JP4500173B2 - Static electricity removing method and substrate processing apparatus - Google Patents
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本発明は、例えば液晶ガラス基板や半導体ウェハなどの基板と、この基板が載置される基板載置台との間に生ずる静電気を除去する静電気除去方法および基板処理装置に関する。 The present invention relates to a static electricity removing method and a substrate processing apparatus for removing static electricity generated between a substrate such as a liquid crystal glass substrate or a semiconductor wafer and a substrate mounting table on which the substrate is placed.
従来、例えば液晶ガラス基板や半導体ウェハなどの基板の製造工程において、基板を支持する基板載置台から、この上面に面接触状態で載置された基板を持ち上げて剥離させた際に、剥離部分にいわゆる剥離帯電と呼ばれる静電気が発生することがある。この剥離帯電は、基板への塵埃付着をもたらすばかりか、剥離部分の拡大とともに帯電された電荷が大きくなって放電を起こし、基板に損傷を与えることもある。このため、基板の剥離時に、剥離部分の電荷を消失させることが求められる。 Conventionally, in a manufacturing process of a substrate such as a liquid crystal glass substrate or a semiconductor wafer, when a substrate placed on the upper surface in a surface contact state is lifted and separated from a substrate mounting table that supports the substrate, Static electricity called so-called peeling charging may occur. This peeling electrification not only causes dust adhesion to the substrate, but also, as the peeled portion expands, the charged charge becomes large, causing discharge, and may damage the substrate. For this reason, it is calculated | required that the electric charge of a peeling part is lose | eliminated at the time of peeling of a board | substrate.
この基板の除電を行う手法としては、例えば基板載置台に載置された基板の外周部から、基板と基板載置台との間に向けてイオン化気体を噴出させる方法や、基板載置台に基板裏面に直交する放出孔を設け、この放出孔から基板の裏面に向けてイオン化気体を放出させる方法などがある。
前者は、加熱装置のヒータプレートに載置された基板を剥離させる際に、昇降ピンにより押し上げられた基板の外周部と基板載置台との隙間にイオン化気体を供給し、基板に生ずる静電気の除電が可能とされている(例えば、特許文献1参照。)。
一方、後者は、基板載置台に載置された基板を剥離させる際に、昇降ピンから離れた位置に設けられた放出孔から基板の裏面にイオン化気体を供給することで、基板裏面の除電が可能とされている(例えば、特許文献2参照。)。
In the former, when the substrate placed on the heater plate of the heating device is peeled off, ionized gas is supplied to the gap between the outer peripheral portion of the substrate pushed up by the lifting pins and the substrate mounting table, and static electricity generated on the substrate is eliminated. (For example, refer to Patent Document 1).
On the other hand, in the latter case, when the substrate mounted on the substrate mounting table is peeled off, the ionization gas is supplied to the back surface of the substrate from the discharge hole provided at a position away from the lift pins, thereby eliminating the charge on the back surface of the substrate. (For example, refer to Patent Document 2).
しかしながら、特許文献1に開示されているような方法では、昇降ピンで基板の裏面を押圧した段階で、基板の外周部と基板載置台との間にイオン化気体が供給可能な隙間が生じず、剥離部分にイオン化気体が供給されないまま、剥離部分が拡大されてしまう場合がある。この場合には、剥離部分の剥離帯電が放電されてしまい、基板が損傷されるという問題があった。 However, in the method disclosed in Patent Document 1, at the stage where the back surface of the substrate is pressed with the lifting pins, there is no gap in which ionized gas can be supplied between the outer peripheral portion of the substrate and the substrate mounting table, In some cases, the peeled portion is enlarged without the ionized gas being supplied to the peeled portion. In this case, there is a problem that the peeling charge of the peeling portion is discharged and the substrate is damaged.
特に、液晶ディスプレイのマザーガラス基板は、0.5〜0.7mmと非常に薄く、且つ基板サイズも2000mmを超えるものが生産されている。この大型化と薄肉化によって基板の剛性が小となるため、昇降ピンで基板の裏面を押し上げても基板が撓みやすく、基板を少し押し上げただけでは基板の外周部が基板載置台面に貼りついて隙間が生じない。この特許文献1の場合は、基板を押し上げる初期段階で基板載置台と基板の外周部との間に隙間がないために基板裏面にイオン化気体を供給することができない。このため、この除電方法では、基板をある程度高く押し上げた状態で除電が開始されるため、上記の問題が多発する傾向にある。また、基板の外周部に隙間を生じさせる目的で、昇降ピンの押上力を大きくした場合には、急激に剥離が進行するため、剥離帯電が生じやすくなるばかりか、基板載置台面に貼りついた状態で昇降ピンにより基板を押し上げると、基板の裏面に集中応力が作用し、基板を損傷させるという問題が生じる。 In particular, a mother glass substrate for a liquid crystal display has been produced with a very thin thickness of 0.5 to 0.7 mm and a substrate size exceeding 2000 mm. Because of this increase in size and thickness, the rigidity of the substrate is reduced, so even if the back surface of the substrate is pushed up with the lifting pins, the substrate is easily bent, and if the substrate is pushed up slightly, the outer periphery of the substrate sticks to the substrate mounting surface. There is no gap. In the case of this patent document 1, since there is no gap between the substrate mounting table and the outer peripheral portion of the substrate at the initial stage of pushing up the substrate, the ionized gas cannot be supplied to the back surface of the substrate. For this reason, in this static elimination method, since the static elimination is started in a state where the substrate is pushed up to some extent, the above problem tends to occur frequently. In addition, if the lifting force of the lifting pins is increased for the purpose of creating a gap in the outer periphery of the substrate, the peeling proceeds rapidly, so that peeling electrification is likely to occur and the substrate is stuck to the substrate mounting surface. If the substrate is pushed up by the lifting pins in a state where the substrate is in a raised state, concentrated stress acts on the back surface of the substrate, causing a problem of damaging the substrate.
