JP4579855B2 - 電子冷熱モジュールおよびその製造方法 - Google Patents
電子冷熱モジュールおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4579855B2 JP4579855B2 JP2006094991A JP2006094991A JP4579855B2 JP 4579855 B2 JP4579855 B2 JP 4579855B2 JP 2006094991 A JP2006094991 A JP 2006094991A JP 2006094991 A JP2006094991 A JP 2006094991A JP 4579855 B2 JP4579855 B2 JP 4579855B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type
- thermoelectric semiconductor
- electronic cooling
- semiconductor elements
- fine foam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
次いで、前記独立微細発泡体の両面に熱硬化型ボンディングフィルムをラミネートし、
次いで、交互に隣り合うように配置された複数対のp型およびn型熱電半導体素子が挿入される孔部を前記独立微細発泡体に設け、
次いで、前記複数対のp型およびn型熱電半導体素子の高さと同じ厚さの前記独立微細発泡体の前記孔部に、前記複数対のp型およびn型熱電半導体素子を挿入し、
次いで、前記孔部を塞ぐように接合層を介して金属箔をラミネートし、
次いで、前記金属箔をエッチングして電極パターンからなる電気回路金属層を形成して、前記p型およびn型熱電半導体素子が前記独立微細発泡体および前記電気回路金属層によって密閉され、次いで、
このように形成された構造体に熱処理を施す、電子冷熱モジュールの製造方法である。
実施例
厚さ850から950μmの超微細発泡PETシート(MCPET)の両面に、厚さ30μmのBステージ状態の熱硬化型ボンディングフィルムがラミネーとした。このように、両面に熱硬化型ボンディングフィルムがラミネーとされた超微細発泡PETシートに、厚さ1000μmのp型、n型熱電半導体素子を挿入するための穴あけ加工が施した。
2 独立微細発泡体
3、4 熱電半導体素子
5 孔部
6 接合層
7 電気回路金属層
8 半田層
9 ヒートシンク
10 熱硬化型ボンディングフィルム
Claims (12)
- 両面に熱硬化型ボンディングフィルムがラミネートされ、複数対のp型およびn型熱電半導体素子が挿入される複数の孔部を備えた独立微細発泡体からなる基板と、前記基板の前記複数の孔部に挿入された、前記独立微細発泡体の厚さと同じ高さの、前記複数対のp型およびn型熱電半導体素子と、前記複数の孔部を塞ぎ、前記複数対のp型およびn型熱電半導体素子をその上に形成した接合層を介して直列に電気的に連結する電気回路金属層とを備え、前記p型およびn型熱電半導体素子が前記独立微細発泡体および前記電気回路金属層によって密閉された電子冷熱モジュール。
- 前記独立微細発泡体の厚さが前記p型およびn型熱電半導体素子の高さと同一である、請求項1に記載の電子冷熱モジュール。
- 前記独立微細発泡体が、PET(ポリエチレンテレフタレート)、PEN(ポリエチレンナフタレート)、ポリイミド、ポリアミド、PPS(ポリフェニレンサルファイド)、PES(ポリエーテルサルフォン)、PS(ポリサルフォン)、PAR(ポリアリレート)、PEI(ポリエーテルイミド)、液晶ポリマー(LCP)などの耐熱性プラスチック材料からなっている、請求項2に記載の電子冷熱モジュール。
- 前記独立微細発泡体が、10μm以下の平均気泡径を有し、60℃における熱伝導率が0.05〜0.08W/mkである発泡体からなっている、請求項2または3に記載の電子冷熱モジュール。
- 前記独立微細発泡体の前記孔部と前記孔部に挿入された前記p型およびn型熱電半導体素子との間に微細な空隙が存在している、請求項1から4の何れか1項に記載の電子冷熱モジュール。
- 前記接合層が印刷、ディスペンサー等によって供給されるか、またはめっき等によって前記電気回路金属層の表面に備えられている、請求項1から5の何れか1項に記載の電子冷熱モジュール。
- 前記接合層がSnBi半田層からなっており、前記電気回路金属層がCu箔からなっており、前記接合層と前記電気回路金属層の接触界面においてSnの固層拡散が存在している、請求項1から6の何れか1項に記載の電子冷熱モジュール。
- 前記独立微細発泡体の前記電気回路金属層側の面には熱硬化型ボンディングフィルムがラミネートされている、請求項1から7の何れか1項に記載の電子冷熱モジュール。
- 前記孔部を塞ぐように前記電気回路金属層が設けられている、請求項1に記載の電子冷熱モジュール。
- 前記p型およびn型熱電半導体素子が密閉された空間が真空である、請求項5に記載の電子冷熱モジュール。
- 独立微細発泡体の基板を調製し、
次いで、前記独立微細発泡体の両面に熱硬化型ボンディングフィルムをラミネートし、
次いで、交互に隣り合うように配置された複数対のp型およびn型熱電半導体素子が挿入される孔部を前記独立微細発泡体に設け、
次いで、前記複数対のp型およびn型熱電半導体素子の高さと同じ厚さの前記独立微細発泡体の前記孔部に、前記複数対のp型およびn型熱電半導体素子を挿入し、
次いで、前記孔部を塞ぐように接合層を介して金属箔をラミネートし、
次いで、前記金属箔をエッチングして電極パターンからなる電気回路金属層が複数の孔部を塞ぐように形成され、前記p型およびn型熱電半導体素子が前記独立微細発泡体および前記電気回路金属層によって密閉され、次いで、
このように形成された構造体に熱処理を施す、電子冷熱モジュールの製造方法。 - 前記金属箔をラミネートする工程と、前記金属箔をエッチングする工程の間に、前記p型およびn型熱電半導体素子が密閉された空間を真空にする、請求項11に記載の電子冷熱モジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006094991A JP4579855B2 (ja) | 2006-03-30 | 2006-03-30 | 電子冷熱モジュールおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006094991A JP4579855B2 (ja) | 2006-03-30 | 2006-03-30 | 電子冷熱モジュールおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007273572A JP2007273572A (ja) | 2007-10-18 |
JP4579855B2 true JP4579855B2 (ja) | 2010-11-10 |
Family
ID=38676095
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006094991A Expired - Fee Related JP4579855B2 (ja) | 2006-03-30 | 2006-03-30 | 電子冷熱モジュールおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4579855B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20150136192A1 (en) * | 2012-04-30 | 2015-05-21 | Universite Catholique De Louvain | Thermoelectric Conversion Module and Method for Making it |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04199859A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱電半導体素子 |
JPH04199860A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱電半導体素子 |
JPH11298053A (ja) * | 1998-04-09 | 1999-10-29 | Seiko Seiki Co Ltd | 熱電変換モジュール |
JP2003258323A (ja) * | 2002-03-07 | 2003-09-12 | Citizen Watch Co Ltd | 熱電素子 |
JP2004241404A (ja) * | 2003-02-03 | 2004-08-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱電モジュール及びその製造方法 |
-
2006
- 2006-03-30 JP JP2006094991A patent/JP4579855B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04199859A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱電半導体素子 |
JPH04199860A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱電半導体素子 |
JPH11298053A (ja) * | 1998-04-09 | 1999-10-29 | Seiko Seiki Co Ltd | 熱電変換モジュール |
JP2003258323A (ja) * | 2002-03-07 | 2003-09-12 | Citizen Watch Co Ltd | 熱電素子 |
JP2004241404A (ja) * | 2003-02-03 | 2004-08-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱電モジュール及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007273572A (ja) | 2007-10-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5587844B2 (ja) | パワー半導体モジュールおよびその製造方法 | |
US7808788B2 (en) | Multi-layer electrically isolated thermal conduction structure for a circuit board assembly | |
JP4768961B2 (ja) | 薄膜基板を有する熱電モジュール | |
JP4438489B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2006269721A (ja) | 熱電モジュール及びその製造方法 | |
JP2011114176A (ja) | パワー半導体装置 | |
JP2005507157A5 (ja) | ||
KR20190139810A (ko) | 반도체용 방열기판의 제조 방법 | |
JP4885046B2 (ja) | 電力用半導体モジュール | |
JP2006165320A (ja) | 半導体積層モジュールとその製造方法 | |
JP5664475B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6200759B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2017208478A (ja) | 熱電変換モジュールおよび熱電変換装置 | |
JP4579855B2 (ja) | 電子冷熱モジュールおよびその製造方法 | |
JP2011204968A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP4913617B2 (ja) | サーモモジュールおよびその製造方法 | |
JP4645276B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP3611957B2 (ja) | 積層型実装体 | |
JP2010021410A (ja) | サーモモジュール | |
TWI749359B (zh) | 配線基板 | |
KR101388492B1 (ko) | 골격형 열전 모듈 제조방법 그리고 골격형 열전 모듈이 적용된 열전 유닛 및 그 제조방법 | |
JP4795103B2 (ja) | サーモモジュールおよびその製造方法 | |
JP4992302B2 (ja) | パワー半導体モジュール | |
JP4954778B2 (ja) | 三次元電子回路装置および連結部材 | |
JP2001267715A (ja) | 電子回路装置および基板接続用弾性体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100115 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100310 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100813 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100826 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4579855 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |