JP4571106B2 - 高圧取囲み冷却ターゲットチェンバ - Google Patents

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Description

本発明は、高圧取囲み冷却ターゲットチェンバに関し、特に、より良い冷却効果が得られるターゲットチェンバに関する。
一般に従来のものは、例えば、中華民国専利公報公告第533478号である「半導体素子製造のスパッタリング装置と当該装置を利用するスパッタリング方法」があり、当該スパッタリング装置は、ウェハに対してスパッタリング加工を行う加工室と、加工室の上面に実装されてウェハと所定の距離を離れるターゲット電極と、下方にターゲット電極があり、また、冷却気体パイプが含有され、冷却ターゲット電極用の冷却気体が当該冷却気体パイプの中で循環する背板と、当該背板に対して冷却気体を供給して循環させる冷却気体パイプである冷却気体供給部品とが含有される。
当該スパッタリング装置のスパッタリング方法は、a)ウェハを当該スパッタリング装置の加工室にあるサセプタに搭載し、b)15kW乃至45kWの高周波パワーをウェハ上に実装されたターゲット電極に印加し、当該スパッタリング装置に対して3SCCM乃至10SCCMで反応気体を供給し、スパッタリング装置内の圧力を0.1mTorr至1mTorrに維持し、また、ターゲット電極材料をウェハ上にスパッタリングして、ターゲット電極材料をウェハ上に沈着する。そのため、優れた段階被覆と快速沈着できるスパッタリング方法である。
上記従来の「半導体素子製造のスパッタリング装置と当該装置を利用するスパッタリング方法」は、優れた段階被覆と快速沈着できるスパッタリング方法であるが、全体構造においての冷却気体パイプにより達成できる冷却効果が悪いため、ターゲット材に陽子線を照射することにより生成した高温耐えず、当該「半導体素子製造のスパッタリング装置と当該装置を利用するスパッタリング方法」に、ターゲット材に陽子線を照射することが適用できない。
中華民国専利公報公告第533478号
本発明の主な目的は、液体入力部と気体入力部により必要とする冷却液体と気体を第1のチェンバに注入し、搭載ユニットの凹み部で取囲んだ後、第2のチェンバの出力部から流出することにより、より良い冷却効果が得られるターゲットチェンバを提供する。
請求項1の発明は、第1チェンバと第2チェンバからなる冷却ターゲットチェンバであり、該第1チェンバの中央部に貫通孔部があり、その両端面に第1および第2の薄膜層が設けられ、また、当該第1のチェンバの一面に貫通孔部の周縁に環設される流路部があり、また、当該第1のチェンバの周縁に、それぞれ流路部に連通する液体入力部と気体入力部が設置される第1のチェンバと、上記第1のチェンバの流路部を有する一面に設置され、中央に収納部があり、当該収納部の端縁において適当な位置に凹口があり、また、周縁に収納部に連通する出力部がある第2のチェンバと、上記第2のチェンバの収納部の中に設置され、一端面にターゲット搭載部があり、また、凹み部が環設され、当該凹み部の一側において、適当な位置に欠け口が形成される搭載ユニットと、が含有される、ことを特徴とする高圧取囲み冷却ターゲットチェンバである。
請求項2の発明は、当該第1、2のチェンバに複数の対応する固定孔があり、固定孔により固定素子に合わせてロックして結合することを特徴とする請求項1に記載の高圧取囲み冷却ターゲットチェンバである。
請求項3の発明は、当該第2のチェンバが盤状体と盤状体の一側端面に設置される延伸部から構成され、当該収納部により盤状体と延伸部とが連通され、当該収納部の端縁の凹口が盤状体に設置され、出力部が延伸部の周縁に設置されることを特徴とする請求項1に記載の高圧取囲み冷却ターゲットチェンバである。
請求項4の発明は、当該第2のチェンバの出力部にパイプが連接されることを特徴とする請求項1に記載の高圧取囲み冷却ターゲットチェンバである。
図1と2及び3は、それぞれ、本発明の立体外観概念図と本発明の立体分解概念図及び本発明の他の角度の立体分解概念図である。本発明は、図のように、高圧取囲み冷却ターゲットチェンバであり、少なくとも、第1のチェンバ1と第2のチェンバ2及び搭載ユニット3から構成され、必要とする冷却液体と気体を第1のチェンバ1に注入し、取囲み流により搭載ユニット3を介して第2のチェンバ2から流出し、これにより、当該ターゲットチェンバに対して、より良い冷却効果が得られる。
第1のチェンバ1は、その両端面にそれぞれ第1および第2の薄膜層11、12が設けられる貫通孔部13があり、また、当該第1のチェンバ1の一面に貫通孔部13の周縁に環設される流路部14があり、また、当該第1のチェンバ1の周縁に、それぞれ流路部14に連通する液体入力部15と気体入力部16が設置され、また、当該第1のチェンバ1に複数の対応する固定孔17がある。
当該第2のチェンバ2は、盤状体21と盤状体21の一側端面に設置される延伸部22から構成され、当該第2のチェンバ2の盤状体21は、上記第1のチェンバ1の流路部14を有する一面に設置され、当該盤状体21は複数の上記第1のチェンバ1の固定孔17に対応する固定孔211があり、当該互いに対応する固定孔17、211により、固定素子に合わせてロックして結合することができ(図に未表示)、また、当該第2のチェンバ2は、中央に盤状体21と延伸部22とを連通するための収納部23があり、当該収納部23の端縁において、適当な位置に盤状体21に形成された凹口24があり、また、当該第2のチェンバ2の延伸部22の周縁に、収納部23に連通する出力部25があり、当該出力部25にパイプ26が連接される。
当該搭載ユニット3は、上記第2のチェンバ2の収納部23の中に設置され、また、当該搭載ユニット3の一端面にターゲット搭載部31があり、また、当該搭載ユニット3に凹み部32が環設され、当該凹み部32の一側において、適当な位置に欠け口33が形成される。上記の構造により、新規の高圧取囲み冷却ターゲットチェンバが構成される。
図4と5は、それぞれ、本発明の使用状態概念図と本発明の使用状態断面概念図である。本発明は、図のように、第1のチェンバ1の一側に真空チェンバ4が連接され、また、必要とするターゲット材5を搭載ユニット3のターゲット搭載部31に搭載し、そして、第1のチェンバ1の一側から陽子線を照射し、また、同時に、第1のチェンバ1の液体入力部15と気体入力部16で水とヘリウムを注入し、操作する時、貫通孔部13の一端面の第1の薄膜層11が気密に供され、また、第2の薄膜層12により、ターゲット材5が反応する時の液態同位元素の漏れを防止し、また、液体入力部15と気体入力部16が水とヘリウムを注入した後、当該水とヘリウムが、第1のチェンバ1の流路部14を介して、搭載ユニット3の凹み部32へ流れ、当該水とヘリウムが凹み部32で取囲んだ後、第2のチェンバ2の出力部25から流出し、また、当該出力部25上のパイプ26により、流出した水とヘリウムを必要とする位置へ案内し、そのため、当該搭載ユニット3が水とヘリウムにより取囲まれることにより、有効に冷却効果が得られる。
上記のように、本発明に係わる高圧取囲み冷却ターゲットチェンバは、有効に従来の各々の欠点を改善でき、液体入力部と気体入力部により必要とする冷却液体と気体を第1のチェンバに注入し、また、搭載ユニットの凹み部により取囲んで、第2のチェンバの出力部から流出することにより、当該ターゲットチェンバにより、より良い冷却効果が得られ、そのため、本発明は、より進歩的かつより実用的であり、法に従って特許請求を出願する。
以上は、ただ、本発明のより良い実施例であり、本発明は、それによって制限されず、本発明に係わる特許請求の範囲や明細書の内容に基づいて行う等価の変更や修正は、全てが、本発明に係わる特許請求の範囲内に含まれる。
本発明の立体外観概念図 本発明の立体分解概念図 本発明の他の角度の立体分解概念図 本発明の使用状態概念図 本発明の使用状態断面概念図
1 第1のチェンバ
11 第1の薄膜層
12 第2の薄膜層
13 貫通孔部
14 流路部
15 液体入力部
16 気体入力部
17 固定孔
2 第2のチェンバ
21 盤状体
211 固定孔
22 延伸部
23 収納部
24 凹口
25 出力部
26 パイプ
3 搭載ユニット
31 ターゲット搭載部
32 凹み部
33 欠け口
4 真空チェンバ
5 ターゲット材

