JP4581423B2 - 薄膜トランジスタ素子、当該素子シート及びその作製方法 - Google Patents
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Description
1) 支持体上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層からなるチャネルで連結されたソース電極及びドレイン電極をこの順に有し、ゲート電極が流動性電極材料を受容する絶縁性層に浸透した流動性電極材料を含有する領域で構成される薄膜トランジスタ素子、
2) 支持体が樹脂からなる1)の薄膜トランジスタ素子、
3) 流動性電極材料が導電性ポリマーの溶液又は分散液である1)又は2)の薄膜トランジスタ素子、
4) ゲート電極が構成された絶縁性層のゲート電極の領域を除いた領域に、樹脂が浸透された1)〜3)の何れかの薄膜トランジスタ素子、
5) 半導体層が有機半導体材料からなる1)〜4)の何れかの薄膜トランジスタ素子、
6) ゲートバスラインが設けられた支持体シートの、ゲートバスライン側に流動性電極材料を受容する絶縁性層を形成し、該絶縁性層に流動性電極材料を浸透させて該電極材料を含有する領域でゲート電極を構成する薄膜トランジスタ素子シートの作製方法、
7) 支持体シートが樹脂からなる6)の薄膜トランジスタ素子シートの作製方法、
8) 流動性電極材料が導電性ポリマーの溶液又は分散液である6)又は7)の薄膜トランジスタ素子シートの作製方法、
9) 有機半導体材料からなる半導体層を形成する6)〜8)の何れかの薄膜トランジスタ素子シートの作製方法、
10) 流動性電極材料を受容する絶縁性層を形成し、該絶縁性層に流動性電極材料を浸透させてゲート電極を構成した後、樹脂溶液を前記絶縁性層上に供給して、当該樹脂をゲート電極の領域を除いた絶縁性層中に浸透せしめる工程を経る6)〜9)の何れかの薄膜トランジスタ素子シートの作製方法、
11) 流動性電極材料を受容する絶縁性層を形成し、該絶縁性層の、ゲート電極形成領域以外の領域に、樹脂溶液を供給し、当該樹脂をゲート電極形成領域以外の領域に浸透せしめる工程の後、前記絶縁性層に流動性電極材料を浸透させてゲート電極を構成する6)〜9)の何れかの薄膜トランジスタ素子シートの作製方法、
12) 連続した半導体層を複数のトランジスタ素子にわたり形成する6)〜11)の何れかの薄膜トランジスタ素子シートの作製方法、
13) 6)〜12)の何れかの方法にて作製された薄膜トランジスタ素子シート、
によって達成される。
タル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジル
コニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン
酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム,チタン酸ビスマス
、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニ
オブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウム等が挙げられる。また無機窒化物としては
窒化ケイ素、窒化アルミニウム等が挙げられる。
ン、窒化ケイ素である。
ート樹脂、セルロース樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリ
プロピレン樹脂、ポリスチレン樹脂、フェノキシ樹脂、ノルボルネン樹脂、エポキシ樹脂
、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、酢酸ビニルとビ
ニルアルコールの共重合体、部分加水分解した塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビ
ニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、エチレン−ビ
ニルアルコール共重合体、ポリビニルアルコール、塩素化ポリ塩化ビニル、エチレン−塩
化ビニル共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体等のビニル系重合体、ポリアミド樹脂
、エチレン−ブタジエン樹脂、ブタジエン−アクリロニトリル樹脂等のゴム系樹脂、シリ
コーン樹脂、フッ素系樹脂等を挙げることができる。
まず、基板として厚さ200μmのPESフィルムを用い、該フィルム上に市販の銀ペーストを用いて、スクリーン印刷法で厚さ3μm、L/S=50μmのゲートバスラインを設け、加熱処理により銀ペーストを硬化させた。ここに、L/Sはラインアンドスペースで、L/S=50μmは、50μmおきに電極部と非電極部が交互にパターン化されていることを示し、以後この様に表記する。
次に、導電性ポリマー溶液として、PEDOT/PSS錯体の水分散液(バイエル製、Baytron P)に、ノニオン界面活性剤(ポリオキシエチレンアルキルエーテル)を0.05質量%添加し、調製した。この導電性ポリマー溶液を、ピエゾ方式のインクジェットヘッドを用いて、図7に示す位置に吐出し、受容層に含浸させ、乾燥させることで、ゲート電極2を形成した。また、このとき、アディショナルキャパシタ用の電極8を設けた。
