JP4550073B2 - Icチップパッケージ構造 - Google Patents
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Description
図1は周知のSOC型ICチップパッケージ構造において短側辺に沿う切断面を示す断面図であり、図2は周知のICチップパッケージ構造において基板とダイアタッチ層との上表面を示す平面図であり、図3は周知のICチップパッケージ構造において長側辺に沿う切断面を示す断面図である。
本発明のもう一つの目的は、基板サイズに近いダイアタッチ層を有するICチップパッケージ構造を提供し、半田ボールの耐応力性を向上させるとともに、さらにそのICチップパッケージ構造の全体に対し良好な耐湿性を実現できる。
上記基板サイズに近いダイアタッチ層を有するICチップパッケージ構造において、基板サイズに近いダイアタッチ層の被覆面積は、チップの能動面面積との差が基板の上表面面積との差よりも大きくなる。
上記基板サイズに近いダイアタッチ層を有するICチップパッケージ構造において、基板サイズに近いダイアタッチ層の被覆面積は、基板の上表面面積の70%よりも大きくなる。
上記基板サイズに近いダイアタッチ層を有するICチップパッケージ構造において、チップの能動面は基板サイズに近いダイアタッチ層に貼付されている。
上記基板サイズに近いダイアタッチ層を有するICチップパッケージ構造において、基板は、ボンディングパッド群を電気接続するためボンディングワイヤ群の通過用にスロットを具する。
上記基板サイズに近いダイアタッチ層を有するICチップパッケージ構造において、基板は単層もしくは多層PCBから成ることである。
上記基板サイズに近いダイアタッチ層を有するICチップパッケージ構造において、ボールパッド群は信号転送用パッドとして使われ、かつチップに電気接続されている。
上記基板サイズに近いダイアタッチ層を有するICチップパッケージ構造において、基板の上表面はほぼ矩形状になり、基板サイズに近いダイアタッチ層の第二部位に対して第一部位よりも基板の上表面の両短側辺に接近している。
上記基板サイズに近いダイアタッチ層を有するICチップパッケージ構造において、基板サイズに近いダイアタッチ層の下方に対応する半分だけ被覆されるかもしくは完全に被覆されないボールパッド群を有しない。
図4及び図6に示すように、そのICチップパッケージ構造200は、基板210、基板サイズに近いダイアタッチ層220、チップ230、複数のボンディングワイヤ240、封止体250、及び複数の半田ボール260を有する。なお、基板210は上表面211と下表面212を備え、下表面212にはアレイ状に並んでいる複数のボールパッド213と適当な配線パターン(図に示していない)が形成されている。本実施例では、その基板210は単層もしくは多層PCBから成る。
それらの半田ボール260はボールパッド213群上に設置され、ICチップパッケージ構造200は半田ボール260群を介して外部PCBと連結することができる。本実施例において、ボールパッド213群は信号転送用パッドとして用いることができ、かつチップ230に電気接続されている。
以上、本発明をその好適な実施例に基づいて説明したが、本発明の保護範囲は後付の特許申請範囲で限定されて、この保護範囲に基準して、本発明の精神と範囲内に触れるどんな変更や修正は本発明の保護範囲に属する。
Claims (11)
- 上表面と下表面とを備え、前記下表面に複数のアレイ状に並んでいるボールパッドを形成している基板と、
前記基板の前記上表面に形成されて被覆面積は前記上表面の周縁部を除いて前記ボールパッド群と対応する部位を有するダイアタッチ層と、
前記基板の前記上表面に設置され、複数のボンディングパッドを形成している能動面を有し、且つ前記ダイアタッチ層の第一部位に貼付されているチップと、
前記ボンディングパッド群を前記基板に電気接続する複数のボンディングワイヤと、
前記基板の前記上表面に形成されて前記ダイアタッチ層の第二部位を覆い、前記ダイアタッチ層と前記ボンディングワイヤ群とを密封している封止体と、
前記ボンディングパッド群に設置されている複数の半田ボールと、
を備え、
前記ダイアタッチ層のヤング率は前記封止体のヤング率よりも小さくなることを特徴とするダイアタッチ層を有するICチップパッケージ構造。 - 前記ダイアタッチ層の被覆面積は、前記チップの能動面面積との差が、前記基板の前記上表面面積との差よりも大きくなることを特徴とする請求項1に記載のダイアタッチ層を有するICチップパッケージ構造。
- 前記ダイアタッチ層の被覆面積は前記基板の前記上表面面積の70%よりも大きくなることを特徴とする請求項1に記載のダイアタッチ層を有するICチップパッケージ構造。
- 前記ダイアタッチ層は矩形状となることを特徴とする請求項1に記載のダイアタッチ層を有するICチップパッケージ構造。
- 前記チップの能動面は前記ダイアタッチ層に貼付されていることを特徴とする請求項1に記載のダイアタッチ層を有するICチップパッケージ構造。
- 前記基板は、前記ボンディングパッド群を電気接続するため前記ボンディングワイヤ群の通過用にスロットを備えることを特徴とする請求項1に記載のダイアタッチ層を有するICチップパッケージ構造。
- 前記基板は単層もしくは多層PCBから成ることを特徴とする請求項1に記載のダイアタッチ層を有するICチップパッケージ構造。
- 前記封止体はさらに前記チップを完全に密封していることを特徴とする請求項1に記載のダイアタッチ層を有するICチップパッケージ構造。
- 前記ボールパッド群は信号転送用パッドとして使われ、かつ前記チップに電気接続されていることを特徴とする請求項1に記載のダイアタッチ層を有するICチップパッケージ構造。
- 前記基板の上表面は矩形状になり、前記ダイアタッチ層の第二部位は、第一部位よりも前記基板の上表面の両短側辺に接近していることを特徴とする請求項1に記載のダイアタッチ層を有するICチップパッケージ構造。
- 前記ボールパッド群は、前記基板に垂直となる方向の前記ダイアタッチ層の投影内に完全に覆われるよう、前記基板に対して前記ダイアタッチ層の反対側に形成されることを特徴とする請求項1に記載のダイアタッチ層を有するICチップパッケージ構造。
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