Claims (4)

  1. 第1チェンバと第2チェンバからなる冷却ターゲットチェンバであり、
    該第1チェンバの中央部に貫通孔部があり、その両端面に第1および第2の薄膜層が設け、また、当該第1のチェンバの一面に貫通孔部の周縁に環設される流路部があり、また、当該第1のチェンバの周縁に、それぞれ流路部に連通する液体入力部と気体入力部が設置される第1のチェンバと、
    上記第1のチェンバの流路部を有する一面に設置され、中央に収納部があり、当該収納部の端縁において適当な位置に凹口があり、また、周縁に収納部に連通する出力部がある第2のチェンバと、
    上記第2のチェンバの収納部の中に設置され、一端面にターゲット搭載部があり、また、凹み部が環設され、当該凹み部の一側において、適当な位置に欠け口が形成される搭載ユニットと、
    が含有される、
    ことを特徴とする高圧取囲み冷却ターゲットチェンバ。
  2. 当該第1、2のチェンバに複数の対応する固定孔があり、固定孔により固定素子に合わせてロックして結合することを特徴とする請求項1に記載の高圧取囲み冷却ターゲットチェンバ。
  3. 当該第2のチェンバが盤状体と盤状体の一側端面に設置される延伸部から構成され、当該収納部により盤状体と延伸部とが連通され、当該収納部の端縁の凹口が盤状体に設置され、出力部が延伸部の周縁に設置されることを特徴とする請求項1に記載の高圧取囲み冷却ターゲットチェンバ。
  4. 当該第2のチェンバの出力部にパイプが連接されることを特徴とする請求項1に記載の高圧取囲み冷却ターゲットチェンバ。
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