JP4529353B2 - 保護機能付き半導体装置 - Google Patents
保護機能付き半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4529353B2 JP4529353B2 JP2002533452A JP2002533452A JP4529353B2 JP 4529353 B2 JP4529353 B2 JP 4529353B2 JP 2002533452 A JP2002533452 A JP 2002533452A JP 2002533452 A JP2002533452 A JP 2002533452A JP 4529353 B2 JP4529353 B2 JP 4529353B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- electrode
- main
- protection
- mosfet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/78—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled
- H03K17/785—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used using opto-electronic devices, i.e. light-emitting and photoelectric devices electrically- or optically-coupled controlling field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
- H01L27/0266—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using field effect transistors as protective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0822—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K2017/0806—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage against excessive temperature
Description
(技術分野)
本発明は、微小なゲート駆動電流で動作することができ、かつ主トランジスタの異常がなくなったときに保護機能が自動的に解除される保護機能付き半導体装置に関するものである。
【0002】
(背景技術)
例えば、図11に示すような回路構成を有する保護機能付き半導体装置は、従来、知られている。図11に示す保護機能付き半導体装置は、外部ドレイン端子(第1主端子)Dと、外部ソース端子(第2主端子)Sと、外部ゲート端子(制御端子)Gとを備えた3端子型の半導体装置である。この半導体装置は、電源と負荷との間に挿入される。この半導体装置では、外部ドレイン端子Dと外部ソース端子Sとの間を通過する電流が、外部ゲート端子Gと外部ソース端子Sとの間に印加される制御電圧に応じて制御される。
【0003】
図11に示す半導体装置は、外部ドレイン端子Dと外部ソース端子Sとの間に挿入され制御電圧に応じてオン・オフする主MOSFET1と、主MOSFET1を保護する保護回路3’とを備えている。ここで、保護回路3’は、主MOSFET1のゲート電極とソース電極との間に挿入された保護用MOSFET5’と、主MOSFET1に熱的に結合された温度検出部であるダイオードアレイ31と、ゲート電極とソース電極との間にダイオードアレイ31が挿入されたMOSFET35と、ドレイン電極とゲート電極とが互いに接続されたMOSFET37、38と、MOSFET37のドレイン電極とソース電極との間に挿入されゲート電極がMOSFET35のドレイン電極に接続されたMOSFET36とを備えている。この回路構成によれば、ダイオードアレイ31によって検出された温度が所定値以上になると、主MOSFET1が遮断され、外部ゲート端子Gへの入力がリセットされるまで主MOSFET1の遮断状態が保持される。すなわち、ダイオードアレイ31によって検出された温度が所定値以上になると、MOSFET35のゲート電圧がしきい値電圧よりも低くなる。これにより、MOSFET35がオフとなり、MOSFET36がオンとなり、MOSFET37、38がオフとなる。その結果、保護用MOSFET5’がオンとなり、主MOSFET1のゲート電極とソース電極との間が短絡し、主MOSFET1はオフとなる。
【0004】
上記従来の保護機能付き半導体装置は、保護回路3’が主MOSFET1のゲート電極に印加する電圧を電源として動作する。したがって、保護回路3’と主MOSFET1との両方に電力を供給する必要がある。この場合、例えば最小でも0.1mAのゲート駆動電流を流すことができる駆動回路が必要である。このため、微小なゲート駆動電流しか得られない光起電力素子の起電力を用いたドライブや、コンデンサを介して伝達される交流信号を整流して得られる電力によるドライブは難しいといった不具合がある。
【0005】
また、上記従来の保護機能付き半導体装置では、過熱時に、ダイオードアレイ31によって検出される温度が所定値以上になると、主MOSFET1が遮断される。この主MOSFET1の遮断状態は、外部ゲート端子Gへの入力がリセットされるまで継続される。したがって、再起動(復帰)する際には、外部ゲート端子Gに印加する制御電圧を0Vにリセットする必要がある。
【0006】
なお、図11に示す保護機能付き半導体装置を2つ設け、外部ソース電極S同士を共通接続するとともに、外部ゲート端子G同士を共通接続して、双方向にスイッチングを行うことも可能である。しかし、この場合、外部ソース電極Sから外部ドレイン電極Dに向かって電流が流れるときに、保護回路3’の保護用MOSFET5’が誤動作するおそれがある。
【0007】
(発明の開示)
本発明は上記従来の問題を解決するためになされたものであって、微小なゲート駆動電流で動作することができ、かつ主トランジスタの異常がなくなったときに保護機能が自動的に解除される保護機能付き半導体装置を提供することを目的とする。
【0008】
本発明の第1の態様にかかる、電源と負荷との間に挿入され、第1主端子と第2主端子との間を通過する電流が、制御端子と第2主端子との間に印加される制御電圧に応じて制御される保護機能付き半導体装置は、(i)第1主端子と第2主端子との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の主トランジスタ、(ii)主トランジスタの制御電極と基準電極との間に挿入された、電圧駆動型の保護用トランジスタ、(iii)第1主端子と第2主端子との間に挿入され、異常を検出すると保護用トランジスタを介して、主トランジスタを保護する保護回路、(iv)第1主端子と保護回路との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の検出用トランジスタ、及び(v)制御端子と検出用トランジスタの制御電極との接続点と、保護用トランジスタとの間に挿入されたインピーダンス素子とを含み、(vi)保護回路は、上記電源から、第1主端子及び検出用トランジスタを介して電力が供給されることを特徴とする。
【0009】
この半導体装置によれば、第1主端子と第2主端子との間に挿入され、異常を検出すると保護用トランジスタを介して主トランジスタを保護する保護回路に、電源から、第1主端子及び検出用トランジスタを介して電力が供給される。このため、従来のように、駆動回路から、保護回路及び主MOSFETの両方に電力を供給する必要がない。これにより、半導体装置は、微小なゲート駆動電流で動作することができる。また、主トランジスタの異常がなくなったときに、主トランジスタを保護していた保護機能が自動的に解除される。
【0010】
さらに、バイポーラトランジスタのような電流駆動型のトランジスタではなく、電圧駆動型のトランジスタであるから、1つの基板に構成することができる。
【0011】
本発明の第2の態様にかかる保護機能付き半導体装置は、上記第1の態様にかかる半導体装置において、保護用トランジスタの基準電極と保護回路との接続点と、第2主端子との間に、第2主端子から保護用トランジスタ及び保護回路に電流が流れるのを阻止する極性で挿入された逆流防止用ダイオードを含んでいることを特徴とする。
【0012】
この半導体装置によれば、第2主端子から第1主端子へ電流が流れるときに保護回路に電流が流れるのを阻止することができ、保護回路の誤動作を防止することができる。
【0013】
本発明の第3の態様にかかる保護機能付き半導体装置は、それぞれ、電源と負荷との間に挿入され、第1主端子と第2主端子との間を通過する電流が、制御端子と第2主端子との間に印加される制御電圧に応じて制御される2つの半導体装置コンポーネントを有し、2つの半導体装置コンポーネントの第2主端子同士が共通接続され、かつ制御端子同士が共通接続されている。各半導体装置コンポーネントは、(i)第1主端子と第2主端子との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の主トランジスタ、(ii)主トランジスタの制御電極と基準電極との間に挿入された、電圧駆動型の保護用トランジスタ、(iii)第1主端子と第2主端子との間に挿入され、異常を検出すると保護用トランジスタを介して、主トランジスタを保護する保護回路、(iv)第1主端子と保護回路との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の検出用トランジスタ、(v)制御端子と検出用トランジスタの制御電極との接続点と、保護用トランジスタとの間に挿入されたインピーダンス素子、及び(vi)保護用トランジスタの基準電極と保護回路との接続点と、第2主端子との間に、第2主端子から保護用トランジスタ及び保護回路に電流が流れるのを阻止する極性で挿入された逆流防止用ダイオードを含んでいることを特徴とする。
【0014】
この半導体装置によれば、双方向スイッチングを行う際に、保護回路の誤動作を防止することができる。また、第1主端子と第2主端子との間に挿入され、異常を検出すると保護用トランジスタを介して主トランジスタを保護する保護回路が、電源から、第1主端子及び検出用トランジスタを介して、電力が供給される。このため、従来のように、駆動回路から、保護回路及び主MOSFETの両方に電力を供給する必要がない。これにより、半導体装置は、微小なゲート駆動電流で動作することができる。また、主トランジスタの異常がなくなったときに、主トランジスタを保護していた保護機能が自動的に解除される。
【0015】
