JP4531568B2 - ホウケイ酸ガラス、ホウ酸塩ガラスおよび結晶化ホウ素含有材料を製造する方法 - Google Patents
ホウケイ酸ガラス、ホウ酸塩ガラスおよび結晶化ホウ素含有材料を製造する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4531568B2 JP4531568B2 JP2004557972A JP2004557972A JP4531568B2 JP 4531568 B2 JP4531568 B2 JP 4531568B2 JP 2004557972 A JP2004557972 A JP 2004557972A JP 2004557972 A JP2004557972 A JP 2004557972A JP 4531568 B2 JP4531568 B2 JP 4531568B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mol
- glass
- molten material
- melt
- content
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B5/00—Melting in furnaces; Furnaces so far as specially adapted for glass manufacture
- C03B5/02—Melting in furnaces; Furnaces so far as specially adapted for glass manufacture in electric furnaces, e.g. by dielectric heating
- C03B5/021—Melting in furnaces; Furnaces so far as specially adapted for glass manufacture in electric furnaces, e.g. by dielectric heating by induction heating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B5/00—Melting in furnaces; Furnaces so far as specially adapted for glass manufacture
- C03B5/02—Melting in furnaces; Furnaces so far as specially adapted for glass manufacture in electric furnaces, e.g. by dielectric heating
- C03B5/027—Melting in furnaces; Furnaces so far as specially adapted for glass manufacture in electric furnaces, e.g. by dielectric heating by passing an electric current between electrodes immersed in the glass bath, i.e. by direct resistance heating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B5/00—Melting in furnaces; Furnaces so far as specially adapted for glass manufacture
- C03B5/02—Melting in furnaces; Furnaces so far as specially adapted for glass manufacture in electric furnaces, e.g. by dielectric heating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B5/00—Melting in furnaces; Furnaces so far as specially adapted for glass manufacture
- C03B5/16—Special features of the melting process; Auxiliary means specially adapted for glass-melting furnaces
- C03B5/18—Stirring devices; Homogenisation
- C03B5/193—Stirring devices; Homogenisation using gas, e.g. bubblers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/064—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/07—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead
- C03C3/072—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P40/00—Technologies relating to the processing of minerals
- Y02P40/50—Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