一方、特許文献2に開示されているような方法では、昇降ピンが挿通される貫通口と、イオン化気体を供給する放出孔とがそれぞれ個別に、且つ離れた位置に設けられているため、剥離部分が放出孔に到達するまでイオン化気体は剥離部分に供給されず、この間に、剥離部分に剥離帯電が生じて放電され、基板が損傷される恐れがあった。特に、特許文献2の図2に示されるように、昇降ピンに対して基板の短辺側に放出孔が設けられていないため、基板の短辺側にイオン化気体が充分に供給されず、剥離放電が生じやすくなる。
On the other hand, in the method as disclosed in
本発明は、上記事情を鑑み、基板載置台から基板を剥離させる際に生ずる静電気を確実に除電する静電気除去方法および基板処理装置を提供することを目的とする。 In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a static electricity removing method and a substrate processing apparatus that reliably remove static electricity generated when a substrate is peeled from a substrate mounting table.
上記の目的を達するために、この発明は以下の手段を提供している。 In order to achieve the above object, the present invention provides the following means.
本発明の静電除去方法では、板状の基板が載置される基板載置台と、前記基板載置台の上面から出没させて前記基板を昇降させる昇降ピンを備え、前記基板を複数の昇降ピンにより基板載置台から持ち上げる際に、前記昇降ピンにより押し上げられる前記基板の剥離部分に前記昇降ピンを中心に、かつ昇降ピンの昇降方向に対して交差する方向に向けた導通路から前記イオン化気体を放出し、前記基板載置台と前記基板との間に発生する静電気を除去する。 In the electrostatic removal method of the present invention, a substrate mounting table on which a plate-shaped substrate is mounted, and a lifting pin that moves up and down from the upper surface of the substrate mounting table to raise and lower the substrate, the substrate being a plurality of lifting pins When the substrate is lifted from the substrate mounting table, the ionized gas is caused to flow from a conduction path centered on the lifting pin to the peeling portion of the substrate pushed up by the lifting pin and in a direction intersecting the lifting direction of the lifting pin. The static electricity generated is removed between the substrate mounting table and the substrate.
また、本発明の基板処理装置では、板状の基板に検査や各種処理を行って製造する基板処理装置において、前記基板を載置する基板載置台と、前記基板載置台の複数個所に出没可能に設けられ前記基板を昇降させる昇降ピンと、前記昇降ピンを中心に、かつ昇降ピンの昇降方向に対して交差する方向に向けた導通路からイオン化気体を供給するイオナイザを備え、前記昇降ピンにより押し上げられる前記基板の剥離部分に前記イオン化気体を放出し、前記基板載置台と前記基板との間に発生する静電気を除去する。 In the substrate processing apparatus of the present invention, in the substrate processing apparatus manufactured by inspecting and manufacturing a plate-shaped substrate, the substrate mounting table on which the substrate is mounted and the substrate mounting table can appear at a plurality of locations. And a lift pin for raising and lowering the substrate , and an ionizer for supplying ionized gas from a conduction path centered on the lift pin and in a direction intersecting with the lift direction of the lift pin, and pushed up by the lift pin The ionized gas is released to the peeled portion of the substrate, and static electricity generated between the substrate mounting table and the substrate is removed.
本発明の静電気除去方法によれば、複数の昇降ピンにより基板を持ち上げ剥離させる際に、昇降ピンによる剥離中心部分からイオンが放出されることで、基板と基板載置台との間に生ずる静電気を除去することができる。このため、剥離部分の剥離帯電を解消することができ、放電を生じさせずに基板を剥離することができる。これにより、基板に損傷を与えることを防止することが可能となる。 According to the static electricity removing method of the present invention, when a substrate is lifted and separated by a plurality of lifting pins, ions are released from the peeling center portion by the lifting pins, thereby preventing static electricity generated between the substrate and the substrate mounting table. Can be removed. For this reason, the peeling electrification of the peeled portion can be eliminated, and the substrate can be peeled without causing discharge. This can prevent the substrate from being damaged.
また、本発明の静電気除去方法によれば、昇降ピンによる剥離中心部分からイオン化気体を供給することで、昇降ピンにより基板が剥離されるとともに、剥離部分にイオン化気体を供給することができる。これにより、剥離部分の剥離帯電を解消することができ、放電を生じさせずに基板を剥離することができるため、基板に損傷を与えることを防止することが可能となる。 In addition, according to the static electricity removing method of the present invention, by supplying ionized gas from the peeling center portion by the lifting pins, the substrate is peeled by the lifting pins and the ionized gas can be supplied to the peeling portions. Thereby, peeling electrification at the peeling portion can be eliminated and the substrate can be peeled without causing discharge, so that it is possible to prevent the substrate from being damaged.
また、本発明の基板処理装置によれば、昇降ピン又は昇降ピンの周辺部にイオン化気体を供給するイオナイザが備えられていることによって、昇降ピンにより剥離された基板の剥離部分にイオン化気体を確実に供給することができる。これにより、基板に損傷を与えることを防止することが可能となる。 Further, according to the substrate processing apparatus of the present invention, the ionization gas is reliably supplied to the peeling portion of the substrate peeled by the lifting pins by providing the lifting pins or the ionizer that supplies the ionized gas to the peripheral portion of the lifting pins. Can be supplied to. This can prevent the substrate from being damaged.
