JP4558461B2 - 太陽電池およびその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の実施の形態1に係る太陽電池の製造方法について説明する。まず、半導体基板として、約2cm×2cmのサイズのGaAs基板を用意し、図1に示すように、そのGaAs基板1上にエピタキシャル成長法によってAlAs剥離層2が形成される。そのAlAs剥離層2上にエピタキシャル成長によってp型GaAs層3とn型GaAs層4が順次形成される。このようにして、p型GaAs層3とn型GaAs層4とからなる厚さ約3μm程度のセル本体5が形成される。次に、セル本体5の太陽光線が入射する側の表面に表面電極を形成するための所定のフォトリソグラフィの処理が施される。その後、蒸着法によって厚さ約0.03μmのAuGe層、厚さ約0.02μmのNi層、厚さ約0.1μmのAu層および厚さ約5μmのAg層が順次形成される。そして、その後、リフトオフ法によって、図2に示すように、所定の領域に受光面電極6が形成される。
前述した太陽電池の製造方法では、GaAs基板をセル本体から分離させる場合を例に挙げて説明したが、ここでは、GaAs基板をエッチングにより除去する場合を例に挙げて説明する。まず、前述した図1〜図4に示す工程と同様の工程を経た後に、GaAs基板をエッチングする所定のエッチング液にセル本体5を含めたGaAs基板1を浸漬させることによって、図10に示すように、GaAs基板1が溶解されて除去される。エッチング液として、たとえばフッ酸、過酸化水素水および水の混合溶液(フッ酸:過酸化水素水:水=1:1:6)が用いられる。
Claims (8)
- 太陽光線を受光して発電をする太陽電池セルを含む太陽電池であって、
太陽電池セルは、
セル本体と、
前記セル本体において太陽光線が入射する側の表面上に、絶縁層を介在させて配設されたガラス板と、
前記セル本体の表面において太陽光線が入射する側に形成された第1電極と、
前記第1電極の表面に接続され、他の太陽電池セルと電気的に接続するための接続部材と、
前記セル本体において太陽光線が入射する側とは反対側の表面上に形成された第2電極と、
を有し、
前記ガラス板は、太陽光線が入射する側とは反対の表面が露出する所定の領域を備え、
前記第2電極は、前記セル本体において太陽光線が入射する側とは反対側の表面に形成された第1の部分から延在して前記所定の領域に接触するように形成された第2の部分を備え、
前記絶縁層は、前記所定の領域の側に位置する前記セル本体の側部を覆って、前記セル本体の前記側部と前記第2電極との間に介在するように配設された、太陽電池。 - 前記太陽電池セルを複数備え、
複数の前記太陽電池セルのそれぞれにおいては、一つの太陽電池セルの前記接続部材が他の太陽電池セルにおける前記第2電極の前記第2の部分に接続された、請求項1記載の太陽電池。 - 前記接続部材は前記第2電極の前記第2の部分に溶接およびはんだ付けのいずれかにより接続された、請求項1または2に記載の太陽電池。
- 複数の太陽電池セルが互いに電気的に接続された太陽電池の製造方法であって、
複数の太陽電池セルのそれぞれを製造する工程は、
セル本体を形成する工程と、
前記セル本体における太陽光線が入射する側の表面に第1電極を形成する工程と、
前記第1電極の表面に接続部材の一端側を接続する工程と、
前記セル本体における太陽光線が入射する側の表面上に絶縁層を介在させてガラス板を配設する工程と、
前記セル本体における太陽光線が入射する側とは反対側の表面に第2電極を形成する工程と
を備え、
前記ガラス板を配設する工程では、前記ガラス板として前記セル本体よりも広いガラス基板を用いて、前記セル本体の端面から前記ガラス板を突出させることにより、太陽光線が入射する側とは反対側の所定の表面が露出するように配設され、前記ガラス板において太陽光線が入射する側とは反対側の所定の表面が露出する側に位置する前記セル本体の側部を覆うように前記絶縁層が形成され、
前記第2電極を形成する工程では、前記セル本体における太陽光線が入射する側とは反対側の表面から延在して前記ガラス板の前記所定の表面に接触し、前記セル本体の側部を被覆する前記絶縁層の部分を覆うように形成し、
複数の前記太陽電池セルを互いに電気的に接続する工程は、一つの太陽電池セルの前記接合部材の他端側を、他の太陽電池セルの前記第2電極における前記ガラス板の前記所定の表面に接触している部分に接続する工程を備えた、太陽電池の製造方法。 - 前記セル本体を形成する工程は、
所定の半導体基板上にエピタキシャル成長層を形成する工程と、
前記第1電極に前記接続部材を接続させた後に、前記エピタキシャル層を残して前記半導体基板を取り除く工程と
を含む、請求項4記載の太陽電池の製造方法。 - 前記半導体基板を取り除く工程は、前記半導体基板を前記エピタキシャル層から剥離させて取り除く工程を含む、請求項5記載の太陽電池の製造方法。
- 前記半導体基板を取り除く工程は、前記半導体基板をエッチングにより溶解させて除去する工程を含む、請求項5記載の太陽電池の製造方法。
- 前記第2電極を形成する工程では、前記第2電極は蒸着法およびスパッタ法のいずれかによって形成される、請求項4〜7のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
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