JP4548939B2 - 電子回路および基板中の少なくとも1つのパワー電子構成要素からなる集積電子回路の製造方法 - Google Patents
電子回路および基板中の少なくとも1つのパワー電子構成要素からなる集積電子回路の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4548939B2 JP4548939B2 JP2000566884A JP2000566884A JP4548939B2 JP 4548939 B2 JP4548939 B2 JP 4548939B2 JP 2000566884 A JP2000566884 A JP 2000566884A JP 2000566884 A JP2000566884 A JP 2000566884A JP 4548939 B2 JP4548939 B2 JP 4548939B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- connection
- manufacturing
- integrated circuit
- components
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 103
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 14
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 12
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 7
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 5
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 17
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004587 chromatography analysis Methods 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/764—Air gaps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/147—Semiconductor insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
- H01L2224/241—Disposition
- H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/24221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/24225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/24226—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the HDI interconnect connecting to the same level of the item at which the semiconductor or solid-state body is mounted, e.g. the item being planar
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L2224/25—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of a plurality of high density interconnect connectors
- H01L2224/251—Disposition
- H01L2224/2518—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
- H01L2224/81192—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/812—Applying energy for connecting
- H01L2224/8121—Applying energy for connecting using a reflow oven
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/81801—Soldering or alloying
- H01L2224/81815—Reflow soldering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01049—Indium [In]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0105—Tin [Sn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01058—Cerium [Ce]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
- H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Element Separation (AREA)
Description
(技術分野)
この発明は、電子回路および基板中に、少なくとも1つの電子構成要素、とくにパワー電子構成要素からなる集積電子回路を製造する方法に関する。
【0002】
この発明の意味において、電子構成要素とは、ダイオード、またはトランジスタのごとき個々の構成要素および増幅段または論理切り換えユニットのごとき演算構体の両方であると理解される。
【0003】
加えて、構成要素とは、パワー構成要素により大電流がそれを流れることができる構成要素またはその端子に高電圧を受容できる構成要素を意味する。かかる構成要素は、例えば、ダイオード、トランジスタ、および用途に応じて、数千ボルトに達することができる電圧で作動することが可能でおよび/または数十アンペアの電流がそれを導通し得るサイリスタである。
【0004】
本発明は、電動機制御回路、回路遮断器回路のごとき保護回路、パワーリミッタまたはレギュレータの製造に、または論理切り換え段とパワー切り換え段を結合する回路に用途を見い出している。
【0005】
(背景技術)
モータまたはパワー調整回路を制御するための集積回路は、一般に、構成要素当たり数mm2 までの集積基板上に大きな面積を占めることができる1またはそれ以上のパワー構成要素からなっている。それは、また、パワー構成要素に接続される電子制御構成要素からなっており、制御構成要素は低電圧でかつ低電流により作動する。