本発明の第3の態様にかかる半導体装置においては、(a)入力信号により点灯・消灯する発光素子、及び(b)発光素子に光結合され、起電力を発生する光起電力素子が設けられ、(c)上記起電力が、制御端子と第2主端子との間に印加されるのが好ましい。この場合、入力端子と出力端子とを絶縁することができる。
【0016】
本発明の第3の態様にかかる半導体装置においては、交流信号を整流して得た電圧が、制御端子と第2主端子との間に印加されるのも好ましい。この場合、入力端子と出力端子とを、直流的に絶縁することができる。
【0017】
本発明の第1の態様にかかる半導体装置においては、(a)主トランジスタ、検出用トランジスタ及び保護用トランジスタは、それぞれ、一方電極と基準電極をなす他方電極との間が、他方電極と制御電極との電圧差によって駆動され、(b)保護回路は、主トランジスタに熱的に結合された、半導体からなる負温度特性素子と、一方電極が保護用トランジスタの制御電極に接続され、他方電極が負温度特性素子の一端及び保護用トランジスタの他方電極に接続され、制御電極が負温度特性素子の他端に接続された電圧駆動型の保護回路用トランジスタとを含み、(c)保護回路用トランジスタは、検出用トランジスタを介して電力が供給されるよう、第1主端子と第2主端子との間に挿入され、第1主端子と第2主端子との間の電位上昇に応じて両電極間が遮断されるように制御電極が接続されているのも好ましい。この場合、さらに保護用トランジスタ及び保護回路用トランジスタの各他方電極と、第2主端子との間に、第2主端子から保護用トランジスタ及び保護回路に電流が流れるのを阻止する極性で挿入された逆流防止用ダイオードを含んでいるのがより好ましい。ここで、主トランジスタ、検出用トランジスタ及び保護用トランジスタは、それぞれ、一方電極としてドレイン電極を有し、他方電極としてソース電極を有し、制御電極としてゲート電極を有するMOSFETであってもよい。
【0018】
本発明の第1の態様にかかる半導体装置においては、(a)検出用トランジスタが、2つ以上の検出用トランジスタコンポーネントで構成され、(b)主トランジスタ、検出用トランジスタ及び保護用トランジスタは、それぞれ、一方電極と基準電極をなす他方電極との間が、他方電極と制御電極との電位差によって駆動され、(c)保護回路は、主トランジスタに熱的に結合された、半導体からなる負温度特性素子と、一方電極が保護用トランジスタの制御電極に接続され、他方電極が負温度特性素子の一端及び保護用MOSFETの他方電極に接続され、制御電極が負温度特性素子の他端に接続された電圧駆動型の保護回路用トランジスタとを含み、(d)保護回路用トランジスタは、検出用トランジスタコンポーネントのいずれかを介して電力が供給されるよう、第1主端子と第2主端子との間に挿入され、第1主端子と第2主端子との間の電位上昇に応じて両電極間が遮断されるよう制御電極が接続されているのも好ましい。この場合、保護用トランジスタ及び保護回路用トランジスタの各他方電極と第2主端子との間に、第2主端子から保護用トランジスタ及び保護回路に電流が流れるのを阻止する極性で挿入された逆流防止用ダイオードを含んでいるのがより好ましい。ここで、主トランジスタ、検出用トランジスタ及び保護用トランジスタは、それぞれ、一方電極としてドレイン電極を有し、他方電極としてソース電極を有し、制御電極としてゲート電極を有するMOSFETであってもよい。
【0019】
本発明の第1の態様にかかる半導体装置においては、(a)主トランジスタ、検出用トランジスタ及び保護用トランジスタは、それぞれ、MOSFETからなり、(b)保護回路は、それぞれ一端が検出用トランジスタのソース電極に共通接続された第2、第3及び第4インピーダンス素子と、それぞれソース電極が第2主端子に共通接続された第1、第2及び第3MOSFETと、第2MOSFETのドレイン電極とソース電極との間にドレイン電極側がアノードとなるように接続されかつ主MOSFETに熱的に結合されたダイオードアレイとを含み、(c)第2インピーダンス素子の他端が第1MOSFETのドレイン電極に接続され、第3インピーダンス素子の他端が第2MOSFETのドレイン電極に接続され、第4インピーダンス素子の他端が第3MOSFETのドレイン電極に接続され、第1MOSFETのゲート電極が第2MOSFETのドレイン電極に接続され、第2MOSFETのゲート電極が第3MOSFETのドレイン電極に接続され、第3MOSFETのゲート電極が第1MOSFETのドレイン電極に接続され、保護用トランジスタのゲート電極が第1MOSFETのドレイン電極に接続され、保護用トランジスタのソース電極が主トランジスタのソース電極に接続され、保護用トランジスタのドレイン電極が主トランジスタのゲート電極に接続されているのも好ましい。この場合、ダイオードアレイの個々のダイオード及び各インピーダンス素子を、MOSFETのゲート電極材料を利用して形成すれば、ダイオードアレイ、各インピーダンス素子及び各MOSFETを、同一基板上に簡単なプロセスで形成することができる。
【0020】
本発明の第2の態様にかかる半導体装置においては、(a)主トランジスタ、検出用トランジスタ及び保護用トランジスタは、それぞれ、MOSFETからなり、(b)保護回路は、それぞれ一端が検出用トランジスタのソース電極に共通接続された第2、第3及び第4インピーダンス素子と、それぞれソース電極が逆流防止用ダイオードのアノードに共通接続された第1、第2及び第3MOSFETと、第2MOSFETのドレイン電極と主トランジスタのソース電極との間にドレイン電極側がアノードとなるように接続されかつ主トランジスタに熱的に結合されたダイオードアレイとを含み、(c)第2インピーダンス素子の他端が第1MOSFETのドレイン電極に接続され、第3インピーダンス素子の他端が第2MOSFETのドレイン電極に接続され、第4インピーダンス素子の他端が第3MOSFETのドレイン電極に接続され、第1MOSFETのゲート電極が第2MOSFETのドレイン電極に接続され、第2MOSFETのゲート電極が第3MOSFETのドレイン電極に接続され、第3MOSFETのゲート電極が第1MOSFETのドレイン電極に接続され、保護用トランジスタのゲート電極が第1MOSFETのドレイン電極に接続され、保護用トランジスタのソース電極が逆流防止用ダイオードを介して主トランジスタのソース電極に接続され、保護用トランジスタのドレイン電極が主トランジスタのゲート電極に接続されているのも好ましい。この場合、ダイオードアレイの個々のダイオード、逆流防止用ダイオード及び各インピーダンス素子を、MOSFETのゲート電極材料を利用して形成すれば、これらを同一基板上に簡単なプロセスで形成することができる。
【0021】
本発明の第2の態様にかかる半導体装置においては、(a)検出用トランジスタが第1検出用トランジスタと第2検出用トランジスタとで構成され、(b)主トランジスタ、第1検出用トランジスタ、第2検出用トランジスタ及び保護用トランジスタが、それぞれMOSFETからなり、(c)上記インピーダンス素子が第1インピーダンス素子とされ、(d)保護回路は、それぞれ一端が第1検出用トランジスタのソース電極に共通接続された第2及び第3インピーダンス素子と、それぞれソース電極が主トランジスタのソース電極に共通接続された第1、第2MOSFETと、第2MOSFETのドレイン電極とソース電極との間にドレイン電極側がアノードとなるように接続されかつ主トランジスタに熱的に結合されたダイオードアレイと、一端が第2検出用トランジスタのソース電極に接続され他端が主トランジスタのソース電極に接続された第4インピーダンス素子とを含み、(e)第2インピーダンス素子の他端が第1MOSFETのドレイン電極に接続され、第3インピーダンス素子の他端が第2MOSFETのドレイン電極に接続され、第1MOSFETのゲート電極が第2MOSFETのドレイン電極に接続され、第2MOSFETのゲート電極が第2検出用トランジスタのソース電極に接続され、保護用トランジスタのゲート電極が第1MOSFETのドレイン電極に接続され、保護用トランジスタのソース電極が主トランジスタのソース電極と接続され、保護用トランジスタのドレイン電極が主トランジスタのゲート電極に接続され、第1検出用トランジスタのゲート電極が第1インピーダンス素子を介して主トランジスタのゲート電極に接続され、第2検出用トランジスタのゲート電極が主トランジスタのゲート電極に接続されているのも好ましい。この場合、ダイオードアレイの個々のダイオード及び各インピーダンス素子を、MOSFETのゲート電極材料を利用して形成すれば、これらを同一基板上に簡単なプロセスで形成することができる。
【0022】
本発明の第2の態様にかかる半導体装置においては、(a)検出用トランジスタが第1検出用トランジスタと第2検出用トランジスタとで構成され、(b)主トランジスタ、第1検出用トランジスタ、第2検出用トランジスタ及び保護用トランジスタが、それぞれMOSFETからなり、(c)上記インピーダンス素子が第1インピーダンス素子とされ、(d)保護回路は、それぞれ一端が第1検出用トランジスタのソース電極に共通接続された第2、第3インピーダンス素子と、それぞれソース電極が逆流防止用ダイオードのアノードに共通接続された第1、第2MOSFETと、第2MOSFETのドレイン電極と主トランジスタのソース電極との間にドレイン電極側がアノードとなるように接続されかつ主トランジスタに熱的に結合されたダイオードアレイと、一端が第2検出用トランジスタのソース電極に接続され他端が主トランジスタのソース電極に接続された第4インピーダンス素子とを含み、(e)第2インピーダンス素子の他端が第1MOSFETのドレイン電極に接続され、第3インピーダンス素子の他端が第2MOSFETのドレイン電極に接続され、第1MOSFETのゲート電極が第2MOSFETのドレイン電極に接続され、第2MOSFETのゲート電極が第2検出用トランジスタのソース電極に接続され、保護用トランジスタのゲート電極が第1MOSFETのドレイン電極に接続され、保護用トランジスタのソース電極が逆流防止用ダイオードを介して主トランジスタのソース電極に接続され、保護用トランジスタのドレイン電極が主トランジスタのゲート電極に接続され、第1検出用トランジスタのゲート電極が第1インピーダンス素子を介して主トランジスタのゲート電極に接続され、第2検出用トランジスタのゲート電極が主トランジスタのゲート電極に接続されているのも好ましい。この場合、ダイオードアレイの個々のダイオード、逆流防止用ダイオード及び各インピーダンス素子を、MOSFETのゲート電極材料を利用して形成すれば、これらを同一基板上に簡単なプロセスで形成することができる。
【0023】
