JP4553769B2 - 光学素子の製造方法 - Google Patents
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Description
重合性液晶を含んでなる塗工液を、基材上に塗布して塗膜を形成する工程、
前記重合性液晶を配向させて液晶相状態にする工程、
前記塗膜にフォトマスクを介して電離放射線を照射して、液晶相状態にある前記重合性液晶を重合させることにより、照射部分のみ前記重合性液晶を硬化させて前記液晶層を形成する工程、および
前記塗膜が形成された基板を加熱して、未硬化の状態にある前記重合性液晶を等方相の状態にし、その状態で未硬化の前記重合性液晶を重合させることにより、等方層を形成する工程、
を含んでなることを特徴とするものである。
本発明による光学素子の製造方法は、重合性液晶を含んでなる塗工液を、基材上に塗布して塗膜を形成する工程、前記重合性液晶を配向させて液晶相状態にする工程、前記塗膜にフォトマスクを介して電離放射線を照射して、液晶相状態にある前記重合性液晶を重合させることにより、照射部分のみ前記重合性液晶を硬化させて前記液晶層を形成する工程、および、前記塗膜が形成された基板を加熱して、未硬化の状態にある前記重合性液晶を等方相の状態にし、その状態で未硬化の前記重合性液晶を重合させることにより、等方層を形成する工程、を含んでなるものである。そして、この方法においては、光が入射すると位相差を生じさせる液晶層部分と、光が入射しても位相差を生じさせない等方層部分とが任意形状にパターニングされてなる光学素子を簡易且つ安価に得ることができる。以下、各製造工程について説明する。
図1は、本発明の光学素子の製造方法の一実施態様を示したものである。
次に、図1の(4)に示すように、電離放射線が照射されなかった部分、すなわち、重合性液晶が硬化していない部分(液晶相)が、等方相に転移する温度(以下、等方相転移温度という)以上に加熱する。等方相転移温度以上では、未硬化の重合性液晶は、等方相に転移し液晶配向がなくなる。なお、等方相転移温度は、DSC等の測定装置によって測定できる。また、液晶相から等方相への相転移においては、一般に、偏光顕微鏡観察によっても、等方相転移温度を確認できる。一方、前工程の電離放射線照射により硬化した液晶層部分は、重合により液晶分子が固定されているため、等方相転移温度以上に加熱しても、液晶秩序配列が乱れることはない。
本発明においては、基材上に塗布した重合性液晶を液晶相が発現するように、配向能を備えたものを使用する必要がある。このような配向能を有する基材としては、基材そのものが配向能を有するものである場合と、透明基板上に配向膜が形成されて配向能を有する基材として機能するものとを挙げることができる。
本発明において使用される重合性液晶としては、ネマチック規則性、スメクチック規則性、を有する液晶相を形成し得る重合性液晶であれば特に限定されるものではないが、ネマチック液晶材料を好適に使用できる。ネマチック液晶のなかでも、液晶分子中に2つ以上の重合性基を有するネマチック液晶を好適に使用できる。具体的には、特表平11−513019号公報に開示されているような重合性液晶を使用できる。
や、下記に列挙した化合物:
本発明においては、重合性液晶を含む塗工液が光重合開始剤を含んでなることが好ましい。光重合開始剤としては、ラジカル重合性開始剤を好適に使用できる。ラジカル重合性開始剤は、紫外線等のエネルギーによりフリーラジカルを発生するものであり、例えば、ベンジル(ビベンゾイルとも言う)、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、ベンゾイル安息香酸メチル、4−ベンゾイル−4’−メチルジフェニルサルファイド、ベンジルメチルケタール、ジメチルアミノメチルベンゾエート、2−n−ブトキシエチル−4−ジメチルアミノベンゾエート、p−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、3,3’−ジメチル−4−メトキシベンゾフェノン、メチロベンゾイルフォーメート、2−メチル−1−(4−(メチルチオ)フェニル)−2−モルフォリノプロパン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オン、1−(4−ドデシルフェニル)−2ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1フェニルプロパン−1−オン、1−(4−イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、2−クロロチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2,4−ジイソプロピルチオキサントン、2,4−ジメチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、1−クロロ−4−プロポキシチオキサントン等が挙げることができる。本発明においては、市販の光重合開始剤を使用することもでき、例えば、イルガキュア184、イルガキュア369、イルガキュア651、イルガキュア907(いずれも、チバ・スペシャリティー・ケミカルズ社製)、ダロキュアー(メルク社製)、アデカ1717(旭電化工業株式会社製)等のケトン系化合物や、2,2’−ビス(o−クロロフェニル)−4,5,4’−テトラフェニル−1,2’ビイミダゾール(黒金化成株式会社製)等のビイミダゾール系化合物を好適に使用できる。