以下、図1から図4を参照し、本発明の第1実施形態に係る基板処理装置Aについて説明する。 Hereinafter, a substrate processing apparatus A according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
本発明の第1実施形態は、図1および図2に示すように、例えばウェハ、液晶ディスプレイ等のFPD(Flat Panel Display)用のマザーガラス基板1(以下、基板という)を支持する基板載置台2が1つの構成要素とされ、基板の検査や、基板1に各種処理を行って製造するための基板処理装置Aに関するものである。上面(表面)2aに板状の基板1が載置される基板載置台2を1つの構成要素とするこの種の基板処理装置Aは、基板1の製造工程内で多数用いられており、基板載置台2に載置されることで基板1の平坦性を確保して、基板1表面1aに形成されたパターンなどの検査を行う外観検査装置がその一例として挙げられる。
この基板載置台2は、矩形盤状に形成されており、厚さ方向に貫通される貫通口2bが複数分散配置されている。この貫通口2bには、図示せぬ駆動手段に接続されて、基板載置台2の上面2aに対して出没可能とされた複数の昇降ピン3が挿通されている。この昇降ピン3は、基板載置台2の上面2aに載置され上面2aに貼りつき状態となった板状の基板1の裏面1bを、例えば外観検査などの処理を終えた段階で押圧し、基板載置台2から基板1を剥離させるためのものである。また、昇降ピン3は、基板1の裏面1bに対して上下動可能(昇降可能)とされており、基板載置台2上で基板1が処理されているときには、その先端3aが貫通口2b内に位置されて基板1の裏面1bには当接されていない状態で保持されている。さらに、基板載置台2の上面2aには、基板載置台2と基板1との間に発生する静電気の電荷を計測するための静電気測定センサ4が複数分散配置されている。
ちなみに、基板1と基板載置台2との貼りつき現象は、例えば基板1の裏面1bと基板載置台2の上面2aとの接触によって各面2a、1bに帯電(静電気)が生じ、基板1と基板載置台2との互いが引き付け合うことなどが要因とされるものである。
As shown in FIGS. 1 and 2, the first embodiment of the present invention is a substrate mounting table that supports a mother glass substrate 1 (hereinafter referred to as a substrate) for an FPD (Flat Panel Display) such as a wafer or a liquid crystal display.
The substrate mounting table 2 is formed in a rectangular disk shape, and a plurality of through
Incidentally, the sticking phenomenon between the substrate 1 and the substrate mounting table 2 is caused by, for example, charging (static electricity) on the
図1から図3に示すように、本実施形態の昇降ピン3は、先端3aが上側に凸となる球形で円柱棒状に形成されている。また、その内部に後端から先端3aに向けて開けられた流通路3bが形成されており、昇降ピン3の先端部分3cには、内部の流通路3bに連通された通気孔3dが複数形成されている。この各通気孔3dは、流通路3bから昇降ピン3の側面3eまで連通されており、流通路3bとの接続部分3fに対して側面3e側が、漸次先端3a側に近づくよう斜めに形成されている。また、図2に示すように、昇降ピン3の流通路3bには、イオナイザ7を介して窒素ガス供給源8が接続されている。これにより、この昇降ピン3は、窒素ガス供給源8からの窒素ガスがイオナイザ7でイオン化され、イオナイザ7によって送風されたイオン化気体(イオン化窒素ガス)を、流通路3bおよび通気孔3dを通じて先端部分3cから放出可能とされている。
As shown in FIGS. 1 to 3, the elevating pin 3 of the present embodiment is formed in a spherical and cylindrical rod shape with a
ついで、図1から図4を参照し、上記の構成からなる基板処理装置Aにおいて、除電を行い、基板1を剥離させる方法について説明する。 Next, with reference to FIG. 1 to FIG. 4, a method for removing the substrate 1 and peeling the substrate 1 in the substrate processing apparatus A configured as described above will be described.
図4に示すように、貼りつき現象を生じた基板1を、先端5aが上側に凸となる球形で円柱棒状に形成された昇降ピン5で押圧し、この押圧力のみで基板1を剥離させた場合には、昇降ピン5で押圧された部分を中心として局部的に基板1が基板載置台2から剥離される。このとき、局部的に剥離された基板載置台2と基板1の剥離部分6には、剥離帯電と呼ばれる正と負の異なる電荷がそれぞれに帯電される現象が生じる。このため、剥離部分6に帯電された静電気により基板1と基板載置台2との間に電位差が生じ、これが放電されてスパークした場合には、基板1が損傷されてしまう。
本実施形態では、図1から図3に示すように、基板載置台2に載置された基板1に対して、例えば外観検査などの処理を終えた段階で、昇降ピン3に接続された駆動手段を駆動し、昇降ピン3を基板1の裏面1b側に移動する。このとき、昇降ピン3の先端3aが基板1の裏面1bに当接される段階で、窒素ガス供給源8及びイオナイザ7からイオン化気体を供給し、通気孔3dからイオン化気体を放出させる。さらに、昇降ピン3の移動を継続し、昇降ピン3の先端3aを基板1の裏面1bに押圧させ、昇降ピン3で押圧された部分およびその周辺部分の基板1を基板載置台2から剥離させる。これと同時に、通気孔3dから放出されたイオン化気体が、直接もしくは貫通口2bを介して、昇降ピン3や昇降ピン3と貫通口2bとの隙間(昇降ピン3の周辺部)の剥離中心部分から剥離部分6全体に送風され供給される。剥離部分6に入り込んだイオン化気体は、そのイオンにより基板載置台2の上面2aおよび基板1の裏面1bの静電気を消失させ、基板1と基板載置台2との間に生じる電位差を、剥離と同時に解消させる。また、イオナイザ7により送風されたイオン化気体が剥離部分6に供給される際には、その送風圧によって基板1の剥離が促進され、静電気を除電しながら基板1が剥離されてゆく。ここで、基板1と基板載置台2との間の電荷は、基板載置台2の上面2a側に分散配置された静電気測定センサ4によって計測されており、イオン化気体による静電気の除去効果が確認されている。さらに昇降ピン3の移動を継続することで、昇降ピン3の押上力とイオン化気体の送風圧とにより剥離部分6が拡大されてゆくとともに、この拡大された剥離部分6に送られたイオン化気体により、静電気が除電されてゆく。最終的には、基板載置台2から基板1が完全に剥離されて、昇降ピン3で基板1が支持される。