- Y02P40/57—Improving the yield, e-g- reduction of reject rates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Description
本発明は、ホウ素含有材料を製造する方法に関する。特に、本発明は、溶融材料の誘導加熱を用いて、ホウ酸含有低アルカリ材料を製造する方法に関する。
B2O3 15〜75モル%、
SiO2 0〜40モル%、
Al2O3、Ga2O3、In2O3 0〜25モル%、
ΣM(II)O、M2(III)O3 15〜85モル%、
ΣM(IV)O2、M2(V)O5、M(VI)O3 0〜20モル%、および
ΣM(I)2O 0.50モル%未満が存在し、かつ
X(B2O3)が0.50より大きく、
上記式中、
X(B2O3)=B2O3/(B2O3+SiO2)、
M(I)=Li、Na、K、Rb、Cs、
M(II)=Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Pb、Cu、
M(III)=Sc、Y、57La−71Lu、Bi、
M(IV)=Ti、Zr、Hf、
M(V)=Nb、Ta、
M(VI)=Mo、W。
B2O3 36〜66モル%、
SiO2 0〜40モル%、
B2O3+SiO2 55〜68モル%、
Al2O3、Ga2O3、In2O3 0〜2モル%、
ΣM(II)O、M2(III)O3 27〜40モル%、および
ΣM(IV)O2、M2(V)O5、M(VI)O3 0〜15モル%が存在し、かつ
X(B2O3)が0.65より大きい。
B2O3 45〜66モル%、
SiO2 0〜12モル%、
B2O3+SiO2 55〜68モル%、
Al2O3、Ga2O3、In2O3 0〜0.5モル%、
ΣM(II)O 0〜40モル%、
ΣM2(III)O3 0〜27モル%、
ΣM(II)O、M2(III)O3 27〜40モル%、および
ΣM(IV)O2、M2(V)O5、M(VI)O3 0〜15モル%。この場合、さらに、B2O3およびSiO2の量的比率は、X(B2O3)が0.78より大きいように選択される。この種の方法では、二価金属イオン、すなわちM(II)、特にMg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Pbが添加される。さらに、このようにして得られる光学ガラスの透過は、溶融材料が強力に着色性であるCuOを全く含有しない場合に改善させることができる。網目修飾成分であるPbOおよびCdOは、有毒作用を有することが知られている。したがって、溶融物の組成においてこれらの構成成分を省くこと、ならびにPbOおよびCdOを含まない組成を選択することが好適であり、場合によっては法的要件となることさえある。
SiO2 1モル%未満、
Al2O3、Ga2O3、In2O3 0〜25モル%、
ΣM(II)O、M2(III)O3 20〜85モル%、および
ΣM(IV)O2、M2(V)O5、M(VI)O3 0〜20モル%が存在し、かつホウ酸塩および酸化ケイ素の量の比が、X(B2O3)が0.90より大きいように選択される、溶融材料の組成が選択される場合、本発明による方法のこの実施形態を用いて、例えばホウ酸塩ガラスだけでなく、結晶ホウ素含有材料、例えば、特にガラスセラミックを製造することが可能である。
B2O3 20〜50モル%、
SiO2 0〜40モル%、
Al2O3、Ga2O3、In2O3 0〜25モル%、
ΣM(II)O、M2(III)O3 15〜80モル%、および
ΣM(IV)O2、M2(V)O5、M(VI)O3 0〜20モル%であり、かつ
X(B2O3)が0.52より大きい組成が、溶融材料に関して選択される。
ΣM(II)Oとして 15〜80モル%であり、および
M2(III)O3として 0〜5モル%であり、かつ
X(B2O3)が0.60より大きい場合にさらに改善され得る。
B2O3 20〜50モル%、
SiO2 0〜40モル%、
Al2O3 0〜3モル%、
ΣZnO、PbO、CuO 15〜80モル%、
Bi2O3 0〜1モル%、および
ΣM(IV)O2、M2(V)O5、M(VI)O3 0〜0.5モル%である組成が、溶融材料に関して選択される。この実施形態では、さらに、その組成は、X(B2O3)が0.65より大きくなるように選択される。
B2O3 20〜50モル%、
SiO2 0〜40モル%、
Al2O3 0〜3モル%、
ΣZnO、PbO、CuO 15〜80モル%、
Bi2O3 0〜1モル%、および
ΣM(IV)O2、M2(V)O5、M(VI)O3 0〜0.5モル%。この場合、ホウ酸塩および酸化ケイ素の量的比率は、好適にはX(B2O3)が0.65より大きくなるように選択される。
装填:1240〜1260℃
精製:1280℃
静置:1240〜1200℃
注入:坩堝中でおよそ1200℃、供給機中でおよそ1100℃。
nd=1.71554 (1.71300)
vd=53.41 (53.83)
ΔPg,F=−0.0084 (−0.0083)
τi(400nm、25mm)=0.972 (0.94)。
1280℃で高周波加熱したスカル坩堝中で溶融。1400℃で白金精製チャンバ中で精製した後、以下の値が得られた:
nd=1.70712 (1.71300)
vd=53.68 (53.83)
ΔPg,F=−0.0084 (−0.0084)
τi(400nm、25mm)=0.965 (0.94)
τi(365nm、25mm)=0.831 (0.72)
Claims (38)
- 構成成分として、少なくとも25モル%の量的比率で、その金属イオンが少なくとも2の原子価を有する、少なくとも1つの金属酸化物を含むホウ素含有溶融材料であって、ホウ酸塩に対する二酸化ケイ素のモル物質量の比が0.5以下である溶融材料を、交流電磁場を用いた装置で直接、誘導加熱する、最大9モル%のアルカリ金属含有量を有するホウ酸塩含有低アルカリ材料を製造する方法において、該装置が、溶融材料が溶融されるスカル坩堝からなり、該スカル坩堝の壁は、互いに間隔をあけて配置された複数の冷却式管からなり、該複数の冷却式管の壁は2mm〜4mmの間隔をもって配置されていることを特徴とする方法。
- 前記溶融体は、高周波場を用いて直接、誘導加熱されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記溶融体は、50kHz〜1500kHzの範囲の周波数の交流電磁場を用いて直接、誘導加熱されることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 前記ホウ酸塩含有低アルカリ材料は、ホウ酸塩含有材料、ホウ酸塩ガラスまたは高ホウ酸含有量のホウケイ酸ガラスを含むことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記溶融材料中のアルカリ含有化合物の量的比率が2%未満であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記溶融材料中のアルカリ含有化合物の量的比率が0.5%未満であることを特徴とする、請求項5に記載の方法。
- 前記複数の冷却式管が互いに間隔をあけて配置され該複数の冷却式管の壁が2.5mm〜3.5mmの間隔をもって配置されていることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記スカル坩堝の前記冷却式管は、前記交流電磁場を放出するための高周波コイルの領域において短絡されることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法。
- 前記管は、それぞれ1つの位置で短絡されることを特徴とする、請求項8に記載の方法。
- 前記管は、それぞれ前記管の末端で短絡されることを特徴とする、請求項8に記載の方法。
- 前記冷却式管は、白金、白金合金またはアルミニウムから作製される管からなることを特徴とする、請求項1〜10のいずれか1項に記載の方法。
- 前記スカル坩堝の前記管は、白金または白金合金の層でコーティングされることを特徴とする、請求項1〜11のいずれか1項に記載の方法。
- 前記スカル坩堝の前記管は、プラスチックでコーティングされることを特徴とする、請求項1〜12のいずれか1項に記載の方法。
- 前記プラスチックがフッ素含有プラスチックであることを特徴とする、請求項13に記載の方法。
- バッチがペレットの形態で添加されることを特徴とする、請求項1〜12のいずれか1項に記載の方法。
- 前記溶融物は、前記バッチが溶融されながら攪拌されることを特徴とする、請求項1〜14のいずれか1項に記載の方法。
- ガスが前記溶融物に吹き込まれることを特徴とする、請求項1〜15のいずれか1項に記載の方法。
- バブリング管が前記溶融物に導入され、ガスが該バブリング管のノズルを通して前記溶融物に吹き込まれることを特徴とする、請求項16または17に記載の方法。
- 前記溶融材料は、精製されることを特徴とする、請求項1〜18のいずれか1項に記載の方法。
- 前記バッチは、少なくとも2つの直列接続された装置中で溶融および精製されることを特徴とする、請求項19に記載の方法。
- 前記バッチは、同じ装置中で溶融および精製されることを特徴とする、請求項19に記載の方法。
- 前記溶融材料は、前記装置中で不連続的に溶融されることを特徴とする、請求項1〜21のいずれか1項に記載の方法。
- 前記溶融材料は、前記装置中で連続して溶融されることを特徴とする、請求項1ないし22のいずれか1項に記載の方法。
- 前記溶融材料は、
B2O3 15〜75モル%、
SiO2 0〜40モル%、
Al2O3、Ga2O3、In2O3 0〜25モル%、
ΣM(II)O、M2(III)O3 15〜85モル%、
ΣM(IV)O2、M2(V)O5、M(VI)O3 0〜20モル%、および
ΣM(I)2O 0.50モル%未満が存在し、かつ
X(B2O3)が0.50より大きい、
上記式中、
X(B2O3)=B2O3/(B2O3+SiO2)、
M(I)=Li、Na、K、Rb、Cs、
M(II)=Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Pb、Cu、
M(III)=Sc、Y、57La−71Lu、Bi、
M(IV)=Ti、Zr、Hf、
M(V)=Nb、Ta、
M(VI)=Mo、W
である組成を有することを特徴とする、請求項1〜23のいずれか1項に記載の方法。 - 前記溶融物質中の前記B2O3含有量は、15〜75モル%であり、X(B2O3)は0.52より大きいことを特徴とする、請求項24に記載の方法。
- 前記溶融材料中で、B2O3の含有量は20〜70モル%であり、ΣM(II)O、M2(III)O3の含有量は15〜80モル%であり、X(B2O3)は0.55をより大きいことを特徴とする、請求項24または25に記載の方法。
- 前記溶融材料中で、B2O3の含有量は28〜70モル%であり、B2O3+SiO2の含有量は50〜73モル%であり、Al2O3、Ga2O3、In2O3の含有量は0〜10モル%であり、ΣM(II)O、M2(III)O3の含有量は27〜50モル%であり、X(B2O)は0.55より大きいことを特徴とする、請求項24〜26のいずれか1項に記載の方法。