Δn=|nX−nY|
が、0.03〜0.20程度が好ましく、0.05〜0.15程度がより好ましい。Δnが0.03以下になると、所望のリタデーション量を得るために膜厚を厚くする必要があり、液晶層の配向性が悪くなる。一方、Δnが0.20を超えると、液晶層が薄くなりすぎ、膜厚の制御が困難になる。なお、複屈折率の測定は、リタデーション値と光学素子の膜厚を測定することにより算出できる。
本発明による方法により得られた光学素子をインセル型の半透過液晶表示装置に組み込んだ場合の一例を図2に示す。液晶表示装置は、図2に示すように、液晶セル13とバックライトと20を備え、液晶セル13が、第一基板11と第二基板18との間に狭持された構成を有する。液晶セル13には、TN(Twisted Nematic)液晶等が封入されている。
(1)光学素子の作製
基材として、ガラス基板上に配向膜を設けたものを使用した。100×100mmのガラス基材上にJSR株式会社製の配向膜(AL1254)を、スピンコーターを用いて膜厚が0.065μmになるように塗布し、230℃のオーブン内で1時間焼成した。次いで、ラビング装置を用いて、基材上の配向膜に配向処理を施した。
<塗工液組成>
重合性液晶(RMM34:メルク社製) 23.75重量部
光重合開始剤
(Irg184:チバ・スペシャリティー・ケミカルズ社製) 1.25重量部
界面活性剤(ジエチレングリコールジメチルエーテル) 75重量部
得られた光学素子1の液晶層部分の位相差(リタデーション)を、KOBRA−21(王子計測機器社製)を用いて測定した。測定は550nmで行った。基板の法線方向に対してのリタデーションは、約100nmであった。
(1)光学素子の作製
実施例1で用いたものと同様の基材を用いた。基材上に、下記組成の塗工液をスピンコーターを用いて、焼成後の膜厚が0.8μm程度になるように塗布した。
<塗工液組成>
重合性液晶(RMM34:メルク社製) 22.5重量部
光重合開始剤
(Irg184:チバ・スペシャリティー・ケミカルズ社製) 1.25重量部
熱重合開始剤(AIBN:和光純薬社製) 1.25重量部
界面活性剤(ジエチレングリコールジメチルエーテル) 75重量部
得られた光学素子2の液晶層部分の位相差(リタデーション)を、実施例1と同様にして測定した。その結果、基板の法線方向に対してのリタデーションは、約100nmであった。
2 基材
3 配向膜
4 マスク
5 液晶層
6 液晶相状態にある未硬化の重合性液晶
7 等方相状態にある未硬化の重合性液晶
8 等方層
10 第一偏光板
11 第一基板
12 カラーフィルタ
13 液晶セル
14a、b 透明電極
15 光学素子
16 透過表示領域
17 反射表示領域
18 第二基板
19 第二偏光板
20 バックライト
21 反射板
Claims (8)
- 光が入射すると位相差を生じさせる液晶層部分と、光が入射しても位相差を生じさせない等方層部分とが任意形状にパターニングされてなる光学素子を製造する方法であって、
重合性液晶を含んでなる塗工液を、基材上に塗布して塗膜を形成する工程、
前記重合性液晶を配向させて液晶相状態にする工程、
前記塗膜にフォトマスクを介して電離放射線を照射して、液晶相状態にある前記重合性液晶を重合させることにより、照射部分のみ前記重合性液晶を硬化させて前記液晶層を形成する工程、および
前記塗膜が形成された基板を加熱して、未硬化の状態にある前記重合性液晶を等方相の状態にし、その状態で未硬化の前記重合性液晶を加熱して重合反応を進行させて硬化させることにより、等方層を形成する工程、
を含んでなることを特徴とする、方法。 - 前記液晶相部分が、直線偏光を円偏光に変換できるものである、請求項1に記載の方法。
- 前記塗工液が、光重合開始剤を含んでなる、請求項1または2に記載の方法。
- 前記塗工液が、更に熱重合開始剤を含んでなる、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記重合性液晶が、ネマチック液晶である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記基材の表面に配向膜が設けられてなる、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法により得られた光学素子。
- 請求項7に記載の光学素子を備えてなる、半透過型液晶表示装置。
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