As shown in FIG. 4, the substrate 1 in which the sticking phenomenon has occurred is pressed with lifting
In this embodiment, as shown in FIG. 1 to FIG. 3, the drive connected to the lift pins 3 at the stage where, for example, the appearance inspection or the like is finished on the substrate 1 placed on the substrate placing table 2. The means is driven to move the elevating pin 3 to the
したがって、上記の基板処理装置Aによれば、イオン化気体を先端部分3cから放出させる流通路3bと通気孔3dとが昇降ピン3に形成されていることによって、昇降ピン3で基板1を押圧し、基板載置台2から剥離させるとともに、剥離部分6にイオン化気体を供給することができ、剥離部分6の静電気を速やかに消失させることができる。これにより、剥離帯電の放電による基板1の損傷を防止することが可能となる。
Therefore, according to the substrate processing apparatus A described above, the
また、上記の基板処理装置Aによれば、イオン化気体がイオナイザ7により剥離部分6に送風され、このとき、イオン化気体の送風圧によって、基板1の剥離を促進させることができるとともに、剥離部分6の拡大と同時に静電気を除電することが可能となる。
Moreover, according to said substrate processing apparatus A, ionization gas is ventilated by the ionizer 7 to the peeling
さらに、上記の基板処理装置Aによれば、基板載置台2に昇降ピン3が挿通される貫通口2bが形成され、昇降ピン3の通気孔3dから直接もしくは貫通口2bを介してイオン化気体を剥離部分6に供給できるため、基板1の剥離中心部分とイオン化気体の供給位置とをほぼ同位置とすることができ、昇降ピン3によって剥離された剥離部分6に確実にイオン化気体を供給することが可能となる。
Further, according to the substrate processing apparatus A described above, the through
なお、本発明は、上記の第1実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、昇降ピン3は、先端3aが上側に凸となる球形で円柱棒状に形成されているものとしたが、特にその形状が限定されるものではない。また、昇降ピン3に形成された通気孔3dは、先端部分3cにのみ形成されているものとされ、且つ内部に形成された流通路3bとの接続部分3fに対して側面3e側が漸次先端3a側に近づくように斜めに形成されているものとしたが、通気孔3dの形成位置やその形状は、特に限定を必要とするものではない。さらに、本実施形態では、イオン化気体がイオン化窒素ガスであるものとしたが、例えばコンプレッサーから送られた空気をイオナイザ7でイオン化してもよいものであり、イオン化される気体の種類が限定されるものではない。また、イオン化した気体が流通路3bと通気孔3dを介して基板1の裏面1bに供給されるものとしたが、イオンそのものが基板1の裏面1bに放出されて供給されてもよいものである。さらに、通気孔3dからのイオン化気体の放出は、昇降ピン3の先端3aが基板1の裏面1bに当接される段階から行われるものとしたが、例えば昇降ピン3を移動する前からイオン化気体の放出が行われてもよく、また、剥離部分6が顕在化した時点で行われてもよいものである。さらに、基板1の剥離は、昇降ピン3の押上力とイオナイザ7からのイオン化気体の送風圧の双方により進行するものとしたが、特にイオンを放出させて除電する場合には、昇降ピン3の押上力が基板1の剥離に寄与する。また、イオナイザ7からの送風圧で基板1の剥離を達成できる場合には、昇降ピン3の押上力を使用せずに基板1が剥離されてもよいものである。
In addition, this invention is not limited to said 1st Embodiment, In the range which does not deviate from the meaning, it can change suitably. For example, the elevating pin 3 is formed in a cylindrical rod shape with a spherical shape with the
さらに、本実施形態では、昇降ピン3に流通路3bと通気孔3dとを形成し、この流通路3bと通気孔3dとを通じて基板1裏面1bの剥離中心部分にイオン化気体を供給する構成としているが、例えば図5に示すように、昇降ピン5を上下動自在とする貫通口2bの内面に通じる通気口9aを形成し、この通気口9aからイオン化気体が貫通口2bを介して剥離部分6に供給されてもよいものである。このとき、図5に示すように、貫通口2bの内面近傍に位置する通気口9aが基板1の裏面1b側に傾斜されて形成されていてもよく、また、通気口9aと貫通口2bとが接続される位置よりも下方の貫通口2b内に、貫通口2bの内面に外周面が固定されたリング状の弁9bが設けられていてもよく、このような構成とした場合には、通気口9aを通じて貫通口2b内に放出されるイオン化気体を、確実に基板1裏面1bの剥離部分6に供給することが可能となる。
Furthermore, in this embodiment, the
ついで、図1から図2および図6を参照し、本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態の説明においては、第1実施形態に係る基板処理装置Aと共通する構成について同一符号を付し、その詳細についての説明を省略する。 Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 2 and FIG. In the description of the present embodiment, the same reference numerals are assigned to configurations common to the substrate processing apparatus A according to the first embodiment, and the detailed description thereof is omitted.
