JP4565154B2 - 電子機器装置 - Google Patents

Description

本発明は、セキュリティ機能をもつ電子機器装置（例えばカードリーダなど）に関するものであって、特に、メモリ内に格納されたプログラムやデータの消去についてのセキュリティ機能をもつ電子機器装置に関するものである。

従来より、いわゆる不正防止機能付きカードリーダなど、セキュリティ機能をもった電子機器装置がある。例えば、特許文献１に記載された不正読み出し防止装置は、筐体が開封されたことが検出されると、ＥＥＰＲＯＭの記憶内容が自動的に消去される、というものである。また、特許文献２に記載されたカードリーダ装置は、筐体に対して開梱が行われた場合には、自動的にカードリーダ装置本来の動作を不能状態にする、というものである。

このような電子機器装置は、何らかの原因で筐体が不正に開梱され、内蔵メモリ（各種ＲＡＭ）内のプログラムやデータが自動的に消去された場合には、正常な（通常の）動作を行うことができなくなる。そのため、内蔵メモリ内のプログラムやデータが自動的に消去された後、電子機器装置が正常な動作を行うようにするためには、消去されたプログラムやデータに相当するものを再びロード（読み込み）する必要がある。

プログラムやデータの初回のロードについては、例えばカードリーダなどの電子機器装置を銀行のＡＴＭに組み込むとき或いは市場に設置するときなどに、メンテナンスマン（サービスマン）によって行われる。そして、仮に、それらのプログラムやデータが上述したように自動的に消去された場合には、メンテナンスマン（サービスマン）が現地に赴き、プログラムやデータをメモリに再度ロードすることによって、電子機器装置が正常に動作するようになる。なお、かかるロードは、インターネット等の電気通信回線を利用してダウンロードする場合もあれば、別のメモリ又はＣＰＵにプログラムやデータを保存しておき、特別な処理でロードする場合もある。

しかしながら、このような現地でロードするタイプは、メンテナンスマンがメモリにロードする治具や記憶媒体を携帯して現地に赴く必要があることから、治具や記憶媒体が盗まれる虞がある。また、たとえインターネットでダウンロードするようにしたとしても、ダウンロードデータを不正受信される虞がある。さらに、たとえ別のメモリ又はＣＰＵにプログラムやデータを保存しておき、特別な処理でロードするようにしたとしても、ＣＰＵなどの回路を解析される虞がある。

このように、現地でロードするタイプは、セキュリティ面での問題を抱えている。一方で、このセキュリティ面での問題を解消するために、市場に設置するとき又はプログラムやデータが自動的に消去されたときに、現地でロードすることを一切不可能にして、プログラムやデータは工場でのみロードしうるタイプがある。

この工場でロードするタイプは、電子機器装置を市場に設置する前に予め工場でプログラムやデータをメモリにロードしておくとともに、電子機器装置を市場に設置した後、プログラムやデータが自動的に消去されたときは、その電子機器装置を工場に持ち帰って、工場においてプログラムやデータをロードする、というタイプのものである。このようにすることで、メモリにロードする治具や記憶媒体を携帯して現地に赴く必要はなく、また、インターネットでダウンロードする必要もなく、上述した様々なセキュリティ面での問題を解消することができる。

特開２００１−８４１７６号公報（段落［０００７］） 特開２００１−２９１０５０号公報（段落［００１０］）

しかしながら、上述した工場でロードするタイプは、工場でプログラムやデータをメモリにロードした後、電子機器装置を市場に設置する前に、ロードしたプログラムやデータを誤操作によって消去してしまう虞がある。

特に、メンテナンスマンに取扱い方法が浸透していない新製品をＡＴＭ等の上位装置に組み込む場合には、メモリにロードしたプログラムやデータが誤操作によって消去されてしまう危険性が高く、これを防ぐ有効な対策の開発が期待されている。

一方で、ＣＰＵ等の制御回路を利用して、誤操作による弊害を防ぐことも考えられるが、回路の複雑化及び製造コスト上昇の観点から、好ましい対策とはいえない。

本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、その目的は、工場等でメモリにロードしたプログラムやデータを、市場に設置する前に誤って消去してしまうのを防ぐことが可能な電子機器装置を提供することにある。