【0006】
製造コストおよび占められる空間の要請は1方の構成要素をパワー構成要素とともにかつ回路の他方の構成要素を集合処理技術にしたがって製造され得る単一のモノリシックユニットへと導く。
【0007】
回路のすべての構成要素を集積するモノリシックユニットの製造は、一般に、1および同一の基板へのパワー構成要素および他の構成要素の集積からなっている。
【0008】
この集積は、その場合に、構成要素それ自体の変更、表面上での構成要素に関する好ましい製造技術、基板の厚さ内での製造の不利益、または構成要素の製造前の基板の複雑な準備の要求を必要とする電気絶縁の問題を提起する。
【0009】
電気絶縁に関するこの準備作業は、接続バリヤを形成するように基板に、高温での、ドーピング不純物の拡散からなっている。他の技術によれば、絶縁は構成要素を基板に集積する前に基板内に誘電体壁(エンクロージャ)を作ることによって設けられ得る。
【0010】
構成要素自体の変更または基板の準備は、高い製造生産性能および構成要素の高密度集積の要求と一般に非常に適合しない複雑かつ高価な作業を伴う。
【0011】
(発明の開示)
本発明の目的は、パワー電子構成要素および他の電子構成要素の両方からなることができかつ上述した困難を持たない集積電子回路の製造方法を提供することにある。
【0012】
特別な目的は、それらの相互の電気的絶縁を達成するために製造に関するどのような制限もまたは構成要素それ自体の変更も課さないかかる方法を提供することにある。
【0013】
本発明の他の目的は、基板の特別な準備なしに1つのおよび同一の基板へのすべての構成要素の集積を可能にする方法を提供することにある。
【0014】
さらに他の目的は、高電圧で作動する構成要素および低電圧で作動する構成要素のより有効な絶縁を可能にする方法を提供することにある。
【0015】
他の目的は、その外面が接続端子から実質上自由である、電子回路のあらゆる構成要素からなっているモノリシックユニットの製造を許容する方法を提供することにある。
【0016】
本発明のさらに他の目的は、多数の同一の電子回路の集合的かつ同時の製造を許容するかかる方法を提供することにある。
【0017】
これらの目的を達成するために、この発明の正確な主題は、その1つまたはそれ以上が、例えば、パワー構成要素である、複数の電気的構成要素からなっている集積回路の製造方法である。この方法は、以下の連続する工程、すなわち、
a)基板中の複数の構成要素の形成および前記基板の第1面上の、前記構成要素用の接続点の形成、
b)前記基板上の接続点の分布に対応するパターンに応じて導電性軌道の接続支持体の形成、
c)前記接続点を対応する導電性軌道と電気的に接続する前記接続支持体上への前記基板の移送、
d)前記基板の1方の電子構成要素を他方の電子構成要素から分離するように、少なくとも1方の電子構成要素を含む基板の少なくとも1部分を取り囲み、かつ前記接続支持体に達することなく前記基板を垂直に通過する、少なくとも1つの分離溝の形成、
e)前記分離溝及び前記基板と前記接続支持体との間の少なくとも1部分に延びている誘電体材料による前記分離溝の充填、
f)前記接続支持体の1部分(250)を露出して、その中に少なくとも1つの導電性軌道(230)を延出させる
各工程を有する。
【0018】
誘電体材料によるそれらの充填と結合される分離溝の形成は、各々1またはそれ以上の電子的構成要素を含んでいる基板の種々の部分を有効に絶縁させる。とくに、パワー構成要素、とくに高電圧パワー構成要素を含んでいる基板の部分、および低電圧で作動する構成要素を含んでいる基板の部分を相互に絶縁することができる。
【0019】
本発明のこの特別な特徴は、それらの電気的絶縁を心配することなく1つおよび同一の基板にすべての構成要素を最初に製造することを許容する。それゆえ、構成要素の製造方法は自由にかつ電気的絶縁以外の要求に関連して選択されることが可能で、そして基板はどのような特別な準備も必要としない。
【0020】
さらに、分離溝の形成は接続支持体上への基板の移送に続いて起こるので、すべての構成要素の接続が集合的かつ同時の方法において行われることが可能である。
【0021】
この特別な特徴は、集積回路の工業的製造において著しく好都合である。
【0022】
本方法の特別な実施例によれば、工程c)の前に、拡張溝が、工程d)中に分離溝が形成される位置において、前記分離溝のため基板に作られることが可能である。
【0023】
分離溝の端部を拡張することは、分離溝の各側の基板の部分の縁部が、鋭い縁部を形成しかつ基板の部分間に存在する電界を集中させるのを阻止することを可能にする。
【0024】
拡張溝は斜めのエッジを有する鋸ブレードを使用して、面取りされた縁部により作られ得る。それらは、また、エッチングによって作られてもよく、丸い形状の縁部を付与する。
【0025】
本方法の工程c)の間中、接続点および導電性軌道は、例えば、溶融可能な材料からなるボスによる接続、導電性接着剤による接続および共融半田付けによる接続から選ばれた接続方法によって接続され得る。
【0026】
ボスによるかつとくに溶融可能な材料のビーズによる接続はとくに構成要素の接続点の数が多いとき好適である。そのうえ、「フリップチップ」の呼び名で同様に知られている、溶融可能な材料のビーズによる接続技術は、より大きなアラインメント許容誤差により接続支持体への基板の移送を許容する。基本的には、基板と支持体との間の相互の正確な位置決めは、溶融されるとき、ビーズ材料内に作用する表面張力によって自動的に行われる。
【0027】
接続が溶融可能な材料のビーズによってなされるとき、本方法の工程e)の間中、分離溝に導入された誘電体材料は、前記ビーズを覆うように、基板と接続支持体との間を貫通することができる。
【0028】
基板と接続支持体との間の自由空間のすべてに誘電体材料を配置することは、構成要素間のかつまた電気的接続として知られる溶融可能な材料のビーズ間の電気的絶縁の精密な制御を許容する。
【0029】
誘電体材料が所定位置に置かれた後、操作は、前記第1の面と反対の、基板の第2の自由面上の相互接続軌道の形成によって完全にされ得る。
【0030】
「背面」による構成要素のかかる相互接続は、とくにパワー構成要素に示唆される。
【0031】
好ましくは、基板の第2面上に接続をするために、この面が平らな表面を有することが望ましい。また、分離溝に誘電体材料を配置することは、材料が第2プレートの表面と正確に面一であるようになされる。
【0032】
本発明の他の好都合な態様によれば、本方法は、加えて、接続支持体の1部分の露出からなることができ、その中に構成要素の少なくとも1つに接続される少なくとも1つの分離溝が延びている。
【0033】
この特徴は、外部へ接続し、かつそれゆえ基板または支持体の自由外面上の接続ソケットを制限するかまたは処分するために導電性軌道への接近を許容している。
【0034】
これらの面は、その場合に、パワー構成要素によって発生される熱の放散のためにラジエータと接触させられ得る。
【0035】
上述した方法により、端部が拡張され、基板を垂直に通過している分離溝によって分離された前記基板の各部に形成された複数の構成要素、基板の1部分を受容している、前記構成要素に接続された導電性軌道を備えた接続支持体、および前記分離溝にかつ前記基板および前記接続支持体の部分間の少なくとも1部分に延びている誘電体材料からなっている集積回路が得られる。
【0036】
回路は基板の異なる部分に形成されるパワー構成要素および論理切り換え構成要素からなることもできる。
【0037】
この発明の他の特徴および利点は、以下に続く添付図面の各図を参照する説明からより良好に現れる。この説明は純粋に例示の目的にのみ示されかつ非限定的である。
【0038】
(発明を実施するための最良の形態)
図1は、断面において、「前面」と呼ばれる第1面102および「背面」と呼ばれる第2面104を有する、例えば、シリコンから作られた、基板100の1部分を示している。
【0039】
前面および背面から基板に形成されたドーピングされた領域106は基板中の種々の構成要素または構成要素の部分の定義を許容する。
【0040】
図の例において、示された基板の部分は、例えば、絶縁されたゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)、ダイオードおよび第2の絶縁されたゲートバイポーラトランジスタである3つの構成要素110a,110b,110cからなっている。
【0041】
図1の参照符号116は、それらの間にどのような差異もなしに、基板100の前面に形成された接続点を示している。この接続点は、基板の前面と面一のドーピングされた領域上で接触点を構成する点であることができるかまたは例えば、酸化物ゲートの薄い層によって前面から絶縁された制御ゲートであることができる。接続点は、好ましくは、アルミニウムのごとき金属またはAlSiCuのごとき合金または、金属層、例えば、チタン、ニッケルおよび金の積層から作られる。
【0042】
図1において、観察され得ることは、ドーピングされた領域106は、構成要素110a,110b,110cが連続せず、しかも、以下の文脈において分離区域と呼ばれる、区域120によって分離されるようなレイアウトにしたがって形成されるということである。
【0043】
図2はそれぞれ構成要素110a,110b,110cのまわりに延びている溝122からなる分離区域の形成を示している。溝はその縁部が面取りまたは丸みが付けられた側部125を有している。溝は基板100に後で作られる分離溝の端部を拡張するのに向けられる。同等な溝125が、また、それらが前面の溝122と一致するように、背面に作られている。
【0044】
明瞭にされるべきことは、本方法の他の考え得る実施例において、幾つかの拡張溝を形成する工程および続いて起こる明細書に記載される分離溝を形成する工程は逆にされ得るということである。幾つかの特別な場合において、背面上および前面上の少なくとも一方の溝は必要ないかも知れない。
【0045】
図3は、シリカまたはポリマのごとき電気的絶縁材料から作られるパッシベーション層126の、基板の前面および背面上での形成を示している。
【0046】
パッシベーション層の形成には、少なくとも部分的に、一定数の接続点116を剥き出しにさせる、この層中の開口28の形成が続いている。複数の開口がその点の幾つかの部分を剥き出しにするように1つおよび同一の接続点116の上方のパッシベーション層に作られることができる。
【0047】
添付図面の図4は構成要素を有する基板を受容するための接続支持体を示している。
【0048】
他の方法で接続支持体と呼ばれる支持板200は、前面と呼ばれる、その面の1方202上で、電気的絶縁材料からなる層226により処理される。例として、支持板200および層226は、それぞれ、シリコンおよびシリカのごとき材料から作られ得る。
【0049】
支持板200の材料が、シリカまたはアルミナのごとき、電気的絶縁材料である特別な実施例において、絶縁層226は省略され得る。軌道230、および接続点231はその場合に、支持板上に直接形成される。
【0050】
接続支持体200の軌道および接続点は、図1ないし図3を参照して説明された基板100上の接続点分布と一致するパターンにしたがって形成される。
【0051】
それゆえ、支持体200の接続点は、基板が接続支持体上に移送されるとき基板100と連係する点に向かい合っている。
【0052】
一定数の軌道、かつより詳しくは接続支持体の軌道の接続点は溶融可能な材料232のビーズにより処理される。溶融可能な材料は、比較的低い温度で溶融可能である、スズ、鉛およびインジウムの少なくとも1つをベースにした合金のごとき材料である。
【0053】
ビーズの位置決めは、接続支持体の前面上の、導電性軌道を覆う該軌道上の溶融可能な材料のビーズの配置を許容する開口を有するパッシベーション層の形成によって先行され得る。簡単化の理由で、図には示されない、かかるパッシベーション層は、接続支持体と後でこれに移送される基板の軌道間に良好な絶縁が設けられるのを可能にする。また、回避されるべき近隣の軌道間の寄生接触を可能にしかつ本方法の続いて起こる部分において多分使用されるかも知れない化学的エッチング剤に対して軌道を保護する。
【0054】
接続支持体上への基板100の移送は図5に示される。組立ての間中、基板100の前面102は、溶融可能なビーズ232が、これらと連係する、基板の接続点116上の所定位置にそれぞれ来るように、接続支持体の前面202に向けられる。
【0055】
明らかにされるべきことは、代替的に、溶融可能な材料のビーズの全部または1部が、また、接続支持体200の接続点上よりむしろ、基板100の接続点上に最初に形成されるということである。
【0056】
溶融可能な材料のビーズと接続点との間の最終的な接続はビーズの材料を溶融するのに十分である温度に構体の温度を上昇することによって引き起こされる。この材料はその場合に溶融可能な材料によって濡れられた接続点上に半田付けされる。
【0057】
図6によって示される、本方法の次の工程は基板に分離溝(トレンチ)140を形成することからなる。これらの分離溝は構成要素110a,110b,110cを取り囲んでいる。
【0058】
分離溝は、基板の背面104から出発してかつ以前に形成された溝122,124と一致して鋸引きにより作られる。代替的に、拡張溝かつとくに背面上の拡張溝124は分離溝の後に形成され得る。
【0059】
記載された例において、分離溝は最初に鋸引きしかつ次いで乾燥エッチングすることにより作られる。図は、鋸引きすることによって作られかつ分離溝の底部に材料の残部を有する、完全に貫通しない分離溝を示している。この材料の残部は次いで完全に貫通する分離溝を設けるように乾燥エッチングによって除去される。
【0060】