不活性ガス:ヘリウム 98.25体積%
反応性ガス:酸素ガス 1.5体積%
反応性ガス:テトラエトキシシラン蒸気 0.25体積%
(ヘリウムガスにてバブリング)
(放電条件)
放電出力:10W/cm2
さらに、酸化珪素皮膜上に、反応性ガスにトリメトキシプロピルシランのみを用いて、大気圧プラズマ処理を行い、撥水処理を施した。
A液組成物
Fe−Al系強磁性金属粉末 100部
ポリウレタン樹脂〔東洋紡績(株)製、バイロンUR−8200〕
10.0部
ポリエステル樹脂〔東洋紡績(株)製、バイロン280〕 5.0部
リン酸エステル 3.0部
メチルエチルケトン 105.0部
トルエン 105.0部
シクロヘキサノン 90.0部
B液組成物
α−アルミナ(平均粒子径:0.18μm)
〔住友化学(株)製、高純度アルミナHIT60G〕 100部
ポリウレタン樹脂〔東洋紡績(株)製、バイロンUR−8700〕15部
リン酸エステル 3.0部
メチルエチルケトン 41.3部
トルエン 41.3部
シクロヘキサノン 35.4部
感光層上に下記組成物をアイソパーE”(イソパラフィン系炭化水素、エクソン化学(株)製)単独溶媒で固形分濃度10.3質量%に希釈した液体を塗設し、厚さ0.4μmのシリコーンゴム層の電極材料反発層を形成した。
α,ω−ジビニルポリジメチルシロキサン(分子量約60,000)
100部
HMS−501(両末端メチル(メチルハイドロジェンシロキサン)(ジメチルシロキサン)共重合体、SiH基数/分子量=0.69mol/g、チッソ(株)製) 7部
ビニルトリス(メチルエチルケトキシイミノ)シラン 3部
SRX−212(白金触媒、東レ・ダウコーニングシリコーン(株)製)
5部
発振波長830nm、出力100mWの半導体レーザーで300mJ/cm2のエネルギー密度でソース電極、ドレイン電極(画素電極)の電極パターンを露光した後、露光部のシリコーンゴム層をブラシ処理で除去した。
マスクを介してアルミニウムを蒸着し、厚さ300nm、L/S=50μmのゲートバスラインを設けた以外は、実施例1と同様にしてTFT素子を作製したところ、得られたTFT素子は、pチャネルエンハンスメント型FETとして良好に動作し、飽和領域のキャリア移動度は、0.4cm2/V・sであった。
ゲート電極を形成した後、ゲート絶縁膜を設ける前に、下記組成の塗布液を塗布し、受容層内に満たし、90℃で1分間乾燥した後、60W/cmの高圧水銀灯下10cmの距離から4秒間硬化させた以外は、実施例1と同様にしてTFT素子を作製した。この構成により、受容層の機械的強度を向上させ、ゲート絶縁層と受容層との接着性を向上させることができる。
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート2量体 20g
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート3量体以上の成分 20g
ジエトキシベンゾフェノンUV開始剤 2g
シリコーン系界面活性剤 1g
メチルエチルケトン 75g
メチルプロピレングリコール 75g
得られたTFT素子は、pチャネルエンハンスメント型FETとして良好に動作し、飽和領域のキャリア移動度は、0.4cm2/V・sであった。
実施例1のTFT素子の作製において、半導体層を以下に変更した。
実施例1のTFT素子の作製において、受容層、ゲート電極の形成の後、シアノエチルプルラン(信越化学工業製)のアセトン溶液を塗布し、90℃で乾燥し、厚さ300nmのゲート絶縁膜を形成した以外は、実施例1と同様にして、TFT素子を作製した。
2 ゲート電極
3 ゲート絶縁層
4 半導体層
5 ドレイン電極
6 ソース電極
7 流動性電極材料を受容する絶縁性層
9 出力電極
10 アディショナルキャパシタ
11 TFTシート
12 ゲートバスライン
13 ソースバスライン
14 TFT素子
15 蓄積コンデンサ
16 出力素子
17 垂直駆動回路
18 水平駆動回路
Claims (13)
- 支持体上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層からなるチャネルで連結されたソース電極及びドレイン電極をこの順に有し、ゲート電極が流動性電極材料を受容する絶縁性層に浸透した流動性電極材料を含有する領域で構成されることを特徴とする薄膜トランジスタ素子。
- 支持体が樹脂からなることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ素子。
- 流動性電極材料が導電性ポリマーの溶液又は分散液であることを特徴とする請求項1又は2に記載の薄膜トランジスタ素子。
- ゲート電極が構成された絶縁性層のゲート電極の領域を除いた領域に、樹脂が浸透されたことを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項に記載の薄膜トランジスタ素子。
- 半導体層が有機半導体材料からなることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1項に記載の薄膜トランジスタ素子。