以上のような課題を解決するために、本発明は、記憶手段と、バックアップ電源と、を有し、両者を電気的に接続する電源供給回路を備える電子機器装置において、その電源供給回路に、外部電源からの電力が供給されると非導通状態に遷移する迂回回路が設けられることを特徴とする。

より具体的には、本発明は、以下のものを提供する。

（１） プログラム又はデータが格納され、電力供給の停止を契機として記憶内容が消去される記憶手段と、前記記憶手段に電力を供給するバックアップ電源と、を有し、前記記憶手段と前記バックアップ電源とを電気的に接続する電源供給回路を備える電子機器装置において、前記電源供給回路は、不正操作により非導通状態となるスイッチを有し、前記スイッチと並列に接続され、前記スイッチを迂回して前記記憶手段と前記バックアップ電源とを接続する迂回回路を備え、前記迂回回路は、外部電源からの電力が供給されると非導通状態に遷移することを特徴とする電子機器装置。

本発明によれば、例えば揮発性メモリなど、プログラム又はデータが格納され、電力供給の停止を契機として記憶内容が消去される記憶手段と、その記憶手段に電力を供給するバックアップ電源と、を有し、記憶手段とバックアップ電源とを電気的に接続する電源供給回路を備える電子機器装置において、その電源供給回路に、例えば上位装置などの外部電源からの電力が供給されると非導通状態に遷移する迂回回路を設けることとしたから、上位装置などの外部電源からの電力が供給されるまでの間、バックアップ電源からの電力の供給は、その迂回回路を通じて行うことができる。

従って、電子機器装置が上位装置に接続される（外部電源からの電力が供給される）までの間、例えば外してはならない治具を外してしまうなど、誤操作によって記憶手段とバックアップ電源とを電気的に繋ぐ線が電気的に切断されたとしても、迂回回路によって記憶手段への電力供給は途絶えることはないので（メモリ消去機能は無効化されているので）、工場等で記憶手段にロードしたプログラム又はデータを消去してしまうのを防ぐことができる。

そして、電子機器装置が上位装置に接続され、迂回回路が非導通状態に遷移すると、例えば電子機器装置を上位装置から取り外すと作動する（オフする）スイッチ等を介して記憶手段への電力供給がなされることになるので（メモリ消去機能は有効化されるので）、仮に、電子機器装置が上位装置から不正に取り外されたときには、記憶手段への電力供給が途絶え、記憶手段にロードしたプログラム又はデータは自動的に消去されることになり、セキュリティを確保することができる。

ここで、「迂回回路」は、上位装置などの外部電源からの電力が供給されると非道通状態に遷移するものであれば如何なるものであってもよい。例えば、ヒューズとリレーから構成され、上位装置などの外部電源からの電力が迂回回路に供給されると、リレーを介して自発的にそのヒューズが切断されるような回路としてもよいし、また、ヒューズとＩＣから構成され、上位装置などの外部電源からの電力が迂回回路に供給されると、ＩＣによって所定のタイミングで、その電力がヒューズに供給され、そのヒューズが切断されるような回路としてもよい。

（２） 前記迂回回路は、外部電源からの電力が励磁電流として供給される第１のリレー及び第２のリレーと、ヒューズと、を備え、前記ヒューズは、前記第１のリレーのブレーク接点を介して前記記憶手段と電気的に接続されるとともに、前記第２のリレーのブレーク接点を介して前記バックアップ電源と電気的に接続され、外部電源からの電力が前記第１のリレーのメーク接点を介して供給されることを特徴とする（１）記載の電子機器装置。

本発明によれば、上述した迂回回路に、外部電源からの電力（電流）が励磁電流として供給されると作動する第１のリレー及び第２のリレーと、ヒューズと、を設け、そのヒューズは、第１のリレーのブレーク接点を介して記憶手段と電気的に接続され、第２のリレーのブレーク接点を介してバックアップ電源と電気的に接続される一方で、外部電源からの電力が第１のリレーのメーク接点を介して供給されることとしたから、上位装置などの外部電源からの電力（電流）が供給されると、迂回回路を自動的に非導通状態に遷移させることができ、ひいては電子機器装置が上位装置に接続されるまでの間、工場等で記憶手段にロードしたプログラム又はデータが消去されてしまうのを防ぐことができる。すなわち、本発明は、リレーを有効かつ効果的に利用することで、迂回回路を自動的に非導通状態に遷移させることができ、ひいては電子機器装置が上位装置に接続されるまでの間、工場等で記憶手段にロードしたプログラム又はデータが消去されてしまうのを防ぐことができるのである。