本発明の第1又は第2の態様にかかる半導体装置においては、主トランジスタ、検出用トランジスタ、保護用トランジスタ、保護回路及びインピーダンス素子が同一基板上に形成されているのが好ましい。この場合、ディスクリート部品を組み合わせて構成する場合に比べて、半導体装置を小型化することができる。さらに、構成素子の特性を均一化することができる。また、主トランジスタ、検出用トランジスタ、保護用トランジスタを、それぞれMOSFETにより形成する際に、インピーダンス素子をMOSFETのゲート電極材料であるポリシリコンを用いて形成することができる。このため、半導体装置の製造プロセスを簡素化することができる。さらに、保護回路に、例えば温度検出用素子としてダイオードアレイを設ける際に、ダイオードアレイの個々のダイオードを、MOSFETのゲート電極材料であるポリシリコンを用いて形成することができる。
【0024】
(発明を実施するための最良の形態)
本発明は、後記の詳細な説明及び添付の図面により、より十分に理解されるであろう。
本願は、日本国で出願された特願2000−300894号に基づくものであり、その内容はここに全面的に組み込まれている。
【0025】
(実施形態1)
以下、本発明の実施の形態1を説明する。
図1に示すように、実施形態1にかかる保護機能付き半導体装置は、外部ドレイン端子Dと、外部ソース端子Sと、外部ゲート端子Gとを備えた3端子型の半導体装置である。この半導体装置は、電源と負荷との間に挿入されている。この半導体装置では、外部ドレイン端子Dと外部ソース端子Sとの間を通過する電流が、外部ゲート端子Gと外部ソース端子Sとの間に印加される制御電圧に応じて制御される。実施形態1では、外部ドレイン端子Dが第1の主端子を構成し、外部ソース端子Sが第2の主端子を構成し、外部ゲート端子Gが制御端子を構成している。
【0026】
この半導体装置は、主MOSFET1と、検出用MOSFET2と、保護回路3と、第1インピーダンス素子4と、保護用MOSFET5とを備えている。主MOSFET1は、外部ドレイン端子Dと外部ソース端子Sとの間に挿入され、制御電圧に応じてオン・オフする。保護用MOSFET5は、主MOSFET1のゲート電極(制御電極)とソース電極(基準電極)との間に挿入されている。保護回路3は、外部ドレイン端子Dと外部ソース端子Sとの間に挿入され、異常を検出したときに、保護用MOSFET5を介して、主MOSFET1を保護する。検出用MOSFET2は、外部ドレイン端子Dと保護回路3との間に挿入され、制御電圧に応じてオン・オフする。第1インピーダンス素子4は、抵抗体からなり、外部ゲート端子Gと検出用MOSFET2のゲート電極(制御電極)との接続点と、保護用MOSFET5との間に挿入されている。
【0027】
ここで、保護回路3は、電源から、外部ドレイン端子Dと検出用MOSFET2とを介して、電力が供給される。実施形態1では、主MOSFET1が電圧駆動型の主トランジスタを構成し、検出用MOSFET2が電圧駆動型の検出用トランジスタを構成し、保護用MOSFET5が保護用トランジスタを構成している。
【0028】
図2は、図1に示す回路をより具体的に示している。保護回路3は、ダイオードアレイ31と、第2〜第4インピーダンス素子32〜34と、第1〜第3MOSFET44〜46とを備えている。第2〜第4インピーダンス素子32〜34は、それぞれ、抵抗体からなり、一端が検出用MOSFET2のソース電極に共通接続されている。第1〜第3MOSFET44〜46は、それぞれ、そのソース電極が外部ソース端子Sに共通接続されている。なお、第1MOSFET44は、保護回路用のMOSFETである。ダイオードアレイ31は、第2MOSFET45のドレイン電極とソース電極との間に、ドレイン電極側がアノードとなるように挿入され、かつ主MOSFET1に熱的に結合されている。
【0029】
保護回路3において、第2インピーダンス素子32の他端は、第1MOSFET44のドレイン電極に接続されている。第3インピーダンス素子33の他端は、第2MOSFET45のドレイン電極に接続されている。第4インピーダンス素子34の他端は、第3MOSFET46のドレイン電極に接続されている。第1MOSFET44のゲート電極は、第2MOSFET45のドレイン電極に接続されている。第2MOSFET45のゲート電極は、第3MOSFET46のドレイン電極に接続されている。第3MOSFET46のゲート電極は、第1MOSFET44のドレイン電極に接続されている。
【0030】
保護用MOSFET5のゲート電極(制御電極)は、第1MOSFET44のドレイン電極に接続されている。保護用MOSFET5のソース電極(基準電極)は、主MOSFET1のソース電極に接続されている。保護用MOSFET5のドレイン電極は、主MOSFET1のゲート電極に接続されている。
【0031】
以下、実施形態1にかかる保護機能付き半導体装置の動作を説明する。外部ゲート端子Gと外部ソース端子Sとの間に制御電圧が印加されていないときは、主MOSFET1及び検出用MOSFET2は、両方ともオフ状態にあり、外部ドレイン端子Dと外部ソース端子Sとの間には電流は流れない。つまり、負荷電流は流れない。
【0032】
これに対して、外部ゲート端子Gと外部ソース端子Sとの間に制御電圧が印加されているときは、主MOSFET1及び検出用MOSFET2のそれぞれのゲート電圧(ゲート電極とソース電極の間の電圧)がしきい値以上になると、主MOSFET1及び検出用MOSFET2はオンになる。これにより、外部ドレイン端子Dと外部ソース端子Sとの間に、負荷電流が流れる。ここで、外部ゲート端子Gと外部ソース端子Sとの間への制御電圧の印加が停止されると、主MOSFET1及び検出用MOSFET2はオフになる。このとき、外部ドレイン端子Dと外部ソース端子Sとが遮断され、負荷電流は流れない。
【0033】
保護回路3は、図2に示すように接続されたインピーダンス素子32〜34及びMOSFET44〜46を備えている。各インピーダンス素子32〜34の定数は、各MOSFET44〜46の寄生容量を利用して、外部ドレイン端子Dと外部ソース端子Sとの間に規定電圧以上の電圧が印加されたときに発振動作するように設定されている。したがって、保護回路3においては、外部ゲート端子Gと外部ソース端子Sとの間に制御電圧が印加されて主MOSFET1及び検出用MOSFET2がオンとなっているときに、外部ドレイン端子Dと外部ソース端子Sとの間に規定電圧以上の電圧が印加され、各MOSFET44〜46のゲート電圧がしきい値以上となるような電圧が検出用MOSFET2のソース電極と外部ソース端子Sとの間に発生すると、各MOSFET44〜46が発振動作を開始する。かくして、保護用MOSFET5はオン・オフ動作する。
【0034】
ここで、保護用MOSFET5がオンのときは、主MOSFET1のゲート電極とソース電極とが短絡され、主MOSFET1がオフになる。他方、保護用MOSFET5がオフのときは、主MOSFET1がオンになる。要するに、主MOSFET1及び検出用MOSFET2がオンのときに、外部ドレイン端子Dと外部ソース端子Sとの間に規定電圧以上の電圧が印加されると、保護回路3が保護用MOSFET5を介して主MOSFET1をオン・オフ動作させる。これにより、主MOSFET1を流れる電流が制限され、主MOSFET1が保護される。
【0035】
また、保護回路3においては、ダイオードアレイ31は主MOSFET1に熱的に結合され、ダイオードアレイ31を構成する個々のダイオードの順方向電圧は負の温度特性を有する。このため、主MOSFET1が発熱してその温度が上昇すると、ダイオードアレイ31の両端電圧が低下する。ここで、ダイオードアレイ31の両端電圧が第1MOSFET44のしきい値電圧未満になると、第1MOSFET44はオフに維持される。これにより、保護用MOSFET5がオンに維持され、主MOSFET1のゲート電極とソース電極とが短絡されて主MOSFET1がオフに維持される。
【0036】
この場合、保護用MOSFET5がオンであっても、外部ゲート端子Gと検出用MOSFET2のゲート電極との接続点と、保護用MOSFET5のドレイン電極との間に第1インピーダンス素子4が挿入されているので、検出用MOSFET2はオンを維持する。ここで、主MOSFET1がオフとなり、主MOSFET1の温度が低下してダイオードアレイ31の両端電圧が第2MOSFET45のしきい値電圧以上となると、各MOSFET44〜46が発振動作を再開する。その結果、主MOSFET1もオン・オフを繰り返す。
【0037】
そして、外部ドレイン端子Dと外部ソース端子Sとの間の電圧が規定電圧より低くなると、保護回路3の動作は停止して主MOSFET1はオンになる。なお、定常状態において主MOSFET1及び検出用MOSFET2の両方がオンのときは、検出用MOSFET2を流れる電流は主MOSFET1を流れる電流に比べて十分に小さい。したがって、検出用MOSFET2に供給される電力は、主MOSFET1に供給される電力に比べて十分に小さい。
【0038】
要するに、保護回路3は、次の機能を有している。なお、実施形態1では、ダイオードアレイ31は温度検出部を構成している。
【0039】
(a)第1保護機能:主MOSFET1がオンの状態で外部ドレイン端子Dと外部ソース端子Sとの間に規定電圧以上の電圧が印加されたとき(つまり、主MOSFET1に過電流が流れたとき)に発振動作して保護用MOSFET5をオン・オフさせることにより、主MOSFET1をオン・オフさせて主MOSFET1を保護する。
【0040】
(b)第2保護機能:ダイオードアレイ31によって検出された温度が所定値(ダイオードアレイ31の両端電圧が第1MOSFET44のしきい値電圧になるときの温度)に達したときに保護用MOSFET5をオンに維持させることにより、主MOSFET1をオフに維持させて主MOSFET1を保護する。
【0041】
(c)復帰機能:検出された温度が所定値よりも低くなったとき(ダイオードアレイ31の両端電圧が第1のMOSFET44のしきい値電圧よりも低くなったとき)に、主MOSFET1を保護する第2保護機能を自動的に解除する。
【0042】
このように、実施形態1にかかる保護機能付き半導体装置では、外部ドレイン端子Dと外部ソース端子Sとの間に挿入され、異常を検出すると保護用MOSFET5を介して主MOSFET1を保護する保護回路3には、電源から、外部ドレイン端子Dと検出用MOSFET2とを介して電力が供給される。このため、図11に示す従来の保護機能付き半導体装置のように、保護回路3’及び主MOSFET1の両方に駆動回路から電力を供給する必要はない。したがって、実施形態1にかかる半導体装置は、微小なゲート駆動電流で動作することができ、また主MOSFET1の異常がなくなったときに主MOSFET1を保護する機能が自動的に解除される。
【0043】
図3に示すように、実施形態1にかかる保護機能付き半導体装置では、主MOSFET1と、検出用MOSFET2と、保護回路3と、第1インピーダンス素子4と、保護用MOSFET5とが1つのn形シリコン基板10に形成されている。なお、図3では、保護用MOSFET5、第2、第3MOSFET45、46の図示は省略されているが、これらの構造は第1MOSFET44の構造と同様である。第1、第3、第4インピーダンス素子4、33、34の図示も省略されているが、これらの構造は第2インピーダンス素子32の構造と同様である。また、n形シリコン基板10の裏面には、ドレイン電極(図示せず)が形成され、このドレイン電極は外部ドレイン端子Dに接続されている。
【0044】
この半導体装置において、主MOSFET1は、多数の小信号MOSFETが並列に接続されたものである。個々の小信号MOSFETにおいては、n形シリコン基板10に形成されたp形ウェル領域11内に、ソース領域12が形成されている。ゲート電極13同士は共通接続され、かつソース電極14が各ソース領域12に共通接続されている。検出用MOSFET2においては、n形シリコン基板10に形成されたp形ウェル領域21内に、ソース領域22が形成されている。ソース領域22にはソース電極24が接続され、ゲート電極23は外部ゲート端子Gに接続されている。第1MOSFET44においては、n形シリコン基板10に形成されたp形ウェル領域51内に、ドレイン領域52とソース領域53とが離間して形成されている。ドレイン領域52上にドレイン電極55が設けられ、ソース領域53上にソース電極56が設けられている。
【0045】
主MOSFET1、検出用MOSFET2及び第1MOSFET32のそれぞれのゲート電極13、23、53は、ポリシリコンで形成されている。第2インピーダンス素子32は、ポリシリコン層32aと、該ポリシリコン層32aに設けられた1対の電極32b、32cとで構成されている。ダイオードアレイ31の個々のダイオードは、第1導電形(例えばn形)のポリシリコン層31aと、第2導電形(例えばp形)のポリシリコン層31bと、ポリシリコン層31aに設けられた電極31cと、ポリシリコン層31bに設けられた電極31dとで構成されている。
【0046】
実施形態1では、主MOSFET1と、検出用MOSFET2と、保護用MOSFET5と、保護回路3と、インピーダンス素子4とが同一基板上に形成されているので、該半導体装置は、ディスクリート部品を組み合わせて構成する場合に比べて小型化される。さらに、半導体装置を構成する素子の特性が均一化される(例えば、保護用MOSFET5及び各MOSFET44〜46の特性が均一化される)。また、第1インピーダンス素子4、ダイオードアレイ31の個々のダイオード、保護回路3の各インピーダンス素子32〜34が、MOSFETのゲート電極材料であるポリシリコンで形成される。このため、図2に示す回路構成を備えた保護機能付き半導体装置は、一般的な半導体製造技術を用いて製造されることができ、プロセスが簡素化される。しかし、図2に示す回路構成を備えた保護機能付き半導体装置が、ディスクリート部品の組み合わせにより構成されてもよいことはもちろんである。
【0047】
さらに、バイポーラトランジスタのような電流駆動型のトランジスタではなく、電圧駆動型のトランジスタであるから、1つの基板に構成することができる。主MOSFET1の入力容量が大きくて保護回路3の発振に主MOSFET1が追従できない場合、規定電圧以上の電圧が外部ドレイン端子Dと外部ソース端子Sとの間に印加されると、保護回路3は外部ドレイン端子Dと外部ソース端子Sとの間を流れる電流を制限するよう動作する。さらに、半導体装置が発熱して所定温度以上になるとオフ状態となり、所定温度未満になると自己復帰するよう動作する。
【0048】
(実施形態2)
以下、本発明の実施形態2を説明する。
図4に示すように、実施形態2にかかる保護機能付き半導体装置は、外部ドレイン端子Dと、外部ソース端子Sと、外部ゲート端子Gとを備えた3端子型の半導体装置である。この半導体装置は、電源と負荷との間に挿入されている。この半導体装置においては、外部ドレイン端子Dと外部ソース端子Sとの間を通過する電流が、外部ゲート端子Gと外部ソース端子Sとの間に印加される制御電圧に応じて制御される。実施形態2では、外部ドレイン端子Dが第1主端子を構成し、外部ソース端子Sが第2主端子を構成し、外部ゲート端子Gが制御端子を構成している。
【0049】
この半導体装置は、主MOSFET1と、第1、第2検出用MOSFET2a、2bと、保護回路3と、第1インピーダンス素子4と、保護用MOSFET5とを備えている。主MOSFET1は、外部ドレイン端子Dと外部ソース端子Sとの間に挿入され、制御電圧に応じてオン・オフする。保護用MOSFET5は、主MOSFET1のゲート電極(制御電極)とソース電極(基準電極)との間に挿入されている。保護回路3は、外部ドレイン端子Dと外部ソース端子Sとの間に挿入され、異常を検出すると保護用MOSFET5を介して主MOSFET1を保護する。第1、第2検出用MOSFET2a、2bは、それぞれ、外部ドレイン端子Dと保護回路3との間に挿入され、制御電圧に応じてオン・オフする。第1インピーダンス素子4は、抵抗体からなり、外部ゲート端子Gと第1検出用MOSFET2aのゲート電極(制御電極)との接続点と、保護用MOSFET5との間に挿入されている。
【0050】
この半導体装置において、保護回路3は、電源から、外部ドレイン端子Dと検出用MOSFET2a、2bとを介して、電力が供給される。実施形態2では、主MOSFET1が電圧駆動型の主トランジスタを構成し、第1検出用MOSFET2aが電圧駆動型の第1検出用トランジスタを構成し、第2検出用MOSFET2bが電圧駆動型の第2検出用トランジスタを構成し、保護用MOSFET5が保護用トランジスタを構成している。
【0051】
保護回路3は、ダイオードアレイ31と、第2〜第4インピーダンス素子32〜34と、第1、第2MOSFET44、45とを備えている。第2、第3インピーダンス素子32、33は、それぞれ、抵抗体からなり、一端が第1検出用MOSFET2aのソース電極に共通接続されている。第4インピーダンス素子34は、抵抗体からなり、一端が第2検出用MOSFET2bのソース電極に接続され、他端が主MOSFET1のソース電極に接続されている。第1、第2MOSFET44、45は、それぞれ、そのソース電極が主MOSFET1のソース電極に共通接続されている。ダイオードアレイ31は、第2MOSFET45のドレイン電極とソース電極との間に、ドレイン電極側がアノードとなるように接続され、かつ主MOSFET1に熱的に結合されている。
【0052】
保護回路3においては、第2インピーダンス素子32の他端は、第1MOSFET44のドレイン電極に接続されている。第3インピーダンス素子33の他端は、第2MOSFET45のドレイン電極に接続されている。第1MOSFET44のゲート電極は、第2MOSFET45のドレイン電極に接続されている。第2MOSFET45のゲート電極は、第2検出用MOSFET2bのソース電極に接続されている。保護用MOSFET5のゲート電極(制御電極)は、第1MOSFET44のドレイン電極に接続されている。保護用MOSFET5のソース電極(基準電極)は、主MOSFET1のソース電極に接続されている。保護用MOSFET5のドレイン電極は、主MOSFET1のゲート電極に接続されている。第1検出用MOSFET2aのゲート電極は、第1インピーダンス素子4を介して、主MOSFET1のゲート電極に接続されている。第2検出用MOSFET2bのゲート電極は、主MOSFET1のゲート電極に接続されている。
【0053】
以下、実施形態2にかかる保護機能付き半導体装置の動作を説明する。外部ゲート端子Gと外部ソース端子Sとの間に制御電圧が印加されていないときは、主MOSFET1及び各検出用MOSFET2a、2bは、いずれもオフであり、外部ドレイン端子Dと外部ソース端子Sとの間には電流は流れない。つまり、負荷電流は流れない。
【0054】
これに対して、外部ゲート端子Gと外部ソース端子Sとの間に制御電圧が印加されているときは、主MOSFET1及び各検出用MOSFET2a、2bのそれぞれのゲート電圧(ゲート電極−ソース電極間電圧)がしきい値以上になると、主MOSFET1及び各検出用MOSFET2a、2bがオンになり、外部ドレイン端子Dと外部ソース端子Sとの間に、負荷電流が流れる。ここで、外部ゲート端子Gと外部ソース端子Sとの間に制御電圧が印加されなくなると、主MOSFET1及び各検出用MOSFET2a、2bがオフになり、外部ドレイン端子Dと外部ソース端子Sとの間が遮断され、電流は流れない。
【0055】
外部ゲート端子Gと外部ソース端子Sとの間に制御電圧が印加されて主MOSFET1及び各検出用MOSFET2a、2bがオンであるあるときに、外部ドレイン端子Dと外部ソース端子Sとの間に規定電圧以上の電圧が印加され、保護用MOSFET5及び第1MOSFET44のゲート電圧がしきい値を超えるような電圧が第1検出用MOSFET2aのソース電極と外部ソース端子Sとの間に発生すると、保護用MOSFET5と第1MOSFET44と第2MOSFET45と第2検出用MOSFET2bとが発振動作を開始する。ここで、保護用MOSFET5がオンのときは、主MOSFET1のゲート電極とソース電極とが短絡され、主MOSFET1がオフになる。他方、保護用MOSFET5がオフのときは、主MOSFET1がオンになる。要するに、主MOSFET1及び各検出用MOSFET2a、2bがオンであるときに、外部ドレイン端子Dと外部ソース端子Sとの間に規定電圧以上の電圧が印加されると、保護回路3が保護用MOSFET5を介して、主MOSFET1をオン・オフさせる。これにより、主MOSFET1を流れる電流が制限され、主MOSFET1が保護される。
【0056】
保護回路3においては、ダイオードアレイ31は主MOSFET1に熱的に結合され、ダイオードアレイ31を構成する個々のダイオードの順方向電圧は、負の温度特性を有する。このため、主MOSFET1が発熱して温度が上昇すると、ダイオードアレイ31の両端電圧が低下する。ここで、ダイオードアレイ31の両端電圧が第1MOSFET44のしきい値電圧未満になると第1MOSFET44がオフ状態に維持される。その結果、保護用MOSFET5がオンに維持されるので、主MOSFET1のゲート電極とソース電極とが短絡され、主MOSFET1がオフに維持される。この場合、保護用MOSFET5がオンであっても、外部ゲート端子Gと第1検出用MOSFET2aのゲート電極との接続点と、保護用MOSFET5のドレイン電極との間に第1インピーダンス素子4が挿入されているので、第1検出用MOSFET2aはオンを維持する。主MOSFET1がオフとなったことにより主MOSFET1の温度が低下し、ダイオードアレイ31の両端電圧が第1MOSFET44のしきい値電圧以上になると、保護用MOSFET5と第1MOSFET44と第2MOSFET45と第2検出用MOSFET2bとが発振動作を再開する。その結果、主MOSFET1は、オン・オフを繰り返す。
【0057】
そして、外部ドレイン端子Dと外部ソース端子Sとの間の電圧が規定電圧よりも低くなれば、保護回路3の動作は停止し、主MOSFET1はオンとなる。なお、定常状態において主MOSFET1と各検出用MOSFET2a、2bとがオンのときは、各検出用MOSFET2a、2bを流れる電流は、主MOSFET1を流れる電流に比べて十分に小さい。
【0058】
要するに、保護回路3は、実施形態1における保護回路3と同様の第1保護機能と、第2保護機能と復帰機能とを有している。なお、実施形態2でも、ダイオードアレイ31が温度検出部を構成している。
【0059】
かくして、実施形態2にかかる保護機能付き半導体装置では、外部ドレイン端子Dと外部ソース端子Sとの間に挿入され、異常を検出すると保護用MOSFET5を介して主MOSFET1を保護する保護回路3に、電源から、外部ドレイン端子Dと検出用MOSFET2a、2bとを介して、電力が供給される。したがって、図11に示す従来の保護機能付き半導体装置のように、保護回路3’と主MOSFET1との両方に駆動回路から電力を供給する必要がない。このため、実施形態2にかかる半導体装置は、微小なゲート駆動電流で動作することができる。また、主MOSFET1の異常がなくなったときに、主MOSFET1を保護する保護回路3の機能が自動的に解除される。
なお、図示していないが、実施形態2にかかる保護機能付き半導体装置も、実施形態1の場合と同様に、同一基板上に形成される。
【0060】
(実施形態3)
以下、本発明の実施形態3を説明する。
図5に示すように、実施形態3にかかる保護機能付き半導体装置の基本構成は実施形態1の場合とほぼ同様である。しかし、保護用MOSFET5と保護回路3との接続点と、外部ソース端子Sとの間に、外部ソース端子Sから保護MOSFET5及び保護回路3へ電流が流れるのを阻止する極性で挿入された逆流防止用ダイオード6を備えている。なお、実施形態1の場合と共通の構成要素には、同一の参照番号を付してその説明を省略する。また、動作も、実施形態1の場合と同様であるので、その説明を省略する。
【0061】
図6に示すように、実施形態3にかかる保護機能付き半導体装置においては、保護用MOSFET5及び第1〜第3MOSFET44〜46のソース電極がそれぞれ共通接続され、逆流防止用ダイオード6のアノードに接続されている。逆流防止用ダイオード6のカソードは、外部ソース端子Sに接続されている。ダイオードアレイ31においては、アノード側端子は第1MOSFET44のゲート電極に接続され、カソード側端子は主MOSFET1のソース電極に接続されている。主MOSFET1のソース電極は、外部ソース端子Sに接続されている。
【0062】
図7に示すように、実施形態3にかかる保護機能付き半導体装置でも、実施形態1の場合とほぼ同様に、主MOSFET1と、検出用MOSFET2と、保護回路3と、第1インピーダンス素子4と、保護用MOSFET5と、逆流防止用ダイオード6とが、1つのn形シリコン基板10に形成されている。
【0063】
図7では、保護用MOSFET5、第2、第3MOSFET45、46の図示を省略しているが、これらの構造は、第1MOSFET32の構造と同様である。第1、第3、第4インピーダンス素子4、33、34の図示も省略しているが、これらの構造は、第2インピーダンス素子32の構造と同様である。また、ダイオードアレイ31を構成する個々のダイオードの構造は、実施形態1(図3参照)の場合と同様である。n形シリコン基板10の裏面には、外部ドレイン電極(図示せず)が形成されている。図7において、実施形態1と共通の構成要素には、同一の参照番号を付している。
【0064】
逆流防止用ダイオード6は、第1導電形(例えばn形)のポリシリコン層61と、第2導電形(例えばp形)のポリシリコン層62と、ポリシリコン層61に設けられた電極63と、ポリシリコン層62に設けられた電極64とで構成されている。
【0065】
実施形態3では、逆流防止用ダイオード6が設けられているので、実施形態3にかかる保護機能付き半導体装置を2つ設けて外部ソース電極S同士を共通接続して使用する場合に、保護回路3の各MOSFET44〜46の寄生バイポーラトランジスタが動作するのを防止することができる。図7中には、第1MOSFET44の寄生バイポーラトランジスタTrが模式的に示されている。
【0066】
(実施形態4)
以下、本発明の実施形態4を説明する。
図8に示すように、実施形態4にかかる保護機能付き半導体装置の基本構成は実施形態2の場合とほぼ同様である。しかし、保護用MOSFET5と保護回路3との接続点と、外部ソース端子Sとの間に、外部ソース端子Sから保護MOSFET5及び保護回路3に電流が流れるのを阻止する極性で挿入された逆流防止用ダイオード6を備えている。なお、実施形態2と共通の構成要素には、同一の参照番号を付してその説明を省略する。また、動作も、実施形態2の場合と同様であるので、その説明を省略する。
【0067】
図8から明らかなとおり、実施形態4にかかる保護機能付き半導体装置では、保護用MOSFET5及び第1、第2MOSFET44、45のソース電極がそれぞれ共通接続され、逆流防止用ダイオード6のアノードに接続されている。逆流防止用ダイオード6のカソードは、外部ソース端子Sに接続されている。ダイオードアレイ31においては、アノード側端子は第1MOSFET44のゲート電極に接続され、カソード側端子は主MOSFET1のソース電極に接続されている。主MOSFET1のソース電極は、外部ソース端子Sに接続されている。
【0068】
実施形態4にかかる保護機能付き半導体装置でも、実施形態2の場合と同様に、主MOSFET1、各検出用MOSFET2a、2b、保護回路3、第1インピーダンス素子4、保護用MOSFET5及び逆流防止用ダイオード6が、1つのn形シリコン基板に形成されている。
【0069】
実施形態4では、逆流防止用ダイオード6が設けられているので、実施形態4にかかる保護機能付き半導体装置を2つ設けて外部ソース電極S同士を共通接続して使用する場合に、保護回路3の第1MOSFET44及び第2MOSFET45の寄生バイポーラトランジスタが動作するのを防止することができる。
【0070】
(実施形態5)
以下、本発明の実施形態5を説明する。
図9に示すように、実施形態5にかかる保護機能付き半導体装置は、実施形態3にかかる保護機能付き半導体装置を2つ備えている。2つの半導体装置の外部ソース端子S同士は共通接続され、外部ゲート端子G同士は共通接続されている。なお、実施形態3と共通の構成要素には、同一の参照番号を付して、その説明を省略する。
【0071】
これに加えて、実施形態5にかかる保護機能付き半導体装置は、入力端子T1と入力端子T2との間に印加される入力信号により、点灯・消灯する発光素子7と、発光素子7に光結合され光起電力を発生するフォトダイオードアレイよりなる光起電力素子8とを備えている。光起電力素子8の起電力は、外部ゲート端子Gと外部ソース端子Sとの間に印加される。さらに、光起電力素子8の両端子と外部ゲート端子G及び外部ソース端子Sとの間には、充放電回路9が設けられている。充放電回路9は、光起電力素子8に光起電力が発生したときに、光起電力素子8の光起電力が所定電圧に達すると、光起電力素子8の両端子間を高インピーダンス状態にする。このとき、光起電力素子8の光起電力が外部ゲート端子Gと外部ソース端子Sとの間に印加される。また、光起電力素子8の光起電力がなくなったときには、外部ゲート端子Gと外部ソース端子Sとの間の電圧が速やかに降下するよう、主MOSFET1のゲート静電容量に蓄積された電荷の放電経路が形成される。
【0072】
かくして、実施形態5にかかる保護機能付き半導体装置が、電源と負荷との間に挿入され、両外部ドレイン端子D、D間を通過する電流が双方向にスイッチングされる場合、逆流防止用ダイオード6が設けられているので、外部ソース端子Sから外部ドレイン端子Dに向かって電流が流れるようにしても、逆流防止用ダイオード6のアノードに接続された保護回路3や保護用MOSFET5に電流が流れない。このため、保護回路3や保護用MOSFET5が誤動作するのを防止することができる。各保護回路3、3に電源から電力が供給されるので、光起電力素子8による光起電力を利用した微小なゲート駆動電流で半導体装置を動作させることができる。また、発光素子7と光起電力素子8とが設けられているので、入力側と出力側との間を絶縁することができる。
【0073】
(実施形態6)
以下、本発明の実施形態6を説明する。
図10に示すように、実施形態6にかかる保護機能付き半導体装置は、実施形態3にかかる保護機能付き半導体装置を2つ備えている。2つの半導体装置の外部ソース端子S同士は共通接続され、外部ゲート端子G同士は共通接続されている。なお、実施形態3と共通の構成要素には、同一の参照番号を付してその説明を省略する。
【0074】
さらに、実施形態6にかかる保護機能付き半導体装置は、入力端子T1と入力端子T2との間に印加される交流信号がコンデンサC1、C2を介して入力されダイオードD1〜D4からなる整流回路を備えている。整流回路により整流された電圧は、外部ゲート端子Gと外部ソース端子Sとの間に印加される。すなわち、入力端子T1に一端が接続されたコンデンサC1の他端と、入力端子T2に一端が接続されたコンデンサC2の他端との間に、整流回路の入力端子が接続されている。
【0075】
また、整流回路の直流出力端子と外部ゲート端子G及び外部ソース端子Sとの間に、充放電回路9が設けられている。充放電回路9は、整流回路の直流出力電圧が所定電圧に達すると、整流回路の直流出力端子間を高インピーダンス状態にする。これにより、整流回路の直流出力電圧が、外部ゲート端子Gと外部ソース端子Sとの間に印加される。また、整流回路の直流出力電圧がなくなったときに、外部ゲート端子Gと外部ソース端子Sとの間の電圧が速やかに降下するように、主MOSFET1のゲート静電容量に蓄積された電荷の放電経路が形成される。
【0076】
かくして、実施形態6にかかる保護機能付き半導体装置が、電源と負荷との間に挿入され、両外部ドレイン端子D、D間を通過する電流が双方向にスイッチングされる場合、逆流防止用ダイオード6が設けられているので、外部ソース端子Sから外部ドレイン端子Dに向かって電流が流れるようにしても、逆流防止用ダイオード6のアノードに接続された保護回路3や保護用MOSFET5に電流が流れない。このため、保護回路3や保護用MOSFET5が誤動作するのを防止することができる。また、各保護回路3、3に電源から給電されるので、交流信号を整流して得た電圧を利用した微小なゲート駆動電流で半導体装置を動作させることができる。
【0077】
なお、上記実施形態1〜6では、主トランジスタ、検出用トランジスタなどのトランジスタはMOSFETで構成されている。しかし、これらのトランジスタはMOSFETに限定されるものではなく、電圧駆動型のトランジスタであればどのようなものでもよい。例えば、MOSFETの代わりに、IGBTなどのMOSゲートデバイスを用いてもよい。
【0078】
(産業上の利用の可能性)
