JP4544067B2 - 電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、導電性基板上に所定の電子回路を構成する電極を設け導電性基板の電位を電子回路の基準電位として用いる電子部品に関する。

従来、このような電子部品を形成するにあたっては図４に示されるようにステンレス基板などの導電性基板１上に部分的に結晶性ガラスからなる絶縁層２を設け、絶縁層２および導電性基板１の表面に適宜電子回路を構成するための電極３が設けられていた。

なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
特開２００３−９７９９７号公報

しかしながら、電極３を形成する電極ペーストには導電性基板１との密着強度を上げるためのガラス成分が含まれており、焼成時のこのガラス成分が沈下してしまい、一端を基準電位に接続する実装部品４を実装するための電極というように導電性基板１に直接的に配置する電極３においては、沈下したガラス成分が基準電位に対する電気的導通を阻害する絶縁体５として作用してしまい、結果的に電子回路における基準電位を確保することが困難なものとなり電子部品の電気特性を劣化させてしまうという問題を有していた。

そこで、本発明はこのような問題を解決し、導電性基板上に電極を配置した電子部品における電気特性の向上を目的とする。

そして、この目的を達成するために本発明は、特に導電性基板による基準電位に接続する電極を絶縁層上と導電性基板上に跨り形成するとともに、絶縁層における前記導電性基板側部分を結晶性ガラスからなる第１絶縁層により形成し、この第１絶縁層の上面および側面を覆う絶縁層の上面部分および側面部分を非結晶性ガラスからなる第２絶縁層により形成した構成としたのである。

この構成によれば、基準電位を形成する導電性基板と、これに接続される電極と電気導電性を高めることができ、導電性基板上に電極を配置した電子部品における電気特性を向上させることが出来るのである。

以下、本発明の一実施形態について図を用いながら説明する。

図１は、ステンレスからなる導電性基板６上に図２に示すブリッジ回路７とこのブリッジ回路７の出力信号を処理する処理回路８とからなるセンサ回路を形成した歪みセンサを示したものであり、導電性基板６上にはブリッジ回路７を構成する歪み抵抗膜９や処理回路８を構成するチップコンデンサやチップインダクタなどの実装部品（特に図示せず）や電気配線用の電極１０が適宜配置された構成となっている。なお、各電極１０は回路構成する上で導電性基板６との電気絶縁性を確保すべく基本的に電極１０と導電性基板６との間に絶縁層１１が配置されている。

また、この歪みセンサにおいては実装部品１２を介して基準電位に接続する回路構成があり、この部分の電極構成は図３に示すように実装部品１２の実装性を考慮し主回路側の電極１０ａと基準電位側の電極１０ｂの両方とも高さが等しくなるように絶縁層１１上に配置され、基準電位側の電極１０ｂは絶縁層１１上に設けられた実装部品１２の実装部分から基準電位を形成する導電性基板６表面に跨るように延出した構成となっている。

そして、この歪みセンサにおいてはセンサ回路を形成する電極１０の電気絶縁性を確保するために設けられた絶縁層１１を、導電性基板６側の第１絶縁層１３とこの第１絶縁層１３の上面および側面を覆う第２絶縁層１４からなる２層構造とし、第１絶縁層１３を結晶性ガラスで、また、第２絶縁層１４を非結晶性ガラスにより形成した構成として歪みセンサの電気特性を向上させている。

すなわち、非結晶性ガラスは加熱により再溶融するという特徴を有することから、基準電位に接続する電極１０ｂと接する絶縁層１１部分を非結晶性ガラスからなる第２絶縁層１４で形成することで、電極焼成時には第２絶縁層１４を形成する非結晶性ガラスが再溶融し、電極１０ｂの焼成時に沈下して絶縁体１５として作用するガラス成分が第２絶縁層１４を形成する非晶質ガラス中に拡散し易くなる。

つまり、この第２絶縁層１４近傍に位置する電極領域におけるガラス成分が焼成段階において再溶融した第２絶縁層１４中に拡散し易くなるため、この電極領域におけるガラス成分の密度が低減されることとなり電極１０ｂと導電性基板６との電気導通性を高めることが出来るのである。

なお、この一実施形態では導電性基板６を用いた電子部品として歪みセンサを挙げて説明したが、本発明はこの一実施形態に限定されるものではなく、導電性基板６上に所定の電子回路を構成する電極１０を設け導電性基板６の電位を電子回路の基準電位として用いる電子部品において同様の効果を奏するものである。

本発明は、導電性基板上に所定の電子回路を構成する電極を設け導電性基板の電位を電子回路の基準電位として用いる電子部品に関し、電子回路の電気特性を向上させることが出来るという効果を有し、特に導電性基板の歪みを利用する歪みセンサに有用である。

本発明の一実施形態における歪みセンサを示した上面図 同歪みセンサの回路構成を示す模式図 同歪みセンサの電極構造を示す模式図 従来の電子部品における電極構造を示す模式図

符号の説明

６ 導電性基板
１０ａ （第１の）電極
１０ｂ （第２の）電極
１１ 絶縁層
１２ 実装部品
１３ 第１絶縁層
１４ 第２絶縁層

Claims (1)

1. 電子回路の基準電位を形成する導電性基板と、この導電性基板上に部分的に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられて前記電子回路の一部を形成する第１の電極と、前記第１の電極とは分離されるとともに前記絶縁層上と前記導電性基板上に跨り設けられて前記電子回路の一部を形成する第２の電極と、前記第１、第２の電極に実装されて前記電子回路の一部を形成する実装部品とを備え、前記絶縁層における前記導電性基板側部分を結晶性ガラスからなる第１絶縁層により形成し、この第１絶縁層の上面および側面を覆う前記絶縁層の上面部分および側面部分を非結晶性ガラスからなる第２絶縁層より形成したことを特徴とする電子部品。

Images