エッチングによる分離溝の製造によって、直ぐ下の接続支持体の軌道230を損傷する危険なしに、鋸引き深さにわたって精密な制御を有さねばならないことが回避される。
【0061】
水流およびレーザの少なくとも一方を使用する切断技術のごとき、他の技術が、また、分離溝を形成するのに使用され得る。
【0062】
図7は誘電体材料142による分離溝の充填を示している。使用される材料は好ましくは、例えば、ポリマ材料、ゾル−ゲルまたはエポキシ樹脂のごとき、凝固され得る最初に液体である材料である。この材料は液体状態で導入されかつ次いで凝固される。
【0063】
観察され得ることは、誘電体材料は分離溝を充填するだけでなく、また、接続ビーズが覆われるように基板および接続支持体の前面102,202間に延びているということである。
【0064】
誘電体材料によって、長期間にわたって、構成要素間の相互の電気的絶縁および接続点200に対する構成要素の絶縁の品質が保証される。
【0065】
示された例において、分離溝の充填は誘電体材料142が基板の背面104と正確に面一であるようになっている。また、誘電体材料は剰余のパッシベーション層を作るように基板の背面にはみ出てもよい。そのうえ、背面上の過剰な誘電体材料は、また、研磨によって除去され得る。
【0066】
本方法の特別な実施例によれば、構成要素は試験されることができ、かつ欠陥のある構成要素は誘電体材料が所定位置に置かれる前に他の適切な構成要素によって交換され得る。同一の方法において、他の基板にかつ他の製造技術によって製造された構成要素が最初の基板の位置にまたはその構成要素間に導入され得る。それらの構成要素は、また、誘電体材料の前に所定位置に置かれる。
【0067】
図8は、幾つかの構成要素間に接続が作られるのを許容する、基板の背面104上の、導電性相互接続軌道146の形成を示している。
【0068】
相互接続軌道の作成は、例えばドーピングされた領域106への接近を可能にする、背面のパッシベーション層における開口の形成によって先行される。
【0069】
金属層が次いで背面104の全体に形成され、かつ次いで導電性軌道146を作るのを可能にするパターンにしたがってエッチングされる。この軌道は、例えば、基板の種々の部分に配置される種々の構成要素のドーピングされた領域をともに接続する。
【0070】
新たな誘電体パッシベーション層148が次いで導電性軌道を保護するように背面の自由面に形成される。
【0071】
開口が導電性軌道上に接触点を作るように新たな誘電体層に作られ得る。これらの点は図には示されない。
【0072】
上述された処理工程を実施した後、基板および接続支持体は形成されたモジュールの各々を個別化するために切断され得る。
【0073】
図9は構成要素110a,110bおよび110cからなっているかかるモジュールを示している。
【0074】
切断は、図9の左手側に参照符号Aで印が付けられた、1つおよび同一の切断面に沿って基板および接続支持体を切断させ得る直線ブレードを有する鋸によって実施例され得る。
【0075】
基板および接続支持体の切断は、また、段付きブレードを備えた鋸によって実施され得る。かかるブレードはオフセット基板および接続支持体の鋸切断を行わせる。オフセット切断によって得られた切断は図9の参照符号Bによって示される。
【0076】
オフセット鋸切断は、そこに、また、溶融可能な材料のビーズによって構成要素に接続される導電性軌道230の部分が延びる、接続支持体の突出部分250を剥き出しにするために利用される。
【0077】
導電性接続ワイヤが他の外部設備へモジュールの構成要素を接続するために剥き出しにされた部分250の軌道に接続され得る(接続ワイヤと同様にこの設備は図示されない)。
【0078】
この特徴は基板および接続支持体の少なくとも一方の後面104,204に製造されるような接触ソケットの数の減少を許容し、かつそれゆえ、放熱ラジエータの考え得る配置のためにこれらの面上の空間を解放する。
【0079】
上記は基板と接続支持体との間の電気的接続が溶融可能な材料のビーズまたはボスを使用して製造される本発明を実行するとくに好都合な方法を説明している。しかしながら、本方法の実行のための他の可能性によれば、電気的接続は、接続点間の共融半田付けによってまたは基板と支持体との間に置かれた異方性の導電性接着剤を使用して行われ得る。異方性の導電性接着剤は基板と支持体との間の空間内で横方向に沿って電流を通過させるのみである。
【0080】
そのうえ、溶融可能な材料のビーズまたは他の接続手段は、接続支持体200の前面に作られた凹所252に収納されることができる。この場合に、接続支持体上に移送された基板は凹所のまわりの接続支持体202の前面に載置することが可能である。
【0081】
この変形例は図10に示される。図10は、同様に、支持板200上の点における共融半田付けのために基板100上に接続点を製造する特別な方法を示している。
【0082】
基板の点上の金属または共融堆積は、支持体上への移送を実施する前に拡大することにより、外側末端の表面との電気的接触を可能にする。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の方法の特別な実施例による基板の作成用工程を示す、基板の簡単化された概略断面図である。
【図2】 本発明の方法の特別な実施例による基板の作成用工程を示す、基板の簡単化された概略断面図である。
【図3】 本発明の方法の特別な実施例による基板の促成用工程を示す、基板の簡単化さされた概略断面図である。
【図4】 本方法の実行に使用される接続支持体の簡単化された概略断面図である。
【図5】 基板および接続支持体を、これらの部分の組立てを示している簡単化された概略断面図である。
【図6】 基板に分離溝を形成する工程を示す、図5の構造の概略断面図である。
【図7】 分離溝内の誘電体材料の配置を示している基板および接続支持体の概略断面図である。
【図8】 基板の「背」面上の相互接続軌道の作成を示している図7の構造に一致する構造を示す概略断面図である。
【図9】 基板および接続支持体上に実施される切断作業を示している図8の構造の概略断面図である。
【図10】 本発明の他の考え得る実施例によって得られた、図9の構造と同様な構造を示す概略断面図である。
Claims (9)
- 複数の電子構成要素(110a,110b,110c)からなる集積回路を製造する方法において、この方法が以下の連続する工程、すなわち、
a)基板(100)中の複数の構成要素(110a,110b,110c)の形成および前記基板の第1面(102)上の、前記構成要素用の接続点(116)の形成、
b)前記基板上の接続点(116)の分布に対応するパターンに応じて導電性軌道(230,231)の接続支持体(200)の形成、
c)前記接続点(116)を対応する導電性軌道(230,231)と電気的に接続する前記接続支持体(200)上への前記基板(100)の移送、
