JP4551972B1 - 周波数変換装置、及び周波数変換方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
非線形素子により周波数変換が行なわれる最も簡単な例として、非線形抵抗r(i)に電流を印加した場合を考える。非線形抵抗の電流-電圧特性が、動作点(i0,v0)のまわりでx = i - i0についてテイラー展開ができ
このような非線形抵抗素子に周波数ωの正弦波であらわされる電流
周波数変換は非常に重要な技術である。例えば無線通信分野では送信機や受信機における周波数混合には、周波数変換素子が用いられる。さらに、ミリ波や準ミリ波信号の生成には、これらの周波数帯の信号を直接生成することができる手ごろな発振器がないために、マイクロ波発振器と周波数逓倍素子との組み合わせで行われている。
能動素子と受動素子、受動能動素子などを同一基板上に半導体プロセスを用いて一括的かつ一体的に作製して実現するモノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)が知られている。このMMICでは増幅器や発振器などの能動素子にFETが多く用いられるため、製造プロセスの整合性の制約などから、周波数変換専用の設計を施したダイオードをMMIC中に組み込むのは難しい。そのため、MMIC中の周波数変換の場合にはFET自体の持つ非線形性を利用する事が多い。また、MMIC中に周波数変換素子を組み込む場合には、集積度の観点から回路面積に制約がある。そのため、周波数変換素子もスケールの小さなものが好まれる。
MMICは、大きく分けてSi系デバイスで構成されたものと化合物半導体デバイスで構成されたものとに分けられる。Si系デバイス、化合物半導体デバイス共に長所と短所を持ち合わせるが、モノリシックマイクロ波集積回路MMICではこれらを同一基板上に混載させることは難しい。これは、各デバイスの成膜過程でエピタキシャル成長が必要になることが多く、Si系MMICではシリコン基板が、化合物半導体ではGaAsなどの基板が用いられる。Si系デバイスと化合物半導体デバイスの製造プロセスの親和性は非常に悪い。
非特許文献3に示されたマイクロ波検波素子の動作原理はホモダイン検波方式であり、一つの入力交流信号に対して直流電圧を検出することができる。これは、磁気抵抗素子に印加された交流信号によって誘起されたスピントルクによって磁気モーメントが歳差運動を引き起こし、抵抗値が周期的に変化する非線形効果を利用したものである。抵抗値の変化の周波数は入力された交流信号の周波数に等しく、式(I)で示した効果が現れる。非特許文献3では、これを利用してホモダイン検波を行っているが、もうひとつ重要な技術を用いている。それは、スピン注入FMR効果を利用していることである。微小交流信号では、電流値が非常に小さいため、誘起される磁化の歳差運動も非常に小さく、出力直流電圧は非常に小さい。しかし、入力交流信号の周波数が強磁性共鳴周波数付近になると共鳴効果により磁化の歳差運動が増幅される。これによって、より大きな直流電圧を検波することが可能になる。この磁気抵抗素子を用いた検波機能をスピントルクダイオード効果という。このように、強磁性共鳴がスピン注入トルクによっても起こり、さらに強磁性共鳴を利用する事で磁気抵抗素子の非線形効果が十分に発揮されることからマイクロ波帯での応用が期待されている。
従来の半導体素子を用いた周波数変換素子は、Si系MMICとGaAs系MMICで、製造プロセスの観点から用いる事のできる材料やデバイスに制約があったが、磁気抵抗素子を用いる事でSi系MMICにもGaAs系MMICにも対応可能な周波数変換素子を提供することができる。
周波数変換素子に磁場を印加するための磁場印加機構と
周波数変換素子に局部発振信号を印加するための局部発振器と
周波数変換素子と電気的に接続され、かつ外部入力信号を入力するための入力端子とを備えている。
永久磁石による印加磁場の方向は、周波数変換素子の磁化固定層の容易軸方向に対して平行ではない。
電流磁界を発生するための電流磁界印加機構と
該機構に電流を印加することができる電源
を備え、電流磁界による印加磁場の方向は、周波数変換素子の磁化固定層の容易軸方向に対して平行ではない。
外部入力信号の周波数、もしくは局部発振信号の周波数のどちらか一方が、前記周波数変換素子の磁化自由層の強磁性共鳴周波数帯に含まれている。
そこで、図2を参照して、中間層としてMgO障壁層を有するトンネル磁気抵抗素子を用いた、周波数変換素子の構造を説明する。ただし、本発明を実施するにあたり、用いる磁気抵抗素子は前記の磁気抵抗素子のみに限定されるものではない。
図2は本実施形態に係る周波数変換素子の断面模式図である。
実際に、MgOの膜厚と素子サイズを変化させて素子抵抗を40Ωにした試料と、300Ωにした試料を用意し、それぞれについてS11(反射率)測定を行い、伝送特性の評価を行った。結果を図4に示す。この結果が示すように、明らかにインピーダンス整合の良い方(図4の(A))が、伝送特性が良い事が分かる。素子抵抗が40Ωの試料では0〜20GHzまでの全周波数領域で伝送効率が0.8以上であるのに対して、素子抵抗が300Ωの試料では伝送効率が0.4を下回ってしまう。
例として、シリコン基板上に作製した周波数変換素子10と、GaAs基板上に作製した周波数変換素子の規格化抵抗値と磁気抵抗比の比較を行った。表1中に結果を示す。GaAs基板上に作製した周波数変換素子の規格化抵抗値と磁気抵抗比はシリコン基板上に作製した周波数変換素子と比べても遜色のない特性が得られている。また、同様に熱酸化シリコン付きシリコン基板、AlTiC基板(セラミック)、MgO基板、ガラス基板、サファイヤ基板、及び窒化シリコン付きシリコン基板上に周波数変換素子を作製し、規格化抵抗値と磁気抵抗比の比較を行った。その結果、規格化抵抗値はすべて3Ω前後となり、ばらつきは1Ω以内に収まっている。磁気抵抗比はすべての周波数変換素子で100%以上であった。このことから、本発明に係る周波数変換素子を用いれば、従来の半導体の周波数変換装置と異なり、基板材料の制約を受けないことが分かる。
これとは別に、以下の方法でもスイッチング機能を持たせることができる。
3GHzと4.72GHzの入力信号を周波数変換素子に入力したまま図6に示す永久磁石15を動かして外部磁界の向きを磁化固定層(ピン層)4の容易軸方向に平行にした(角度を0°にした)。すると、差信号周波数である1.72GHzのスペクトルが観測できなくなり、周波数変換効果が得られないことわかった(図9参照)。これは、前述したように、磁化の歳差運動の中心軸が、容易軸上にあるために抵抗変化が得られず、周波数変換効果が得られないためであると考えられる。
また、同じように磁場の印加方向を磁化固定層(ピン層)の容易軸方向に対して反平行にした(角度を180°にした)場合にも差信号周波数は消滅した。このようにして、印加磁化の方向を磁化自由層の容易軸に対して0°もしくは180°にすることで、周波数変換効果をオフにすることができる。このように本発明の周波数変換装置は、外部磁界を印加する永久磁石を可動させることで周波数変換素子に印加される外部磁場をコントロールすることにより周波数変換の有無を切り替えるスイッチング機能を持たせることができる。
図11に示すように、周波数変換素子10の近傍には、コイル21とコイル21に印加する電流を制御することができる制御用電源(制御部)25が配置されている。また、周波数変換素子10の出力側と電気的に接続され、かつコイル制御用電源25と電気的に接続されたフィードバック回路35が設けられている。
周波数変換素子10に設定したい強磁性共鳴周波数の局部発振信号を局部発振器102から入力し、外部信号源101より高周波信号を入力する。例えば強磁性共鳴周波数を4GHz、外部入力信号を3.8GHzに設定する。すると、周波数変換素子10で0.2GHzの信号が出力されるはずである。この出力信号をフィードバック回路35で検出する。差信号周波数が正しく出力されていない場合には、フィードバック回路25は、制御用電源(制御部)25にフィードバックをかけてコイル21で発生させる電流誘起磁界の大きさをコントロールし、所望の出力が得られるように設定することができる。このように、フィードバック回路を用いれば周波数変換素子に変換周波数の調整機能をもたせることができる。
3 反強磁性層(下部電極層)
4 磁化固定層
5 トンネルバリア層(中間層)
6 磁化自由層
7 保護層
10 周波数変換素子
15 磁場印加機構
25 制御用電源(制御部)
101 外部信号源
102 局部発振器
103 配線
104 入力端子
Claims (5)
- 第1の周波数を有する入力信号を受信する入力端子、
該入力端子に接続され、該入力信号が印加される磁気抵抗素子であって、磁化自由層、中間層及び磁化固定層を含む磁気抵抗素子、
第2の周波数の局部発振信号を生成し、該局部発振信号を該入力信号と共に該磁気抵抗素子に印加している局部発振器、
該磁気抵抗素子に外部磁界を印加する磁界印加手段、及び
該磁気抵抗素子の出力に接続された出力端子とからなり、
該磁界印加手段は、該磁化固定層の容易軸方向と角度をなした方向の磁界であって該磁気抵抗素子が該第1又は第2の周波数に等しい強磁性共鳴周波数を有するような強度の磁界である第1の磁界と、該磁化固定層の容易軸と平行又は反平行である第2の磁界との間でコントロールする制御手段を含み、
該第1の磁界印加時に該出力端子に該第1と第2の周波数の差信号又は該第1と第2の周波数の和信号を出力するスイッチングオン状態と、該第2の磁界印加時に該出力端子に該差信号又は該和信号を出力しないスイッチングオフ状態とを該制御手段により切り替えているスイッチング装置。 - 前記磁気抵抗素子の素子サイズが0.04μm2以下である請求項1に記載のスイッチング装置。
- 前記中間層は、酸化マグネシウムを有する請求項1に記載のスイッチング装置。
- 前記磁界印加手段は、永久磁石と磁界発生コイルとからなる請求項1に記載のスイッチング装置。
- 前記磁気抵抗素子の素子抵抗が40Ωである請求項1に記載のスイッチング装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101132718B1 (ko) * | 2009-09-02 | 2012-04-06 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 주파수 변환기 |
JP5535316B2 (ja) | 2010-06-10 | 2014-07-02 | キヤノンアネルバ株式会社 | 発振素子および発振素子の製造方法 |
JP5790359B2 (ja) | 2011-09-16 | 2015-10-07 | Tdk株式会社 | 混合器 |
JP5796431B2 (ja) | 2011-09-16 | 2015-10-21 | Tdk株式会社 | 周波数変換装置 |
JP5790360B2 (ja) | 2011-09-16 | 2015-10-07 | Tdk株式会社 | 周波数選択性を有する混合器 |
JP2013223380A (ja) * | 2012-04-18 | 2013-10-28 | Sony Corp | 送電装置、非接触電力伝送システムおよび信号生成方法 |
JP6455804B2 (ja) | 2014-02-12 | 2019-01-23 | Tdk株式会社 | 磁性素子 |
JP6611441B2 (ja) | 2014-02-28 | 2019-11-27 | 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター | 周波数変換ユニット、計測システム及び計測方法 |
CN106160670B (zh) * | 2016-08-18 | 2023-05-30 | 江苏多维科技有限公司 | 一种平衡磁电阻混频器 |
JP2018061025A (ja) | 2016-10-06 | 2018-04-12 | Tdk株式会社 | 周波数可変磁気抵抗効果素子、及びそれを用いた発振器・検波器・フィルタ |
JP6897702B2 (ja) * | 2019-03-20 | 2021-07-07 | Tdk株式会社 | 磁場検出装置および磁場検出方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009246615A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Tdk Corp | 混合器および周波数変換装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07321514A (ja) * | 1994-05-25 | 1995-12-08 | Sony Corp | 強磁性磁気共鳴装置 |
JP3395704B2 (ja) * | 1999-04-06 | 2003-04-14 | 松下電器産業株式会社 | 周波数変換装置 |
WO2002069512A1 (fr) * | 2001-02-26 | 2002-09-06 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Convertisseur de frequence et dispositif de communication |
TWI365989B (en) * | 2003-12-23 | 2012-06-11 | Eliposki Remote Ltd L L C | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP4677589B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2011-04-27 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 伝送回路一体型マイクロ波発生素子並びにマイクロ波検出方法、マイクロ波検出回路、マイクロ波検出素子及び伝送回路一体型マイクロ波検出素子 |
JP4886268B2 (ja) * | 2005-10-28 | 2012-02-29 | 株式会社東芝 | 高周波発振素子、ならびにそれを用いた車載レーダー装置、車間通信装置および情報端末間通信装置 |
JP2007235119A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-09-13 | Kyoto Univ | 強磁性細線 |
KR100682063B1 (ko) * | 2006-04-11 | 2007-02-12 | 넥스원퓨처 주식회사 | 주파수 변환 장치 |
KR101132718B1 (ko) * | 2009-09-02 | 2012-04-06 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 주파수 변환기 |
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2009
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009246615A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Tdk Corp | 混合器および周波数変換装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9153771B2 (en) | 2013-05-20 | 2015-10-06 | Tdk Corporation | Thin film magnetic element having a pair of first soft magnetic layers sandwiching a magnetoresistive effect film and a coil windingly formed about a second soft magnetic layer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2010119569A1 (ja) | 2010-10-21 |
KR101107155B1 (ko) | 2012-01-31 |
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