- ゲートバスラインが設けられた支持体シートの、ゲートバスライン側に流動性電極材料を受容する絶縁性層を形成し、該絶縁性層に流動性電極材料を浸透させて該電極材料を含有する領域でゲート電極を構成することを特徴とする薄膜トランジスタ素子シートの作製方法。
- 支持体シートが樹脂からなることを特徴とする請求項6に記載の薄膜トランジスタ素子シートの作製方法。
- 流動性電極材料が導電性ポリマーの溶液又は分散液であることを特徴とする請求項6又は7に記載の薄膜トランジスタ素子シートの作製方法。
- 有機半導体材料からなる半導体層を形成することを特徴とする請求項6乃至8の何れか1項に記載の薄膜トランジスタ素子シートの作製方法。
- 流動性電極材料を受容する絶縁性層を形成し、該絶縁性層に流動性電極材料を浸透させてゲート電極を構成した後、樹脂溶液を前記絶縁性層上に供給して、当該樹脂をゲート電極の領域を除いた絶縁性層中に浸透せしめる工程を経ることを特徴とする請求項6乃至9の何れか1項に記載の薄膜トランジスタ素子シートの作製方法。
- 流動性電極材料を受容する絶縁性層を形成し、該絶縁性層の、ゲート電極形成領域以外の領域に、樹脂溶液を供給し、当該樹脂をゲート電極形成領域以外の領域に浸透せしめる工程の後、前記絶縁性層に流動性電極材料を浸透させてゲート電極を構成することを特徴とする請求項6乃至9の何れか1項に記載の薄膜トランジスタ素子シートの作製方法。
- 連続した半導体層を複数のトランジスタ素子にわたり形成することを特徴とする請求項6乃至11の何れか1項に記載の薄膜トランジスタ素子シートの作製方法。
- 請求項6乃至12の何れか1項に記載の方法にて作製されたことを特徴とする薄膜トランジスタ素子シート。
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JP2008065012A (ja) * | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Future Vision:Kk | 液晶表示パネル |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62221159A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-29 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタマトリツクスの形成方法 |
JPS6395697A (ja) * | 1986-10-11 | 1988-04-26 | 株式会社豊田自動織機製作所 | ハイブリツドic基板の回路パタ−ン形成液及びその製造方法 |
JPS63246236A (ja) * | 1987-04-01 | 1988-10-13 | カネボウ株式会社 | 導電性多孔質体及びその製造方法 |
JP2000043439A (ja) * | 1998-07-27 | 2000-02-15 | Eastman Kodak Co | 指紋から保護された像形成要素を形成する像形成方法 |
JP2001094107A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Hitachi Ltd | 有機半導体装置及び液晶表示装置 |
JP2003058077A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | ミクロファブリケーション用基板、その製造方法および像状薄膜形成方法 |
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Patent Citations (6)
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---|---|---|---|---|
JPS62221159A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-29 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタマトリツクスの形成方法 |
JPS6395697A (ja) * | 1986-10-11 | 1988-04-26 | 株式会社豊田自動織機製作所 | ハイブリツドic基板の回路パタ−ン形成液及びその製造方法 |
JPS63246236A (ja) * | 1987-04-01 | 1988-10-13 | カネボウ株式会社 | 導電性多孔質体及びその製造方法 |
JP2000043439A (ja) * | 1998-07-27 | 2000-02-15 | Eastman Kodak Co | 指紋から保護された像形成要素を形成する像形成方法 |
JP2001094107A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Hitachi Ltd | 有機半導体装置及び液晶表示装置 |
JP2003058077A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | ミクロファブリケーション用基板、その製造方法および像状薄膜形成方法 |
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