d)前記基板の1方の電子構成要素を他方の電子構成要素から分離するように、少なくとも1方の電子構成要素を含む基板の少なくとも1部分を取り囲み、かつ前記接続支持体に達することなく前記基板を垂直に通過する、少なくとも1つの分離溝の形成、
e)前記分離溝及び前記基板と前記接続支持体との間の少なくとも1部分に延びている誘電体材料(142)による前記分離溝の充填、
f)前記接続支持体の1部分(250)を露出して、その中に少なくとも1つの導電性軌道(230)を延出させる、
各工程を有することを特徴とする集積回路の製造方法。 - 加えて、工程e)の後に、各々少なくとも1つの構成要素からなっているモジュールを個別化するために前記基板および前記接続支持体を切断することを特徴とする請求項1記載の集積回路の製造方法。
- 工程a)が前記複数の構成要素の中に少なくとも1つのパワー構成要素の形成からなり、そして前記工程d)の間中、少なくとも1つの分離溝が前記パワー構成要素を含む基板の1部分を取り囲んで形成されることを特徴とする請求項1に記載の集積回路の製造方法。
- 工程c)の前に、溝(122,124)が、工程d)の間中前記分離溝が形成される位置において、前記分離溝を拡張するために前記基板に作られることを特徴とする請求項1に記載の集積回路の製造方法。
- 工程e)の間中、前記接続点(116)および前記導電性軌道(230,231)が溶融可能な材料からなるボスによる接続、導電性接着剤による接続および共融半田付けによる接続の中から選ばれた接続方法によって接続されることを特徴とする請求項1に記載の集積回路の製造方法。
- 前記接続点(116)および前記導電性軌道(230,231)が溶融可能な材料のボスを使用して接続されそして前記分離溝を介して導入される誘電体材料が、前記ボスを覆うように、前記基板(100)と前記接続支持体(200)との間に貫通させられることを特徴とする請求項1に記載の集積回路の製造方法。
- また、前記工程e)の後に、前記基板(100)の、第2の自由面(104)上の相互接続軌道(146)の形成が行われることを特徴とする請求項1に記載の集積回路の製造方法。
- 前記分離溝(140)が鋸引きおよびエッチングの少なくとも一方によって形成されることを特徴とする請求項1に記載の集積回路の製造方法。
- 加えて、工程e)の前に、前記基板(100)以外の基板に製造された少なくとも1つの構成要素の接続支持体上の移送および接続からなることを特徴とする請求項1に記載の集積回路の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR98/10688 | 1998-08-25 | ||
FR9810688A FR2782840B1 (fr) | 1998-08-25 | 1998-08-25 | Circuit electronique et procede de realisation d'un circuit electronique integre comprenant au moins un composant electronique de puissance dans une plaque de substrat |
PCT/FR1999/002033 WO2000011713A1 (fr) | 1998-08-25 | 1999-08-24 | Circuit electronique integre comprenant au moins un composant electronique de puissance |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002523900A JP2002523900A (ja) | 2002-07-30 |
JP4548939B2 true JP4548939B2 (ja) | 2010-09-22 |
Family
ID=9529865
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000566884A Expired - Fee Related JP4548939B2 (ja) | 1998-08-25 | 1999-08-24 | 電子回路および基板中の少なくとも1つのパワー電子構成要素からなる集積電子回路の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6423573B1 (ja) |
EP (1) | EP1025584B1 (ja) |
JP (1) | JP4548939B2 (ja) |
DE (1) | DE69940967D1 (ja) |
FR (1) | FR2782840B1 (ja) |
WO (1) | WO2000011713A1 (ja) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7448556B2 (en) | 2002-08-16 | 2008-11-11 | Henkel Kgaa | Dispenser bottle for at least two active fluids |
JP4147244B2 (ja) | 2002-08-16 | 2008-09-10 | ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェン | 少なくとも2種類の活性流体のためのディスペンサ・ボトル |
US6890836B2 (en) * | 2003-05-23 | 2005-05-10 | Texas Instruments Incorporated | Scribe street width reduction by deep trench and shallow saw cut |
US7550420B2 (en) | 2005-04-29 | 2009-06-23 | E. I. Dupont De Nemours And Company | Enzymatic production of peracids using perhydrolytic enzymes |
EP1877566B1 (en) | 2005-04-29 | 2009-02-18 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Enzymatic production of peracids using perhydrolytic enzymes |
US20100164079A1 (en) * | 2005-06-29 | 2010-07-01 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Method of manufacturing an assembly and assembly |
US7910822B1 (en) * | 2005-10-17 | 2011-03-22 | Solaria Corporation | Fabrication process for photovoltaic cell |