また、プログラム又はデータをロードするときの記憶手段に対する電力供給経路と、ヒューズを切断する際の電流が流れる経路と、を切り離すことができるため、記憶手段に、ヒューズを切断する際の電流が流れるのを防ぐことができ、ひいては記憶手段の損傷を防ぐことができる。

さらに、リレーとヒューズという安価な電気要素で迂回回路を構成することができるので、製造コスト削減に寄与することもできる。また、ヒューズを１回切ることによって、迂回回路を非導通状態に遷移させることができるので、信頼性の高い（高価な）リレーを用いなくても、工場等で記憶手段にロードしたプログラム又はデータが消去されてしまうのを防ぐことができる。

（３） 前記迂回回路は、さらに、電流を一方向に流す整流機能を有する整流ダイオードを備え、前記第２のリレーのブレーク接点は、前記整流ダイオードのカソードと接続されるとともに、前記バックアップ電源は、前記整流ダイオードのアノードと接続されることを特徴とする（１）又は（２）記載の電子機器装置。

本発明によれば、上述した迂回回路に、電流を一方向に流す整流機能を有する整流ダイオードが設けられ、第２のリレーのブレーク接点は、整流ダイオードのカソードと接続されるとともに、バックアップ電源は、整流ダイオードのアノードと接続されることしたから、第２のリレーの作動が遅れ、外部電源とバックアップ電源とが電気的に接続された場合であっても、外部電源→バックアップ電源、という経路で電流が流れるのを防ぐことができ、ひいてはバックアップ電源の損傷を防ぐことができる。

（４） 前記電子機器装置は、さらに、前記バックアップ電源と直列に接続された第１のスイッチと、前記電子機器装置に取り付けられ、前記電源供給回路が実装された回路基板と、前記回路基板の回路実装面を保護するカバーと、を備え、前記第１のスイッチは、前記カバーが前記回路基板から取り外されたときに非導通状態となることを特徴とする（１）から（３）のいずれか記載の電子機器装置。

本発明によれば、上述した電子機器装置に、バックアップ電源と直列に接続された第１のスイッチと、電子機器装置に取り付けられ、電源供給回路が実装された回路基板と、回路基板の回路実装面を保護するカバーと、が設けられ、第１のスイッチが、カバーが回路基板から取り外されたときに非導通状態となることとしたから、カバーを不正に開けて、記憶手段や電子機器装置内部にアクセスしようとすると、第１のスイッチが非導通状態となって記憶手段にロードしたプログラム又はデータが自動的に消去されるので、セキュリティを確保することできる。

（５） 前記スイッチは第２のスイッチであり、前記第２のスイッチは、前記電子機器装置が上位装置から取り外されたときに非導通状態となることを特徴とする（４）記載の電子機器装置。

本発明によれば、上述した電子機器装置に、バックアップ電源と直列に接続されるとともに、迂回回路と並列に接続された第２のスイッチが設けられ、その第２のスイッチが、電子機器装置が上位装置から取り外されたときに非導通状態となることとしたから、例えばカードリーダ１を上位装置から取り外して盗もうとした場合には、マイクロスイッチＳＷ２が非導通状態となって記憶手段にロードしたプログラム又はデータが自動的に消去されるので、セキュリティを確保することできる。

（６） 前記記憶手段に格納されるプログラム又はデータは、前記電子機器装置が外部電源から電力の供給を受ける前に、前記記憶手段に予め格納されることを特徴とする（１）から（５）のいずれか記載の電子機器装置。

本発明によれば、上述した記憶手段に格納されるプログラム又はデータは、上述した電子機器装置が外部電源から電力の供給を受ける前に、記憶手段に予め格納されることとしたから、メンテナンスマンがメモリにロードする治具や記憶媒体を携帯して上位装置が設置された現地に赴く必要がなく、セキュリティ面の向上を図ることができる。