本発明の第2実施形態に係る基板処理装置Bは、第1実施形態と同様、例えばウェハ、液晶ディスプレイ等に使用されるFPD用のマザーガラス基板1(以下、基板という)を支持する基板載置台2が1つの構成要素とされるものである。基板載置台2の構成は、第1実施形態とほぼ同様とされる一方、図6に示すように、貫通口2b内で上下動可能とされる昇降ピン10が、ピン本体部10aとヘッド部10bとから構成されている。ピン本体部10aは、円筒状に形成されており、この内孔が流通路10cとされ、この流通路10cは、第1実施形態と同様に、イオナイザ7を介して窒素ガス供給源8に接続されている。また、ピン本体部10aの基板1側に位置する上端面10dには、流通路10cの外周に沿うように環状の突出部10eが取り付けられており、この突出部10eは、その外周面が曲面形状とされている。一方、ヘッド部10bは、適度な弾性を有する例えばゴム材で形成されており、基板1側に位置する先端10fが上側に凸となる球形の略円柱状とされるとともに、後端10g側に小径の円柱部分が延設されている。ここで、先端10fが球形とされた円柱部分が大径部10hとされ、後端10g側の径が小とされた円柱部分が小径部10iとされている。また、大径部10hと小径部10iとは、軸線O1が一致するように形成されている。さらに、ピン本体部10aの流通路10cの径は、ヘッド部10bの小径部10iの径よりも若干大とされており、ヘッド部10bの小径部10iがピン本体部10aの上端面10d側の流通路10cに挿入されることにより、1つの昇降ピン10とされている。このとき、流通路10cに挿入された小径部10iと流通路10cとの間には、若干の隙間が画成され、この流通路10cに連通された隙間が通気溝10jとされる。
Similar to the first embodiment, the substrate processing apparatus B according to the second embodiment of the present invention is a substrate mounting for supporting an FPD mother glass substrate 1 (hereinafter referred to as a substrate) used in, for example, a wafer, a liquid crystal display or the like. The mounting table 2 is one component. The configuration of the substrate mounting table 2 is substantially the same as that of the first embodiment. On the other hand, as shown in FIG. 6, the lifting pins 10 that can be moved up and down in the through-
ついで、図6を参照し、上記の構成からなる基板処理装置Bにおいて、除電を行い、基板を剥離させる方法について説明する。 Next, with reference to FIG. 6, a description will be given of a method of removing the substrate and peeling off the substrate in the substrate processing apparatus B having the above-described configuration.
基板載置台2に載置された基板1に対して、例えば外観検査などの処理を終えた段階で、昇降ピン10に接続された駆動手段を駆動し、昇降ピン10を基板1の裏面1b側に移動する。このとき、昇降ピン10のヘッド部10bは、その小径部10iがピン本体部10aの流通路10cに納まり、大径部10hの後端10gがピン本体部10aの上端面10dに形成された突出部10eに当接されている。さらに昇降ピン10の移動を継続し、先端10fが基板1の裏面1bに当接されて押圧した段階で、窒素ガス供給源8及びイオナイザ7からイオン化気体を供給する。この段階では、ヘッド部10bの先端10fが基板1の裏面1bを押圧する反力によって押さえ込まれる。これと同時に、通気溝10jから、加圧されたイオン化気体が剥離部分6に付勢されて供給される。剥離部分6に送風されて入り込んだイオン化気体は、そのイオンにより基板載置台2の上面2aおよび基板1の裏面1bの静電気を消失させ、基板1と基板載置台2との間に生じる電位差を解消させる。また、剥離部分6にイオン化気体が供給される際に、イオン化気体が付勢されているため、供給と同時にイオン化気体の付勢された送風圧で剥離部分6が拡大されて、除電されつつ基板1の剥離が促進される。ついで、さらに昇降ピン10の移動を継続することで、剥離部分6が拡大されてゆくとともに、拡大された剥離部分6にイオン化気体が入り込み、静電気が除電されてゆく。最終的には、基板載置台2から基板1が完全に剥離されて、昇降ピン10のヘッド部10bで基板1が支持される。
When the substrate 1 placed on the
したがって、上記の基板処理装置Bによれば、ヘッド部10bの小径部10iと流通路10cとの隙間に通気溝10jが画成され、この通気溝10jから、剥離部分6にイオン化気体を供給することができる。また、イオン化気体が放出される初期段階で、イオン化気体が流通路10cと通気溝10j内で加圧されているため、剥離部分6に付勢された送風圧をもってイオン化気体を供給することができる。これにより、剥離部分6の静電気を除去しつつ、送風圧により剥離部分6を拡大させることができ、且つ基板1の剥離を促進させることができる。よって、基板1を損傷させずに、確実且つ速やかに剥離させることが可能となる。
Therefore, according to the substrate processing apparatus B described above, the ventilation groove 10j is defined in the gap between the small diameter portion 10i of the
なお、本発明は、上記の第2実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、本実施形態では、イオン化気体がヘッド部10bの小径部10iとピン本体部10aの流通路10cとの隙間(通気溝10j)から供給されるものとしたが、例えば小径部10iに流通路10cと連通する内孔とこの内孔から小径部10iの外周面に連通する孔とを設け、ヘッド部10bがピン本体部10aに対して上方に移動するとともに、イオン化気体が小径部10iの内孔と側面に連通する孔とから供給されてもよいものである。よって、ヘッド部10bとピン本体部10aとからなる昇降ピン10において、イオン化気体が放出される位置及びこれを行う構成については、特に限定されなくてもよいものである。また、ヘッド部10bは適度な弾性を有するゴム材により形成されているものとしたが、この限りではなく、特にその材質が限定されるものではない。
In addition, this invention is not limited to said 2nd Embodiment, In the range which does not deviate from the meaning, it can change suitably. For example, in this embodiment, the ionized gas is supplied from the gap (ventilation groove 10j) between the small diameter portion 10i of the
ついで、図2から図3および図7から図8を参照し、本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態の説明においては、第1実施形態に係る基板処理装置Aと共通する構成について同一符号を付し、その詳細についての説明を省略する。 Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 3 and FIGS. 7 to 8. In the description of the present embodiment, the same reference numerals are assigned to configurations common to the substrate processing apparatus A according to the first embodiment, and the detailed description thereof is omitted.
本実施形態は、図7に示すように、イオン化気体を基板載置台2と基板1との間(基板1の裏面1b)に供給するための溝20が上面(表面)2aに形成された基板載置台2を備える基板処理装置Cに関するものである。この基板載置台2は、第1実施形態と同様に、複数の貫通口2bが形成されている。また、ここでは、基板載置台2に載置された基板1を剥離させるための昇降ピンとして、第1実施形態に示した昇降ピン3が設けられているものとする。
溝20は、各貫通口2bを中心に大きさの異なる円形形状で環状の複数の円形溝20a(環状溝)と、貫通口2bを頂点とする方形形状で環状の複数の方形溝20b(環状溝)と、方形溝20bの基板載置台2の外側方に向けて延設された部分と一部の円形溝20aとを繋げる楕円形溝20c(環状溝)とから構成されている。また、円形溝20aと方形溝20bと楕円形溝20cとは、それぞれが繋がり連通された1つの溝20を形成しているとともに、全ての貫通口2bとも連続して繋げられている。さらに、円形溝20aと方形溝20bと楕円形溝20cとからなる1つの溝20は、基板載置台2上に載置される基板1の直下に位置するように形成されている。
In the present embodiment, as shown in FIG. 7, a substrate in which a
The
ついで、図7から図8を参照し、上記の構成からなる基板処理装置Cにおいて、除電を行い、基板1を剥離させる方法について説明する。 Next, with reference to FIG. 7 to FIG. 8, a method for removing the substrate 1 and peeling the substrate 1 in the substrate processing apparatus C having the above configuration will be described.
第1実施形態に示したように、基板載置台2に載置された基板1の裏面1bに向けて、昇降ピン5を移動させた段階で、窒素ガス供給源8及びイオナイザ7からイオン化気体を供給し、通気孔3dからイオン化気体を放出させる。放出されたイオン化気体は、図8に示すように、貫通口2bに繋げられた方形溝20bに流れ、さらには、方形溝20bに繋げられた円形溝20aへと流れてゆく。昇降ピン3の移動を継続し、先端3aが基板1の裏面1bを押圧して、基板載置台2から基板1を剥離させる段階で、剥離部分6の基板1直下に位置する溝20にイオン化気体が供給されているため、静電気が除電され、剥離部分6に剥離帯電は生じない。また、この段階で剥離された剥離部分6には、昇降ピン3の流通路3bと通気孔3dを介して多量のイオン化気体が供給され、これに伴い、未だ剥離を生じていない基板1の裏面1bの直下に位置する方形溝20bや円形溝20aにイオン化気体が流れてゆく。最終的には、楕円形溝20cにイオン化気体が流れ、溝20全体にイオン化気体が供給される。よって、昇降ピン3の移動を継続し、剥離部分6を拡大した場合においても、溝20を介してイオン化気体が基板1の裏面1bに供給されているため、静電気が除電され、剥離部分6に剥離帯電は生じないものとされる。これにより、昇降ピン3で順次剥離部分6を拡大した場合においても剥離帯電が生じることはなく、最終的には、基板載置台2から基板1が完全に剥離されて、昇降ピン3で基板1が支持される。
As shown in the first embodiment, ionized gas is supplied from the nitrogen gas supply source 8 and the ionizer 7 when the elevating
したがって、上記の基板処理装置Cによれば、円形溝20aと方形溝20bと楕円形溝20cとからなる1つの連続した溝20が基板載置台2の上面2aに形成され、且つ基板載置台2に形成された全ての貫通口2bとこの溝20が連続して繋げられていることによって、イオン化気体を、溝20を通じて基板1の裏面1bに供給することができ、静電気を除去することができる。これにより、昇降ピン3で基板1を基板載置台2から剥離させた場合においても、剥離部分6に剥離帯電が生じることがなく、基板1の損傷を防止することが可能となる。
Therefore, according to the substrate processing apparatus C described above, one
なお、本発明は、上記の第3実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、本実施形態では、方形溝20bが貫通口2bを頂点として形成されるものとしたが、この方形溝20bに限らず、円形溝20aや楕円形溝20cは、貫通口2bを中心として複数形成されてもよいものである。また、溝20は、円形溝20aと方形溝20bと楕円形溝20cとから構成され、それぞれ環状の溝20とされるものとしたが、この限りではなく、溝20は、例えば貫通口2bから放射状に形成されていてもよく、特にその形状が限定されるものではない。また、溝20は、連続の溝であっても不連続の溝であってもよく、連続、不連続の溝が混在されていてもよいものである。
In addition, this invention is not limited to said 3rd Embodiment, In the range which does not deviate from the meaning, it can change suitably. For example, in the present embodiment, the
ついで、図4および図9から図10を参照し、本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態の説明においては、第3実施形態に係る基板処理装置Cと共通する構成について同一符号を付し、その詳細についての説明を省略する。 Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 and 9 to 10. In the description of the present embodiment, the same reference numerals are given to the components common to the substrate processing apparatus C according to the third embodiment, and the detailed description thereof is omitted.
本実施形態は、第3実施形態で示した溝20が上面2aに形成された基板載置台2を備える基板処理装置Dに関するものである。但し、第3実施形態の図7から図8に示したものと異なり、本実施形態では、図9に示すように、溝20が貫通口2bと独立した環状溝とされている。また、図9から図10に示すように、基板載置台2には、基板1裏面1bに向けてイオン化気体を供給可能な複数の放出孔21が貫通口2bに近接して形成されており、この放出孔21が貫通口2bと独立して形成された溝20に繋げられて連通されている。さらに、ここでは、基板載置台2に載置された基板1を剥離させるための昇降ピンとして、図4に示した昇降ピン5が設けられているものとする。
This embodiment relates to a substrate processing apparatus D including the substrate mounting table 2 in which the
ついで、図9から図10を参照し、上記の構成からなる基板処理装置Dにおいて、除電を行い、基板1を剥離させる方法について説明する。 Next, with reference to FIG. 9 to FIG. 10, a method for removing the substrate 1 and peeling the substrate 1 in the substrate processing apparatus D having the above configuration will be described.
基板載置台2に載置された基板1の裏面1bに向けて、昇降ピン5を移動させた段階で、放出孔21からイオン化気体を放出させる。放出されたイオン化気体は、矢印で示すように、溝20に流れてゆき基板1の裏面1bに供給される。また、放出孔21が貫通口2bに近接して設けられているため、昇降ピン5により剥離された基板1の剥離部分6は、剥離とほぼ同時に、放出孔21および溝20に到達する。剥離部分6が放出孔21および溝20に到達された段階で、剥離部分6にイオン化気体が入り込み、静電気が除電される。また、さらに昇降ピン5の移動を継続し剥離部分6を拡大した場合においても、放出孔21から放出されたイオン化気体が溝20に供給されているため、静電気が除電され、剥離部分6に剥離帯電は生じないものとされる。最終的には、基板載置台2から基板1が完全に剥離されて、昇降ピン5で基板1が支持される。
The ionized gas is discharged from the
したがって、上記の基板処理装置Dによれば、貫通口2bと独立して設けられた溝20に、イオン化気体を放出する放出孔21が連通されていることにより、イオン化気体を、溝20を通じて基板1の裏面1bに供給することができる。また、放出孔21が貫通口2bに近接して設けられていることにより、昇降ピン5によって基板1が剥離されるとほぼ同時に剥離部分6が放出孔21および溝20に到達され、剥離部分6にイオン化気体を供給することができる。これにより、剥離部分6に剥離帯電が生じることがなく、基板1の損傷を防止することが可能となる。
Therefore, according to the substrate processing apparatus D described above, the
なお、本発明は、上記の第4実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、本実施形態では、放出孔21が貫通口2bに近接して複数設けられているものとしたが、放出孔21は、貫通口2bの近接位置に加えて、基板1と面接触される基板載置台2の上面2aに分散配置されていてもよいものである。
In addition, this invention is not limited to said 4th Embodiment, In the range which does not deviate from the meaning, it can change suitably. For example, in the present embodiment, a plurality of discharge holes 21 are provided close to the through-
1 基板
1a 基板表面
1b 基板裏面
2 基板載置台
3 昇降ピン
3a 先端
3b 流通路
3c 先端部分
3d 通気孔
3e 側面
6 剥離部分
7 イオナイザ
10 昇降ピン
10a ピン本体部
10b ヘッド部
10c 流通路
10f 先端
10h 大径部
10i 小径部
10j 通気溝
20 溝
20a 円形溝(環状溝)
20b 方形溝(環状溝)
20c 楕円形溝(環状溝)
21 放出孔
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
20b Square groove (annular groove)
20c Oval groove (annular groove)
21 Release hole
Claims (19)
前記基板載置台の上面から出没させて前記基板を昇降させる昇降ピンを備え、
前記基板を複数の昇降ピンにより基板載置台から持ち上げる際に、前記昇降ピンにより押し上げられる前記基板の剥離部分に前記昇降ピンを中心に、かつ昇降ピンの昇降方向に対して交差する方向に向けた導通路から前記イオン化気体を放出し、
前記基板載置台と前記基板との間に発生する静電気を除去する
静電気除去方法。 A substrate mounting table on which a plate-shaped substrate is mounted;
Elevating pins for raising and lowering the substrate by raising and lowering from the upper surface of the substrate mounting table,
When the substrate is lifted from the substrate mounting table by a plurality of lifting pins, the peeling portion of the substrate pushed up by the lifting pins is directed to the direction intersecting the lifting direction of the lifting pins with the lifting pins as the center. Discharging the ionized gas from the conduction path ;
A static electricity removing method for removing static electricity generated between the substrate mounting table and the substrate.
ことを特徴とする請求項1に記載の静電気除去方法。 Electrostatic removing method according to claim 1, characterized in that releasing the ionizable gas the lift pin or al.
ことを特徴とする請求項2に記載の静電気除去方法。The static electricity removing method according to claim 2.
ことを特徴とする請求項1に記載の静電気除去方法。 The static electricity removing method according to claim 1, wherein the ionized gas is discharged from a through hole of the substrate mounting table through which the elevating pin is inserted.
前記イオン化気体を前記各環状溝から放出する
ことを特徴とする請求項1に記載の静電気除去方法。 An annular groove is formed around each through hole of the substrate mounting table through which the elevating pin is inserted,
2. The static electricity removing method according to claim 1, wherein the ionized gas is discharged from each annular groove.
前記イオン化気体を前記各溝から放出する
ことを特徴とする請求項1に記載の静電気除去方法。 A groove is formed radially from each through-hole of the substrate mounting table through which the lifting pins are inserted,
The method of removing static electricity according to claim 1, wherein the ionized gas is discharged from each groove.
ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の静電気除去方法。 The blows ionized gas to the substrate back surface, according to claim 1 to 5 gall displacement of the substrate by feeding air pressure of the ionizable gas while eliminating the static electricity of the substrate rear surface, characterized in that for peeling from the substrate mounting table The method for removing static electricity according to crab.