US8288136B2 (en) | 2005-12-13 | 2012-10-16 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Production of peracids using an enzyme having perhydrolysis activity |
US8518675B2 (en) | 2005-12-13 | 2013-08-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Production of peracids using an enzyme having perhydrolysis activity |
US7964378B2 (en) | 2005-12-13 | 2011-06-21 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Production of peracids using an enzyme having perhydrolysis activity |
US7951566B2 (en) | 2005-12-13 | 2011-05-31 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Production of peracids using an enzyme having perhydrolysis activity |
US7723083B2 (en) | 2005-12-13 | 2010-05-25 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Production of peracids using an enzyme having perhydrolysis activity |
CA2635932C (en) | 2006-02-23 | 2014-05-27 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Removable antimicrobial coating compositions and methods of use |
US7473658B2 (en) | 2006-11-13 | 2009-01-06 | E. I. Du Pont Nemours And Company | Partially fluorinated amino acid derivatives as gelling and surface active agents |
JP2008300565A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP4687742B2 (ja) * | 2007-08-27 | 2011-05-25 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
EP2031653B1 (en) * | 2007-08-27 | 2014-03-05 | Denso Corporation | Manufacturing method for a semiconductor device having multiple element formation regions |
US7932180B2 (en) | 2008-07-07 | 2011-04-26 | Infineon Technologies Ag | Manufacturing a semiconductor device via etching a semiconductor chip to a first layer |
JP5504268B2 (ja) | 2008-08-13 | 2014-05-28 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 酵素的過酸生成の制御 |
US7777186B2 (en) * | 2008-08-14 | 2010-08-17 | L-3 Communications Cincinnati Electronics Corporation | Pixel interconnect insulators and methods thereof |
US20110177145A1 (en) | 2009-07-27 | 2011-07-21 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | In situ preparation of peracid-based removable antimicrobial coating compositions and methods of use |
US20110177146A1 (en) | 2009-07-27 | 2011-07-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Removable antimicrobial coating compositions containing cationic rheology agent and methods of use |
CA2763568A1 (en) | 2009-07-27 | 2011-02-10 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Enzymatic in situ preparation of peracid-based removable antimicrobial coating compositions and methods of use |
US20110182959A1 (en) | 2009-07-27 | 2011-07-28 | E.I. Du Pont De Nemours And Company. | Removable antimicrobial coating compositions containing acid-activated rheology agent and methods of use |
US8222012B2 (en) | 2009-10-01 | 2012-07-17 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Perhydrolase for enzymatic peracid production |
WO2011119706A1 (en) | 2010-03-26 | 2011-09-29 | E.I. Dupont De Nemours And Company | Perhydrolase providing improved specific activity |
CA2792930A1 (en) | 2010-03-26 | 2011-09-29 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Polyarylene sulfide-containing polymer melt |
US8389255B2 (en) | 2010-03-26 | 2013-03-05 | E.I. De Pont De Nemours And Company | Perhydrolase providing improved specific activity |
US8450091B2 (en) | 2010-03-26 | 2013-05-28 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Perhydrolase providing improved specific activity |
US8445242B2 (en) | 2010-03-26 | 2013-05-21 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Perhydrolase providing improved specific activity |
WO2011119703A1 (en) | 2010-03-26 | 2011-09-29 | E.I. Dupont De Nemours And Company | Process for the purification of proteins |
CN103383916B (zh) * | 2013-08-08 | 2016-03-02 | 扬州晶新微电子有限公司 | 可用于共晶焊的p型硅器件芯片背面金属化方法 |
DE102013219733B4 (de) * | 2013-09-30 | 2015-05-07 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Kantenbeschichtung eines monolithisch integrierten Halbleiterbauelementes |
CN113178394B (zh) * | 2021-04-28 | 2023-06-27 | 浙江集迈科微电子有限公司 | 减少应力的芯片贴装工艺 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3577037A (en) * | 1968-07-05 | 1971-05-04 | Ibm | Diffused electrical connector apparatus and method of making same |
GB1467354A (en) * | 1974-05-10 | 1977-03-16 | Gen Electric | Power transistor |
JPS53105977A (en) * | 1977-02-26 | 1978-09-14 | Nec Home Electronics Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JPS5759349A (en) * | 1980-09-29 | 1982-04-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JPH0738401B2 (ja) * | 1986-10-13 | 1995-04-26 | 株式会社日立製作所 | Lsiチツプ実装構造体 |
FR2646558B1 (fr) * | 1989-04-26 | 1994-04-01 | Commissariat A Energie Atomique | Procede et machine d'interconnexion de composants electriques par elements de soudure |
US5264699A (en) * | 1991-02-20 | 1993-11-23 | Amber Engineering, Inc. | Infrared detector hybrid array with improved thermal cycle reliability and method for making same |
US5308980A (en) * | 1991-02-20 | 1994-05-03 | Amber Engineering, Inc. | Thermal mismatch accommodated infrared detector hybrid array |
FR2715002B1 (fr) * | 1994-01-07 | 1996-02-16 | Commissariat Energie Atomique | Détecteur de rayonnement électromagnétique et son procédé de fabrication. |
IL108359A (en) * | 1994-01-17 | 2001-04-30 | Shellcase Ltd | Method and device for creating integrated circular devices |
JP3588882B2 (ja) * | 1995-12-08 | 2004-11-17 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 誘電体分離基板の製造方法 |
FR2746214B1 (fr) * | 1996-03-15 | 1998-04-24 | Procede et machine d'hybridation par refusion | |
JPH1022336A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH1027767A (ja) * | 1996-07-11 | 1998-01-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1998
- 1998-08-25 FR FR9810688A patent/FR2782840B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-08-24 WO PCT/FR1999/002033 patent/WO2000011713A1/fr active Application Filing