以上のように、本発明にかかる保護機能付き半導体装置は、とくに微小なゲート駆動電力しか得られない半導体装置を過熱から保護するのに有用であり、パワーデバイス等に用いるのに適している。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施形態1にかかる保護機能付き半導体装置の概略の回路図である。
【図2】 図1に示す半導体装置の具体的な回路図である。
【図3】 図1に示す半導体装置の立面断面図である。
【図4】 実施形態2にかかる保護機能付き半導体装置の具体的な回路図である。
【図5】 実施形態3にかかる保護機能付き半導体装置の概略の回路図である。
【図6】 図5に示す半導体装置の具体的な回路図である。
【図7】 図5に示す半導体装置の立面断面図である。
【図8】 実施形態4にかかる保護機能付き半導体装置の具体的な回路図である。
【図9】 実施形態5にかかる保護機能付き半導体装置の概略の回路図である。
【図10】 実施形態6にかかる保護機能付き半導体装置の概略の回路図である。
【図11】 従来の保護機能付き半導体装置の回路図である。
【符号の説明】
D 外部ドレイン端子、G 外部ゲート端子、S 外部ソース端子、1 主MOSFET、2 検出用MOSFET、3 保護回路、4 第1インピーダンス素子、5 保護用MOSFET、31 ダイオードアレイ、32〜34 第2〜第4インピーダンス素子、44〜46 第1〜第3MOSFET。
Claims (13)
- それぞれ、電源と負荷との間に挿入され、第1主端子と第2主端子との間を通過する電流が、制御端子と第2主端子との間に印加される制御電圧に応じて制御される2つの半導体装置コンポーネントを有し、2つの半導体装置コンポーネントの第2主端子同士が共通接続され、かつ制御端子同士が共通接続されている保護機能付き半導体装置であって、
上記各半導体装置コンポーネントは、
第1主端子と第2主端子との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の主トランジスタ、
主トランジスタの制御電極と基準電極との間に挿入された、電圧駆動型の保護用トランジスタ、
第1主端子と第2主端子との間に挿入され、異常を検出すると保護用トランジスタをオン・オフさせることにより主トランジスタを繰り返しオン・オフさせて主トランジスタを保護する保護回路、
第1主端子と保護回路との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の検出用トランジスタ、
制御端子と検出用トランジスタの制御電極との接続点と、保護用トランジスタとの間に挿入されたインピーダンス素子、及び
保護用トランジスタの基準電極と保護回路との接続点と、第2主端子との間に、第2主端子から保護用トランジスタ及び保護回路に電流が流れるのを阻止する極性で挿入された逆流防止用ダイオードを含んでいる半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置であって、さらに
入力信号により点灯・消灯する発光素子、及び
発光素子に光結合され、起電力を発生する光起電力素子を含み、
上記起電力が、制御端子と第2主端子との間に印加されるようになっている半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置であって、
交流信号を整流して得た電圧が、制御端子と第2主端子との間に印加されるようになっている半導体装置。 - 電源と負荷との間に挿入され、第1主端子と第2主端子との間を通過する電流が、制御端子と第2主端子との間に印加される制御電圧に応じて制御される保護機能付き半導体装置であって、
第1主端子と第2主端子との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の主トランジスタ、
主トランジスタの制御電極と基準電極との間に挿入された、電圧駆動型の保護用トランジスタ、
第1主端子と第2主端子との間に挿入され、異常を検出すると保護用トランジスタをオン・オフさせることにより主トランジスタを保護する保護回路、
第1主端子と保護回路との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の検出用トランジスタ、及び
制御端子と検出用トランジスタの制御電極との接続点と、保護用トランジスタとの間に挿入されたインピーダンス素子を含み、
保護回路は、上記電源から、第1主端子及び検出用トランジスタを介して電力が供給され、
主トランジスタ、検出用トランジスタ及び保護用トランジスタは、それぞれ、一方電極と基準電極をなす他方電極との間が、他方電極と制御電極との電圧差によって駆動され、
保護回路は、
主トランジスタに熱的に結合された、半導体からなる負温度特性素子と、
一方電極が保護用トランジスタの制御電極に接続され、他方電極が負温度特性素子の一端及び保護用トランジスタの他方電極に接続され、制御電極が負温度特性素子の他端に接続された電圧駆動型の保護回路用トランジスタとを含み、
保護回路用トランジスタは、検出用トランジスタを介して電力が供給されるよう、第1主端子と第2主端子との間に挿入され、第1主端子と第2主端子との間の電位上昇に応じて主トランジスタを繰り返しオン・オフさせるように制御電極が接続されている半導体装置。 - 請求項4に記載の半導体装置であって、さらに
保護用トランジスタ及び保護回路用トランジスタの各他方電極と、第2主端子との間に、第2主端子から保護用トランジスタ及び保護回路に電流が流れるのを阻止する極性で挿入された逆流防止用ダイオードを含んでいる半導体装置。 - 請求項4又は5に記載の半導体装置であって、
主トランジスタ、検出用トランジスタ及び保護用トランジスタは、それぞれ、一方電極としてドレイン電極を有し、他方電極としてソース電極を有し、制御電極としてゲート電極を有するMOSFETである半導体装置。 - 電源と負荷との間に挿入され、第1主端子と第2主端子との間を通過する電流が、制御端子と第2主端子との間に印加される制御電圧に応じて制御される保護機能付き半導体装置であって、
第1主端子と第2主端子との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の主トランジスタ、
主トランジスタの制御電極と基準電極との間に挿入された、電圧駆動型の保護用トランジスタ、
第1主端子と第2主端子との間に挿入され、異常を検出すると保護用トランジスタをオン・オフさせることにより主トランジスタを保護する保護回路、
第1主端子と保護回路との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の検出用トランジスタ、及び
制御端子と検出用トランジスタの制御電極との接続点と、保護用トランジスタとの間に挿入されたインピーダンス素子を含み、
保護回路は、上記電源から、第1主端子及び検出用トランジスタを介して電力が供給され、
検出用トランジスタが、第1主端子と保護回路との間に互いに並列に挿入された2つ以上の検出用トランジスタコンポーネントで構成され、
主トランジスタ、検出用トランジスタ及び保護用トランジスタは、それぞれ、一方電極と基準電極をなす他方電極との間が、他方電極と制御電極との電位差によって駆動され、
保護回路は、
主トランジスタに熱的に結合された、半導体からなる負温度特性素子と、
一方電極が保護用トランジスタの制御電極に接続され、他方電極が負温度特性素子の一端及び保護用トランジスタの他方電極に接続され、制御電極が負温度特性素子の他端に接続された電圧駆動型の保護回路用トランジスタとを含み、
保護回路用トランジスタは、検出用トランジスタコンポーネントのいずれかを介して電力が供給されるよう、第1主端子と第2主端子との間に挿入され、第1主端子と第2主端子との間の電位上昇に応じて主トランジスタを繰り返しオン・オフさせるよう制御電極が接続されている半導体装置。 - 請求項7に記載の半導体装置であって、
保護用トランジスタ及び保護回路用トランジスタの各他方電極と第2主端子との間に、第2主端子から保護用トランジスタ及び保護回路に電流が流れるのを阻止する極性で挿入された逆流防止用ダイオードを含んでいる半導体装置。 - 請求項7又は8に記載の半導体装置であって、
主トランジスタ、検出用トランジスタ及び保護用トランジスタは、それぞれ、一方電極としてドレイン電極を有し、他方電極としてソース電極を有し、制御電極としてゲート電極を有するMOSFETである半導体装置。 - 電源と負荷との間に挿入され、第1主端子と第2主端子との間を通過する電流が、制御端子と第2主端子との間に印加される制御電圧に応じて制御される保護機能付き半導体装置であって、
第1主端子と第2主端子との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の主トランジスタ、
主トランジスタの制御電極と基準電極との間に挿入された、電圧駆動型の保護用トランジスタ、
第1主端子と第2主端子との間に挿入され、異常を検出すると保護用トランジスタをオン・オフさせることにより、主トランジスタを保護する保護回路、
第1主端子と保護回路との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の検出用トランジスタ、及び
制御端子と検出用トランジスタの制御電極との接続点と、保護用トランジスタとの間に挿入されたインピーダンス素子を含み、
保護回路は、上記電源から、第1主端子及び検出用トランジスタを介して電力が供給され、
主トランジスタ、検出用トランジスタ及び保護用トランジスタは、それぞれ、MOSFETからなり、
保護回路は、それぞれ一端が検出用トランジスタのソース電極に共通接続された第2、第3及び第4インピーダンス素子と、それぞれソース電極が第2主端子に共通接続された第1、第2及び第3MOSFETと、第2MOSFETのドレイン電極とソース電極との間にドレイン電極側がアノードとなるように接続されかつ主MOSFETに熱的に結合されたダイオードアレイとを含み、
第2インピーダンス素子の他端が第1MOSFETのドレイン電極に接続され、第3インピーダンス素子の他端が第2MOSFETのドレイン電極に接続され、第4インピーダンス素子の他端が第3MOSFETのドレイン電極に接続され、第1MOSFETのゲート電極が第2MOSFETのドレイン電極に接続され、第2MOSFETのゲート電極が第3MOSFETのドレイン電極に接続され、第3MOSFETのゲート電極が第1MOSFETのドレイン電極に接続され、保護用トランジスタのゲート電極が第1MOSFETのドレイン電極に接続され、保護用トランジスタのソース電極が主トランジスタのソース電極に接続され、保護用トランジスタのドレイン電極が主トランジスタのゲート電極に接続されている半導体装置。 - 電源と負荷との間に挿入され、第1主端子と第2主端子との間を通過する電流が、制御端子と第2主端子との間に印加される制御電圧に応じて制御される保護機能付き半導体装置であって、
第1主端子と第2主端子との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の主トランジスタ、
主トランジスタの制御電極と基準電極との間に挿入された、電圧駆動型の保護用トランジスタ、
第1主端子と第2主端子との間に挿入され、異常を検出すると保護用トランジスタをオン・オフさせることにより、主トランジスタを保護する保護回路、
第1主端子と保護回路との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の検出用トランジスタ、及び
制御端子と検出用トランジスタの制御電極との接続点と、保護用トランジスタとの間に挿入されたインピーダンス素子を含み、
保護回路は、上記電源から、第1主端子及び検出用トランジスタを介して電力が供給され、
検出用トランジスタが第1検出用トランジスタと第2検出用トランジスタとで構成され、
主トランジスタ、第1検出用トランジスタ、第2検出用トランジスタ及び保護用トランジスタが、それぞれMOSFETからなり、
上記インピーダンス素子が第1インピーダンス素子とされ、
保護回路は、それぞれ一端が第1検出用トランジスタのソース電極に共通接続された第2及び第3インピーダンス素子と、それぞれソース電極が主トランジスタのソース電極に共通接続された第1、第2MOSFETと、第2MOSFETのドレイン電極とソース電極との間にドレイン電極側がアノードとなるように接続されかつ主トランジスタに熱的に結合されたダイオードアレイと、一端が第2検出用トランジスタのソース電極に接続され他端が主トランジスタのソース電極に接続された第4インピーダンス素子とを含み、
第2インピーダンス素子の他端が第1MOSFETのドレイン電極に接続され、第3インピーダンス素子の他端が第2MOSFETのドレイン電極に接続され、第1MOSFETのゲート電極が第2MOSFETのドレイン電極に接続され、第2MOSFETのゲート電極が第2検出用トランジスタのソース電極に接続され、保護用トランジスタのゲート電極が第1MOSFETのドレイン電極に接続され、保護用トランジスタのソース電極が主トランジスタのソース電極と接続され、保護用トランジスタのドレイン電極が主トランジスタのゲート電極に接続され、第1検出用トランジスタのゲート電極が第1インピーダンス素子を介して主トランジスタのゲート電極に接続され、第2検出用トランジスタのゲート電極が主トランジスタのゲート電極に接続されている半導体装置。 - 電源と負荷との間に挿入され、第1主端子と第2主端子との間を通過する電流が、制御端子と第2主端子との間に印加される制御電圧に応じて制御される保護機能付き半導体装置であって、
第1主端子と第2主端子との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の主トランジスタ、
主トランジスタの制御電極と基準電極との間に挿入された、電圧駆動型の保護用トランジスタ、
第1主端子と第2主端子との間に挿入され、異常を検出すると保護用トランジスタをオン・オフさせることにより、主トランジスタを保護する保護回路、
第1主端子と保護回路との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の検出用トランジスタ、及び
制御端子と検出用トランジスタの制御電極との接続点と、保護用トランジスタとの間に挿入されたインピーダンス素子を含み、
保護回路は、上記電源から、第1主端子及び検出用トランジスタを介して電力が供給され、
さらに、保護用トランジスタの基準電極と保護回路との接続点と、第2主端子との間に、第2主端子から保護用トランジスタ及び保護回路に電流が流れるのを阻止する極性で挿入された逆流防止用ダイオードを含み、
主トランジスタ、検出用トランジスタ及び保護用トランジスタは、それぞれ、MOSFETからなり、
保護回路は、それぞれ一端が検出用トランジスタのソース電極に共通接続された第2、第3及び第4インピーダンス素子と、それぞれソース電極が逆流防止用ダイオードのアノードに共通接続された第1、第2及び第3MOSFETと、第2MOSFETのドレイン電極と主トランジスタのソース電極との間にドレイン電極側がアノードとなるように接続されかつ主トランジスタに熱的に結合されたダイオードアレイとを含み、
第2インピーダンス素子の他端が第1MOSFETのドレイン電極に接続され、第3インピーダンス素子の他端が第2MOSFETのドレイン電極に接続され、第4インピーダンス素子の他端が第3MOSFETのドレイン電極に接続され、第1MOSFETのゲート電極が第2MOSFETのドレイン電極に接続され、第2MOSFETのゲート電極が第3MOSFETのドレイン電極に接続され、第3MOSFETのゲート電極が第1MOSFETのドレイン電極に接続され、保護用トランジスタのゲート電極が第1MOSFETのドレイン電極に接続され、保護用トランジスタのソース電極が逆流防止用ダイオードを介して主トランジスタのソース電極に接続され、保護用トランジスタのドレイン電極が主トランジスタのゲート電極に接続されている半導体装置。 - 電源と負荷との間に挿入され、第1主端子と第2主端子との間を通過する電流が、制御端子と第2主端子との間に印加される制御電圧に応じて制御される保護機能付き半導体装置であって、
第1主端子と第2主端子との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の主トランジスタ、
主トランジスタの制御電極と基準電極との間に挿入された、電圧駆動型の保護用トランジスタ、
第1主端子と第2主端子との間に挿入され、異常を検出すると保護用トランジスタをオン・オフさせることにより、主トランジスタを保護する保護回路、
第1主端子と保護回路との間に挿入され、上記制御電圧に応じてオン・オフする電圧駆動型の検出用トランジスタ、及び
制御端子と検出用トランジスタの制御電極との接続点と、保護用トランジスタとの間に挿入されたインピーダンス素子を含み、
保護回路は、上記電源から、第1主端子及び検出用トランジスタを介して電力が供給され、
さらに、保護用トランジスタの基準電極と保護回路との接続点と、第2主端子との間に、第2主端子から保護用トランジスタ及び保護回路に電流が流れるのを阻止する極性で挿入された逆流防止用ダイオードを含み、
検出用トランジスタが第1検出用トランジスタと第2検出用トランジスタとで構成され、
主トランジスタ、第1検出用トランジスタ、第2検出用トランジスタ及び保護用トランジスタが、それぞれMOSFETからなり、
上記インピーダンス素子が第1インピーダンス素子とされ、
保護回路は、それぞれ一端が第1検出用トランジスタのソース電極に共通接続された第2、第3インピーダンス素子と、それぞれソース電極が逆流防止用ダイオードのアノードに共通接続された第1、第2MOSFETと、第2MOSFETのドレイン電極と主トランジスタのソース電極との間にドレイン電極側がアノードとなるように接続されかつ主トランジスタに熱的に結合されたダイオードアレイと、一端が第2検出用トランジスタのソース電極に接続され他端が主トランジスタのソース電極に接続された第4インピーダンス素子とを含み、
第2インピーダンス素子の他端が第1MOSFETのドレイン電極に接続され、第3インピーダンス素子の他端が第2MOSFETのドレイン電極に接続され、第1MOSFETのゲート電極が第2MOSFETのドレイン電極に接続され、第2MOSFETのゲート電極が第2検出用トランジスタのソース電極に接続され、保護用トランジスタのゲート電極が第1MOSFETのドレイン電極に接続され、保護用トランジスタのソース電極が逆流防止用ダイオードを介して主トランジスタのソース電極に接続され、保護用トランジスタのドレイン電極が主トランジスタのゲート電極に接続され、第1検出用トランジスタのゲート電極が第1インピーダンス素子を介して主トランジスタのゲート電極に接続され、第2検出用トランジスタのゲート電極が主トランジスタのゲート電極に接続されている半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000300894 | 2000-09-29 | ||
PCT/JP2001/008419 WO2002029949A2 (en) | 2000-09-29 | 2001-09-27 | Semiconductor device with protective functions |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004515911A JP2004515911A (ja) | 2004-05-27 |
JP2004515911A5 JP2004515911A5 (ja) | 2006-01-05 |
JP4529353B2 true JP4529353B2 (ja) | 2010-08-25 |
Family
ID=18782508
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002533452A Expired - Fee Related JP4529353B2 (ja) | 2000-09-29 | 2001-09-27 | 保護機能付き半導体装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6930870B2 (ja) |
EP (1) | EP1366552B1 (ja) |
JP (1) | JP4529353B2 (ja) |
KR (1) | KR100599214B1 (ja) |
WO (1) | WO2002029949A2 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003096387A2 (en) | 2002-05-08 | 2003-11-20 | Phoseon Technology, Inc. | High efficiency solid-state light source and methods of use and manufacture |
US6800802B2 (en) * | 2002-11-09 | 2004-10-05 | Novaest Optitronix Inc. | Circuit device for solar energy application |
WO2005041632A2 (en) | 2003-10-31 | 2005-05-12 | Phoseon Technology, Inc. | Collection optics for led array with offset hemispherical or faceted surfaces |
US7524085B2 (en) * | 2003-10-31 | 2009-04-28 | Phoseon Technology, Inc. | Series wiring of highly reliable light sources |
JP4765252B2 (ja) * | 2004-01-13 | 2011-09-07 | 株式会社豊田自動織機 | 温度検出機能付き半導体装置 |
TWI312583B (en) * | 2004-03-18 | 2009-07-21 | Phoseon Technology Inc | Micro-reflectors on a substrate for high-density led array |
WO2005094390A2 (en) | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Phoseon Technology, Inc. | Led array having array-based led detectors |
TWI302756B (en) | 2004-04-19 | 2008-11-01 | Phoseon Technology Inc | Imaging semiconductor structures using solid state illumination |
JP4706462B2 (ja) * | 2005-12-07 | 2011-06-22 | トヨタ自動車株式会社 | 電流検出機能を有する半導体装置 |
DE102006008292B4 (de) * | 2006-02-22 | 2011-09-15 | Infineon Technologies Ag | Überlastschutz für steuerbare Stromverbraucher |
JP4887180B2 (ja) * | 2007-02-27 | 2012-02-29 | 新日本無線株式会社 | 短絡保護機能付き半導体装置 |
JP5027680B2 (ja) * | 2008-01-18 | 2012-09-19 | パナソニック株式会社 | 半導体リレーモジュール |
JP6065979B2 (ja) | 2013-08-23 | 2017-01-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
KR101752044B1 (ko) * | 2015-01-21 | 2017-06-28 | 주식회사 엘지화학 | 전계 효과 트랜지스터 제어 장치 및 방법 |
JP6406464B2 (ja) * | 2016-02-18 | 2018-10-17 | 富士電機株式会社 | 絶縁ゲート半導体装置 |
CN108871608B (zh) * | 2017-05-12 | 2020-08-25 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体装置和检测器件发热的方法 |
JP6922563B2 (ja) * | 2017-08-31 | 2021-08-18 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US11063465B2 (en) * | 2018-01-30 | 2021-07-13 | Novatel Inc. | Switching mode front end surge protection circuit |
WO2019169611A1 (en) * | 2018-03-08 | 2019-09-12 | Texas Instruments Incorporated | Adaptive thermal overshoot and current limiting protection for mosfets |
US10833668B2 (en) * | 2019-03-07 | 2020-11-10 | Analog Devices International Unlimited Company | Integrated and distributed over temperature protection for power management switches |
JP2023032984A (ja) * | 2021-08-27 | 2023-03-09 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュール |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4893158A (en) * | 1987-06-22 | 1990-01-09 | Nissan Motor Co., Ltd. | MOSFET device |
JP3180831B2 (ja) * | 1991-03-22 | 2001-06-25 | 富士電機株式会社 | 絶縁ゲート制御半導体装置 |
JPH04365373A (ja) * | 1991-06-13 | 1992-12-17 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
JP2801825B2 (ja) * | 1993-01-14 | 1998-09-21 | 株式会社東芝 | フォトカプラ装置 |
JP3982842B2 (ja) * | 1993-08-18 | 2007-09-26 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
US6392859B1 (en) | 1999-02-14 | 2002-05-21 | Yazaki Corporation | Semiconductor active fuse for AC power line and bidirectional switching device for the fuse |
-
2001
- 2001-09-27 US US10/380,171 patent/US6930870B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-09-27 JP JP2002533452A patent/JP4529353B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-09-27 WO PCT/JP2001/008419 patent/WO2002029949A2/en active IP Right Grant
- 2001-09-27 KR KR1020037004532A patent/KR100599214B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-09-27 EP EP01970240A patent/EP1366552B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1366552B1 (en) | 2011-11-09 |
US6930870B2 (en) | 2005-08-16 |
WO2002029949A3 (en) | 2003-10-09 |
KR20030048051A (ko) | 2003-06-18 |
WO2002029949A2 (en) | 2002-04-11 |
US20040051145A1 (en) | 2004-03-18 |
KR100599214B1 (ko) | 2006-07-12 |
EP1366552A2 (en) | 2003-12-03 |
JP2004515911A (ja) | 2004-05-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4529353B2 (ja) | 保護機能付き半導体装置 | |
JP2726433B2 (ja) | 半導体素子駆動用回路配置 | |
US7102864B2 (en) | Latch-up-free ESD protection circuit using SCR | |
JP5383426B2 (ja) | 異常検出時急速放電回路 | |
JP3164065B2 (ja) | 半導体装置 | |
US8605399B2 (en) | Load driving device | |
US8017996B2 (en) | Semiconductor device, and energy transmission device using the same | |
JP2522208B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2000299931A (ja) | 電源供給制御装置及び電源供給制御方法 | |
JP3583803B2 (ja) | 半導体デバイス | |
JP2007173493A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0834222B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH03166816A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP4192650B2 (ja) | パワースイッチング素子の駆動回路 | |
JP3182848B2 (ja) | 半導体装置 | |
WO2023199840A1 (ja) | 半導体装置および過電流保護装置 | |
JP2001028437A (ja) | 過電流保護装置 | |
JP2004193474A (ja) | 半導体装置 | |
JP2004088886A (ja) | 半導体装置 | |
JPH10233669A (ja) | 半導体リレー | |
US20090302397A1 (en) | Field-Effect Transistor | |
JPH06177736A (ja) | 固体リレー | |
JP2002110866A (ja) | 電子装置 | |
JP2000307398A (ja) | 半導体スイッチ装置の保護回路 | |
JP2002051456A (ja) | 半導体素子の過電流保護回路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051025 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051025 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090811 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091006 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100518 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100531 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |