JP4539232B2 - 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 - Google Patents
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Description
[1](A)ジイソシアネートと、ジカルボン酸と、水酸基及びラジカル重合性官能基をそれぞれ1つずつ有する化合物と、を反応して得られる化合物、(B)充填材を必須成分とすることを特徴とする樹脂組成物。
[2]ジイソシアネートが芳香族環を有しない環状ジイソシアネートである第[1]項記載の樹脂組成物。
[3]芳香族環を有しない環状ジイソシアネートがイソホロンジイソシアネート又はノルボルネンジイソシアネートから選ばれる少なくとも1種である第[1]又は[2]項記載の樹脂組成物。
[4]ジカルボン酸が芳香族環を含まないことを特徴とする第[1]、[2]又は[3]項記載の樹脂組成物。
[5]ジカルボン酸が一般式(1)の構造を含む第[1]〜[4]項記載の樹脂組成物。
[7]充填材(B)が銀粉である第[1]〜[6]項に記載の樹脂組成物。
[8]充填材(B)が樹脂組成物中に80重量%以上含まれる第[1]〜[7]項のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
[9]第[1]〜[8]項のいずれか1項に記載の樹脂組成物をダイアタッチ材料又はヒートシンクアタッチ材料として用いて製作されることを特徴とする半導体装置。
親水性が強くなりすぎ、硬化物の耐湿性が悪化するので好ましくなく、これより多いと疎
水性が強くなりすぎ接着力の低下につながるので好ましくない。Xは−O−、−COO−、または−OCOO−から選ばれる少なくとも1種であるが、硬化物に柔軟性を付与するために好ましく用いられる。また繰り返し数nは2から50であるが、これより少ない場合には導入しても低応力化効果が現れず、これより多いと分子量が大きくなりすぎ樹脂組成物の粘度増加につながるため好ましくない。通常、化合物(A)の分子量は5000より小さいことが好ましい。これより大きい場合には樹脂組成物の粘度が高くなりすぎるためである。
より好ましい化合物(A)の分子量は1000から2000である。
本発明に用いる充填材(B)としては、通常銀粉が使用されるが、金粉、銅粉、窒化アルミニウム、ボロンナイトライド、シリカ、アルミナ等も使用可能である。特に硬化物に高熱伝導率を付与する必要がある場合には銀粉が樹脂組成物中に80重量%以上含まれることが好ましい。
ロキシ−3−フェノキシプロピル(メタ)アクリレート、N,N’−メチレンビス(メタ
)アクリルアミド、N,N’−エチレンビス(メタ)アクリルアミド、1,2−ジ(メタ)アクリルアミドエチレングリコール、ジ(メタ)アクリロイロキシメチルトリシクロデカン、2−(メタ)アクリロイロキシエチルコハク酸、2−(メタ)アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタル酸、2−(メタ)アクリロイロキシエチル、2−ヒドロキシプロピルフタレート、2−ヒドロキシ−3−アクリロイロキシプロピルメタクリレート、N−(メタ)アクリロイロキシエチルマレイミド、N−(メタ)アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタルイミド、N−(メタ)アクリロイロキシエチルフタルイミド、n−ビニル−2−ピロリドン、スチレン誘導体、α−メチルスチレン誘導体。
て用いられるものであれば特に限定しないが、望ましいものとしては、急速加熱試験(試料1gを電熱板の上にのせ、4℃/分で昇温した時の分解開始温度)における分解温度が40〜140℃となるものが好ましい。分解温度が40℃未満だと、樹脂組成物の常温における保存性が悪くなり、140℃を越えると硬化時間が極端に長くなるため好ましくない。
、2,5−ジメチル−2,5−ビス(ベンゾイルパーオキシ)ヘキサン、t−ブチルパーオキシアセテート、t−ヘキシルパーオキシベンゾエート、t−ブチルパーオキシ−m−トルオイルベンゾエート、t−ブチルパーオキシベンゾエート、ビス(t−ブチルパーオキシ)イソフタレート、t−ブチルパーオキシアリルモノカーボネート、3,3’,4,4’−テトラ(t−ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノン等が挙げられるが、これらは単独或いは硬化性を制御するため2種類以上を混合して用いることもできる。特に限定されるわけではないが化合物(A)に対して0.5〜5重量配合されるのが好ましい。本発明は通常蛍光灯等の照明下で使用されるので光開始剤が含まれていると使用中に反応により粘度上昇が観察されるため、光開始剤を配合することはできない。更に樹脂組成物の保存性を向上するために各種重合禁止剤、酸化防止剤を予め添加してもよい。
本発明の樹脂組成物は、例えば各成分を予備混合した後、3本ロールを用いて混練した
後真空下脱泡することにより製造することができる。
本発明の樹脂組成物を用いて半導体装置を製作する方法は、公知の方法を用いることができる。
化合物(A)の調整
ポリテトラメチレングリコールジオール(三菱化学(株)製、PTMG650、NMR測定により求めた繰り返し単位数約9)67gと無水コハク酸(試薬)24gをアセトニトリル/トルエン(重量比1:3)混合溶媒中4時間還流下で攪拌した後、イオン交換水を用いて5回分液洗浄を行った。アセトニトリル/トルエン層を回収しノルボルネンジイソシアネート(三井化学(株)製、NBDI)10gならびにジメチルアミノピリジンを添加し、窒素雰囲気下室温で2時間攪拌した後還流下4時間反応した。冷却後2−ヒドロキシエチルメタクリレート(共栄社化学(株)製、ライトエステルHO)20gならびにジシクロヘキシルカルボジイミド/ジメチルアミノピリジンを添加し室温で4時間さらに還流下4時間反応を行った。冷却後イオン交換水を用いて5回分液洗浄し、有機溶剤層をろ過することにより固形分を除去、エバポレータならびに真空乾燥機にて溶剤を除去し以下の試験に用いた。(以下成分A、収率約82%。NMR、IRによりアミド結合、エステル結合の生成を確認した。GPCによるスチレン換算分子量は約1700であった。)
出発原料としてポリプロピレングリコールジオール(日本油脂(株)製、D−700、
NMR測定により求めた繰り返し単位数約12)を用いた以外は同様にして反応生成物を得た。(以下成分B、収率約85%。NMR、IRによりアミド結合、エステル結合の生成を確認した。GPCによるスチレン換算分子量は約1900であった。)
ラジカル重合開始剤としてはジクミルパーオキサイド(日本油脂(株)製、パークミル
D、急速加熱試験における分解温度:126℃、以下開始剤)を使用した。
ラウリルアクリレート(共栄社化学(株)製、ライトエステルLA、以下LA)、繰り
返し単位がテトラメチレンオキサイドのジアクリレート(新中村化学工業(株)製、NKエステル A−PTMG65、以下A−PTMG65)、平均粒径5μm、最大粒径30μmのフレーク状銀粉(以下銀粉)、メタクリル基を有するシランカップリング剤(信越化学工業(株)製、KBM−503、以下メタクリルシラン)を表1のように配合し、3本ロールを用いて混練し、脱泡することで樹脂組成物を得た。配合割合は重量部である。
表1に示す割合で配合し実施例1と同様に樹脂組成物を得た。
[比較例3]
ポリテトラメチレングリコールジオール(三菱化学(株)製、PTMG650)133
gとノルボルネンジイソシアネート(三井化学(株)製、NBDI)21gならびにジメチルアミノピリジンをトルエン中、窒素雰囲気下室温で2時間攪拌した後還流下4時間反応した。冷却後2−メタクリロイロキシエチルコハク酸(共栄社化学(株)製、ライトエステルHO−MS)69gならびにジシクロヘキシルカルボジイミド/ジメチルアミノピリジンを添加し室温で4時間さらに還流下4時間反応を行った。冷却後イオン交換水を用いて5回分液洗浄し、有機溶剤層をろ過することにより固形分を除去、エバポレータならびに真空乾燥機にて溶剤を除去した。(以下成分C、収率約87%。NMR、IRにより、エステル結合の生成を確認した。GPCによるスチレン換算分子量は約1900であった。)
成分Cを使用する以外は実施例1と同様にして樹脂組成物を得た。
得られた樹脂組成物(ダイアタッチペースト)を以下の方法により評価した。評価結果
を表1に示す。
・粘度:E型粘度計(3°コーン)を用い25℃、2.5rpmでの値を樹脂組成物作製直後と25℃、48時間放置後に測定した。作製直後の粘度が15〜25Pa・sの範囲内で、かつ48時間後の粘度増加率が20%未満の場合を合格とした。粘度の単位はPa・sで粘度増加率の単位は%である。
パッケージ:QFP(14x20x2.0mm)
リードフレーム:銀めっきした銅フレーム
チップサイズ:9×9mm
樹脂組成物硬化条件:オーブン中150℃、15分
Claims (7)
- (A)ジイソシアネートと、主骨格に一般式(1)の構造を有するジカルボン酸と、水酸基及びラジカル重合性官能基をそれぞれ1つずつ有する化合物と、を反応して得られる化合物、並びに(B)充填材を必須成分とすることを特徴とする樹脂組成物。
- ジイソシアネートが芳香族環を有しない環状ジイソシアネートである請求項1記載の樹脂組成物。
- 芳香族環を有しない環状ジイソシアネートがイソホロンジイソシアネート又はノルボルネンジイソシアネートから選ばれる少なくとも1種である請求項1又は2記載の樹脂組成物。
- ラジカル重合性官能基が(メタ)アクリロイル基である請求項1〜3のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 充填材(B)が銀粉である請求項1〜4のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 充填材(B)が樹脂組成物中に80重量%以上含まれる請求項1〜5のいずれか1項に記載の樹脂組成物。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の樹脂組成物をダイアタッチ材料又はヒートシンクアタッチ材料として用いて製作されることを特徴とする半導体装置。
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