，Ｂ，Ｃ上に各成膜パターンにしたがう膜を成膜し、その膜の中央部の断面を電子顕微鏡で測定したものである。

選択した基材Ａ，Ｂ，Ｃ上に、表４〜表６中の成膜パターンのいずれかで膜を成膜し、これらを試料１〜１０とした。各試料１〜１０の基材Ａ，Ｂ，Ｃと成膜パターンの組み合わせを表７に示す。ただし、表７中、「Ｓ１」は図２の表面４１ａ、図３の表面５１ａ及び図４の表面６０ａに相当する面であり、「Ｓ２」は図２の裏面４１ｂ、図３の裏面５１ｂ及び図４の裏面６０ｂに相当する面であり、「Ｓ３」は図２の裏面４２ｂ及び図３の裏面５２ｂに相当する面であり、「Ｓ４」は図２の表面４２ａ及び図３の表面５２ａに相当する面である。「Ｓ１」，「Ｓ２」，「Ｓ３」，「Ｓ４」の各面は、下記表８及び下記の記載でも、上記の記載にしたがう面を表している。

（２）試料１〜１０の特性、性質等の測定・評価
上記で作製した各試料１〜１０について、下記の特性、性質等の測定・評価をおこなった。

（２−１）耐磨耗性の評価
MIL規格の「MIL-C-675C」のトピック中、「4.5.1 Cleaning.」に記載の処理にしたがい、レンズ清掃液（イソプロピルアルコール）を染み込ませた綿棒で荷重１０〜３０ｇの負荷をかけながら試料１〜１０のＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の各面を多数回にわたって拭き、MIL規格の「MIL-C-675C」のトピック中、「4.5.3.1 Physical.」に記載の試験をおこないながら、膜の剥離が認められたときの拭き操作回数で試料１〜１０のＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の各面の耐磨耗性を評価した。各試料１〜１０の評価結果を表８に示す。表８中、「◎」，「○」，「△」，「×」の基準は下記にしたがう。
◎…拭き操作回数が８０回を上回っても膜の剥離が認められない
○…拭き操作回数が３１〜８０回で膜の剥離が認められた
△…拭き操作回数が１１〜３０回で膜の剥離が認められた
×…拭き操作回数が１〜１０回で膜の剥離が認められた

（２−２）最小反射率の測定
オリンパス社製レンズ反射率測定機ＵＳＰＭ−２５０を用いて、試料１〜１０のＳ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の各面に対し面の中央部から周辺部にかけて垂直に光を照射して反射率を測定し、波長３５０〜４５０ｎｍの波長領域における各面の最小反射率（％）を測定した。各試料１〜１０の測定結果を表８に示す。

（２−３）透過率の測定
日立社製分光光度計Ｕ−４０００を用いて波長４０５ｎｍの波長領域における各試料１〜１０の透過率（％）を測定した。各試料１〜１０の測定結果を表８に示す。表８中、「◎」，「○」，「△」，「×」の基準は下記にしたがう。
◎…透過率が９３％以上である
○…透過率が９１％以上で９３％未満である
△…透過率が８８％以上で９１％未満である
×…透過率が８８％未満である

（２−４）光出射面の耐磨耗性の評価
試料１，２，７についてはＳ２の面を光出射面として、試料３〜６，８〜１０についてはＳ４の面を光出射面として、それら各面の耐磨耗性の評価を上記（２−１）の項目にしたがっておこなった。各試料１〜１０の評価結果を表８に示す。表８中、「◎」，「○」，「△」，「×」の基準は上記（２−１）の基準と同様である。

（２−５）総合評価
上記（２−１）〜（２−４）の結果を踏まえ、対物レンズとして最適なものか否か（実用レベルに達しているか否か）に着目して各試料１〜１０を総合的に評価した。各試料１〜１０の評価結果を表８に示す。表８中、「◎」，「○」，「△」，「×」は下記基準にしたがう。
◎…実用レベルをはるかに上回っている
（上記（２−３），（２−４）の各項目が（２−３，２−４）＝（◎〜○，◎）の組み合わせで構成されている）
○…実用レベルを上回っている
（上記（２−３），（２−４）の各項目が（２−３，２−４）＝（△，◎）又は（◎〜△，○）の組み合わせで構成されている）
△…実用レベルに達していない
（上記（２−３），（２−４）の各項目が（２−３，２−４）＝（×，◎）又は（◎〜△，△）の組み合わせで構成されている）
×…実用レベルをはるかに下回っている
（上記（２−３），（２−４）の各項目が（２−３，２−４）＝（×，○）、（×，△）又は（◎〜×，×）の組み合わせで構成されている）

なお、試料１〜１０では、「脂環式構造を有する重合体を含有する樹脂」として、上記実施例１の（１−１−１），（１−１−２）の製造方法にしたがう任意の樹脂で基材Ａ，Ｂ，Ｃを作製したが、これ以外にも、上記実施形態で記載したノルボルネン系開環重合体水素添加物を含有する任意の樹脂を１種製造し、その樹脂で基材Ａ，Ｂ，Ｃを作製した試料１〜１０と同様の試料を作製し、上記（２−１）〜（２−５）と同様にして試料の特性、性質等の測定・評価をおこなった。その測定・評価結果は、ここでは示さないが、試料１〜１０と同様のものであった。

光ピックアップ装置の概略構成を示す断面図である。 対物レンズの概略構成を示す断面図である。 図２の対物レンズの変形例を示す断面図である。 図２，３の対物レンズの変形例を示す断面図である。

符号の説明

１ 光ピックアップ装置
ＬＤ１，ＬＤ２，ＬＤ３ 半導体レーザ発振器（光源）
１５，１００，２００ 対物レンズ
１０ ＢＤ（光情報記録媒体）
２０ ＤＶＤ（光情報記録媒体）
３０ ＣＤ（光情報記録媒体）
４０，５０，６０ 基材
４１，５１ 成形品（第１の成形品）
４２，５２ 成形品（第２の成形品）
４６ 反射防止膜
４７ 撥水膜

Claims (10)

1. 波長３５０〜４５０ｎｍ中の特定波長の光束を出射する光源を有する光ピックアップ装置に設けられ、光情報記録媒体に対向配置された状態で、前記光源から出射された光束を前記光情報記録媒体に集光する対物レンズであって、
   脂環式構造を有する重合体を含有する樹脂から構成された基材を備え、
   前記基材には、前記光源から出射された光束の光路上で前記光源から最も近い第１の面と前記光源から最も遠い第２の面とに、光の反射を防止する反射防止膜がそれぞれ成膜され、
   前記第２の面に成膜された前記反射防止膜上には、フッ素を含有するフッ素系有機化合物又はシリコンを含有するシリコン系有機化合物からなる撥水性の撥水膜が成膜されており、
   前記第２の面が前記第１の面より耐磨耗性に優れていることを特徴とする対物レンズ。
2. 請求項１に記載の対物レンズにおいて、
   波長３５０〜４５０ｎｍ中の光に対する前記第２の面の最小反射率が、波長３５０〜４５０ｎｍ中の光に対する前記第１の面の最小反射率以上であることを特徴とする対物レンズ。
3. 請求項１又は２に記載の対物レンズにおいて、
   前記第２の面に成膜された前記反射防止膜が酸化シリコンから構成され、
   前記第２の面に成膜された前記反射防止膜の膜厚ｄ（ｎｍ）が下記式（３１）の条件を満たすことを特徴とする対物レンズ。
   ｄ＝７４×（２ｍ＋１）±２０ ・・・ （３１）
   （上記式（３１）中、ｍは０〜６の整数である。）
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の対物レンズにおいて、
   前記基材を構成する樹脂が、
   重量平均分子量（Ｍｗ）が１，０００〜１，０００，０００である重合体全繰り返し単位中に、下記式（１）で表される脂環式構造を有する繰り返し単位（ａ）と、下記式（２）及び／又は下記式（３）で表される鎖状構造の繰り返し単位（ｂ）とを、合計含有量が９０重量％以上になるように含有し、さらに繰り返し単位（ｂ）の含有量が１重量％以上１０重量％未満である脂環式炭化水素系共重合体を含有することを特徴とする対物レンズ。
   

   

   

   

   （式（１）中、Ｘは脂環式炭化水素基であり、式（１）、式（２）及び式（３）中、Ｒ１〜Ｒ１３はそれぞれ独立に、水素原子、鎖状炭化水素基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、シアノ基、アミド基、イミド基、シリル基及び極性基（ハロゲン原子、アルコキシ基、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、シアノ基、アミド基、イミド基又はシリル基）で置換された鎖状炭化水素基である。式（３）中、「………」は炭素−炭素飽和結合又は不飽和結合である。）
5. 請求項４に記載の対物レンズにおいて、
   前記基材を構成する樹脂が、
   下記式（１１）で表される繰り返し単位〔１〕を含有する重合体ブロック〔Ａ〕と、下記式（１１）で表される繰り返し単位〔１〕並びに下記式（１２）で表される繰り返し単位〔２〕又は／及び下記式（１３）で表される繰り返し単位〔３〕を含有する重合体ブロック〔Ｂ〕とを有するブロック重合体を含有することを特徴とする対物レンズ。
   

   

   （式（１１）中、Ｒ ¹ は水素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基であり、Ｒ ² −Ｒ ¹² はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、ヒドロキシル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基又はハロゲン基である。）
   

   

   （式（１２）中、Ｒ ¹³ は水素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基である。）
   

   

   （式（１３）中、Ｒ ¹⁴ 及びＲ ¹⁵ はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基である。）
6. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の対物レンズにおいて、
   前記基材を構成する樹脂が、
   ノルボルネン系開環重合体水素添加物を含有することを特徴とする対物レンズ。
7. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の対物レンズにおいて、
   前記基材が、
   前記光源側に配置される第１の成形品と、
   前記光情報記録媒体側に配置される第２の成形品と、
   を有し、
   前記第２の成形品が正の近軸パワーを有し、かつ、下記式（４１），（４２）の両条件を満たすことを特徴とする対物レンズ。
   ｜Ｐ１／Ｐ２｜≦０．２ ・・・ （４１）
   ０．８≦ｄ _２ ／ｆ _２ ≦１．８ ・・・ （４２）
   （上記式（４１）中、Ｐ１：第１の成形品の近軸パワー、Ｐ２：第２の成形品の近軸パワーである。上記式（４２）中、ｄ _２ ：第２の成形品の光軸上の厚さ、ｆ _２ ：波長４０５ｎｍの光に対する第２の成形品の焦点距離である。）
8. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の対物レンズにおいて、
   前記基材が、
   前記光源側に配置される第１の成形品と、
   前記光情報記録媒体側に配置される第２の成形品と、
   を有し、
   前記第１の成形品及び前記第２の成形品がともに正の近軸パワーを有し、かつ、下記式（５１），（５２）の両条件を満たすことを特徴とする対物レンズ。
   ０．８≦ＮＡ ・・・ （５１）
   ０．２≦β≦０．５ ・・・ （５２）
   （上記式（５１）中、ＮＡ：第２の成形品の像側開口数である。上記式（５２）中、β：第２の成形品のレンズ倍率である。）
9. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の対物レンズにおいて、
   前記基材が、単一の成形品で構成され、下記式（６０）の条件を満たすことを特徴とする対物レンズ。
   ０．８≦ｄ／ｆ≦１．８ ・・・ （６０）
   （上記式（６０）中、ｄ：光軸上の厚さ、ｆ：波長４０５ｎｍの光に対する焦点距離である。）
10. 請求項１〜９のいずれか一項に記載の対物レンズと、
    前記対物レンズに向けて波長３５０〜４５０ｎｍ中の特定波長の光束を出射する光源と、
    を備えることを特徴とする光ピックアップ装置。

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