JP4573091B2 - 薄膜トランジスタおよびその製造方法、ならびに表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
(a)薄膜トランジスタ
図1は、第1実施形態の薄膜トランジスタを説明する断面図である。この図に示す薄膜トランジスタ1は、ボトムゲート型の薄膜トランジスタであり、ガラス等からなる基板2上にパターン形成されたゲート電極3を覆う状態で、窒化シリコンからなるゲート絶縁膜5が形成されている。このゲート絶縁膜5上には、ゲート電極3を覆う状態でアモルファスシリコンからなるチャネル層7がパターン形成されている。そして、チャネル層7上には、ゲート電極3上に積層させる状態で窒化シリコンからなる保護ストッパ層9がパターン形成されている。また、チャネル層7上には、保護ストッパ層9を挟んだ位置に、n型のアモルファスシリコン層からなるソース11aおよびドレイン11bがパターン形成されている。これらのソース11a、ドレイン11bは、その端部を保護ストッパ層9上に積層させており、保護ストッパ層9によって分離された状態となっている。また、ゲート絶縁膜5上には、ソース11aおよびドレイン11b上に一部を積層させたソース電極13aおよびドレイン電極13bがパターン形成されている。
次に、このような薄膜トランジスタ1を用いた表示装置の一構成例を図4に基づいて説明する。尚、図4においては、薄膜トランジスタ1の詳細な構成の図示は省略した。
次に、上述した構成の薄膜トランジスタ1の製造方法およびこれに続く表示装置の製造方法を説明する。
(a)薄膜トランジスタ
図6は、第2実施形態の薄膜トランジスタを説明する断面図である。この図に示す薄膜トランジスタ1’と、第1実施形態で説明した薄膜トランジスタ(1)との異なるところは、アモルファスシリコンからなるチャネル層7が2層構造で構成されている点にあり、他の構成は同様であることとする。
次に、このような薄膜トランジスタ1’を用いた表示装置の構成としては、図2を用いて説明した表示装置を例示することができ、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
次に、上述した構成の薄膜トランジスタ1’の製造方法およびこれに続く表示装置の製造方法を説明する。
(a)薄膜トランジスタ
図8は、第3実施形態の薄膜トランジスタを説明する断面図である。この図に示す薄膜トランジスタ1”と、第1実施形態で説明した薄膜トランジスタ(1)との異なるところは、チャネル層7上に窒化シリコンからなる保護ストッパ層9が設けられていない点にあり、他の構成は同様であることとする。
次に、このような薄膜トランジスタ1”を用いた表示装置の構成としては、図4を用いて説明した表示装置を例示することができ、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
次に、上述した構成の薄膜トランジスタ1”の製造方法およびこれに続く表示装置の製造方法を説明する。
(a)薄膜トランジスタ
図10は、第4実施形態の薄膜トランジスタを説明する断面図である。この図に示す薄膜トランジスタ1aは、トップゲート型の薄膜トランジスタであり、基板2上にパターン形成されたソース11aおよびドレイン11bの端部に両端を重ねる状態でチャネル層7が設けられている。そして、これらを覆う状態で設けられたゲート絶縁膜5を介して、チャネル層7上にゲート電極3が積層形成されている。このような薄膜トランジスタ1aにおいても、第1〜第3実施形態の薄膜トランジスタと同様に、アモルファスシリコンからなるチャネル層7中の水素濃度が、ゲート絶縁膜5側からソース11a、ドレイン11b側に向かって増加するように、深さ方向に分布を有していることとする。
次に、このような薄膜トランジスタ1aを用いた表示装置の構成としては、図4を用いて説明した表示装置を例示することができ、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
次に、上述した構成の薄膜トランジスタ1aの製造方法およびこれに続く表示装置の製造方法は、通常のトップゲート型の積層薄膜トランジスタの製造工程において、各チャネル層7c、7dが所望の水素濃度となるように、第1チャネル層(H+)7cを構成するアモルファスシリコンの形成、および第2チャネル層(H−)7dを構成するアモルファスシリコンの形成を行う。例えば、第1チャネル層(H+)7cの形成は、アモルファスシリコンを成膜した後に水素化処理および重水素化処理さらにはこの両方を行うことにより、第1チャネル層(H+)7c中の水素濃度を高める。その後、第2チャネル層(H−)7dの形成においては、SiD4ガスとD2ガスとを用いることで、重水素を含有するが第1チャネル層(H+)よりも水素濃度の低い第2チャネル層(H−)7dを形成する。
Claims (8)
- 基板上に、ソース・ドレイン層と、アモルファスシリコンからなるチャネル層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とをこの順またはこれと逆の順に積層してなる薄膜トランジスタにおいて、
前記チャネル層は、少なくともゲート絶縁膜との界面付近に重水素を含有すると共に、重水素を含む水素濃度が前記ゲート絶縁膜側界面から前記ソース・ドレイン層側界面に向かって連続的に増加している
薄膜トランジスタ。 - 請求項1記載の薄膜トランジスタにおいて、
前記チャネル層中の全体に重水素が含有されている
薄膜トランジスタ。 - 基板上のゲート電極を覆う状態で、当該基板上にゲート絶縁膜を介して重水素を含有するアモルファスシリコンからなる第1チャネル層を形成し、
前記第1チャネル層に対して、重水素を含む雰囲気下において水素化処理を行い、
前記第1チャネル層上に、重水素を含む水素濃度が当該第1チャネル層よりも高いアモルファスシリコンからなる第2チャネル層を、前記第1チャネル層を形成する際の成膜温度よりも低い成膜温度で形成する
薄膜トランジスタの製造方法。 - 請求項3記載の薄膜トランジスタの製造方法において、
前記第1チャネル層を形成する際に、重水素を含有するガスを用いる
薄膜トランジスタの製造方法。 - ソース・ドレイン層、アモルファスシリコンからなるチャネル層、ゲート絶縁膜、およびゲート電極をこの順またはこれと逆の順に積層してなる薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタに接続された電流駆動型の発光素子とを基板上に配列形成してなる表示装置において、
前記チャネル層は、少なくともゲート絶縁膜との界面付近に重水素を含有すると共に、重水素を含む水素濃度が前記ゲート絶縁膜側界面から前記ソース・ドレイン層側界面に向かって連続的に増加している
表示装置。 - 請求項5記載の表示装置において、
前記チャネル層中の全体に重水素が含有されている
表示装置。 - ゲート電極を覆うゲート絶縁膜上にアモルファスシリコンからなるチャネル層を介してソース・ドレイン層を設けてなる薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタに接続された電流駆動型の発光素子とを基板上に配列形成してなる表示装置の製造方法であって、
前記基板上のゲート電極を覆う状態で、当該基板上にゲート絶縁膜を介して重水素を含有するアモルファスシリコンからなる第1チャネル層を形成する工程と、
前記第1チャネル層に対して、重水素を含む雰囲気下において水素化処理を行う工程と、
前記第1チャネル層上に、重水素を含む水素濃度が当該第1チャネル層よりも高いアモルファスシリコンからなる第2チャネル層を、前記第1チャネル層を形成する際の成膜温度よりも低い成膜温度で形成する工程と
を有する表示装置の製造方法。 - 請求項7記載の表示装置の製造方法において、
前記第1チャネル層を形成する際に、重水素を含有するガスを用いる
表示装置の製造方法。
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