前記基板を載置する基板載置台と、
前記基板載置台の複数個所に出没可能に設けられ前記基板を昇降させる昇降ピンと、
前記昇降ピンを中心に、かつ昇降ピンの昇降方向に対して交差する方向に向けた導通路からイオン化気体を供給するイオナイザを備え、
前記昇降ピンにより押し上げられる前記基板の剥離部分に前記イオン化気体を放出し、
前記基板載置台と前記基板との間に発生する静電気を除去する
ことを特徴とする基板処理装置。 In a substrate processing apparatus that manufactures a plate-shaped substrate by performing inspections and various processes,
A substrate mounting table for mounting the substrate;
Elevating pins for raising and lowering the substrate provided so as to be able to appear and appear at a plurality of locations on the substrate mounting table,
An ionizer that supplies ionized gas from a conduction path centered on the lifting pin and in a direction that intersects the lifting direction of the lifting pin ;
Discharging the ionized gas to the peeled portion of the substrate pushed up by the lifting pins;
A substrate processing apparatus for removing static electricity generated between the substrate mounting table and the substrate.
ことを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 8.
前記流通路と連通する通気孔が前記昇降ピンの先端部分に放射状に形成されており、
前記イオナイザは、前記流通路と前記通気孔を通して前記イオン化気体を供給する
ことを特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。 The elevating pin has a flow path formed therein for supplying the ionized gas,
It is made form radially distal end portion of the vent the lift pins that communicates with the flow passage,
The substrate processing apparatus according to claim 9 , wherein the ionizer supplies the ionized gas through the flow path and the vent hole.
ことを特徴とする請求項10に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 10 , wherein the vent hole is provided so as to be inclined so that the opening of the vent hole is positioned above the connecting portion of the flow passage.
前記ピン本体部の先端に前記基板を支持するヘッド部とを備え、
前記ピン本体部と前記ヘッド部との間に前記流通路と連通する環状の通気溝を形成し、
前記イオナイザは、前記流通路と前記通気溝を通して前記イオン化気体を供給する
ことを特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。 The elevating pin has a pin body portion in which a flow path for supplying the ionized gas is formed, and
A head portion for supporting the substrate at the tip of the pin body portion;
An annular ventilation groove communicating with the flow passage is formed between the pin body portion and the head portion,
The substrate processing apparatus according to claim 9 , wherein the ionizer supplies the ionized gas through the flow path and the ventilation groove.
この小径部を前記流通路に挿入し前記流通路と前記小径部との間に前記流通路に連通する通気溝を形成する
ことを特徴とする請求項12に記載の基板処理装置。 The head portion has a small diameter portion smaller than the inner diameter of the flow passage,
The small diameter portion is inserted into the flow path substrate processing apparatus according to claim 1 2, characterized in that to form a ventilation groove communicating with the flow passage between the flow passage and the small diameter portion.
前記イオナイザは、前記貫通口を通して前記イオン化気体を供給する
ことを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。 The substrate mounting table is formed by dispersing a plurality of through holes through which the elevating pins are inserted,
The substrate processing apparatus according to claim 8 , wherein the ionizer supplies the ionized gas through the through hole.
この貫通口を中心にして前記基板載置台の上面に連続又は不連続の溝を形成し、
前記イオナイザは、前記溝を通して前記イオン化気体を供給する
ことを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。 The substrate mounting table is formed by dispersing a plurality of through holes through which the lifting pins are inserted,
A continuous or discontinuous groove is formed on the upper surface of the substrate mounting table around the through hole,
The substrate processing apparatus according to claim 8 , wherein the ionizer supplies the ionized gas through the groove.
この貫通口を中心にして前記基板載置台の上面に連続又は不連続の環状溝を複数形成し、
前記イオナイザは、前記溝を通して前記イオン化気体を供給する
ことを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。 The substrate mounting table is formed by dispersing a plurality of through holes through which the lifting pins are inserted,
A plurality of continuous or discontinuous annular grooves are formed on the upper surface of the substrate mounting table around the through hole,
The substrate processing apparatus according to claim 8 , wherein the ionizer supplies the ionized gas through the groove.
この貫通口から前記基板載置台の上面に放射状に連続又は不連続の溝を形成し、
前記イオナイザは、前記溝を通して前記イオン化気体を供給する
ことを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。 The substrate mounting table is formed by dispersing a plurality of through holes through which the lifting pins are inserted,
A continuous or discontinuous groove is formed radially from the through hole on the upper surface of the substrate mounting table,
The ionizer, a substrate processing apparatus according to claim 8, characterized by supplying the ionized gas through before Kimizo.
前記基板裏面の静電気を消失させながら前記イオン化気体の送風圧により前記基板を前記基板載置台から剥離させる
ことを特徴とする請求項8乃至17のいずれかに記載の基板処理装置。 Blowing the ionized gas to the back of the substrate;
The substrate processing apparatus according to claim 8 to 1 7 Neu deviation crab wherein it is peeled off the said substrate by wind pressure feeding of the ionized gas while static electricity to dissipate the back surface of the substrate from the substrate mounting table.
前記基板を載置する基板載置台と、A substrate mounting table for mounting the substrate;
前記基板載置台の複数個所に出没可能に設けられ前記基板を昇降させる昇降ピンと、Elevating pins for raising and lowering the substrate provided so as to be able to appear and appear at a plurality of locations on the substrate mounting table,
前記昇降ピンからイオン化気体を供給するイオナイザを備え、An ionizer for supplying ionized gas from the lifting pins,
前記昇降ピンは、前記イオン化気体を供給する流通路が内部に形成され、The elevating pin has a flow path formed therein for supplying the ionized gas,
前記流通路と連通する通気孔が前記昇降ピンの先端部分に放射状に形成されており、A vent hole communicating with the flow passage is formed radially at a tip portion of the lift pin,
前記イオナイザは、前記流通路と前記通気孔を通して前記昇降ピンにより押し上げられる前記基板の剥離部分に前記イオン化気体を放出し、The ionizer discharges the ionized gas to the peeling portion of the substrate pushed up by the lift pins through the flow passage and the vent hole,
前記基板載置台と前記基板との間に発生する静電気を除去するStatic electricity generated between the substrate mounting table and the substrate is removed.
ことを特徴とする基板処理装置。A substrate processing apparatus.
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