- 1999-08-24 EP EP99939494A patent/EP1025584B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1999-08-24 DE DE69940967T patent/DE69940967D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-08-24 JP JP2000566884A patent/JP4548939B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-04-24 US US09/530,034 patent/US6423573B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6423573B1 (en) | 2002-07-23 |
WO2000011713A1 (fr) | 2000-03-02 |
EP1025584A1 (fr) | 2000-08-09 |
JP2002523900A (ja) | 2002-07-30 |
DE69940967D1 (de) | 2009-07-23 |
FR2782840B1 (fr) | 2003-09-05 |
EP1025584B1 (fr) | 2009-06-10 |
FR2782840A1 (fr) | 2000-03-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4548939B2 (ja) | 電子回路および基板中の少なくとも1つのパワー電子構成要素からなる集積電子回路の製造方法 | |
CN102339757B (zh) | 用于制造具有玻璃衬底的半导体器件的方法 | |
CN101419964B (zh) | 具有多个半导体芯片的装置 | |
US6124179A (en) | Inverted dielectric isolation process | |
US9035453B2 (en) | Semiconductor device | |
JP4539773B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US10692803B2 (en) | Die embedding | |
US7112874B2 (en) | Forming a multi segment integrated circuit with isolated substrates | |
US5904496A (en) | Wafer fabrication of inside-wrapped contacts for electronic devices | |
US20080029906A1 (en) | Semiconductor switching module and method | |
CN104064529B (zh) | 半导体器件、半导体模块以及制造半导体器件和半导体模块的方法 | |
JP4094075B2 (ja) | ワイヤボンドなしモジュールパッケージおよび製造方法 | |
CN105336718A (zh) | 源极向下半导体器件及其制造方法 | |
US7378741B2 (en) | Semiconductor component and corresponding fabrication/mounting method | |
US6075279A (en) | Semiconductor device | |
US5706578A (en) | Method for producing a three-dimensional circuit arrangement | |
JP4873002B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US8344502B2 (en) | Semiconductor module and a method for producing an electronic circuit | |
US6581279B1 (en) | Method of collectively packaging electronic components | |
JP5228361B2 (ja) | 半導体装置の実装構造 | |
US6432809B1 (en) | Method for improved passive thermal flow in silicon on insulator devices | |
JP7510764B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
CN110571205B (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
CN112768503B (zh) | Igbt芯片、其制造方法及功率模块 | |
JP3353748B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060425 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060614 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090525 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090602 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090817 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090825 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091027 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100126 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100202 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100224 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100303 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100422 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100513 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100608 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100706 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130716 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |