JP4522206B2 - スイッチング電源 - Google Patents

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本発明は、交流電源を、整流・平滑・スイッチングすることによって所定の電圧出力を生成する、スイッチング電源に関する。
商用電源を、整流・平滑・スイッチングすることによって所定の電圧出力を生成するスイッチング電源において、従来、スイッチング素子に流れる電流を検出し、その値が規定値を超えた場合、スイッチング電源を停止させる過電流保護回路が考案されている(例えば、特許文献1)。
図7を用いて、上記従来のスイッチング電源について説明する。
商用電源1より供給された交流は、ダイオードブリッジ2および一次平滑コンデンサ20によって整流・平滑され、概略一定の電圧Vpの直流となる。Vpは、電磁変換素子を構成するトランス5を介してFET6に供給される。FET6がスイッチングすることにより、トランス5の二次側にパルス電圧が誘起される。誘起されたパルスは、二次整流ダイオード7および二次平滑コンデンサ8によって整流・平滑され、直流電圧Voutが得られる。電圧Voutの直流は負荷9に供給される。
一方Voutは、抵抗12を介してフォトカプラ13内の発光ダイオードに供給される。フォトカプラ13内のフォトトランジスタは、制御回路4のフィードバック端子(FB端子)に接続されている。
Voutが大きくなり、発光ダイオードに流れる順電流が増えると、フォトトランジスタのコレクタ電流も増加する。すると制御回路4内の、反転入力に基準電圧15を入力し非反転入力にFB端子を接続するPWMコンパレータ16は、FET6のゲート駆動パルスのON Dutyを狭める。これによって、Voutは低下する。
逆に、Voutが小さくなり、発光ダイオードに流れる順電流が減ると、フォトトランジスタのコレクタ電流も減少する。するとPWMコンパレータ16は、FET6のゲート駆動パルスのON Dutyを広める。これによって、Voutは上昇する。
以上の動作により、Voutは概略一定の値に制御される。
上記スイッチング電源の過電流保護動作ついて、図8を用いて説明する。
FET6のドレイン電流Ipは、検出抵抗Rcsによって電圧変換され、制御回路4の電流検出端子CSに供給される。
負荷9の異常増加や、商用電源電圧の異常低下により、IpがImaxを超えた場合、即ちCS端子がVimax (=Imax・Rcs) を超えた場合、差動増幅器17はCS端子に接続された非反転入力が反転入力のVimax (=Imax・Rcs) を超えるので、差動増幅器17の出力に応答して定電流源18から、エラー端子ERRに定電流を出力する。ERR端子には、エラーメモリコンデンサ3が接続されており、上記定電流によって充電される。制御回路4のヒステリシスアンプ19によって、ERR端子の電圧、即ちエラーメモリコンデンサ3の端子電圧が、規定値Vcshを超えると、FET6のゲート駆動パルスをLowレベルに固定する。これによって、スイッチングは停止する。このように、保護回路の動作によって、スイッチングが停止することを、一般に『シャットダウン』と呼ぶ。
一旦、シャットダウンが発生すると、制御回路4は、ERR端子の電圧がVcsl以下となるまで、FET6のゲート駆動パルスをLowレベルに固定しつづける。この保持状態を一般に『ラッチ状態』とよぶ。ラッチ状態は、エラーメモリコンデンサ3の電荷が、ヒステリシスアンプ19の入力インピーダンスによって放電され、ERR端子の電圧がVcsl以下になることで解除される。
特開2001−211638号公報 特開平9−247931号公報
しかしながら、上記従来例には、以下の課題があった。
負荷9の異常増加要因が取り除かれた場合や、商用電源電圧が正常に復帰した場合でも、エラーメモリコンデンサの電荷が放電され、エラーメモリコンデンサの端子電圧が規定値以下になるまでスイッチング電源は復帰しない。これは、ユーザを長時間待たせることとなり、操作性が悪いという問題がある。
上記の待ち時間を緩和するため、図9のように、一次平滑コンデンサ20の+端子電圧を検出し、+端子電圧がツエナーダイオード29の降伏電圧によって定まる規定値以下となった場合、トランジスタ27をオン(導通)させてエラーメモリコンデンサ3を放電する放電回路を設けたスイッチング電源が考案されている(例えば、特許文献2)。
この種のスイッチング電源では、ラッチ状態に入った際、メインスイッチ10を開くことによって、一次平滑コンデンサの+端子電圧を低下させることで、上記放電回路を動作させ、エラーメモリコンデンサ3の電荷を放電させることができる。
しかしながら、一次電解コンデンサの放電にも、時間がかかるため、復帰までの待ち時間を低減するにも限界があり、やはり操作性を向上させることは難しかった。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、本発明の目的は、スイッチング電源において、シャットダウンラッチ状態からの復帰時間を短くし、操作性を向上させることにある。
上記目的を達成するために、本発明を適用したスイッチング電源は、交流電源電圧を整流する整流回路と、前記整流回路に接続され、前記整流回路の出力を平滑する平滑コンデンサと、前記平滑コンデンサにより平滑された電圧が供給される電磁変換素子と、前記電磁変換素子に接続され、前記電磁変換素子に流れる電流をオンオフするよう動作するスイッチング素子と、前記スイッチング素子に流れる電流値を検出する電流検出回路と、前記電流検出回路の検出結果に応じ充電されるエラーメモリコンデンサと、前記電磁変換素子の出力電圧が一定となるように前記スイッチング素子の動作を制御し、前記エラーメモリコンデンサの充電電圧が所定電圧を越えると前記スイッチング素子の動作を停止する制御手段と、前記整流回路の入力側と前記エラーメモリコンデンサとに接続され、前記前記交流電源電圧に基づく電圧が前記所定電圧より低くなったときに、前記エラーメモリコンデンサを放電する放電回路とを具えたことを特徴とする。
本発明によれば、整流回路の入力ライン側の電圧を検出し、エラーメモリコンデンサや平滑(一次電解)コンデンサの充放電時間を可能な限り少なくして、シャットダウンラッチ状態を解除することができる。従って、復帰までの待ち時間が少なく、操作性を大幅に向上させることができる。
実施例1
図1は、本発明第一の実施例を適用したスイッチング電源である。
本実施例は、商用電源と整流回路の接続を遮断するスイッチを有し、スイッチから整流回路に供給される電圧を検出して、シャットダウンラッチ状態を解除することを特徴とする。前記従来例と同様の動作を行う部分については、同様の符号を付し、説明を省略する。
図1のスイッチング電源において、負荷9の異常増加や、商用電源電圧の異常低下により、IpがImaxを超えた場合の動作について、図2を用いて説明する。
IpがImaxを超えた場合、即ちCS端子がVimax(=Imax・Rcs)を超えた場合、エラーメモリコンデンサ3が端子電圧Vcshまで充電されシャットダウンが発生する。シャットダウンは、エラーメモリコンデンサ3が放電され、その端子電圧がVcsl以下になるまで、ラッチされる。
次に、ユーザがラッチ状態を解除する方法を説明する。
図1のスイッチング電源には、抵抗21,23、コンデンサ22、ダイオード24によって形成される放電回路が形成されている。
メインスイッチ10がONされている場合、ダイオード24のカソードには、商用電源1の半波電圧を平滑した電圧Vkが印可されている。このときのVkがVcshよりも高い電圧になるように、抵抗21,23およびコンデンサ22の定数が選定されている。
メインスイッチ10がOFFされると、ダイオード24のカソードは抵抗21によってプルダウンされるから、Vkは概略0Vとなる。このとき、エラーメモリコンデンサ3に充電されている電荷は、ダイオード24→抵抗21のルートで放電される。
従って、メインスイッチ10をOFFすることで、エラーメモリコンデンサ3の端子電圧は直ちに低下し、Vcsl以下まで引き下げられる。即ちラッチ状態は解除される。
後は、メインスイッチ10を再度ONすることで、スイッチング電源は、正常に復帰する。
本実施例で説明した回路構成は、適宜変更が可能であり、発明の範囲を限定するものではない。
実施例2
図3は、本発明第二の実施例を適用したスイッチング電源である。
本実施例は、制御回路へスイッチング電源の起動/停止を指示するソフトスイッチを有し、ソフトスイッチから制御回路に供給される電圧を検出して、シャットダウンラッチ状態を解除することを特徴とする。
前記従来例、および実施例1と同様の動作を行う部分については、同様の符号を付し、説明を省略する。
図3のスイッチング電源の特徴は、符号30のソフトスイッチを有することである。ソフトスイッチ30が、ユーザによってONされると、図10に示すように、制御回路31に供給されるON信号がHレベルとなる。制御回路31内のORゲート100には、このON信号が供給されており、ORゲート100の出力はHレベルとなる。これにより、制御回路31内のANDゲート101は、PWMコンパレータの出力パルスをOUT端子に出力する。従って、スイッチング電源の出力電圧が立ち上がる。
スイッチング電源の出力電圧が立ち上がると、論理素子33は、直ちにフォトカプラ32の発光ダイオードを点灯させる。これによって、制御回路31の/OFF端子にはHレベルが供給される。/OFF端子信号はORゲート100の入力に供給されているから、/OFF端子がHレベルになった場合、ON信号がLレベルになってもスイッチング動作が継続することになる。したがって、ユーザが、ソフトスイッチ30をOFFした場合でも、スイッチング動作は継続する。
論理素子33は、規定のタイミングでフォトカプラ32の発光ダイオードを消灯することにより、スイッチング動作を停止できる。
このスイッチング電源において、負荷9の異常増加や、商用電源電圧の異常低下により、IpがImaxを超え、シャットダウンラッチ状態に至る動作は、実施例1と同様であるため、説明を省略する。
次に、ユーザがラッチ状態を解除する方法を説明する。
図3のスイッチング電源には、抵抗21,23、コンデンサ22、ダイオード24によって形成される放電回路が形成されている。
ソフトスイッチ30がONされている場合、ダイオード24のカソードには、商用電源1の半波電圧を平滑した電圧Vkが印可されている。このときのVkがVcshよりも高い電圧になるように、抵抗21,23およびコンデンサ22の定数が選定されている。
ソフトスイッチ30がOFFされると、ダイオード24のカソードは抵抗21によってプルダウンされるから、Vkは概略0Vとなる。このとき、エラーメモリコンデンサ3に充電されている電荷は、ダイオード24→抵抗21のルートで放電される。
従って、ソフトスイッチ30をOFFすることで、エラーメモリコンデンサ3の端子電圧は直ちに低下し、Vcsl以下まで引き下げられる。即ちラッチ状態は解除される。
後は、ソフトスイッチ30を再度ONすることで、スイッチング電源は、正常に復帰する。
本実施例で説明した回路構成は、適宜変更が可能であり、発明の範囲を限定するものではない。
実施例3
図4は、本発明第三の実施例を適用したスイッチング電源である。
実施例1および2では、トランスを使用した絶縁型スイッチング電源に本発明を適用した例を示した。
本実施例は、絶縁型スイッチング電源の出力電圧を所望の直流電圧に変圧するDC−DCコンバータに関するものである。本実施例の特徴は、二次整流ダイオードのアノード電圧を検出して、DC−DCコンバータのシャットダウンラッチ状態を解除することである。
トランス5の一次側回路は、実施例1と同様であっても良いし、一般的な絶縁型スイッチング電源であっても良いので、図示と説明を省略する。
また、前記実施例と同様の動作を行う部分については、同様の符号を付し、説明を省略する。
FET6(図4には示さず)のスイッチングにより、トランス5には、図5に示すパルス電圧V2’が誘起される。V2’は、二次整流ダイオード7および二次平滑コンデンサ8によって整流・平滑され、直流電圧Voutとなる。Voutは、FET33に供給される。FET33がスイッチングすることにより、ダイオード35のカソード端子にパルス電圧が供給される。供給されたパルスは、チョークコイル34およびコンデンサ36によって整流・平滑され、直流電圧V2となる。V2は負荷39に供給される。
一方V2は、制御回路4のフィードバック端子(FB端子)に供給される。V2が、規定電圧よりも大きくなると制御回路4は、FET33のゲート駆動パルスのON Dutyを狭める。これによって、V2は低下する。
逆に、V2が規定電圧よりも小さくなると制御回路4は、FET33のゲート駆動パルスのON Dutyを広める。これによって、V2は上昇する。
以上の動作により、V2は概略一定の電圧に制御される。
図4のDC−DCコンバータにおいて、負荷39の異常増加により、FET33のドレイン電流Ip2が規定電流Imaxを超えた場合の動作について説明する。
FET33のドレイン電流Ip2は、検出抵抗Rcsによって電圧変換され、制御回路4の電流検出端子CSに供給される。Ip2がImaxを超えた場合、即ちCS端子がVimax (=Imax・Rcs) を超えた場合、エラーメモリコンデンサ3が端子電圧Vcshまで充電されシャットダウンが発生する。シャットダウンは、エラーメモリコンデンサ3が放電され、その端子電圧がVcsl以下になるまで、ラッチされる。
次に、ユーザがラッチ状態を解除する方法を説明する。
図4のスイッチング電源には、抵抗21,23、コンデンサ22、ダイオード24によって形成される放電回路が形成されている。
絶縁型スイッチング電源が動作している場合、ダイオード24のカソードには、図5に示すパルス電圧V2’の正電圧を平滑した電圧Vkが印可されている。このときのVkがVcshよりも高い電圧になるように、抵抗21,23およびコンデンサ22の定数が選定されていることがのぞましい。
絶縁型スイッチング電源が動作を停止すると、ダイオード24のカソードは抵抗21によってプルダウンされるから、Vkは概略0Vとなる。このとき、エラーメモリコンデンサ3に充電されている電荷は、ダイオード24→抵抗21のルートで放電される。
従って、絶縁型スイッチング電源を停止させる、即ちメインスイッチ10(図4には示さず)をOFFすることで、エラーメモリコンデンサ3の端子電圧は直ちに低下し、Vcsl以下まで引き下げられ、ラッチ状態は解除される。
後は、メインスイッチ10を再度ONすることで、絶縁型スイッチング電源の動作と共に、DC−DCコンバータは、正常に復帰する。
本実施例で説明した回路構成は、適宜変更が可能であり、発明の範囲を限定するものではない。
実施例4
図6は、本発明第四の実施例を適用したスイッチング電源である。
本実施例は、商用電源と整流回路の接続を遮断するスイッチを有し、スイッチから整流回路に供給される電圧を検出して、シャットダウンラッチ状態を解除する。
前記実施例1とは、エラーメモリコンデンサを放電する放電回路の構成が異なる。
前記従来例および実施例と同様の動作を行う部分については、同様の符号を付し、説明を省略する。
図6のスイッチング電源において、負荷9の異常増加や、商用電源電圧の異常低下により、IpがImaxを超えた場合の動作について説明する。
IpがImaxを超えた場合、即ちCS端子がVimax (=Imax・Rcs) を超えた場合、エラーメモリコンデンサ3が端子電圧Vcshまで充電されシャットダウンが発生する。シャットダウンは、エラーメモリコンデンサ3が放電され、その端子電圧がVcsl以下になるまで、ラッチされる。
次に、ユーザがラッチ状態を解除する方法を説明する。
図6のスイッチング電源には、抵抗21,23、コンデンサ22、ダイオード24、トランジスタ40によって形成される放電回路が形成されている。実施例1との違いは、トランジスタ40を設けたことである。
メインスイッチ10がONされている場合、ダイオード24のカソードには、商用電源1の半波電圧を平滑した電圧Vkが印可されている。このときのVkがVcshよりも高い電圧になるように、抵抗21,23およびコンデンサ22の定数が選定されている。
メインスイッチ10がOFFされると、トランジスタ40のベースは抵抗21によってプルダウンされるから、エラーメモリコンデンサ3に充電されている電荷は、ダイオード24→トランジスタ40のエミッタ→トランジスタ40のベースのルートで放電される。これに伴い、エラーメモリコンデンサ3→ダイオード24→トランジスタ40のエミッタ→トランジスタ40のコレクタのルートで、トランジスタ40の直流電流増幅率(hfe)倍の電流が流れる。
従って、メインスイッチ10をOFFすることで、エラーメモリコンデンサ3の端子電圧は直ちに低下し、Vcsl以下まで引き下げられる。即ちラッチ状態は解除される。
トランジスタ40を設けることで、エラーメモリコンデンサ3の放電電流をhfe倍にすることができ、ラッチ解除までの時間をさらに削減できるメリットがある。
後は、メインスイッチ10を再度ONすることで、スイッチング電源は、正常に復帰する。
本実施例で説明した回路構成は、適宜変更が可能であり、発明の範囲を限定するものではない。
本発明の第一の実施例を説明する図である。 本発明の第一の実施例を説明する図である。 本発明の第二の実施例を説明する図である。 本発明の第三の実施例を説明する図である。 本発明の第三の実施例を説明する図である。 本発明の第四の実施例を説明する図である。 従来の画像形成装置を説明する図である。 従来の画像形成装置を説明する図である。 従来の画像形成装置を説明する図である。 本発明の第二の実施例における制御回路を説明する図である。
符号の説明
1 商用電源
2 ダイオードブリッジ
3 エラーメモリコンデンサ
4 制御回路
5 トランス
6 FET
20 一次平滑コンデンサ
21,23 抵抗
22 コンデンサ
24 ダイオード


Claims (5)

  1. 交流電源電圧を整流する整流回路と、
    前記整流回路に接続され、前記整流回路の出力を平滑する平滑コンデンサと、
    前記平滑コンデンサにより平滑された電圧が供給される電磁変換素子と、
    前記電磁変換素子に接続され、前記電磁変換素子に流れる電流をオンオフするよう動作するスイッチング素子と、
    前記スイッチング素子に流れる電流値を検出する電流検出回路と、
    前記電流検出回路の検出結果に応じ充電されるエラーメモリコンデンサと、
    前記電磁変換素子の出力電圧が一定となるように前記スイッチング素子の動作を制御し、前記エラーメモリコンデンサの充電電圧が所定電圧を越えると前記スイッチング素子の動作を停止する制御手段と、
    前記整流回路の入力側と前記エラーメモリコンデンサとに接続され、前記前記交流電源電圧に基づく電圧が前記所定電圧より低くなったときに、前記エラーメモリコンデンサを放電する放電回路とを具えたことを特徴とするスイッチング電源。
  2. 前記交流電源と前記整流回路との接続を遮断する遮断手段を有し、
    前記放電回路は、前記遮断手段と前記整流回路との間に接続されることを特徴とする請求項1に記載のスイッチング電源。
  3. 前記交流電源と前記制御回路の間に接続され、前記制御回路へスイッチング電源の起動または停止を指示する指示装置を有し、
    前記放電回路は、前記指示装置と前記制御回路との間に接続されることを特徴とする請求項1に記載のスイッチング電源。
  4. 前記放電回路は、アノードを前記エラーメモリコンデンサに接続し、カソードを前記入力側に接続して前記エラーメモリコンデンサからの放電電流を流すダイオードを含むことを特徴とする請求項1または2に記載のスイッチング電源。
  5. 前記放電回路は、前記ダイオードに流れる電流を導通させるトランジスタを有することを特徴とする請求項4に記載のスイッチング電源。
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