- B2O3 36〜66モル%、
SiO2 0〜40モル%、
B2O3+SiO2 55〜68モル%、
Al2O3、Ga2O3、In2O3 0〜2モル%、
ΣM(II)O、M2(III)O3 27〜40モル%、
ΣM(IV)O2、M2(V)O5、M(VI)O3 0〜15モル%が存在し、かつ
X(B2O3)が0.65より大きい組成が、前記溶融材料に関して選択されることを特徴とする、請求項27に記載の方法。 - 光応用のホウ酸塩ガラスおよび高ホウ酸含有量のホウケイ酸ガラスの製造のための請求項1〜28のいずれか1項に記載の方法であって、前記溶融材料は、以下の組成:
B2O3 45〜66モル%、
SiO2 0〜12モル%、
B2O3+SiO2 55〜68モル%、
Al2O3、Ga2O3、In2O3 0〜0.5モル%、
ΣM(II)O 0〜40モル%、
ΣM2(III)O3 0〜27モル%、
ΣM(II)O、M2(III)O3 27〜40モル%、
ΣM(IV)O2、M2(V)O5、M(VI)O3 0〜15モル%を有し、かつ
X(B2O3)が0.78より大きい、M(II)=Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd、Pbであることを特徴とする方法。 - ホウ酸塩ガラスおよび結晶ホウ素含有材料の製造のための請求項1〜29のいずれか1項に記載の方法であって、前記溶融材料は、以下の含有量:
B2O3 30〜75モル%、
SiO2 1モル%未満、
Al2O3、Ga2O3、In2O3 0〜25モル%、
ΣM(II)O、M2(III)O3 20〜85モル%、および
ΣM(IV)O2、M2(V)O5、M(VI)O3 0〜20モル%が存在し、かつ
X(B2O3)が0.90より大きい組成を有することを特徴とする方法。 - 結晶ホウ素含有材料の製造のための請求項1〜30のいずれか1項に記載の方法であって、前記溶融材料は、
B2O3 20〜50モル%、
SiO2 0〜40モル%、
Al2O3、Ga2O3、In2O3 0〜25モル%、
ΣM(II)O、M2(III)O3 15〜80モル%、および
ΣM(IV)O2、M2(V)O5、M(VI)O3 0〜20モル%が存在し、かつ
X(B2O3)が0.52より大きい組成を有することを特徴とする方法。 - X(B2O3)は0.55より大きいことを特徴とする、請求項31に記載の方法。
- 前記量的比率が、
ΣM(II)O 15〜80モル%、および
M2(III)O3 0〜5モル%であり、かつ
X(B2O3)が0.60より大きいことを特徴とする、請求項31または32に記載の方法。 - Al2O3、Ga2O3およびIn2O3からなる群から選択される物質の量的比率は、5モル%を超えないことを特徴とする、請求項31〜33のいずれか1項に記載の方法。
- 前記溶融材料に関する前記組成は、Al2O3、Ga2O3およびIn2O3からなる群から選択される物質の量的比率が3モル%を超えず、かつΣM(II)Oの量的比率が15〜80モル%の範囲であり、かつX(B2O3)が0.65より大きく、M(II)=Zn、Pb、Cuであることを特徴とする、請求項31〜34のいずれか1項に記載の方法。
- B2O3 20〜50モル%、
SiO2 0〜40モル%、
Al2O3 0〜3モル%、
ΣZnO、PbO、CuO 15〜80モル%、
Bi2O3 0〜1モル%、および
ΣM(IV)O2、M2(V)O5、M(VI)O3 0〜0.5モル%が存在し、かつ
X(B2O3)が0.65より大きい組成が、前記溶融材料に関して選択されることを特徴とする、請求項1〜35のいずれか1項に記載の方法。 - 物質の量が、
B2O3 20〜42モル%、
SiO2 0〜38モル%、
ΣZnO、PbO 20〜68モル%、
CuO 0〜10モル%、
ΣZnO、PbO、CuO 20〜68モル%、および
Bi2O3 0〜0.1モル%であり、かつ
X(B2O3)が0.65より大きい組成が、前記溶融材料に関して選択されることを特徴とする、請求項36に記載の方法。 - PbOおよびCdOを含まない組成が、前記溶融材料に関して選択されることを特徴とする、請求項1〜37のいずれか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10257049A DE10257049B4 (de) | 2002-12-06 | 2002-12-06 | Verfahren zur Herstellung von Borosilicatgläsern, Boratgläsern und kristallisierenden borhaltigen Werkstoffen |
PCT/EP2003/013576 WO2004052797A1 (de) | 2002-12-06 | 2003-12-02 | Verfahren zur herstellung von borosilicatgläsern, boratgläsern und kristallisierenden borhaltigen werkstoffen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006508886A JP2006508886A (ja) | 2006-03-16 |
JP4531568B2 true JP4531568B2 (ja) | 2010-08-25 |
Family
ID=32336043
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004557972A Expired - Fee Related JP4531568B2 (ja) | 2002-12-06 | 2003-12-02 | ホウケイ酸ガラス、ホウ酸塩ガラスおよび結晶化ホウ素含有材料を製造する方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060128550A1 (ja) |
JP (1) | JP4531568B2 (ja) |
KR (1) | KR20050085384A (ja) |
CN (1) | CN100368326C (ja) |
AU (1) | AU2003293747A1 (ja) |
DE (1) | DE10257049B4 (ja) |
TW (1) | TWI336689B (ja) |
WO (1) | WO2004052797A1 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7790574B2 (en) * | 2004-12-20 | 2010-09-07 | Georgia Tech Research Corporation | Boron diffusion in silicon devices |
DE102007008299B4 (de) * | 2006-08-12 | 2012-06-14 | Schott Ag | Verfahren zur Herstellung von Gläsern, wobei die chemische Reduktion von Bestandteilen vermieden wird |
JP5126974B2 (ja) * | 2008-08-07 | 2013-01-23 | 一般財団法人電力中央研究所 | 誘導加熱による溶融炉および誘導加熱方法 |
US20120132282A1 (en) * | 2010-11-30 | 2012-05-31 | Bruce Gardiner Aitken | Alkali-free high strain point glass |
DE102009033501B4 (de) * | 2009-07-15 | 2016-07-21 | Schott Ag | Verfahren und Vorrichtung zum kontinuierlichen Schmelzen oder Läutern von Schmelzen |
DE102009047511A1 (de) | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Schott Ag | Hochbrechendes und hochtransparentes optisches Glas |
JP5770973B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2015-08-26 | 株式会社住田光学ガラス | 光学ガラスおよび光学素子 |
JP6113714B2 (ja) | 2011-04-21 | 2017-04-12 | ショット アクチエンゲゼルシャフトSchott AG | 高屈折率光学ガラス |
CN102311229A (zh) * | 2011-09-07 | 2012-01-11 | 成都光明光电股份有限公司 | 光学玻璃及光学元件 |
DE102012209531B4 (de) | 2012-06-06 | 2017-03-30 | Schott Ag | Hochbrechendes Optisches Glas |
DE102013225061B4 (de) * | 2013-12-06 | 2017-04-06 | Schott Ag | Hochbrechendes optisches Glas |
WO2016064806A1 (en) * | 2014-10-20 | 2016-04-28 | Navus Automation, Inc. | Fused silica furnace system & method for continuous production of fused silica |
AU2016265016B2 (en) * | 2015-05-21 | 2019-11-28 | Bnnt, Llc | Boron nitride nanotube synthesis via direct induction |
KR102525174B1 (ko) * | 2016-04-14 | 2023-04-24 | 코닝 인코포레이티드 | 프라세오디뮴(Praseodymium) 및 네오디뮴(Neodymium)을 갖는 멀티크로익(multichroic) 유리 |
RU2661959C1 (ru) * | 2017-04-07 | 2018-07-23 | федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) | Стекло |
CN112159102A (zh) * | 2020-10-16 | 2021-01-01 | 内蒙古科技大学 | 一种高释放量的负离子玻璃空气净化材料 |
CN116768639B (zh) * | 2023-06-30 | 2024-06-21 | 襄阳聚力新材料科技有限公司 | 含硼晶化物及使用该含硼晶化物结合剂的酸性炉衬材料 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1317870A (ja) * | 1961-03-21 | 1963-05-08 | ||
US3963505A (en) * | 1973-11-23 | 1976-06-15 | Technology Glass Corporation | Lead-zinc-boron sealing glass compositions |
FR2348163A1 (fr) * | 1976-04-16 | 1977-11-10 | Corning Glass Works | Verre a haut indice de refraction et faible densite |
JPS5446215A (en) * | 1977-09-21 | 1979-04-12 | Hitachi Ltd | Sealing glass |
US4358544A (en) * | 1980-07-04 | 1982-11-09 | Daniel Doncaster & Sons Limited | Single phase glass compositions for use in protective and lubricating coatings for the heat treatment and hot working of metals |
JPS6022660B2 (ja) * | 1980-09-27 | 1985-06-03 | 富士写真光機株式会社 | 可撓性を有する光学繊維束製造用酸溶出性ガラス |
US4906406A (en) * | 1988-07-21 | 1990-03-06 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thermistor composition |
DE4218377C1 (de) * | 1992-06-04 | 1993-10-14 | Schott Glaswerke | Optisches Kronglas mit negativer anomaler Teildispersion und hoher UV-Transmission |
US5648302A (en) * | 1996-09-13 | 1997-07-15 | Sandia Corporation | Sealing glasses for titanium and titanium alloys |
JP3377454B2 (ja) * | 1998-10-12 | 2003-02-17 | 株式会社オハラ | モールドプレス用光学ガラス |
FR2793241B1 (fr) * | 1999-05-06 | 2002-03-08 | Corning Inc | Composition de verre borate dope a l erbium |
DE19939780C2 (de) * | 1999-08-21 | 2002-02-14 | Schott Glas | Skulltiegel für das Erschmelzen oder das Läutern von Gläsern oder Glaskeramiken |
DE19939772C1 (de) * | 1999-08-21 | 2001-05-03 | Schott Glas | Skulltiegel für das Erschmelzen oder das Läutern von Gläsern |
DE19939782C1 (de) * | 1999-08-21 | 2001-05-17 | Schott Glas | Vorrichtung und Verfahren zum Erschmelzen oder Läutern von Gläsern oder Glaskeramiken |
DE19939771B4 (de) * | 1999-08-21 | 2004-04-15 | Schott Glas | Verfahren zur Läuterung von Glasschmelzen |
DE10002019C1 (de) * | 2000-01-19 | 2001-11-15 | Schott Glas | Vorrichtung zum Erschmelzen oder Läutern von anorganischen Substanzen insbesondere Gläsern oder Glaskeramiken |
KR100432450B1 (ko) * | 2000-12-21 | 2004-05-20 | 한국수력원자력 주식회사 | 중저준위 방사성 폐기물의 처리시스템 |
DE10133469B4 (de) * | 2001-07-10 | 2004-10-14 | Schott Glas | Vorrichtung zum Schmelzen hochreiner optischer Gläser |
-
2002
- 2002-12-06 DE DE10257049A patent/DE10257049B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-11-28 TW TW092133562A patent/TWI336689B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-12-02 KR KR1020057010204A patent/KR20050085384A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-12-02 WO PCT/EP2003/013576 patent/WO2004052797A1/de active Application Filing
- 2003-12-02 AU AU2003293747A patent/AU2003293747A1/en not_active Abandoned
- 2003-12-02 CN CNB2003801048489A patent/CN100368326C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-02 JP JP2004557972A patent/JP4531568B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-02 US US10/537,752 patent/US20060128550A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10257049A1 (de) | 2004-06-24 |
WO2004052797A1 (de) | 2004-06-24 |
DE10257049B4 (de) | 2012-07-19 |
US20060128550A1 (en) | 2006-06-15 |
AU2003293747A1 (en) | 2004-06-30 |
JP2006508886A (ja) | 2006-03-16 |
TW200422271A (en) | 2004-11-01 |
CN1720199A (zh) | 2006-01-11 |
KR20050085384A (ko) | 2005-08-29 |
TWI336689B (en) | 2011-02-01 |
CN100368326C (zh) | 2008-02-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4531568B2 (ja) | ホウケイ酸ガラス、ホウ酸塩ガラスおよび結晶化ホウ素含有材料を製造する方法 | |
US7763559B2 (en) | Glass substrate for display and display | |
JP6247229B2 (ja) | 高歪点アルミノシリケートガラス | |
KR101808346B1 (ko) | 높은 열 및 화학적 안정성을 갖는 무알칼리 유리, 이로부터 제조된 시트, 및 유리의 제조 방법 | |
JP5267464B2 (ja) | 無アルカリガラスの製造方法 | |
JP5857961B2 (ja) | 無アルカリカバーガラス組成物及びそれを用いた光取り出し部材 | |
JP7153241B2 (ja) | 無アルカリガラス基板の製造方法及び無アルカリガラス基板 | |
KR100929099B1 (ko) | 아웃게스된 프리트를 이용한 유리 제조 방법 | |
JP2015512849A5 (ja) | ||
KR101831480B1 (ko) | 기판용 무알칼리 유리 및 기판용 무알칼리 유리의 제조 방법 | |
JP2003146692A (ja) | ディスプレイパネル用のガラス組成物 | |
JP2007126296A (ja) | 光学ガラスの製造方法及び製造装置 | |
JP2011136884A (ja) | 光学ガラスの製造方法及び光学機器 | |
JP2005504708A (ja) | 高純度生物活性ガラスおよびその製造方法 | |
KR20090110337A (ko) | 무알칼리 유리의 제조 방법 | |
JP2009084073A (ja) | ガラスの製造方法 | |
CN109890771A (zh) | 无碱玻璃及其制造方法 | |
JP2007126298A (ja) | 光学ガラス | |
WO2019093129A1 (ja) | 無アルカリガラス基板の製造方法及び無アルカリガラス基板 | |
JP2008308376A (ja) | ディスプレイ装置用基板ガラス | |
JP2003073128A (ja) | 高純度光学ガラスの溶解および精製のための装置 | |
Meechoowas et al. | Alternative soda-lime glass batch to reduce energy consumption | |
JP5382609B2 (ja) | ガラス基板 | |
JP2008254975A (ja) | ガラス組成物、ガラス組成物からなるプリフォームおよび光学素子 | |
JP2008308375A (ja) | ディスプレイ装置用基板ガラス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061005 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090909 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20091209 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20091216 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100309 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100517 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100609 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4531568 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |