JP4515342B2 - 多層回路基板 - Google Patents
多層回路基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4515342B2 JP4515342B2 JP2005197446A JP2005197446A JP4515342B2 JP 4515342 B2 JP4515342 B2 JP 4515342B2 JP 2005197446 A JP2005197446 A JP 2005197446A JP 2005197446 A JP2005197446 A JP 2005197446A JP 4515342 B2 JP4515342 B2 JP 4515342B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- noise suppression
- metal
- circuit board
- multilayer circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Description
前記ノイズ抑制層は、金属材料からなる金属クラスターの集合体であり、該金属クラスターの平均径が、2〜100nmであることが好ましい。
前記金属材料は、ニッケルまたはニッケルを含む合金であることが好ましい。
前記ノイズ抑制層は、スパッタリング法にて反応性ガス雰囲気下で金属材料を支持体上に物理的に蒸着させて形成された層であることが好ましい。
前記反応性ガスは、窒素ガスを含むものであることが好ましい。
本発明の配線用部材は、体積あたりのノイズ抑制効果が高く、かつ薄く、軽量であって、半導体素子の集積回路、半導体パッケージのサブストレート、多層回路基板等への実装作業が簡便である。
本発明の多層回路基板は、スイッチングによって電源層とグランド層との間に発生するノイズが抑えられたものとなる。
本発明のノイズ抑制体は、支持体と、該支持体上に形成された金属材料を含むノイズ抑制層とを有するものである。
ノイズ抑制層は、金属材料を含む層である。例えば、支持体上に、独立した複数のナノメーターレベルの金属材料の金属クラスター(マイクロクラスター)と、これらの間に形成される金属材料の存在しない欠陥とから構成される金属クラスターの集合体である。
支持体としては、絶縁性支持体が好ましい。絶縁性支持体とは、表面抵抗が106 Ω/cm2 以上の支持体を意味する。支持体は、無機材料からなる支持体であってもよく、有機材料からなる支持体であってもよい。
無機材料としては、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、窒化ケイ素等のセラミックス、発泡セラミックスが挙げられる。
有機材料としては、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリエステル、ポリエーテル、ポリケトン、ポリイミド、ポリウレタン、ポリシロキサン、フェノール系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリアクリレート、塩化ビニル系樹脂、塩素化ポリエチレン等の樹脂;天然ゴム、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、スチレンブタジエンゴム等のジエン系ゴム;ブチル系ゴム、エチレンプロピレンゴム、ウレタンゴム、シリコーンゴム等の非ジエン系ゴム等が挙げられる。有機材料は、熱可塑性であっても、熱硬化性であってもよく、その未硬化物であってよい。また、上記の樹脂、ゴム等の変性物、混合物、共重合体であってもよい。
支持体としては、金属クラスターとの密着性の点、および金属クラスターの凝集、成長を阻害し、金属クラスターの分散を安定化させる点から、金属との共有結合が可能となるO、N、S等の元素を含む基を表面に有するもの、表面に紫外線、プラズマ等を照射して表面を活性化したものが好ましい。 O、N、S等の元素を含む基としては、水酸基、カルボキシル基、エステル基、アミノ基、アミド基、チオール基、スルホン基、カルボニル基、エポキシ基、イソシアネート基、アルコキシ基等の親水性基が挙げられる。
選択性支持体を用いることにより、金属クラスターを所望のパターンにて配列させることができ、金属クラスターのサイズ、密度、金属クラスター間距離を制御することができる。その結果、効率よくノイズ抑制効果を発揮させることができる。このとき、金属クラスターの配列ピッチは5〜60nmが好ましく、金属クラスターの平均粒径は4〜55nnが好ましい。
(1)JIS K7113に規定されている引張応力と歪との関係から引張り弾性率を求め、これをもとに下記式からせん断弾性率を求める。
せん断弾性率=引張り弾性率/(2×(1+ポアソン比))
ここで2×(1+ポアソン比)の値は、剛直な高分子からゴム状の弾性体まで、おおよそ2.6〜3.0である。
(2)温度特性を把握できる粘弾性率測定装置を用い、試験モードをせん断モードにしてせん断弾性率を測定する。
(3)粘弾性率測定装置を用い、試験モードを引張りモードにして貯蔵弾性率G'および損失弾性率G”を測定し、下記式から複素弾性率G*を求め、複素弾性率を引張り弾性率として、上記式からせん断弾性率を求める。
G*=√((G')2+(G”)2)
本発明におけるせん断弾性率は、粘弾性率測定装置として、レオメトリック・サイエンティフィック社製ソリッドアナライザーRSA−IIを用い、せん断モードにて、測定周波数1Hzの条件で測定した値とする。
所望のせん断弾性率にするために、金属クラスターの形成後に支持体を焼成固化または化学架橋することが好ましい。この点においては、金属クラスターの形成前には低せん断弾性率であり、形成後に架橋してせん断弾性率を上げることができる有機材料を用いることが特に好ましく、熱硬化性樹脂、エネルギー線(紫外線、電子線など)硬化性樹脂が好適である。
ここで、酸素透過率は、JIS K7126に準拠して測定され、求められる気体透過係数である。
支持体の厚さは、後述の導体箔等の他の基材を設けない場合は、1〜100μmが好ましく、他の基材を設ける場合は、0.02〜50μmが好ましい。
本発明のノイズ抑制体は、支持体上に金属クラスターの集合体からなるノイズ抑制層を形成することによって製造される。
金属クラスターは、支持体表面に核を生成させ、該核を成長させることにより形成される。金属クラスターの形成方法としては、湿式法、乾式法が挙げられる。
金属クラスターを形成させるためには、金属の析出をゆっくりと行うことが好ましく、そのためには、メッキ液の濃度を低くする、反応温度を下げる、還元剤濃度を低くする等の条件コントロールが必要である。特に、選択性支持体上に析出させるときは、初期の核生成を慎重に行う必要があり、メッキ液との均質な接触が重要である。
物理的蒸着法は、真空にした容器の中で金属材料(ターゲット)を何らかの方法で気化させ、気化した金属材料を近傍に置いた支持体上に堆積させる方法である。物理的蒸着法は、金属材料の気化方法の違いで、蒸発系とスパッタリング系とに分けられる。蒸発系としては、EB蒸着法、イオンプレーティング法等が挙げられる。スパッタリング系としては、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、対向ターゲット型マグネトロンスパッタリング法等が挙げられる。これらのうち、スパッタリング法が、ノイズ抑制層の厚さ制御、支持体の熱ダメージの低さの点から好ましい。
強磁性金属としては、鉄、カルボニル鉄;Fe−Ni、Fe−Co、Fe−Cr、Fe−Si、Fe−Al、Fe−Cr−Si、Fe−Cr−Al、Fe−Al−Si、Fe−Pt等の鉄合金;コバルト、ニッケル;これらの合金等が挙げられる。
常磁性金属としては、金、銀、銅、錫、鉛、タングステン、ケイ素、アルミニウム、チタン、クロム、モリブデン、それらの合金、強磁性金属との合金等が挙げられる。
これらのうち、酸化に対して抵抗力のある点で、ニッケル、鉄クロム合金、タングステン、貴金属が好ましい。しかし、貴金属は高価であるため、実用的にはニッケル、鉄クロム合金、タングステンが好ましい。
また、強磁性金属を蒸着させて形成された金属クラスターは、個々の金属が強磁性体であっても、全体では磁気モーメントの向きがバラバラなため、常磁性の状態となっている(超常磁性体状態)。
ノイズ抑制効果の確認方法としては、Sパラメータの反射減衰量S11および透過減衰量S21を測定する方法が挙げられる。該方法は、IEC(International Electrotechnical Commission)のWorking Group 10、Technical Committee 51にて規格化が検討されており、該規格は2005年に発行される予定である。
図8は、検討されている反射減衰量S11および透過減衰量S21の測定に用いられる装置を示す概略構成図である。テストフィクスチャー5に設けられた、規定の特性インピーダンス(50Ω等)を持つマイクロストリップ線路6上に、ノイズ抑制体1(50mm×50mm)を密着して置き、ノイズ抑制体1を装着する前後のSパラメータの変化(反射減衰量S11および透過減衰量S21)を、マイクロストリップ線路6に電気的に接続されたネットワークアナライザー7で測定する。校正をあらかじめテストフィクチャー5だけで行い、ノイズ抑制体1を装着したときのSパラメータを読み取ることでノイズ抑制効果を測定できる。
ロス電力比(Ploss/Pin)=1−(│Γ│2+│Τ│2)
ここで、S11=20log│Γ│、S21=20log│Τ│、Γは反射係数であり、Τは透過係数である。
伝導ノイズ抑制体のロス電力比を0.4〜0.9にするためには、支持体上に、平均粒径が2〜100nmの常磁性の金属クラスターを密に分散させた構造とすることを基本に、金属クラスターの形成の条件、支持体の表面物性等をコントロールすることにより達成される。
このように、複数のノイズ抑制層4を間隔をあけて配置すると、容量成分が増し、またスタブ構造も発生するため、より一層のノイズ抑制効果が発現する。
本発明のノイズ抑制体は、その理由は定かではないが、あるエネルギー損失によって、半導体素子等の電子部品が搭載された多層回路基板の導体中を流れるスイッチングノイズ等の高周波ノイズ電流を抑制することができ、電源電位およびグランド電位の安定化を図ることができる。また、電源等の不安定さから起こるグラウンドバウンスよる電源層からの放射ノイズも未然に抑制することできる。よって、多層回路基板中に容易に実装できる伝導ノイズ抑制体付き配線用部材が有用である。
導体箔としては、銅箔、アルミニウム箔、ニッケル箔等の金属箔;銀ペースト等からなる金属粒子分散体膜等が挙げられる。
配線用部材のノイズ抑制効果は、図13のように、抑制の対象とする導体(導体箔10)からの距離が近いほど大きい。よって、ノイズ抑制効果の点、および、多層回路基板の厚さを薄する点から、配線用部材における支持体2の厚さは、50μm以下が好ましく、25μm以下がより好ましい。また、ノイズ抑制層4と導体箔10との絶縁性を維持するために、支持体2の厚さは、0.02μm以上が好ましい。
多層回路基板の導体中を流れる高周波ノイズ電流の抑制、電源の強化のためには、本発明の配線用部材を、信号伝送層、電源層、グランド層用の導体として用いればよい。これにより、導体の近くにノイズ抑制体が設けられた多層回路基板を構成することができる。
本発明の多層回路基板としては、図14に示すように、信号伝送層11、電源層12およびグランド層13が絶縁層14を介して積層され、かつ信号伝送層11とグランド層13との間、または電源層12とグランド層13との間に、支持体2上にノイズ抑制層4が形成されたノイズ抑制体1が配置され、スルーホール15が設けられているものが挙げられる。
(表面観察)
日本電子(株)製、走査電子顕微鏡JSM−6700Fを用いた。
(断面観察)
(株)日立製作所製、透過型電子顕微鏡H9000NARを用いた。
(せん断弾性率)
せん断弾性率は、粘弾性率測定装置として、レオメトリック・サイエンティフィック社製ソリッドアナライザーRSA−IIを用い、せん断モードにて、測定周波数1Hzの条件で測定した。
金属材料の体積抵抗率R0(Ω・cm)は、文献値とした。
ノイズ抑制層の表面抵抗は、ダイアインスツルメンツ製、MCP−T600により、測定電圧10Vで直流4端子法で測定し、測定点数5点の平均値で示し、さらにこの値とノイズ抑制層の厚さとから体積抵抗率R1(Ω・cm)を算出した。
キーコム(株)製、近傍界用電磁波吸収材料測定装置を用いて、Sパラメーター法によるS11(反射減衰量、単位:dB)およびS21(透過減衰量、単位:dB)を測定し、ロス電力比を求めた。ネットワークアナライザーとしては、アンリツ(株)製、ベクトルネットワークアナライザー37247Cを用い、50Ωのインピーダンスを持つマイクロストリップラインのテストフィクスチャーとしては、キーコム(株)製、TF−3A(マイクロストリップライン幅4.15mm )、または自作のマイクロストリップライン幅1.44mmのものを用いた。
実施例1〜6、比較例1〜3については、1GHzにおける透過減衰量、反射減衰量より下記式にて伝送減衰率(Rtp、単位:dB)を求めた。
Rtp=−10×log{10S21/10/(1−10S11/10)}
実施例7〜11、比較例4〜6については、透過減衰量、反射減衰量よりロス電力比を求めた。
対向ターゲット型マグネトロンスパッタリング法により、支持体(厚さ25μmのポリイミドフィルム、商品名:「カプトン」、東レ・デュポン製、表面抵抗:1010Ω/cm2 以上)の片面に、支持体の温度を常温(25℃)に保ちながら、ニッケル(純度3N)を、表1に示すスパッタ条件で物理的に蒸着させてノイズ抑制層を形成し、ノイズ抑制体を得た。得られたノイズ抑制体について、ノイズ抑制層の表面(金属クラスターの平均粒径)および断面(ノイズ抑制層の平均厚さ)を観察し、ノイズ抑制層の表面抵抗を測定し、ノイズ抑制効果の評価を行った。結果を表1に示す。また、実施例1のノイズ抑制体のS11(反射減衰量)およびS21(透過減衰量)のグラフを図15に示し、比較例1のノイズ抑制体のS11(反射減衰量)およびS21(透過減衰量)のグラフを図16に示す。
比較例1、3では、スパッタリング時に窒素ガスを導入しなかったため、logR1−logR0の値が本発明の範囲を下回り、この結果、伝送減衰率が著しく小さく、また、2.5GHz付近に透過減衰量のピークが観察され、高周波域ではさらに性能が劣化した。
比較例2では、logR1−logR0の値が本発明の範囲を上回って外れ、この結果、伝送減衰率が小さく、ノイズ抑制体としての性能は不充分であった。
DC型マグネトロンスパッタリング法により、支持体(厚さ25μmのポリイミドフィルム、商品名:「カプトン」、東レ・デュポン製、表面抵抗:1010Ω/cm2 以上)の片面に、支持体の温度を常温(25℃)に保ちながら、ニッケル(純度3N)を、表2に示すスパッタ条件で物理的に蒸着させてノイズ抑制層を形成し、ノイズ抑制体を得た。得られたノイズ抑制体について、ノイズ抑制層の表面(金属クラスターの平均粒径)および断面(ノイズ抑制層の平均厚さ)を観察し、ノイズ抑制層の表面抵抗を測定し、ノイズ抑制効果の評価を行った。結果を表2に示す。また、実施例6のノイズ抑制体のS11(反射減衰量)およびS21(透過減衰量)のグラフを図17に、ロス電力比のグラフを図18に示し、比較例4のノイズ抑制体のS11(反射減衰量)およびS21(透過減衰量)のグラフを図19に、ロス電力比のグラフを図20に示す。また、実施例1のノイズ抑制体を、ノイズ抑制層(上面)側から見た高分解能走査電子顕微鏡像を図1に示し、実施例1のノイズ抑制体のノイズ抑制層の膜厚方向断面の高分解能透過型電子顕微鏡像を図5に示し、比較例4のノイズ抑制体を、ノイズ抑制層(上面)側から見た高分解能走査電子顕微鏡像を図21に示す。
支持体をガラス板(プレパラート、縦28mm、横48mm、厚さ1.3mm、表面抵抗:1010Ω/cm2 以上)に変更し、スパッタ条件を表2に示す条件に変更した以外は、実施例6と同様にしてノイズ抑制体を得た。得られたノイズ抑制体について、ノイズ抑制層の表面(金属クラスターの平均粒径)および断面(ノイズ抑制層の平均厚さ)を観察し、ノイズ抑制層の表面抵抗を測定し、ノイズ抑制効果の評価を行った。結果を表2示す。
アクリル酸t−ブチル(27質量%)とアクリル酸2−エチルヘキシル(73質量%)とのブロック共重合体をアセトン−水混合溶媒(質量比1:1)に溶解し、濃度が3質量%のブロック共重合体溶液を調製し、該溶液をキャスティングし、乾燥させて100μmのフィルム(選択性支持体)を得た。該フィルムは、親水性ポリマー成分がシリンダー部分となり、その他の部分は疎水性ポリマー成分からなる、垂直配向した六方最密充填のシリンダーアレイ型相分離構造を有しており、シリンダー部分のサイズは約20nm、シリンダー部分間ピッチは約27nmであった。また、該フィルムの表面抵抗は109 Ω/cm2 以上であった。
支持体を厚さ25μmのポリイミドフィルム(商品名:「カプトン」、東レ・デュポン製、表面抵抗:1010Ω/cm2 以上)に変更した以外は、参考例1と同様にしてノイズ抑制体を得た。得られたノイズ抑制体について、ノイズ抑制層の表面(金属クラスターの平均粒径)および断面(ノイズ抑制層の平均厚さ)を観察し、ノイズ抑制層の表面抵抗を測定し、ノイズ抑制効果の評価を行った。結果を表2示す。
金属材料をニッケルから銀(純度3N)に変更し、スパッタ条件を表2に示す条件に変更した以外は、実施例6と同様にしてノイズ抑制体を得た。得られたノイズ抑制体について、ノイズ抑制層の表面(金属クラスターの平均粒径)および断面(ノイズ抑制層の平均厚さ)を観察し、ノイズ抑制層の表面抵抗を測定し、ノイズ抑制効果の評価を行った。結果を表2示す。
厚さ12.5μmのポリイミドフィルムにエポキシ系接着剤(Bステージ状態)が厚さ10μmで塗布されたカバーレイフィルムに、開口部として1mmφの貫通孔を12cm2 ごとに1個の割合で設けた。該カバーレイフィルムをプレスによって実施例10のノイズ抑制体のノイズ抑制層上に貼り合わせて厚さ22.5μmの隔離層を設け、該隔離層上に実施例10と同じスパッタ条件にて第2のノイズ抑制層を形成し、ノイズ抑制体を得た。得られたノイズ抑制体について、ノイズ抑制層の表面(金属クラスターの平均粒径)および断面(ノイズ抑制層の平均厚さ)を観察し、ノイズ抑制層の表面抵抗を測定し、ノイズ抑制効果の評価を行った。結果を表2示す。
2 支持体
3 金属クラスター
4 ノイズ抑制層
10 導体箔
11 信号伝送層
12 電源層
13 グランド層
Claims (8)
- 信号伝送層、電源層およびグランド層を有する多層回路基板に用いられる配線用部材であって、
前記信号伝送層、電源層、グランド層のいずれかを構成し得る導体箔と、
該導体箔の少なくとも片面に設けられた支持体と、
該支持体の上に形成された金属材料を含むノイズ抑制層とを有し、
前記ノイズ抑制層が、金属材料を支持体上に物理的に蒸着させて形成された層であり、
ノイズ抑制層の表面抵抗の実測値から換算した体積抵抗率R1(Ω・cm)と金属材料の体積抵抗率R0(Ω・cm)とが、0.5≦logR1−logR0≦3を満足することを特徴とする配線用部材を用いた、信号伝送層、電源層およびグランド層を有する多層回路基板であって、
前記信号伝送層、電源層、グランド層の少なくとも1つが前記導体箔からなり、
信号伝送層とグランド層との間、電源層とグランド層との間のいずれか一方または両方に、前記ノイズ抑制層が、前記導体箔との絶縁性を維持した状態で配置されていることを特徴とする多層回路基板。 - 前記ノイズ抑制層の平均厚さが、2〜100nmであることを特徴とする請求項1記載の多層回路基板。
- 前記ノイズ抑制層が、金属材料からなる金属クラスターの集合体であり、
該金属クラスターの平均径が、2〜100nmであることを特徴とする請求項1または請求項2記載の多層回路基板。 - 前記金属材料が、ニッケルまたはニッケルを含む合金であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一項に記載の多層回路基板。
- 前記ノイズ抑制層が、スパッタリング法にて反応性ガス雰囲気下で金属材料を支持体上に物理的に蒸着させて形成された層であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一項に記載の多層回路基板。
- 前記反応性ガスが、窒素ガスを含むものであることを特徴とする請求項5記載の多層回路基板。
- 前記支持体の厚さが、0.02〜50μmであることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項に記載の多層回路基板。
- 前記ノイズ抑制層の面積が、該ノイズ抑制層に最も近い信号伝送層または電源層を構成する導体の面積の1〜10倍であることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一項に記載の多層回路基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005197446A JP4515342B2 (ja) | 2005-03-14 | 2005-07-06 | 多層回路基板 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005070975 | 2005-03-14 | ||
JP2005197446A JP4515342B2 (ja) | 2005-03-14 | 2005-07-06 | 多層回路基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006295101A JP2006295101A (ja) | 2006-10-26 |
JP4515342B2 true JP4515342B2 (ja) | 2010-07-28 |
Family
ID=37415304
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005197446A Expired - Fee Related JP4515342B2 (ja) | 2005-03-14 | 2005-07-06 | 多層回路基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4515342B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4920336B2 (ja) * | 2006-08-07 | 2012-04-18 | 信越ポリマー株式会社 | 配線部材の製造方法 |
TWI379621B (en) | 2007-08-02 | 2012-12-11 | Shinetsu Polymer Co | Conductive noise suppressing structure and wiring circuit substrate |
JP5722608B2 (ja) | 2009-12-15 | 2015-05-20 | 旭化成せんい株式会社 | ノイズ吸収布帛 |
JP5609451B2 (ja) | 2010-09-09 | 2014-10-22 | 富士通株式会社 | コネクタ、光伝送装置およびコネクタ接続方法 |
JP5707795B2 (ja) | 2010-09-09 | 2015-04-30 | 富士通株式会社 | コネクタ、光伝送装置およびコネクタ接続方法 |
JP5069365B1 (ja) | 2011-06-30 | 2012-11-07 | 清二 加川 | 近傍界ノイズ抑制フィルム |
WO2013024758A1 (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-21 | 積水ナノコートテクノロジー株式会社 | 電磁波吸収体 |
US9820418B1 (en) * | 2016-03-24 | 2017-11-14 | Jose Machado | Electromagnetic contamination neutralization composition, device, and method |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01287999A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-20 | Fujikura Ltd | プリント配線板 |
JPH04294595A (ja) * | 1991-03-25 | 1992-10-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 同軸線を使用した配線板及びその製造法 |
JPH09116289A (ja) * | 1995-10-24 | 1997-05-02 | Tokin Corp | ノイズ抑制型電子装置およびその製造方法 |
JPH10163636A (ja) * | 1996-12-02 | 1998-06-19 | Nec Corp | 多層プリント基板及びその製造方法 |
JPH10242602A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-09-11 | Nec Corp | 多層プリント基板及びその製造方法 |
JPH10303563A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Nec Corp | 多層プリント配線板およびその製造方法 |
JP2002151885A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-05-24 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 電波吸収性パネルおよびその製造方法 |
JP2004165278A (ja) * | 2002-11-11 | 2004-06-10 | Kitagawa Ind Co Ltd | 電磁波シールド軟質筐体及び電子機器 |
JP2005033156A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-02-03 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 電磁波吸収シート、電子機器および電磁波吸収シートの製造方法 |
JP2005045193A (ja) * | 2003-03-25 | 2005-02-17 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 電磁波吸収体及び電磁波ノイズ制御電子機器 |
-
2005
- 2005-07-06 JP JP2005197446A patent/JP4515342B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01287999A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-20 | Fujikura Ltd | プリント配線板 |
JPH04294595A (ja) * | 1991-03-25 | 1992-10-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 同軸線を使用した配線板及びその製造法 |
JPH09116289A (ja) * | 1995-10-24 | 1997-05-02 | Tokin Corp | ノイズ抑制型電子装置およびその製造方法 |
JPH10163636A (ja) * | 1996-12-02 | 1998-06-19 | Nec Corp | 多層プリント基板及びその製造方法 |
JPH10242602A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-09-11 | Nec Corp | 多層プリント基板及びその製造方法 |
JPH10303563A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Nec Corp | 多層プリント配線板およびその製造方法 |
JP2002151885A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-05-24 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 電波吸収性パネルおよびその製造方法 |
JP2004165278A (ja) * | 2002-11-11 | 2004-06-10 | Kitagawa Ind Co Ltd | 電磁波シールド軟質筐体及び電子機器 |
JP2005045193A (ja) * | 2003-03-25 | 2005-02-17 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 電磁波吸収体及び電磁波ノイズ制御電子機器 |
JP2005033156A (ja) * | 2003-06-18 | 2005-02-03 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 電磁波吸収シート、電子機器および電磁波吸収シートの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006295101A (ja) | 2006-10-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4515342B2 (ja) | 多層回路基板 | |
JP4417377B2 (ja) | 電磁波ノイズ抑制体、電磁波ノイズ抑制機能付構造体、およびそれらの製造方法 | |
US20090314539A1 (en) | Electromagnetic noise suppressor, article with electromagnetic noise suppressing function and their manufacturing methods | |
JP4611758B2 (ja) | 伝導ノイズ抑制体および伝導ノイズ抑制体付電子部品 | |
CN103392389B (zh) | 近场噪声抑制片材 | |
JP2007243007A (ja) | ノイズ抑制構造体、多層プリント回路基板およびその製造方法 | |
JP2008028165A (ja) | ノイズ抑制構造体および多層プリント回路基板 | |
JP4611700B2 (ja) | 電磁波ノイズ抑制シートおよびその使用方法 | |
JP2005327853A (ja) | 電磁波ノイズ抑制体およびその製造方法 | |
JP4611699B2 (ja) | 伝導ノイズ抑制体および伝導ノイズ対策方法 | |
JP2006294967A (ja) | プリント配線基板およびその製造方法 | |
JP4417062B2 (ja) | 電磁波ノイズ抑制体及び電磁波ノイズ制御電子機器 | |
JP4381871B2 (ja) | 電磁波ノイズ抑制体、その製造方法、および電磁波ノイズ抑制機能付きプリント配線板 | |
JP4611698B2 (ja) | Emc対策部材およびemc対策方法 | |
JP4611697B2 (ja) | 電磁波ノイズ抑制体およびその使用方法 | |
JP4368666B2 (ja) | 複合粒子の製造方法 | |
JP4173424B2 (ja) | 電磁波吸収シート、電子機器および電磁波吸収シートの製造方法 | |
JP4368737B2 (ja) | 電磁波ノイズ抑制体およびその製造方法 | |
JP2005251918A (ja) | 電磁波ノイズ抑制体 | |
KR100636826B1 (ko) | 노이즈 감쇄 연성필름 및 이를 포함하는 전자기파 차폐 회로기판 | |
JP2006297628A (ja) | プリント配線基板用樹脂付き金属箔およびプリント配線基板 | |
JP2005216928A (ja) | 電磁波ノイズ抑制体、その製造方法、および電磁波ノイズ抑制機能付構造体 | |
JP2005216927A (ja) | 電磁波ノイズ抑制体、電磁波ノイズ抑制機能付構造体、およびそれらの製造方法 | |
JP2005310898A (ja) | 遠方界対応型電磁波吸収体及びその製造方法 | |
JP2005122915A (ja) | 電気コネクタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070815 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091026 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100316 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100414 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100506 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100512 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4515342 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130521 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160521 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |