JP4592846B2 - 空気中の窒素酸化物除去用光触媒コーティング及びこのコーティングを有する物品 - Google Patents
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- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 63
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 63
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 51
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 title description 11
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 156
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 65
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 claims description 41
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 27
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 24
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 15
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 14
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 13
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 11
- 230000010718 Oxidation Activity Effects 0.000 claims description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 claims description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 claims description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 claims description 4
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 3
- 230000010802 Oxidation-Reduction Activity Effects 0.000 claims description 2
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical group O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 claims description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 26
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 4
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 4
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 4
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 4
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 2
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 2
- 229910052704 radon Inorganic materials 0.000 description 2
- SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N radon atom Chemical compound [Rn] SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 2
- JRGQKLFZSNYTDX-UHFFFAOYSA-N 3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)CCCOCC1CO1 JRGQKLFZSNYTDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010011409 Cross infection Diseases 0.000 description 1
- VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N N-[[(5S)-2-oxo-3-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)-1,3-oxazolidin-5-yl]methyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C1O[C@H](CN1C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N 0.000 description 1
- 206010029803 Nosocomial infection Diseases 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032900 absorption of visible light Effects 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- BAAAEEDPKUHLID-UHFFFAOYSA-N decyl(triethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC BAAAEEDPKUHLID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KQAHMVLQCSALSX-UHFFFAOYSA-N decyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC KQAHMVLQCSALSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LILGYOCNANBWTO-UHFFFAOYSA-N decyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C LILGYOCNANBWTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGUMJWWZSTXCAM-UHFFFAOYSA-N decyl-tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C AGUMJWWZSTXCAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001877 deodorizing effect Effects 0.000 description 1
- OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCOCC1CO1 OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGWJKDPTLUDSJT-UHFFFAOYSA-N diethyl dimethyl silicate Chemical compound CCO[Si](OC)(OC)OCC VGWJKDPTLUDSJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N dimethyldiethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)OCC YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001362 electron spin resonance spectrum Methods 0.000 description 1
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYEJNNDSIXAGNK-UHFFFAOYSA-N ethyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](CC)(OC(C)C)OC(C)C MYEJNNDSIXAGNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVQNVYMTWXEMSF-UHFFFAOYSA-N ethyl-tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](CC)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C ZVQNVYMTWXEMSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N hexyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OC)(OC)OC CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPTKSEHTOJHGOV-UHFFFAOYSA-N hexyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C DPTKSEHTOJHGOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QECCXOBPOBIUMS-UHFFFAOYSA-N hexyl-tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CCCCCC[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C QECCXOBPOBIUMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- HLXDKGBELJJMHR-UHFFFAOYSA-N methyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](C)(OC(C)C)OC(C)C HLXDKGBELJJMHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHQDZKRRVNGIQL-UHFFFAOYSA-N methyl-tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](C)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C AHQDZKRRVNGIQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- IHVVJLCVJNNCDK-UHFFFAOYSA-N octadecyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C IHVVJLCVJNNCDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLYCYWCVSGPDFR-UHFFFAOYSA-N octadecyltrimethoxysilane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC SLYCYWCVSGPDFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000002186 photoactivation Effects 0.000 description 1
- 238000013032 photocatalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 1
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N tetrabutyl silicate Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)OCCCC UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQVCTPXBBSKLFS-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yloxy)-propylsilane Chemical compound CCC[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C MQVCTPXBBSKLFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYZDWEPTQWHDLZ-UHFFFAOYSA-N tribromo(decyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](Br)(Br)Br LYZDWEPTQWHDLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KVENDAGPVNAYLY-UHFFFAOYSA-N tribromo(ethyl)silane Chemical compound CC[Si](Br)(Br)Br KVENDAGPVNAYLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VRUFDMFAHKOFOT-UHFFFAOYSA-N tribromo(hexyl)silane Chemical compound CCCCCC[Si](Br)(Br)Br VRUFDMFAHKOFOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBSUPJLTDMARAI-UHFFFAOYSA-N tribromo(methyl)silane Chemical compound C[Si](Br)(Br)Br KBSUPJLTDMARAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RCEOWKUMFSNHFM-UHFFFAOYSA-N tribromo(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Br)(Br)Br RCEOWKUMFSNHFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWRKNKVDHIEKHS-UHFFFAOYSA-N tribromo(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](Br)(Br)Br RWRKNKVDHIEKHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLWCOIUDOLYBGD-UHFFFAOYSA-N trichloro(decyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl HLWCOIUDOLYBGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOYFEXPFPVDYIS-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethyl)silane Chemical compound CC[Si](Cl)(Cl)Cl ZOYFEXPFPVDYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFXJGGDONSCPOF-UHFFFAOYSA-N trichloro(hexyl)silane Chemical compound CCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl LFXJGGDONSCPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOEHJNBEOVLHGL-UHFFFAOYSA-N trichloro(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](Cl)(Cl)Cl DOEHJNBEOVLHGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(ethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)OCC DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUMSTCDLAYQDNO-UHFFFAOYSA-N triethoxy(hexyl)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC WUMSTCDLAYQDNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZMJEGJVKFTGMU-UHFFFAOYSA-N triethoxy(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC FZMJEGJVKFTGMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N triethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OCC)(OCC)OCC NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)OC HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXKYGZRLZACSIK-UHFFFAOYSA-N tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-octadecylsilane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C RXKYGZRLZACSIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIZPPYBTFPZSGK-UHFFFAOYSA-N tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-propylsilane Chemical compound CCC[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C DIZPPYBTFPZSGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCKKBOHAYRLMQP-UHFFFAOYSA-N tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CC(C)(C)O[SiH](OC(C)(C)C)OC(C)(C)C QCKKBOHAYRLMQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
Description
【発明が属する技術分野】
本発明は、可視光活性を有する光触媒を含有する空気中の窒素酸化物除去用コーティング及びこのコーティングを用いた空気中の窒素酸化物除去用物品に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
光触媒を用いて脱臭や殺菌を行うことは種々検討され、実用化されているものもある。例えば、WO94/11092号には室内照明下における光触媒による空気処理方法が開示されている。また特開平7−102678号には、光触媒を用いた院内感染の防止方法が開示されている。いずれの場合も、二酸化チタン等の酸化物半導体を光触媒として用いるものであり、励起光として400nm以下の紫外線が必要である。
【0003】
ところが、励起光源となる太陽光や人工光には、紫外線以外に可視光線も含まれている。しかし、上記二酸化チタン等の酸化物半導体からなる光触媒では、可視光線は利用されておらず、エネルギー変換効率という観点からは、非常に非効率的であった。
二酸化チタンにクロム等の金属イオンをイオン注入法により注入することにより可視光領域でも光触媒活性が得られることは知られているが、方法が大がかりであり、実用化にはほど遠い。
【0004】
ところで、二酸化チタンにプラズマCVD法によりTiCコーティングをすることで、紫外線による触媒活性を向上させることができることが報告されている(特開平9-87857号公報)。しかし、TiCコーティングによって可視光線による光触媒活性が得られるとは記載されていない。
【0005】
また、光触媒を実用するためには、種々の基板に酸化チタンを含有する塗膜を形成する必要がある。酸化チタンを含有する塗膜としては、例えば、特開平8−164334号公報、特開平8−67835号公報、特開平8−155308号公報、特開平10−66830号公報、特許第2756474号等に記載のものを挙げることができる。しかるに、いずれの塗膜も使用している酸化チタンが可視光線による光触媒活性を有するものではないため、十分な性能が得られなかったのが実状である。
【0006】
そこで本発明の目的は、可視光線も利用可能な新たな光触媒を含有する空気中の窒素酸化物除去用コーティングを提供することにある。
さらに本発明の目的は、上記コーティングを用いた空気中の窒素酸化物除去用物品を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明は、有機ポリシロキサン化合物の重縮合物及び光触媒粒子からなるコーティング膜であって、前記光触媒が安定した酸素欠陥を有し、可視光照射下で活性を有する二酸化チタンであること、前記二酸化チタンは真空中、77K、暗黒下で測定されたESRにおいて、g値が2.003〜4であるシグナルが観測され、かつこのg値が2.003〜4であるシグナルは真空中、77Kにおいて少なくとも420nm〜600nm範囲の波長の光を照射下で測定した場合、上記暗黒下で測定された場合よりシグナルの強度が大きく、二酸化チタンを水素プラズマ処理する方法であって、処理系内への大気の進入が実質的にない状態で上記処理を行う方法により得られることを特徴とする空気中の窒素酸化物除去用光触媒コーティング膜に関する。上記光触媒としては、例えば、アナターゼ型二酸化チタンであって安定した酸素欠陥を有し、可視光照射下で優れた活性を有する触媒を挙げることができる。
【0008】
また、本発明は、上記本発明のコーティングを基材表面に設けたことを特徴とする物品に関する。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下本発明についてさらに説明する。
本発明で使用する光触媒は、安定した酸素欠陥を有する二酸化チタンであり、可視光照射下で活性を有するものである。二酸化チタンは、ルチル型二酸化チタンまたはアナターゼ型二酸化チタンであることができ、特に、アナターゼ型二酸化チタンであることが、実用性が高いという観点から好ましい。
【0010】
上記二酸化チタンである光触媒は、X線回折(XRD)により得られる回折パターン中にアナターゼ型二酸化チタン以外のパターンを実質的に有さない二酸化チタンからなるものであること、及びX線回折(XRD)により得られる回折パターン中にアナターゼ型二酸化チタン及びルチル型二酸化チタンの両方のパターンを有する、アナターゼ型二酸化チタンとルチル型二酸化チタンとが混在する二酸化チタンからなるものてあることができる。
【0011】
本発明で用いる光触媒であるアナターゼ型二酸化チタンの酸素欠陥の程度は、X線光電子分光法により得られるチタンの2p電子に帰属されるピークの面積に対する、チタンと結合している酸素の1s電子に帰属されるピークの面積の比(O1s/Ti2p)により特定でき、例えば1.99以下である。より好ましい面積比(O1s/Ti2p)は、1.5〜1.95の範囲である。また、酸素欠陥の安定性は、本発明の触媒が、例えば、酸素欠陥を有するアナターゼ型二酸化チタンである場合、大気中に放置しても、例えば、上記面積比(O1s/Ti2p)が1週間以上実質的に一定していることを意味する。二酸化チタンを水素ガスにより還元すると、酸素欠陥が生じることは知られているが、水素ガス還元により得られる酸素欠損は極めて不安定で、空気中では、短時間に消失する。しかし、本発明で用いる光触媒が有する酸素欠陥は極めて安定であり、実験結果によれば、大気中に放置しても少なくとも半年は安定である。また、この触媒を光触媒反応に使用しても、上記酸素欠陥が短期間に消失することはなく、触媒として安定的に使用することができる。
【0012】
二酸化チタンのバンドギャップは、アナターゼ型が3.2eV、ルチル型が3.0eVであり、いずれも紫外線によってのみ活性化されるが、本発明で使用する光触媒は、二酸化チタンの持つ紫外線下における光活性に加えて可視光のみによっても光活性化される。上記光触媒の可視光による光活性化の程度は、酸素欠陥量等により変化するが、アナターゼ型二酸化チタンの場合、例えば、400nm以上の光をカットしたブラックライト光照射下における活性を100とした場合、420nm以下の光をカットしたハロゲンランプ光照射下における活性は、少なくとも5はあり、通常20以上である。さらに、本発明の光触媒の可視光照射下での活性は、アナターゼ型二酸化チタンの場合、アナターゼ型二酸化チタンが本来有する酸化活性または還元活性である。
【0013】
また、本発明で用いる光触媒の可視光照射下での活性とは、少なくとも400〜600nmの可視光照射下でNOx酸化活性を有することを意味する。従来のアナターゼ型酸化チタンは、上記バンドギャップを有するため、400nm付近の可視光線に対しては、ある程度の活性を有する。しかし、500nmを超える600nm付近までの波長域の可視光線に対して光触媒活性を示す触媒はこれまでに知られていない。
例えば、水素プラズマ処理方法または希ガス類元素プラズマ処理方法で得られる上記光触媒は、波長360nmの光を照射した時に得られるNOx酸化活性(NO除去活性)を100とすると、波長460nmの光を照射した時に得られるNOx酸化活性(NO除去活性)は、少なくとも30であり、好ましくは50以上であり、最も好ましくは60以上である。また、波長560nmの光を照射した時に得られるNOx酸化活性(NO除去活性)は、少なくとも5であり、好ましくは10以上であり、最も好ましくは15以上である。
【0014】
光触媒の活性が高いと言われている石原産業(株)製のアナターゼ型酸化チタンにおいては、波長360nmの光を照射した時に得られるNOx酸化活性(NO除去活性)を100とすると、波長460nmの光を照射した時に得られるNOx酸化活性(NO除去活性)はほぼ0であり、波長560nmの光については全く活性を示さない。
尚、上記NOx酸化活性(NO除去活性)の測定には、光源として300Wキセノンランプを用い、日本分光製照射装置により半値幅20nmの単色光を用いた。例えば、波長360nm、460nm及び560nmの光は、いずれも半値幅20nmの単色光である。
【0015】
このような、600nm付近までの波長域の可視光線に対して光触媒活性を示す触媒は、例えば、安定な酸素欠陥を有する酸化チタンであって、真空中、77K、暗黒下で測定されたESRにおいて、g値が2.003〜4であるシグナルが観測され、かつこのg値が2.003〜4であるシグナルは真空中、77Kにおいて少なくとも420nm〜600nm範囲の波長の光を照射下で測定した場合、上記暗黒下で測定された場合よりシグナルの強度が大きいものであることが出来る。上記条件下におけるESRにおいて測定される、g値が2.003〜4であるシグナルは、酸化チタンの酸素欠陥に帰属されるシグナルであることは、これまでも知られている。しかるに、上記シグナルが、420nm〜600nm範囲の波長の光を照射下で測定した場合、上記暗黒下で測定された場合より強度が大きくなる場合に、可視光活性の優れた光触媒となることはこれまでに知られていない。
【0016】
真空中、77K、暗黒下で測定されたg値が2.003〜4であるESRシグナルの強度I0と真空中、77Kにおいて少なくとも420nm〜600nm範囲の波長の光を照射下で測定したg値が2.003〜4であるESRシグナルの強度ILとの比率(IL/I0)は、1を超えることが好ましく、より好ましくは、比率(IL/I0)は1.3以上であり、さらに好ましくは1.5以上である。
さらに、上記に加えて、真空中、77K、暗黒下で測定されたESRにおいて、g値が1.96を示すTi3+に帰属されるシグナルが実質的に観測されない物であることが、可視光活性に優れた光触媒であるという観点からは好ましい。
【0017】
さらに、本発明に使用する光触媒である上記二酸化チタンの粒子径は、本発明のコーティングの膜厚等と得られるコーティングの光触媒活性等を考慮して適宜決定することができる。光触媒粒子は、2次粒子の平均粒子径が、例えば、0.05〜10μmの範囲であることが適当である。但し、コーティングの厚さ等を考慮して、この範囲に限られることなく適宜決定できる。アナターゼ型二酸化チタンの場合、1次粒子径の平均粒子径は、例えば、1〜300nmの範囲であることができるが、高い光触媒活性を有するという観点から、1次粒子径の平均粒子径は10nm以下であることが好ましい。また、2次粒子の平均粒子径は、例えば0.1〜5μmの範囲であることが適当である。
【0018】
上記光触媒は、例えば、二酸化チタンを水素プラズマ処理または希ガス類元素プラズマ処理する方法であって、処理系内への大気の侵入が実質的にない状態で上記処理を行う方法より製造することができる。
また、原料として使用するアナターゼ型二酸化チタンは、湿式法、例えば、硫酸法で製造した二酸化チタン及び乾式法で製造した二酸化チタンであることができる。
【0019】
水素プラズマ処理は、電磁波、例えば、マイクロ波やラジオ波を照射した減圧状態においた二酸化チタンに、水素ガスを導入することで水素プラズマを発生させ、このプラズマに二酸化チタンを所定時間暴露することで行うことができる。また、希ガス類元素プラズマ処理は、電磁波、例えば、マイクロ波やラジオ波を照射した減圧状態においた二酸化チタンに、希ガス類元素ガスを導入することで希ガス類元素プラズマを発生させ、このプラズマに二酸化チタンを所定時間暴露することで行うことができる。希ガス類元素としては、例えば、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドンを挙げることができるが、入手が容易であるという観点からはヘリウム、ネオン、アルゴン等であることが好ましい。
【0020】
上記減圧状態は、例えば10トール以下であることができ、2トール以下であることもできる。電磁波の出力は、処理する二酸化チタンの量やプラズマの発生状態を考慮して適宜決定できる。水素ガスあるいは希ガス類元素ガスの導入量は、減圧状態やプラズマの発生状態を考慮して適宜決定できる。また、二酸化チタンの水素プラズマへまたは希ガス類元素プラズマへの暴露時間は、二酸化チタンに導入される酸素欠陥量を考慮して適宜決定する。
【0021】
二酸化チタンから光触媒を製造する方法は、プラズマ処理系内への大気の侵入が実質的にない状態で行うことが好ましく、プラズマ処理系内への大気の侵入が実質的にない状態とは、密閉された系の真空度が1トール変化するのに少なくとも10分を要する状態を意味する。大気の侵入が少ない程、二酸化チタンへの酸素欠陥の導入は容易になる。
【0022】
また、上記水素プラズマは、所望により、水素以外のガスを含むこともでき、そのようなガスとしては、例えば、希ガス類元素を挙げることができる。本発明の製造方法では、水素プラズマまたは希ガス類元素プラズマを用いれば、二酸化チタンへ酸素欠陥を導入することができ、例えば、水素プラズマに対する希ガス類元素の共存は酸素欠陥の導入に必須ではない。また、希ガス類元素プラズマについても同様であり、希ガス類元素プラズマに、所望により、希ガス類元素以外のガスを含むこともでき、そのようなガスとしては、例えば、水素を挙げることができる。但し、希ガス類元素プラズマに対する水素の共存は酸素欠陥の導入に必須ではない。
【0023】
光触媒は、二酸化チタンの表面の少なくとも一部に、希ガス類元素イオンをイオン注入する方法によっても製造することができる。イオン注入法は、半導体産業で使用されている方法及び装置を用いて行うことができる。尚、イオン注入の条件は、注入すべき希ガス類元素イオンの量及び二酸化チタンの種類等により適宜決定できる。尚、希ガス類元素としては、例えば、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドンを挙げることができるが、入手が容易であるという観点からはヘリウム、ネオン、アルゴン等であることが好ましい。
尚、上記方法以外に、二酸化チタンから光触媒は、二酸化チタンの表面にX線またはUVb以下の波長の紫外線を照射することでも作製することができる。
【0024】
さらに、上記光触媒は、二酸化チタンを真空下、加熱する方法によっても製造することができる。例えば、二酸化チタンを高真空下で、加熱処理すること、または高真空下で、加熱水素還元することにより、酸素欠陥が形成され、可視光吸収を起こすことは知られている。しかるに、これら酸素欠陥を有する二酸化チタンが可視光照射下で活性を有する触媒であることは知られていない。
上記製法は、例えば、アナターゼ型二酸化チタンを1トール以下の真空下、400℃以上に加熱する方法であることができる。処理時間は、真空度及び温度により適宜決定できるが、1トールの真空下、400℃での処理では30分〜1時間であることができる。
【0025】
本発明のコーティングに使用する有機ポリシロキサン化合物の重縮合物について以下に説明する。
有機ポリシロキサン化合物は、有機珪素化合物の加水分解物として公知の物質であり、例えば、特開平8−164334号公報、特開平8−67835号公報、特開平8−155308号公報、特開平10−66830号公報、特許第2756474号等に記載のものをそのまま使用することができる。
有機ポリシロキサン化合物は、有機珪素化合物を加水分解物であるが、有機珪素化合物としては、アルキル基及びアルコキシ基を有するものを挙げることができる。
アルキル基及びアルコキシ基を有する有機珪素化合物を加水分解物も公知であり、例えばR1 nSi(OR2)4-nで表される有機珪素化合物を加水分解することにより得られる。R1及びR2は、それぞれ、例えば、炭素数1〜8の低級アルキル基であることができ、得られるコーティングの膜強度を考慮すると、R1は炭素数1〜3の低級アルキル基、好ましくはメチル基であることが適当である。上記式中のnは、0〜2の整数であり、具体的には、少なくともnが1である有機珪素化合物の加水分解物(3次元架橋物)または少なくともnが1及び2である有機珪素化合物の混合物の加水分解物(3次元架橋物)を用いることが膜強度等を考慮すると適当である。
【0026】
上記有機珪素化合物としては、例えば、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、メチルトリt−ブトキシシラン、メチルトリクロルシラン、メチルトリブロムシラン;エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリt−ブトキシシラン、エチルトリクロルシラン、エチルトリブロムシラン;n−プロピルトリメトキシシラン、n−プロピルトリエトキシシラン、n−プロピルトリイソプロポキシシラン、n−プロピルトリt−ブトキシシラン、n−プロピルトリクロルシラン、n−プロピルトリブロムシラン;n−ヘキシルトリメトキシシラン、n−ヘキシルトリエトキシシラン、n−ヘキシルトリイソプロポキシシラン、n−ヘキシルトリt−ブトキシシラン、n−ヘキシルトリクロルシラン、n−ヘキシルトリブロムシラン;n−デシルトリメトキシシラン、n−デシルトリエトキシシラン、n−デシルトリイソプロポキシシラン、n−デシルトリt−ブトキシシラン、n−デシルトリクロルシラン、n−デシルトリブロムシラン;n−オクタデシルトリメトキシシラン、n−オクタデシルトリエトキシシラン、n−オクタデシルトリイソプロポキシシラン、n−オクタデシルトリt−ブトキシシラン、n−オクタデシルトリクロルシラン、n−オクタデシルトリブロムシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラブトキシシラン、ジメトキシジエトキシシラン;ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリイソプロポキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリt−ブトキシシラン等を挙げることができる。
【0027】
コーティングの良好な硬度と平滑性を確保するためには、3次元架橋型シロキサンを10モル%以上含有させるのが好ましく、全量を3次元架橋型シロキサンとすることもできる。更に、良好な硬度と平滑性を確保しながら塗膜の充分な可撓性を提供するためには、2次元架橋型シロキサンを60モル%以下含有させるのが好ましい。尚、シロキサン結合を有する有機ポリシロキサン化合物に替えて、シラザン結合を有するオルガノポリシラザン化合物を使用することも可能である。
【0028】
本発明のコーティングは、上記有機珪素化合物の加水分解物である有機ポリシロキサン化合物及び光触媒粉末を混合し、塗膜とした後、加熱して有機ポリシロキサン化合物を少なくとも部分的に重縮合させることで得ることができる。重縮合のための加熱条件は、有機ポリシロキサン化合物の種類や含有量、さらにはコーティングを施す基体の耐熱性等を考慮して適宜決定でき、例えば50〜250℃の範囲とすることができる。
本発明のコーティングにおいて、有機ポリシロキサン化合物の重縮合物と二酸化チタン粒子との重量比は、例えば5:95〜95:5の範囲とすることができる。但し、膜の強度や光触媒活性を考慮すると、上記範囲は、30:70〜30:70の範囲であることが適当である。
本発明のコーティングの厚みは特に制限はなく、優れた窒素酸化物除去性能を発揮するという観点から、例えば、5〜20μmの範囲とすることができる。
【0029】
本発明のコーティングは、上記成分以外に、コロイド状酸化物をさらに含有させることができる。コロイド状酸化物としてはコロイド状シリカを挙げことができる。コロイド状酸化物は、微粒子であることからコーティングの表面積を高め(多孔性にする)、光触媒である二酸化チタン粒子と被反応物との接触頻度を高めることができる。
本発明のコーティングは、さらに吸着剤をさらに含有することもできる。吸着剤としては、例えば、ゼオライト及び活性炭を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。コーティングに吸着剤を含有させることが、コーティングの光触媒能を向上させることができる。
【0030】
本発明は、上記本発明のコーティングを基材表面に設けたことを特徴とする物品に関する。基材としては、例えば、建築物の外壁面、屋根外面屋上面、窓ガラス外面若しくは窓ガラス内面、部屋の壁面、床面若しくは天井面、ブラインド、カーテン、道路の防護壁、トンネルの内壁、照明灯の外面若しくは反射面、車両の内装面、ミラー面、窓ガラス外面若しくは窓ガラス内面であることができる。
【0031】
本発明のコーティングは、有機ポリシロキサン化合物の重縮合物と酸素欠陥を有さない二酸化チタン粒子からなる膜を形成し、この膜の表面を、前記のように水素プラズマ処理等のプラズマ処理あるいイオン注入することで、コーティングに含まれる二酸化チタンを安定な酸素欠陥を有する光触媒とすることで、本発明のコーティング及び物品を得ることもできる。
【0032】
本発明のコーティングは、可視光を含む光照射下で、窒素酸化物を含有する空気を接触させると、空気中に含まれる窒素酸化物を酸化し、空気中から除去することができる。本発明のコーティングまたは本発明のコーティングを表面に有する本発明の物品を野外に設置した場合、コーティング表面に生成した窒素酸化物の酸化生成物は、雨水等の作用により、その表面から容易に除去され得る。また、本発明のコーティングまたは本発明のコーティングを表面に有する本発明の物品が、雨水等がかからない場所に設置された場合でも、散水等することで、コーティング表面に生成した窒素酸化物の酸化生成物を容易に除去することができる。
可視光を含む光は、太陽光線または人工光線であることができる。人工光線源は、可視光を含む光を供給できるものであればよく、例えば、蛍光灯、白熱灯、ハロゲンランプからの光線であることができる。
【0033】
本発明によれば、本発明のコーティングまたは物品からなる光触媒ユニットと、本発明のコーティングに可視光を含む光を照射するための光源とからなる光触媒装置を提供することができる。可視光を含む光を照射するための光源は、例えば、蛍光灯、白熱灯またはハロゲンランプであることができる。
【0034】
【実施例】
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。
参考例1
アナターゼ型二酸化チタン粉末(石原産業(株)製ST−01)10gを3500mlの石英製反応管に収容した。この石英製反応管にRFプラズマ発生装置を装着し、反応管系内を真空ポンプで排気した後、500Wの電磁波(13.56GHz)を反応管内のアナターゼ型二酸化チタン粉末に照射し、プラズマを発生させた。そして、H2ガス(流量を30ml/分)を系内の圧力が約1トールとなるように導入した。反応管内のアナターゼ型二酸化チタン粉末を攪拌しながら30分間処理した。尚、ニクロム線による抵抗加熱により石英管壁を400℃に加熱し、その温度を反応期間中維持した。
なお、プラズマ処理系は、ガスを導入せず、かつポンプでの排気も断絶した状態で真空度が1トール上昇するのに1時間以上を要した。
【0035】
得られたアナターゼ型二酸化チタン粉末をX線光電子分光法(XPS)により、チタンの2p電子に帰属されるピーク(458.8eV(Ti2p3/2)及び464.6eV(Ti2p1/2)の面積とチタンと結合している酸素の1s電子に帰属されるピーク(531.7eV(O1s)の面積とを求めた。得られた面積比(O1s/Ti2p)は、1.91であった。尚、プラズマ処理しないアナターゼ型二酸化チタン粉末の面積比(O1s/Ti2p)は、2.00であった。
また、この試料を1週間大気中に放置した後に上記と同様に測定した面積比(O1s/Ti2p)も、1.91であった。さらに、この試料の1カ月後の面積比(O1s/Ti2p)にも変化はなかった。
また、上記プラズマ処理前の試料及び処理後の試料をX線回折試験に付した結果、プラズマ処理の前及び後で、アナターゼ型二酸化チタンに変化は見られなかった。
また、上記プラズマ処理前の試料及び処理後の試料のESRスペクトルを測定した。測定は、真空中(0.1Torr)、77Kで行った。その結果、参考例1の触媒(プラズマ処理したアナターゼ型二酸化チタン)は、420nm以上の可視光で強度が強くなるg値2.003〜4にシグナルが観測された。さらに、このかつこのピークは、試料を1週間大気中に放置した後、再度測定した際にも維持されていた。また、参考例1の触媒は、g値が1.96にシグナルを示すTi3+に帰属されるシグナルは観測されなかった。
【0036】
実施例1 (NOxの酸化活性測定)
参考例1で得られた光触媒を含有する本発明のコーティングの窒素酸化物除去効果を以下に検討した。尚、以下の実施例において、「部」および「%」は特記しない限り重量基準による。
バインダーとしてアルコキシシラン系バインダー(オキツモ(株)製)を用いた。このバインダーは、メチルトリメトキシシラン100重量部とコロイド状シリカの水分散液(固形分30%)100重量部との混合物を加水分解して調製されたものである。このバインダー100gと参考例1のサンプル50gと混合し、得られた混合物にイソプロピルアルコール50gを加えて塗料とした。
100cm2のアルミ板に膜厚15μmとなるように塗布し、180℃で20分間焼付乾燥した。
【0037】
得られた光触媒コーティングを有するアルミ板(塗料用試料)を、パイレックスガラス製反応容器(内径160mm、厚さ25mm)内に設置した。光源には300Wキセノンランプを用い、日本分光製照射装置により半値幅20nmの単色光として、光を照射した。
上記反応容器に湿度0%RHの模擬汚染空気(NO:1.0ppm)を1.5リットル/分の流速で連続的に供給し、反応出口におけるNOの濃度変化をモニターした。NOの濃度は、オゾンを用いた化学発光法により測定した。24時間のモニター値の累積値からNOxの除去率を求めた。
結果を表1に示す。比較のため、未処理のアナターゼ型二酸化チタン粉末(石原産業(株)製ST−01)を用いて作成した塗料を用いた試料の結果を表2に示す。
【0038】
【表1】
【0039】
【表2】
【0040】
上記表2に示す結果から、作製した塗料用試料は、少なくとも600nmまでの可視光によって窒素酸化物を酸化除去する効果を有することが分かる。
【0041】
【発明の効果】
本発明によれば、可視光活性を有する光触媒有する空気中の窒素酸化物除去用コーティングを提供することができる。このコーティングを用いることで、空気中の窒素酸化物を、紫外線のみならず可視光線を用いても除去することができる。
Claims (16)
- 有機ポリシロキサン化合物の重縮合物及び光触媒粒子からなるコーティング膜であって、前記光触媒が安定した酸素欠陥を有し、可視光照射下で活性を有する二酸化チタンであること、前記二酸化チタンは真空中、77K、暗黒下で測定されたESRにおいて、g値が2.003〜4であるシグナルが観測され、かつこのg値が2.003〜4であるシグナルは真空中、77Kにおいて少なくとも420nm〜600nm範囲の波長の光を照射下で測定した場合、上記暗黒下で測定された場合よりシグナルの強度が大きく、二酸化チタンを水素プラズマ処理する方法であって、処理系内への大気の進入が実質的にない状態で上記処理を行う方法により得られることを特徴とする空気中の窒素酸化物除去用光触媒コーティング膜。
- 二酸化チタンがアナターゼ型またはルチル型である請求項1に記載のコーティング膜。
- 前記二酸化チタンは、X線光電子分光法により得られるチタンの2p電子に帰属されるピークの面積に対する、チタンと結合している酸素の1s電子に帰属されるピークの面積の比(O1s/Ti2p)が1.99以下である請求項2に記載のコーティング膜。
- 面積比(O1s/Ti2p)が1.5〜1.95の範囲である請求項3に記載のコーティング膜。
- 面積比(O1s/Ti2p)が1週間以上実質的に一定している請求項3に記載のコーティング膜。
- 前記二酸化チタンは、真空中、77K、暗黒下で測定されたg値が2.003〜4であるESRシグナルの強度I0と真空中、77Kにおいて少なくとも420nm〜600nm範囲の波長の光を照射下で測定したg値が2.003〜4であるESRシグナルの強度ILとの比率(IL/I0)が1である請求項1に記載のコーティング膜。
- 前記二酸化チタンは、真空中、77K、暗黒下で測定されたESRにおいて、g値が1.96を示すTi3+に帰属されるシグナルが実質的に観測されない、請求項1〜6のいずれか1項に記載のコーティング膜。
- 可視光照射下での活性が、酸化活性または還元活性である請求項1〜7のいずれか1項に記載のコーティング膜。
- 有機ポリシロキサン化合物が、有機珪素化合物の加水分解物である請求項1〜8のいずれか1項に記載のコーティング膜。
- 有機珪素化合物がアルキル基及びアルコキシ基を有する請求項9に記載のコーティング膜。
- コロイド状酸化物をさらに含有する請求項1〜11のいずれか1項に記載のコーティング膜。
- コロイド状酸化物がコロイド状シリカである請求項11に記載のコーティング膜。
- 吸着剤をさらに含有する請求項1〜12のいずれか1項に記載のコーティング膜。
- 吸着剤がゼオライトまたは活性炭である請求項13に記載のコーティング膜。
- 請求項1〜14のいずれか1項に記載のコーティング膜を基材表面に設けたことを特徴とする空気中の窒素酸化物除去用物品。
- 基材が建築物の外壁面、屋根外面屋上面、窓ガラス外面若しくは窓ガラス内面、部屋の壁面、床面若しくは天井面、ブラインド、カーテン、道路の防護壁、トンネルの内壁、照明灯の外面若しくは反射面、車両の内装面、ミラー面、窓ガラス外面若しくは窓ガラス内面である請求項15に記載の物品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27528899A JP4592846B2 (ja) | 1999-09-28 | 1999-09-28 | 空気中の窒素酸化物除去用光触媒コーティング及びこのコーティングを有する物品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27528899A JP4592846B2 (ja) | 1999-09-28 | 1999-09-28 | 空気中の窒素酸化物除去用光触媒コーティング及びこのコーティングを有する物品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001098219A JP2001098219A (ja) | 2001-04-10 |
JP4592846B2 true JP4592846B2 (ja) | 2010-12-08 |
Family
ID=17553350
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27528899A Expired - Fee Related JP4592846B2 (ja) | 1999-09-28 | 1999-09-28 | 空気中の窒素酸化物除去用光触媒コーティング及びこのコーティングを有する物品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4592846B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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ES2614555T3 (es) | 2005-12-13 | 2017-05-31 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Composición híbrida orgánica-inorgánica acuosa |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH0925437A (ja) * | 1995-07-12 | 1997-01-28 | Matsushita Electric Works Ltd | 抗菌性無機塗料 |
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JP2001096168A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-10 | Kankyo Device Kenkyusho:Kk | 光触媒コーティング及びこのコーティングを有する物品 |
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1999
- 1999-09-28 JP JP27528899A patent/JP4592846B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001098219A (ja) | 2001-04-10 |
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