本発明に係る電子機器装置は、以上説明したように、揮発性メモリなどの記憶手段とバックアップ電源を電気的に接続する電源供給回路に、外部電源からの電力が供給されると非導通状態に遷移する迂回回路が設けられるものなので、電子機器装置が上位装置に接続されて外部電源からの電力が供給されるまでの間、迂回回路によって記憶手段への電力供給が途絶えるのを防ぐことができ、ひいては工場等で記憶手段にロードしたプログラム又はデータを消去してしまうのを防ぐことができる。

以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら説明する。

［電力供給系統］
図１は、本発明の実施の形態に係るカードリーダ１における揮発性メモリ３に対する電力供給系統の概略を説明するためのブロック図である。なお、本実施形態では、本発明に係る電子機器装置の一例として、カードリーダ１を採用している。また、図１では、ＣＰＵやＲＯＭなどが実装されたカードリーダ１のメイン基板は省略する。

図１において、本発明の実施の形態に係るカードリーダ１における揮発性メモリ３に対する電力供給系統は、カードリーダ１で用いられるプログラム又はデータを格納する揮発性メモリ３と、バックアップ電源４と、このバックアップ電源４からの電力を揮発性メモリ３に供給する電源供給回路２と、からなる。

揮発性メモリ３は、バックアップ電源４からの電力供給を受けて、プログラム又はデータを格納しうるものであれば如何なるものであってもよく、例えば、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）やＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）などが挙げられる。

電源供給回路２は、主に、第１のスイッチ２１と、迂回回路２２と、第２のスイッチ２３と、からなる。第１のスイッチ２１は、電源供給回路２が実装された回路基板の回路実装面を保護するカバー（図示せず）が、カードリーダ１から（不正に）取り外されたとき、非導通状態となる（オンからオフになる）スイッチである。なお、第１のスイッチ２１は、カードリーダ１が製造され、カバーが取り付けられた段階で、導通状態（オン）となっている。

第２のスイッチ２３は、カードリーダ１が、例えばＡＴＭなどの上位装置から取り外されたときに、非導通状態となる（オンからオフになる）スイッチである。なお、第２のスイッチ２３は、カードリーダ１が製造され、カバーが取り付けられる段階では導通状態となっておらず、例えばＡＴＭなどの上位装置に組み込まれるときに導通状態（オン）となるものである。

迂回回路２２は、励磁電流が供給されたときに作動する複数のリレーや、カードリーダ１が上位装置に接続されたときに切断されるヒューズなどを有している。なお、このヒューズは、例えば、上位装置の１２Ｖ電源から１Ａ弱の電流が供給されたときに（溶解して）切断される。

以上説明したような電力供給系統において、バックアップ電源４から揮発性メモリ３に対して電力を供給する流れについて、図２を用いて説明する。図２は、本発明の実施の形態に係るカードリーダ１における揮発性メモリ３に対し、バックアップ電源４から電力を供給する流れを説明するためのブロック図である。なお、図２では、図１の各ブロックと同じ要素については、同符号で示す。

図２において、工場においてカードリーダ１が製造され、上述したカバーが取り付けられると、第１のスイッチ２１が導通状態となる。そして、工場において揮発性メモリ３に対してバックアップ電源４からの電力を供給するときは、第２のスイッチ２３は導通状態となっていないので、図２（ａ）の太線矢印に示すような経路で電力が供給される。すなわち、バックアップ電源４→第１のスイッチ２１→迂回回路２２→揮発性メモリ３という経路である。

揮発性メモリ３に対する電力供給が完了すると、プログラム又はデータの書き込みが行われる。より具体的には、カードリーダ１のメイン基板に実装されたＣＰＵ（図示せず）は、揮発性メモリ３にアクセスし、必要なプログラム又はデータを書き込む。

揮発性メモリ３に対する書き込みが完了すると、カードリーダ１は、工場からＡＴＭ等の上位装置が設置された場所まで運ばれる（出荷される）。そして、カードリーダ１が上位装置に組み込まれたときに、第２のスイッチ２３が導通状態（オン）になるとともに、カードリーダ１は上位装置と電気的に接続される。

カードリーダ１が上位装置に電気的に接続され、上位装置の１２Ｖ電源から１Ａ弱の電流が迂回回路２２に供給されると、迂回回路２２内のヒューズが切断され、揮発性メモリ３に対する電力供給経路が、図２（ｂ）の太線矢印に示すような経路に切り替わる。そして、図２（ｂ）の太線矢印に示すような経路で電力が供給されている場合において、例えばカードリーダ１が上位装置から不正に取り外されたときには、第２のスイッチ２３が非導通状態となり（オンからオフになり）、揮発性メモリ３への電力供給が途絶え、揮発性メモリ３にロードされたプログラム又はデータが自動的に消去される。

ここで、揮発性メモリ３に対するプログラム又はデータの書き込みが完了してから、カードリーダ１が出荷され、ＡＴＭ等の上位装置に電気的に接続されるまでの間、第２のスイッチ２３は無効化されている。そのため、第２のスイッチ２３の誤操作によって、揮発性メモリ３にロードされたプログラムやデータが消えてしまうことはない。

すなわち、仮に、工場においてプログラム又はデータを書き込む段階から、治具等によって第２のスイッチ２３を導通状態とし、その第２のスイッチ２３を介して揮発性メモリ３に電力を供給するようにした場合（最初から図２（ｂ）の太線矢印に示すような経路で電力を供給するようにした場合）には、誤操作によって第２のスイッチ２３がオフされると、揮発性メモリ３への電力供給が途絶えてしまい、カードリーダ１を上位装置に接続する前に揮発性メモリ３にロードされたプログラムやデータが消えてしまう。一方で、本実施形態に係るカードリーダ１によれば、カードリーダ１が上位装置に電気的に接続されるまでの間、迂回回路２２を介して揮発性メモリ３に電力を供給するようにしており、第２のスイッチ２３が導通状態になっても非導通状態になっても揮発性メモリ３への電力供給が途絶えないので、第２のスイッチ２３の誤操作によって揮発性メモリ３にロードされたプログラムやデータが消えてしまうことはない。従って、工場等で揮発性メモリ３にロードしたプログラムやデータを、市場に設置する前に誤って消去してしまうのを防ぐことができる。

図３は、本発明の実施の形態に係るカードリーダ１における揮発性メモリ３に対する電力供給系統の電気的構成を示す回路図である。

図３において、本発明の実施の形態に係るカードリーダ１における揮発性メモリ３に対する電力供給系統は、カードリーダ１のメイン基板等に設置されたバックアップ電源（図示せず）と接続されるインターフェース５と、カードリーダ１で用いられるプログラムやデータを格納する揮発性メモリ３と、インターフェース５を介して供給されるバックアップ電源からの電力を、揮発性メモリ３に対して供給する電源供給回路２と、を有している。また、カードリーダ１は、カードリーダ１のメイン基板等に設置された１２Ｖ電源（図示せず）と接続されるインターフェース６も有しており、このインターフェース６を介して供給される１２Ｖ電源からの電力は、後述するヒューズＦに供給されるようになっている。

電源供給回路２は、マイクロスイッチＳＷ１と、マイクロスイッチＳＷ２と、迂回回路２２と、から構成される。なお、マイクロスイッチＳＷ１は、電源供給回路２が実装された回路基板の回路実装面を保護するカバー（図示せず）が、カードリーダ１から取り外されたとき、非導通状態となるものであって、図１に示す第１のスイッチ２１に相当する。また、マイクロスイッチＳＷ２は、カードリーダ１が、例えばＡＴＭなどの上位装置から取り外されたときに、非導通状態となるものであって、図１に示す第２のスイッチ２３に相当する。

迂回回路２２とマイクロスイッチＳＷ２とは、互いに並列に接続され、かかる並列回路に対してマイクロスイッチＳＷ１が直列に接続されている。このような構成とすることで、カードリーダ１がＡＴＭ等の上位装置に電気的に接続されるまでは、マイクロスイッチＳＷ２が誤操作によって導通状態になっても非導通状態になっても、バックアップ電源からの電力を、迂回回路２２を通じて揮発性メモリ３に供給することができ、ひいては誤操作によって揮発性メモリ３にロードされたプログラム又はデータが消去されるのを防ぐことができる。

また、カードリーダ１がＡＴＭ等の上位装置に電気的に接続された後は、互いに直列に接続されたマイクロスイッチＳＷ１とマイクロスイッチＳＷ２とを介して揮発性メモリ３に電力が供給される。従って、例えばカバーを不正に開けてメモリやカードリーダ１の内部にアクセスしようとした場合には、マイクロスイッチＳＷ１が非導通状態となることによって、また、例えばカードリーダ１を上位装置から取り外して盗もうとした場合には、マイクロスイッチＳＷ２が非導通状態となることによって、揮発性メモリ３に格納されたプログラム又はデータが自動的に消去され、セキュリティが保たれることになる。

迂回回路２２は、励磁電流が供給されるとメーク接点及びブレーク接点が動作する第１のリレーＲＬ１及び第２のリレーＲＬ２と、１２Ｖ電源からインターフェース６を介して電流（例えば最大１Ａの電流）が流れると（溶解して）切断されるヒューズＦと、電流を一方向に流す整流機能を有する整流ダイオードＤと、からなる。なお、ヒューズＦは、抵抗線を溶断するタイプのものであってもよいし、抵抗線の発熱により低溶融合金を溶解するタイプのものであってもよい。特に、抵抗線を溶断するタイプのものを用いることによって、迂回回路２２を安価に製造することができる。

この迂回回路２２の回路動作について、図４〜図７を用いて以下に詳述する。

［回路動作］
図４は、本発明の実施の形態に係るカードリーダ１が工場等で製造され、市場に設置されるまでの回路動作の概要を示すフローチャートである。なお、ここでの回路動作は、特に、迂回回路２２の回路動作に着目して説明する。

図４において、まず、工場においてカードリーダ１が製造され、電源供給回路２が実装された回路基板の回路実装面を保護するカバーが取り付けられると、マイクロスイッチＳＷ１が導通状態となる（ステップＳ１）。

次いで、揮発性メモリ３に対してバックアップ電源からの電力の供給が行われる（ステップＳ２）。より具体的には、図５を用いて説明する。

図５は、図３に示す電気的構成において、図４のステップＳ２の処理（電力供給）が実行されている様子を説明するための回路図である。バックアップ電源からの電流の流れを、太線矢印を用いて表す。なお、図５において２個の端子「Ａ」は、電気的に接続されていることを表す。また、図５では、図３に示す回路要素と同じものについては、同符号で示すものとする。

図５において、バックアップ電源（例えば５Ｖ）からの電流は、インターフェース５の所定端子→マイクロスイッチＳＷ１→整流ダイオードＤ→第２のリレーＲＬ２の７ピン→第２のリレーＲＬ２の６ピン→ヒューズＦ→第１のリレーＲＬ１の３ピン→第１のリレーＲＬ１の２ピン→揮発性メモリ３、という順に流れる。

このようにして、揮発性メモリ３に電力供給が行われた後、インターフェース６と電気的に接続され、カードリーダ１のメイン基板に実装されたＣＰＵ（図示せず）によって、揮発性メモリ３に必要なプログラム又はデータの書き込みが行われる。その後、工場からＡＴＭ等の上位装置が設置された場所まで運ばれることとなるが、このとき、マイクロスイッチＳＷ２は無効化されている。すなわち、マイクロスイッチＳＷ２が導通状態になっても非導通状態になっても揮発性メモリ３への電力供給が途絶えない。従って、工場等で揮発性メモリ３にロードしたプログラムやデータを、市場に設置する前に誤って消去してしまうのを防ぐことができる。

次いで、ＡＴＭ等の上位装置が設置された場所において、カードリーダ１を上位装置に取り付けると、マイクロスイッチＳＷ２が導通状態となる（ステップＳ３）。そして、カードリーダ１を上位装置と電気的に接続すると（ステップＳ４）、迂回回路２２のヒューズＦに電流が流れることになる。より具体的には、図６を用いて説明する。

図６は、図３に示す電気的構成において、図４のステップＳ４の処理（上位装置に接続）が実行されている様子を説明するための回路図である。上位装置の電源からの電流の流れを、太線矢印を用いて表す。なお、図６において２個の端子「Ｂ」は、電気的に接続されていることを表す。また、図６では、図３に示す回路要素と同じものについては、同符号で示すものとする。

図６において、インターフェース６の所定端子より、上位装置の電源からの電力（電流）が、励磁電流として第１のリレーＲＬ１のリレーコイルに流れることによって、第１のリレーＲＬ１が作動して３ピンと４ピンが短絡される。これと同時に、第１のリレーＲＬ１の５ピンと６ピンも短絡される。そうすると、上位装置の電源からの電力（電流）は、励磁電流として第２のリレーＲＬ２のリレーコイルにも流れ、第２のリレーＲＬ２が作動して５ピンと６ピンが短絡される。その結果、上位装置の電源（例えば１２Ｖ）からの電流は、インターフェース６の所定端子→第１のリレーＲＬ１の４ピン→第１のリレーＲＬ１の３ピン→ヒューズＦ→第２のリレーＲＬ２の６ピン→第２のリレーＲＬ２の５ピン→ＰＧ、という順に流れる。

なお、第２のリレーの７ピンとマイクロスイッチＳＷ１との間には、整流ダイオードＤが存在しており、仮に、第１のリレーＲＬ１が作動するタイミングと、第２のリレーＲＬ２が作動するタイミングと、の間にタイムラグが生じ、上位装置の電源からの電流が、第２のリレーの６ピンと７ピンを介して流れようとしたとしても、流れることはない。従って、上位装置からの電源→バックアップ電源、という経路で１Ａ弱の電流が流れるの（逆流）を防ぐことができ、ひいてはバックアップ電源の損傷を防ぐことができる。

次いで、上位装置の電源（例えば１２Ｖ）からの電流（例えば１Ａ弱）がヒューズＦに流れると、このヒューズＦは、溶解して切断される（ステップＳ５）。そうすると、揮発性メモリ３に対する電力供給経路が、マイクロスイッチＳＷ２を通過するものに切り替わることになる。より具体的には、図７を用いて説明する。

図７は、図３に示す電気的構成において、図４のステップＳ５の処理（ヒューズＦ切断）が実行された後の様子を説明するための回路図である。バックアップ電源からの電流の流れを、太線矢印を用いて表す。なお、図７において２個の端子「Ａ」は、電気的に接続されていることを表す。また、図７では、図３に示す回路要素と同じものについては、同符号で示すものとする。

図７において、ステップＳ５の処理によってヒューズＦが切断されると、迂回回路２２は非導通状態になるため、第１のリレーＲＬ１及び第２のリレーＲＬ２への励磁電流の供給が途絶え、両者は作動しなくなる。そうすると、第１のリレーＲＬ１及び第２のリレーＲＬ２のリレー接点は、図６に示すものから図５に示すものに戻ることとなる。しかしながら、迂回回路２２は、ヒューズＦの切断により非導通状態となっているため（図６中、×印で示す）、揮発性メモリ３に対する電力供給経路は、マイクロスイッチＳＷ２を通過するものに切り替わることになる。その結果、バックアップ電源（例えば５Ｖ）からの電流は、インターフェース５の所定端子→マイクロスイッチＳＷ１→マイクロスイッチＳＷ２→揮発性メモリ３、という順に流れる。

このようにして、電力供給経路の切り替えが行われた後、カードリーダ１の回路動作は終了する。これ以後、例えばカバーを不正に開けてメモリやカードリーダ１の内部にアクセスしようとした場合、又は、例えばカードリーダ１を上位装置から取り外して盗もうとした場合には、マイクロスイッチＳＷ１又はマイクロスイッチＳＷ２が非導通状態となることによって、揮発性メモリ３に対する電力供給が途絶え、揮発性メモリ３に格納されたプログラム又はデータが自動的に消去され、セキュリティが保たれることになる。

［変形例］
図８は、本発明の他の実施の形態に係るカードリーダ１の迂回回路２２の電気的構成を示すブロック図である。

上述した本発明の実施の形態に係るカードリーダ１では、上位装置の電源からの電流によってヒューズＦを適切に切断するために、第１のリレーＲＬ１及び第２のリレーＲＬ２を用いることとしたが、本発明はこれに限られず、例えば、図８に示すように、ＩＣ（トランジスタを含む）等を用いることも可能である。例えば、上位装置の電源からの電流が迂回回路２２に供給されて、所定のタイムラグを経て、ヒューズＦに電流を流す、といったようなことが可能になり、ヒューズＦを切断するタイミングをコントロールすることができる。

本発明に係る電子機器装置は、工場等でメモリにロードしたプログラムやデータを、市場に設置する前に誤って消去してしまうのを防ぐことが可能なものとして有用である。

、本発明の実施の形態に係るカードリーダにおける揮発性メモリに対する電力供給系統の概略を説明するためのブロック図である。 本発明の実施の形態に係るカードリーダにおける揮発性メモリに対し、バックアップ電源から電力を供給する流れを説明するためのブロック図である。 本発明の実施の形態に係るカードリーダにおける揮発性メモリに対する電力供給系統の電気的構成を示す回路図である。 本発明の実施の形態に係るカードリーダが工場等で製造され、市場に設置されるまでの回路動作の概要を示すフローチャートである。 図３に示す電気的構成において、図４のステップＳ２の処理（電力供給）が実行されている様子を説明するための回路図である。 図３に示す電気的構成において、図４のステップＳ４の処理（上位装置に接続）が実行されている様子を説明するための回路図である。 図３に示す電気的構成において、図４のステップＳ５の処理（ヒューズＦ切断）が実行された後の様子を説明するための回路図である。 本発明の他の実施の形態に係るカードリーダの迂回回路の電気的構成を示すブロック図である。

符号の説明

１ カードリーダ
２ 電源供給回路
３ 揮発性メモリ
４ バックアップ電源
２１ 第１のスイッチ
２２ 迂回回路
２３ 第２のスイッチ

Claims (6)

1. プログラム又はデータが格納され、電力供給の停止を契機として記憶内容が消去される記憶手段と、
   前記記憶手段に電力を供給するバックアップ電源と、を有し、
   前記記憶手段と前記バックアップ電源とを電気的に接続する電源供給回路を備える電子機器装置において、
   前記電源供給回路は、不正操作により非導通状態となるスイッチを有し、
   前記スイッチと並列に接続され、前記スイッチを迂回して前記記憶手段と前記バックアップ電源とを接続する迂回回路を備え、
   前記迂回回路は、外部電源からの電力が供給されると非導通状態に遷移することを特徴とする電子機器装置。
2. 前記迂回回路は、外部電源からの電力が励磁電流として供給される第１のリレー及び第２のリレーと、ヒューズと、を備え、
   前記ヒューズは、前記第１のリレーのブレーク接点を介して前記記憶手段と電気的に接続されるとともに、前記第２のリレーのブレーク接点を介して前記バックアップ電源と電気的に接続され、
   外部電源からの電力が前記第１のリレーのメーク接点を介して供給されることを特徴とする請求項１記載の電子機器装置。
3. 前記迂回回路は、さらに、電流を一方向に流す整流機能を有する整流ダイオードを備え、
   前記第２のリレーのブレーク接点は、前記整流ダイオードのカソードと接続されるとともに、
   前記バックアップ電源は、前記整流ダイオードのアノードと接続されることを特徴とする請求項１又は２記載の電子機器装置。
4. 前記電子機器装置は、さらに、前記バックアップ電源と直列に接続された第１のスイッチと、
   前記電子機器装置に取り付けられ、前記電源供給回路が実装された回路基板と、
   前記回路基板の回路実装面を保護するカバーと、を備え、
   前記第１のスイッチは、前記カバーが前記回路基板から取り外されたときに非導通状態となることを特徴とする請求項１から３のいずれか記載の電子機器装置。
5. 前記スイッチは第２のスイッチであり、
   前記第２のスイッチは、前記電子機器装置が上位装置から取り外されたときに非導通状態となることを特徴とする請求項４記載の電子機器装置。
6. 前記記憶手段に格納されるプログラム又はデータは、前記電子機器装置が外部電源から電力の供給を受ける前に、前記記憶手段に予め格納されることを特徴とする請求項１から５のいずれか記載の電子機器装置。